CN111106227A - 简易薄膜csp封装结构和方法 - Google Patents
简易薄膜csp封装结构和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111106227A CN111106227A CN201811252162.9A CN201811252162A CN111106227A CN 111106227 A CN111106227 A CN 111106227A CN 201811252162 A CN201811252162 A CN 201811252162A CN 111106227 A CN111106227 A CN 111106227A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- positioning plate
- semi
- simple thin
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000047 product Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
本发明公开了一种简易薄膜CSP封装结构和方法,该结构包括:提供定位板,并在定位板上排布芯片;在定位板以及芯片表面压合荧光膜;对定位板上的荧光膜进行切割,形成多个半成品,所述半成品包括芯片和包裹芯片表面和侧面的荧光膜;对半成品进行烘烤固化后,再次将半成品排布在定位板上;在所述定位板以及半成品上压合透明膜;对定位板上的透明膜进行切割,以形成多个简易薄膜CSP封装结构。本发明提供的简易薄膜CSP封装方法的封装流程简单,制程能力高效且有制程产品质量稳定,有效的将产品表面均匀度误差控制到±5μm之内,使产品的出光均匀性得到有效地提高。此外,本发明使制程的产品参数灵活可变,更好的适应生产需求的多样化。
Description
技术领域
本发明涉及LED制造领域,特别涉及一种简易薄膜CSP封装结构和方法。
背景技术
CSP封装又称芯片级封装,是LED行业一种新型高集成式封装方式。现有的封装技术主要有点胶、model、压膜等工艺。这些CSP封装工艺有效地减小了芯片封装的大小以及重量,并且在一定程度上提升了光通量、光效与出光的均匀性、一致性等。
压膜工艺作为CSP封装技术的一种较新型工艺,一直备受期待。压膜工艺主要采用荧光粉与特别研发的硅胶均匀混合制成的荧光膜压合在芯片上再进行切割的方式实现封装。在这一系列的制程中,荧光膜的制程能力非常重要。
现有的荧光膜制程技术中,制成厚度较为均匀的厚膜荧光膜已并非难题,现有工艺所制成的厚膜荧光膜的表面均匀误差均可控制在±5μm~±10μm之间。但是在制成厚度均匀的薄膜荧光膜时,由于薄膜本身的厚度只有40μm~80μm,所以当误差控制在±10μm时,仍显得误差较大。所以薄膜表面均匀度的提高仍有一些技术难点需要克服,而薄膜荧光膜的制程成本总是居高不下依然也是该封装技术的痛点。
另一方面,薄膜制程所实现的CSP封装,封装的产品非常容易受到环境的影响而导致产品封装破裂、损坏,薄膜胶本身的散热性能也较差,对产品质量有一定的影响与限制。
发明内容
本发明提供一种简易薄膜CSP封装结构和方法,以解决现有技术中存在的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种简易薄膜CSP封装方法,包括:提供定位板,并在定位板上排布芯片;在定位板以及芯片表面压合荧光膜;对定位板上的荧光膜进行切割,形成多个半成品,所述半成品包括芯片和包裹芯片表面和侧面的荧光膜;对半成品进行烘烤固化后,再次将半成品排布在定位板上;在所述定位板以及半成品上压合透明膜;对定位板上的透明膜进行切割,以形成多个简易薄膜CSP封装结构。
作为优选,排布芯片时,两芯片之间的间距大于等于半成品两个侧壁的厚度与切割刀的宽度之和。
作为优选,采用定高设备压合所述荧光膜。
作为优选,所述半成品中,芯片表面的荧光膜厚度与芯片侧壁的荧光膜厚度相等。
作为优选,切割完成后将成品从定位板上取下,定位板重复使用。
作为优选,所述透明膜采用硅胶。
本发明还提供一种简易薄膜CSP封装结构,包括:芯片、荧光膜和透明膜,其中,所述荧光膜设置在所述芯片的表面和侧面,所述透明膜包裹所述荧光膜的表面。
作为优选,所述芯片表面的荧光膜厚度与芯片侧壁的荧光膜厚度相等。
作为优选,位于荧光膜表面的透明膜厚度与位于荧光膜侧壁的透明膜厚度相等。
与现有技术相比,本发明提供的简易薄膜CSP封装方法的封装流程简单,制程能力高效且有制程产品质量稳定,有效的将产品表面均匀度误差从±10μm左右控制到±5μm之内,使产品的出光均匀性得到有效地提高。
此外,本发明也有效地减少了成本,利用定高设备控制荧光膜的厚度,并进行烘烤固化,免去了薄膜荧光膜制程中所需的高精度成膜涂布机的费用,也省去了多种治具以及耗材的费用;同时,流程中灵活利用排片间距与定高高度控制以及再排片方案,使制程的产品参数灵活可变,更好的适应生产需求的多样化。
附图说明
图1为本发明中在定位板上排布芯片后的结构示意图;
图2为压合荧光膜后的产品结构示意图;
图3为半成品的结构示意图;
图4为重新排布后压合透明膜的产品结构示意图;
图5为切割透明膜后的简易薄膜CSP封装结构的示意图;
图6为本发明中简易薄膜CSP封装结构的结构示意图。
图1中所示:1-芯片、2-白墙胶、3-荧光膜。
图2至图6中所示:10-芯片、20-荧光膜、30-透明膜、40-定位板。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。需说明的是,本发明附图均采用简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明提供一种简易薄膜CSP封装方法,包括:
如图1所示,提供定位板40,并在定位板40上排布芯片10,其中,相邻两芯片10之间的间距大于等于后续形成的半成品两个侧壁的厚度与切割刀的宽度之和。
如图2所示,在定位板40上芯片10以外的区域压上荧光膜20,并使用定高设备控制所述荧光膜20的厚度,确保所述荧光膜20的厚度误差不超过±5μm。
进一步的,如图3所示,对定位板40上的荧光膜20进行切割,形成多个半成品,所述半成品包括芯片10和包裹芯片10表面和侧面的荧光膜20,并且芯片10表面的荧光膜20厚度与芯片10侧壁的荧光膜20厚度相等。具体地,为了控制荧光膜20的厚度精度,在定位板40上排布芯片10时,可以将两芯片10之间的间距设置为半成品两个侧壁的厚度与切割刀的宽度之和,从而使产品后续可以均匀性的出光。
接着,继续参照图3,将所述半成品从定位板40上取下,进行烘烤固化,然后再次将半成品排布在定位板40上,此时半成品之间的排列间距可以根据实际情况进行灵活调整,只要能够为后续的透明膜的侧壁厚度提供足够的空间即可。
如图4所述,在所述定位板40以及半成品上压合透明膜30,所述透明膜30覆盖所述半成品表面和半成品之间的区域。
接着,如图5所示,对定位板40上的透明膜30进行切割,以形成如图6所示的多个简易薄膜CSP封装结构。
当然,切割完成后的简易薄膜CSP封装结构需要从定位板40上取下,该定位板40可以重复多次使用。
请继续参照图6,本发明还提供一种简易薄膜CSP封装结构,包括:芯片10、荧光膜20和透明膜30,其中,所述荧光膜20设置在所述芯片10的表面和侧面,所述透明膜30包裹所述荧光膜20的表面。进一步的,所述芯片10表面的荧光膜20厚度与芯片10侧壁的荧光膜20厚度相等,位于荧光膜20表面的透明膜30厚度与位于荧光膜20侧壁的透明膜30厚度相等。
综上所述,本发明提供的简易薄膜CSP封装方法的封装流程简单,制程能力高效且有制程产品质量稳定,有效的将产品表面均匀度误差从±10μm左右控制到±5μm之内,使产品的出光均匀性得到有效地提高。
此外,本发明也有效地减少了成本,利用定高设备控制荧光膜的厚度,并进行烘烤固化,免去了薄膜荧光膜制程中所需的高精度成膜涂布机的费用,也省去了多种治具以及耗材的费用;同时,流程中灵活利用排片间距与定高高度控制以及再排片方案,使制程的产品参数灵活可变,更好的适应生产需求的多样化。
显然,本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种简易薄膜CSP封装方法,其特征在于,包括:
提供定位板,并在定位板上排布芯片;
在定位板以及芯片表面压合荧光膜;
对定位板上的荧光膜进行切割,形成多个半成品,所述半成品包括芯片和包裹芯片表面和侧面的荧光膜;
对半成品进行烘烤固化后,再次将半成品排布在定位板上;
在所述定位板以及半成品上压合透明膜;
对定位板上的透明膜进行切割,以形成多个简易薄膜CSP封装结构。
2.如权利要求1所述的简易薄膜CSP封装方法,其特征在于,排布芯片时,两芯片之间的间距大于或者等于半成品两个侧壁的厚度与切割刀的宽度之和。
3.如权利要求1所述的简易薄膜CSP封装方法,其特征在于,采用定高设备压合所述荧光膜。
4.如权利要求1所述的简易薄膜CSP封装方法,其特征在于,所述半成品中,芯片表面的荧光膜厚度与芯片侧壁的荧光膜厚度相等。
5.如权利要求1所述的简易薄膜CSP封装方法,其特征在于,切割完成后将成品从定位板上取下,定位板重复使用。
6.如权利要求1所述的简易薄膜CSP封装方法,其特征在于,所述透明膜采用硅胶。
7.一种简易薄膜CSP封装结构,其特征在于,包括:芯片、荧光膜和透明膜,其中,所述荧光膜设置在所述芯片的表面和侧面,所述透明膜包裹所述荧光膜的表面。
8.如权利要求7所述的简易薄膜CSP封装结构,其特征在于,所述芯片表面的荧光膜厚度与芯片侧壁的荧光膜厚度相等。
9.如权利要求7所述的简易薄膜CSP封装结构,其特征在于,位于荧光膜表面的透明膜厚度与位于荧光膜侧壁的透明膜厚度相等。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811252162.9A CN111106227A (zh) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 简易薄膜csp封装结构和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811252162.9A CN111106227A (zh) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 简易薄膜csp封装结构和方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111106227A true CN111106227A (zh) | 2020-05-05 |
Family
ID=70418270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811252162.9A Pending CN111106227A (zh) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 简易薄膜csp封装结构和方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111106227A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111969093A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-20 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装方法 |
US11967725B2 (en) | 2020-07-10 | 2024-04-23 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | Case of battery, battery, power consumption device, and method and device for preparing battery |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105938869A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-14 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 双层结构芯片级封装光源及其制造方法 |
CN106058013A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-10-26 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种芯片级led封装工艺 |
CN106876534A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-20 | 陕西光电科技有限公司 | 一种倒装芯片级led光源的封装方法 |
CN107591468A (zh) * | 2017-07-14 | 2018-01-16 | 昆山芯乐光光电科技有限公司 | 一种基于csp封装结构的一面发光led的封装方法 |
CN108281531A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-13 | 昆山琉明光电有限公司 | 一种csp led封装方法 |
-
2018
- 2018-10-25 CN CN201811252162.9A patent/CN111106227A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105938869A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-14 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 双层结构芯片级封装光源及其制造方法 |
CN106058013A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-10-26 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种芯片级led封装工艺 |
CN106876534A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-20 | 陕西光电科技有限公司 | 一种倒装芯片级led光源的封装方法 |
CN107591468A (zh) * | 2017-07-14 | 2018-01-16 | 昆山芯乐光光电科技有限公司 | 一种基于csp封装结构的一面发光led的封装方法 |
CN108281531A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-13 | 昆山琉明光电有限公司 | 一种csp led封装方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11967725B2 (en) | 2020-07-10 | 2024-04-23 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | Case of battery, battery, power consumption device, and method and device for preparing battery |
CN111969093A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-20 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100592538C (zh) | 高亮度白色光发光二极管的封装方法 | |
TWI724985B (zh) | 產生發光裝置之方法 | |
CN109841165B (zh) | 小间距led显示模块及其制作方法 | |
CN111106227A (zh) | 简易薄膜csp封装结构和方法 | |
JP2013122984A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
CN102412344A (zh) | 发光二极管封装方法 | |
CN102593327A (zh) | 圆片级发光二级管倒装封装工艺 | |
CN111785710B (zh) | Led灯珠及其制备方法 | |
US9653660B1 (en) | Chip scale LED packaging method | |
CN107887492B (zh) | Led封装方法、led模组及其led器件 | |
JP2011091101A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
CN106856219B (zh) | 一种led基片贴膜装置 | |
CN202394860U (zh) | 封装基板条 | |
US7892868B2 (en) | LED packaging method using a screen plate | |
CN104241144A (zh) | 一种芯片塑封结构的制造方法 | |
CN209526066U (zh) | 一种芯片封装的组合模板 | |
CN105322071A (zh) | 一种芯片级白光led及其制作方法 | |
CN116154048A (zh) | 一种基于表面贴片制备led器件的方法 | |
CN111106219A (zh) | 一种高色域csp led及其制作工艺 | |
CN202387650U (zh) | 一种集成化led封装点荧光胶模具 | |
KR20100077517A (ko) | 엘이디 패키지의 제조방법 | |
TW201251129A (en) | Manufacturing method of LED device | |
CN102915942B (zh) | 一种光耦合器精确固晶装置 | |
CN111092142A (zh) | 白光led芯片及其制备方法 | |
CN111036515A (zh) | 一种心率模组的灌胶方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200505 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |