CN111048651B - 一种高反射率uvled基板及生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高反射率UVLED基板及工作方法，高反射率UVLED基板包括金属基板、第一绝缘层、第二绝缘层、金属盖板和PTFE反射层；第一绝缘层成形有线路层；金属基板包括凸台，凸台由金属基板向上延伸成形，凸台设有一个以上；凸台上设有焊盘，凸台与线路层水平高度相同，焊盘位于线路层上方；本发明通过设置凸台，提高金属基板的高度，凸台与线路层平行，这样使用本基板的UVLED能直接与金属基板接触；散热效果好；通过设置由PTFE（聚四氟乙烯）构成的反射层，提高光线的反射率；PTFE能承受高紫外线照射，并且对紫光具有优良的自然反射率，这样反射的光线更加均匀，反射效果好。
Description
技术领域
本发明及紫外灯固化技术，具体涉及一种高反射率UVLED基板及生产方法。
背景技术
随着技术的发展，近年来，UVLED的应用也是推陈出新，UVLED市场前景十分光明。UVLED相对于传统汞灯来说，有着更多的优势,高效节能，能量高，光输出稳定，照射均匀效果好；安全环保，无毒无害；可靠耐用，使用寿命长。所以UVLED有着广泛的应用，空气类、食品表面、水类、医疗类杀菌，利用深紫外线的杀菌功能，可有效除菌，并阻断病毒的传播；也可制作灭蚊灯；但是根据UVLED热学特性，小电流下，LED温升不明显，若环境温度较高，UVLED的主波长就会红移，亮度会下降，发光均匀性、一致性变差。
在中国申请号为201710243382.4，公布日为2017.06.27的专利文献中公开了一种多芯片并串联UVLED阵列式支架；该支架呈叠层式结构，包括顺序叠接的散热层、第一绝缘层、线路层、第二绝缘层和单面镜面发射层，单面镜面发射层上设有均匀分布的反光杯，反光杯的间隔中设有芯片焊盘。
但是该支架的单面镜面发射层的材质为光铝和ALC铝，光线照射到光铝和ALC铝上回产生镜面反射，由于镜面具有光滑表面，从而使得反射方向单一，光线只能从特定的方向反射，反射光线不均匀；同时该支架采用层叠层式结构，芯片焊接点位于支架上方，散热层位于支架下方，芯片焊接点与散热层不直接接触，这样UVLED工作产生的热量需要经过第一绝缘层、线路层和第二绝缘层才能与到达散热层上；散热效果差。
发明内容
本发明提供一种反射均匀、反射效果好、散热效果好的高反射率UVLED基板及生产方法。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：一种高反射率UVLED基板的生产方法，包括以下步骤：
（1）.预处理：在金属基板的焊盘区域蚀刻出凸台结构，在第一绝缘层上形成线路层，将A胶和B胶混合搅拌15分钟，然后进行抽真空处理，形成AB混合胶；金属基板和PTFE反射层的四周设有定位孔；
（2）.将金属基板与第一绝缘层粘接；
（3）.将第一绝缘层与第二绝缘层粘接；
（4）.将PTFE反射层与金属盖板粘接；
（5）.将金属盖板与第二绝缘层粘接；
所述步骤（4）中PTFE反射层与金属盖板粘接步骤具体为：
（4.1）.打磨PTFE反射层表面和金属盖板表面；
（4.2）.采用脱脂剂清洗PTFE反射层和金属盖板的表面，然后再使用无水乙醇进行清洗；
（4.3）.将混合胶涂在金属盖板上表面，胶层厚度为50-100μm；
（4.4）.将涂有混合胶的金属盖板以及PTFE反射层上的定位孔与治具的定位销对应连接；
（4.5）.将PTFE反射层与金属盖板上表面粘接，然后进行压合加工；
（4.6）.将反射层与金属盖板放置于温度为25℃，相对湿度RH50%± 10%的环境中固化30分钟，当反射层与金属盖板的搭接剪切强度大于10Mpa时，进行步骤（5）；
以上生产方法，设置由A胶和B胶混合的AB混合胶，提升基板的粘接强度；并且按照先在金属基板上形成带有线路层的第一线路层，然后将金属基板和第一绝缘层以及第二绝缘层进行粘接，最后将带有PTFE反射层的金属盖板与第二绝缘层进行粘接，操作方便且可靠，另外由于在金属基板上设有凸台，从而外接发光芯片时，将芯片的热量通过凸台金属层直接进行散热，散热效果好，打磨反射层表面和金属盖板表面，使反射层和金属盖板的粘接面变粗糙，混合AB胶能与粗糙的表面更好的接触，使反射层与金属盖板稳定粘接；通过脱脂剂清洗表面，有效去除表面油脂和污垢，提高粘接效果；通过压合加工使金属盖板与反射层的粘接更牢固；然后再放置在常温以及相对湿度的环境中进行固化，这样有效提升混合胶的粘接强度，同时防止通过加热进行固化对PTFE反射层特性的影响，固化时间为30分钟，这样使混合胶与反射层、金属盖板充分粘接；通过压合加工使金属盖板与第二绝缘层的粘接更牢固；本生产方法生产的肩部反射层与金属盖板粘接牢固，这样PTFE反射层由于其表面具有微孔结构使得形成漫反射，从而能提高使用本基板的UVLED的光线反射率。
进一步的，混合AB胶的胶层厚度为80μm。
以上设置，通过设置厚度为80μm的混合胶，粘接效果好。
进一步的，所述步骤（2）中金属基板与第一绝缘层粘接步骤具体为：
（2.1）.将混合AB胶涂在金属基板上表面，胶层厚度为50-100μm；在第一绝缘层上成形线路层；
（2.2）.将第一绝缘层与金属基板上表面粘接，然后进行压合加工；
（2.3）.在线路层与凸台之间添加阻焊层；
（2.4）.对线路层上的焊盘区域进行表面处理；
所述步骤（3）中第一绝缘层与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（3.1）. 将混合AB胶涂在第二绝缘层下表面，胶层厚度为50-100μm；
（3.2）.将第二绝缘层下表面与第一绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工；
所述步骤（5）中金属盖板与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（5.1）.将混合AB胶涂在第二绝缘层上表面，胶层厚度为50-100μm；
（5.2）.将金属盖板下表面与第二绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工；
以上设置，第一绝缘层和金属基板之间、第一绝缘层和第二绝缘层之间、金属盖板和第二绝缘层之间在确保一定厚度的胶层之后通过压合的方式进行加工，确保粘接的可靠性。
进一步的，步骤（1）中预处理还包括：在线路层上形成连接部，连接部的顶面与凸台的平面相平齐，步骤（2.3）之后还包括在连接部与金属盖板之间形成阻焊层；
以上设置，通过在线路层上形成连接部，且在连接部与金属盖板之间形成阻焊层，从而防止凸台与线路层之间的电性连接，同时使得连接部与金属盖板相平齐，方便进行刷锡膏实现焊接处理。
进一步的，所述压合加工，通过铜棒滚动进行压合。
以上设置，铜棒自身存在一定重力，通过铜棒滚动施加向下的压力，这样能排出空气，使粘接效果更好。
本发明还提供了一种高反射率UVLED基板，包括金属基板、第一绝缘层、第二绝缘层、金属盖板和PTFE反射层；第一绝缘层上成形有线路层；第一绝缘层位于在金属基板上方，线路层位于第一绝缘层上方，第二绝缘层设置在金属盖板与线路层之间，PTFE反射层设置在金属盖板上方；金属基板包括凸台，凸台由金属基板向上延伸成形，凸台设有一个以上，凸台与线路层最高位置水平高度相同。
以上设置，通过设置凸台，提高金属基板的高度，凸台与线路层平行，这样使用本基板的UVLED能直接与金属基板接触，散热效果好；通过设置金属盖板，防止在后续PTFE膜压合修补时损伤线路，造成电性不良，同时防止第二绝缘层在紫光长时间照射下发生变性；通过设置第二绝缘层，将线路层与金属盖板分离，防止线路层之间导通产生电性不良；通过设置由PTFE（聚四氟乙烯）构成的PTFE反射层，提高光线的反射率；PTFE反射层能承受高紫外线照射，并且对紫光具有优良的自然反射率，这样反射的光线更加均匀，反射效果好。
进一步的，凸台与线路层之间设有阻焊层。
以上设置，通过设置阻焊层，避免在SMT工艺中，锡流入线路层与凸台之间与金属基板导通。避免导致电性不良。
进一步的，所述第二绝缘层与凸台之间具有间隙，且第二绝缘层顶面的高度高于凸台顶面的高度。
以上设置，第二绝缘层与凸台之间形成焊盘区域，方便进行少量灯珠的手工焊接。
进一步的，所述线路层向上延伸有连接部，连接部位于凸台与金属盖板之间，PTFE反射层的顶面与凸台顶面、连接部顶面相平齐。
以上设置，PTFE反射层与凸台平齐，方便对基板的焊盘区域进行刷锡膏处理，方便进行贴片焊接。
进一步的，金属盖板与连接部、PTFE反射层与连接部之间设有阻焊层。
以上设置，通过设置阻焊层，避免在SMT工艺中，锡流入线路层与凸台之间与金属基板导通。避免导致电性不良。
附图说明
图1为本发明的一实施例结构示意图。
图2为图1中a的放大图。
图3为本发明中金属基板的正视图。
图4为本发明中金属基板的侧视图。
图5为本发明中第一绝缘层与线路层的结构图。
图6为本发明中线路层的焊盘区域的结构图。
图7为本发明中第二绝缘层的结构图。
图8为本发明中金属盖板的结构图。
图9为本发明中反射层的结构图。
图10为本发明另一种实施例的结构示意图。
图11为本发明的生产方法的流程图。
图12为本发明生产过程中使用的治具的侧视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明。
实施例一：
如图1-9、11所示，一种高反射率UVLED基板，包括金属基板1、第一绝缘层2、第二绝缘层4、金属盖板5和PTFE反射层6；第一绝缘层2上成形有线路层3；第一绝缘层2位于在金属基板1上方，线路层3位于第一绝缘层2上方，第二绝缘层4设置在金属盖板5与线路层3之间，PTFE反射层6设置在金属盖板5上方。PTFE为现有材料。
在本实施例中，金属基板1为铜基板；这样保证生产成本的同时使LED器件具有良好的散热效果，保证了LED器件的使用寿命；金属盖板5为铝合金盖板；这样PTFE反射层6能与金属盖板5的粘接性高；第一绝缘层2和第二绝缘层4由三氧化二铝和硅粉组成的混合物与环氧树脂填充的聚合物构成。这样，第一绝缘层2和第二绝缘层4的粘弹性能优良，具有抗热老化的能力，同时能够承受机械及热应力。
金属基板1包括凸台11和定位孔12，定位孔12设有两个以上。在本实施例中定位孔12对称设置在金属基板1两端，定位孔12设有四个以上。凸台11由金属基板1向上延伸成形，凸台11位于两端的定位孔12之间，凸台11设有一个以上。在本实施例中，凸台11设有三个。凸台11与线路层3水平高度相同。第二绝缘层2与凸台11之间具有间隙，这样第二绝缘层2与凸台11之间形成焊盘区域，方便进行少量灯珠的手工焊接。
凸台11与线路层3之间设有阻焊层8。通过设置阻焊层8，避免在SMT工艺中，锡流入线路层3与凸台11之间与金属基板1导通。避免导致电性不良。在本实施例中，阻焊层8为阻焊油墨。
第一绝缘层2设有与定位孔12配合的第一定位孔21；第二绝缘层4设有第二定位孔41、第一通孔42和第二通孔43；第二定位孔41与定位孔12配合，第一通孔42和第二通孔43是与焊盘相匹配的区域。
金属盖板5设有盖板定位孔、第三通孔52和第四通孔53；盖板定位孔与定位孔12配合，第三通孔52和第四通孔53是与焊盘相匹配的区域。
反射层6设有反射定位孔61、第五通孔62和第六通孔63；反射定位孔61与定位孔12配合，第五通孔62和第六通孔63是与焊盘相匹配的区域。
第五通孔62和其中一第六通孔63具有切口64，通过设置切口64为正极标识，以取代传统基板的丝印工艺。本实施例适用于灯珠少的手工焊接。
通过将治具中定位销插入定位孔12，第一定位孔21、第二定位孔41、盖板定位孔和反射定位孔61实现多层之间的预固定；这样第一绝缘层2、第二绝缘层4、金属盖板5和反射层6在金属基板1上准确粘接；避免粘接时发生偏移。
通过设置凸台11，提高金属基板1的高度，凸台11与线路层3平行，这样使用本基板的UVLED能直接与金属基板1接触；散热效果好；通过设置金属盖板5，防止在后续PTFE膜压合修补时损伤线路，造成电性不良，同时防止第二绝缘层4在紫光长时间照射下发生变性；通过设置第二绝缘层4，将线路层3与金属盖板分离，防止线路层3之间导通产生电性不良；通过设置由PTFE（聚四氟乙烯）构成的PTFE反射层6，提高光线的反射率；PTFE能承受高紫外线照射，并且对紫光具有优良的自然反射率，这样反射的光线更加均匀，反射效果好。
本实施例对应的一种高反射率UVLED基板的生产方法，包括以下步骤：
（1）.预处理：在金属基板的焊盘区域蚀刻出凸台结构，在第一绝缘层上形成线路层，将A胶和B胶混合搅拌15分钟，然后进行抽真空处理，形成AB混合胶；金属基板和PTFE反射层的四周设有定位孔；其中A胶通常由树脂加上填料、增塑剂组成，B胶由固化剂、促进剂、填料、稀释剂组成；
（2）.将金属基板与第一绝缘层粘接；
（3）.将第一绝缘层与第二绝缘层粘接；
（4）.将PTFE反射层与金属盖板粘接；
（5）.将金属盖板与第二绝缘层粘接；
所述步骤（2）中金属基板与第一绝缘层粘接步骤具体为：
（2.1）.将混合AB胶涂在金属基板上表面，胶层厚度为50-100μm；在第一绝缘层上成形线路层；
（2.2）.将第一绝缘层与金属基板上表面粘接，然后进行压合加工；
（2.3）.在线路层与凸台之间添加阻焊层；
（2.4）.对线路层上的焊盘区域进行表面处理；
所述步骤（3）中第一绝缘层与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（3.1）. 将混合AB胶涂在第二绝缘层下表面，胶层厚度为50-100μm；
（3.2）.将第二绝缘层下表面与第一绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工；
所述步骤（4）中PTFE反射层与金属盖板粘接步骤具体为：
（4.1）.打磨PTFE反射层表面和金属盖板表面；
（4.2）.采用脱脂剂清洗PTFE反射层和金属盖板的表面，然后再使用无水乙醇进行清洗；
（4.3）.将混合AB胶涂在金属盖板上表面，胶层厚度为50-100μm；
（4.4）.将PTFE反射层与金属盖板上表面粘接，然后进行压合加工；
（4.5）.将PTFE反射层与金属盖板放置于温度为25℃，相对湿度PH50%± 10%的环境中固化30分钟，当PTFE反射层与金属盖板的搭接剪切强度大于10Mpa时，进行步骤（5）；
所述步骤（5）中金属盖板与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（5.1）.将混合AB胶涂在第二绝缘层上表面，胶层厚度为50-100μm；
（5.2）.将金属盖板下表面与第二绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工。
上述生产方法：步骤（1），通过离心搅拌机对A胶和B胶进行混合搅拌，这样能将混合胶搅拌均匀，避免混合胶搅拌不均匀而导致粘接效果不一致。
步骤（2.1），通过自动涂布机将混合胶涂在金属基板1上表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在金属基板1，避免金属基板1上表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
步骤（2.3）.在线路层与凸台之间添加阻焊层；具体包括在凸台与线路层之间添加阻焊层，阻焊层的添加通过涂油墨实现。
步骤（3.1），通过自动涂布机将混合胶涂在第二绝缘层4下表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在第二绝缘层4，避免第二绝缘层4下表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
步骤（4.1），使用0号砂纸打磨PTFE反射层6和金属盖板5表面，这样能将PTFE反射层6和金属盖板5表面打磨得更加粗糙，方便粘接。
步骤（4.2），在本实施例中，通过丙酮清洗PTFE反射层6和金属盖板5的表面。
步骤（4.3），通过自动涂布机将混合胶涂在金属基板1上表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在金属基板1上，避免金属基板1上表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
步骤（5.1），通过自动涂布机将混合胶涂在第二绝缘层4上表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在第二绝缘层4，避免第二绝缘层4上表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
生产方法所述的压合加工，通过铜棒滚动进行压合。在本实施例中适用直径大小为10mm的铜棒进行压合。铜棒自身存在一定重力，通过铜棒滚动施加向下的压力，这样能排出空气，使粘接效果更好。
实施例二：
如图11所示，在另一实施例中，金属基板1向上延伸有凸台11，凸台11的顶面与PTFE反射层的上表面相平齐；凸台11与第二反射层4之间设有间隙，且线路层位于间隙内向上延伸有连接部31，凸台11与连接部31之间设置有阻焊层8，连接部31与反射层6、连接部与金属盖板5之间也设置有阻焊层8；在这个实施例中阻焊层8为阻焊油墨，这个实施例适用于钢网刷锡膏贴片焊接。
本实施例对应的一种高反射率UVLED基板的生产方法，包括以下步骤：
（1）. 预处理：在金属基板1的焊盘区域蚀刻出凸台11结构，在第一绝缘层上形成线路层，在线路层上形成向上延伸的连接部31，将A胶和B胶混合搅拌15分钟，然后进行抽真空处理，形成AB混合胶；金属基板和PTFE反射层的四周设有定位孔；其中A胶通常由树脂加上填料、增塑剂组成，B胶由固化剂、促进剂、填料、稀释剂组成；
（2）.将金属基板与第一绝缘层粘接；
（3）.将第一绝缘层与第二绝缘层粘接；
（4）.将PTFE反射层与金属盖板粘接；
（5）.将金属盖板与第二绝缘层粘接；
所述步骤（2）中金属基板与第一绝缘层粘接步骤具体为：
（2.1）.将混合AB胶涂在金属基板上表面，胶层厚度为50-100μm；在第一绝缘层上成形线路层；
（2.2）.将第一绝缘层与金属基板上表面粘接，然后进行压合加工；
（2.3）.在线路层与凸台之间添加阻焊层；
（2.4）.对线路层上的焊盘区域进行表面处理；
所述步骤（3）中第一绝缘层与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（3.1）. 将混合AB胶涂在第二绝缘层下表面，胶层厚度为50-100μm；
（3.2）.将第二绝缘层下表面与第一绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工；
所述步骤（4）中PTFE反射层与金属盖板粘接步骤具体为：
（4.1）.打磨PTFE反射层表面和金属盖板表面；
（4.2）.采用脱脂剂清洗PTFE反射层和金属盖板的表面，然后再使用无水乙醇进行清洗；
（4.3）.将混合AB胶涂在金属盖板上表面，胶层厚度为50-100μm；
（4.4）.将涂有混合胶的金属盖板以及PTFE反射层上的定位孔与治具的定位销对应连接；
（4.5）.将PTFE反射层与金属盖板上表面粘接，然后进行压合加工；
（4.6）.将PTFE反射层与金属盖板放置于温度为25℃，相对湿度PH50%± 10%的环境中固化30分钟，当PTFE反射层与金属盖板的搭接剪切强度大于10Mpa时，进行步骤（5）；
所述步骤（5）中金属盖板与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（5.1）.将混合AB胶涂在第二绝缘层上表面，胶层厚度为50-100μm；
（5.2）.将金属盖板下表面与第二绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工。
上述生产方法：步骤（1），通过离心搅拌机对A胶和B胶进行混合搅拌，这样能将混合胶搅拌均匀，避免混合胶搅拌不均匀而导致粘接效果不一致。
步骤（2.1），通过自动涂布机将混合胶涂在金属基板1上表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在金属基板1，避免金属基板1上表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
步骤（2.3）.在线路层与凸台之间添加阻焊层；具体包括在凸台与线路层的连接部之间添加阻焊层，在该步骤之后还包括在线路层与金属盖板以及PTFE反射层之间添加阻焊层，阻焊层的添加通过涂油墨实现。
步骤（3.1），通过自动涂布机将混合胶涂在第二绝缘层4下表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在第二绝缘层4，避免第二绝缘层4下表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
步骤（4.1），使用0号砂纸打磨PTFE反射层6和金属盖板5表面，这样能将PTFE反射层6和金属盖板5表面打磨得更加粗糙，方便粘接。
步骤（4.2），在本实施例中，通过丙酮清洗PTFE反射层6和金属盖板5的表面。
步骤（4.3），通过自动涂布机将混合胶涂在金属基板1上表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在金属基板1上，避免金属基板1上表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
步骤（5.1），通过自动涂布机将混合胶涂在第二绝缘层4上表面，胶层厚度为80μm，这样能将混合胶均匀的涂在第二绝缘层4，避免第二绝缘层4上表面的混合胶高低不平而导致粘接后的基板高低不平。
生产方法所述的压合加工，通过铜棒滚动进行压合。在本实施例中适用直径大小为10mm的铜棒进行压合。铜棒自身存在一定重力，通过铜棒滚动施加向下的压力，这样能排出空气，使粘接效果更好。
以上，设置由A胶和B胶进行混合形成AB混合胶，提升基板的粘接强度；同时进行抽真空处理能排出混合胶中的空气，避免影响粘接效果；通过压合加工使第一绝缘层2与金属基板1的粘接更牢固；添加阻焊层8，避免在SMT工艺中，锡流入线路层3与凸台11之间与金属基板1导通；避免导致电性不良；通过对焊盘区域表面进行处理，这样方便成形的基板与UVLED灯连接；通过压合加工使第一绝缘层2与第二绝缘层4的粘接更牢固；
打磨PTFE反射层6表面和金属盖板5表面，使PTFE反射层6和金属盖板5的粘接面变粗糙，混合胶能与粗糙的表面更好的接触，使PTFE反射层6与金属盖板5稳定粘接；通过脱脂剂清洗表面，有效表面油脂和污垢，提高粘接效果；
通过压合加工使金属盖板5与PTFE反射层6的粘接更牢固；然后再放置于温度为25℃，相对湿度PH50%± 10%的环境中进行固化，这样有效提升混合胶的粘接强度，同时固化时间为30分钟，这样使混合胶与PTFE反射层6、金属盖板5充分粘接；通过压合加工使金属盖板5与第二绝缘层4的粘接更牢固；本生产方法生产的PTFE反射层6与金属盖板5粘接牢固，这样PTFE反射层6能提高使用本基板的UVLED的光线反射率。
Claims (10)
1.一种高反射率UVLED基板的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）.预处理：在金属基板的焊盘区域蚀刻出凸台，在第一绝缘层上形成线路层，将A胶和B胶混合搅拌15分钟，然后进行抽真空处理，形成AB混合胶；金属基板和PTFE反射层的四周设有定位孔；
（2）.将金属基板与第一绝缘层粘接；
（3）.将第一绝缘层与第二绝缘层粘接；
（4）.将PTFE反射层与金属盖板粘接；
（5）.将金属盖板与第二绝缘层粘接；
所述步骤（4）中PTFE反射层与金属盖板粘接步骤具体为：
（4.1）.打磨PTFE反射层表面和金属盖板表面；
（4.2）.采用脱脂剂清洗PTFE反射层和金属盖板的表面，然后再使用无水乙醇进行清洗；
（4.3）.将混合胶涂在金属盖板上表面，胶层厚度为50-100μm；
（4.4）.将涂有混合胶的金属盖板以及PTFE反射层上的定位孔与治具的定位销对应连接；
（4.5）.将PTFE反射层与金属盖板上表面粘接，然后进行压合加工；
（4.6）.将反射层与金属盖板放置于温度为25℃，相对湿度RH50%± 10%的环境中固化30分钟，当反射层与金属盖板的搭接剪切强度大于10Mpa时，进行步骤（5）。
2.根据权利要求1所述的一种高反射率UVLED基板的生产方法，其特征在于：混合AB胶的胶层厚度为80μm。
3.根据权利要求1所述的一种高反射率UVLED基板的生产方法，其特征在于：所述步骤（2）中金属基板与第一绝缘层粘接步骤具体为：
（2.1）.将混合AB胶涂在金属基板上表面，胶层厚度为50-100μm；在第一绝缘层上成形线路层；
（2.2）.将第一绝缘层与金属基板上表面粘接，然后进行压合加工；
（2.3）.在线路层与凸台之间添加阻焊层；
（2.4）.对线路层上的焊盘区域进行表面处理；
所述步骤（3）中第一绝缘层与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（3.1）.将混合AB胶涂在第二绝缘层下表面，胶层厚度为50-100μm；
（3.2）.将第二绝缘层下表面与第一绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工；
所述步骤（5）中金属盖板与第二绝缘层粘接步骤具体为：
（5.1）.将混合AB胶涂在第二绝缘层上表面，胶层厚度为50-100μm；
（5.2）.将金属盖板下表面与第二绝缘层上表面粘接，然后进行压合加工。
4.根据权利要求1所述的一种高反射率的UVLED基板的生产方法，其特征在于：步骤（1）中预处理还包括：在线路层上形成连接部，连接部的顶面与凸台的平面相平齐，步骤（2.3）之后还包括在连接部与金属盖板之间形成阻焊层。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种高反射率UVLED基板的生产方法，其特征在于：所述压合加工，通过铜棒滚动进行压合。
6.根据权利要求1-5任一项生产方法制造的一种高反射率UVLED基板，其特征在于：包括金属基板、第一绝缘层、第二绝缘层、金属盖板和PTFE反射层；第一绝缘层上成形有线路层；第一绝缘层位于在金属基板上方，线路层位于第一绝缘层上方，第二绝缘层设置在金属盖板与线路层之间，PTFE反射层设置在金属盖板上方；金属基板包括凸台，凸台由金属基板向上延伸成形，凸台设有一个以上，凸台与线路层最高位置水平高度相同。
7.根据权利要求6所述的一种高反射率UVLED基板，其特征在于：凸台与线路层之间设有阻焊层。
8.根据权利要求6所述的一种高反射率UVLED基板，其特征在于：所述第二绝缘层与凸台之间具有间隙，且第二绝缘层顶面的高度高于凸台顶面的高度。
9.根据权利要求6所述的一种高反射率UVLED基板，其特征在于：所述线路层向上延伸有连接部，连接部位于凸台与金属盖板之间，PTFE反射层的顶面与凸台顶面、连接部顶面相平齐。
10.根据权利要求9所述的一种高反射率UVLED基板，其特征在于：金属盖板与连接部、PTFE反射层与连接部之间设有阻焊层。
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