CN110875357B - 像素界定结构和显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 144
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 179
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000009194 climbing Effects 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 101001117317 Homo sapiens Programmed cell death 1 ligand 1 Proteins 0.000 description 28
- 102100024216 Programmed cell death 1 ligand 1 Human genes 0.000 description 28
- 101001117312 Homo sapiens Programmed cell death 1 ligand 2 Proteins 0.000 description 21
- 102100024213 Programmed cell death 1 ligand 2 Human genes 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 101100463133 Caenorhabditis elegans pdl-1 gene Proteins 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTRRAHGRSMFAKW-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);1-phenylpyrazole Chemical compound [Ir+3].C1=CC=NN1C1=CC=CC=[C-]1.C1=CC=NN1C1=CC=CC=[C-]1.C1=CC=NN1C1=CC=CC=[C-]1 QTRRAHGRSMFAKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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Abstract
本公开涉及一种像素界定结构和显示面板及其制备方法、显示装置。像素界定结构包括：具有第一开口的第一像素界定层，位于基板上，所述第一像素界定层包括由第一亲疏材料形成的第一部分和由第二亲疏材料形成的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在基板表面上的投影不交叠，所述第一像素界定层面向第一开口的侧面包括由所述第一亲疏材料形成的第一侧面和由所述第二亲疏材料形成的第二侧面，其中，所述第一亲疏材料与所述第二亲疏材料的亲疏性不同。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及像素界定结构和显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展，人们对显示产品的性能要求越来越高。显示面板作为显示产品的重要组成部分，受到了广泛的关注。
在显示面板的制备过程中，尤其是在利用喷墨打印等湿法工艺制备功能层薄膜的过程中，需要通过干燥工艺去除多余的溶剂。干燥工艺会导致形成的薄膜厚度不均，进而影响器件的寿命和显示效果。
相关的湿法制备工艺采用双层像素界定层(PDL)结构来减小干燥工艺导致的薄膜的厚度不均匀性。
发明内容
相关的湿法制备工艺仍然很难保证形成的薄膜的厚度均匀。
为此，本公开提出一种能够改善通过湿法工艺制备的薄膜厚度的均匀性的技术方案。
根据本公开实施例的第一方面，提供了一种像素界定结构，包括：具有第一开口的第一像素界定层，位于基板上，所述第一像素界定层包括由第一亲疏材料形成的第一部分和由第二亲疏材料形成的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在基板表面上的投影不交叠，所述第一像素界定层面向第一开口的侧面包括由所述第一亲疏材料形成的第一侧面和由所述第二亲疏材料形成的第二侧面，其中，所述第一亲疏材料与所述第二亲疏材料的亲疏性不同。
在一些实施例中，所述第一部分为亲液部分，所述第二部分为疏液部分，所述亲液部分靠近所述第一开口的一侧包括齿形结构，所述疏液部分位于所述齿形结构的齿之间，且在所述齿的延伸方向上所述疏液部分不超出所述亲液部分。
在一些实施例中，所述齿形结构为矩形齿结构，所述第一侧面和所述第二侧面均为矩形。
在一些实施例中，所述像素界定结构还包括：具有第二开口的第二像素界定层，位于所述第一像素界定层远离所述基板的一侧，所述第二像素界定层由所述第二亲疏材料形成，所述第二像素界定层在所述基板表面上的投影被所述第一像素界定层在所述基板表面上的投影完全覆盖，所述第二开口与所述第一开口的位置对应，且所述第二开口在所述基板表面上的投影完全覆盖所述第一开口在所述基板表面上的投影。
在一些实施例中，所述第一亲疏材料包括SiO2。
在一些实施例中，所述第二亲疏材料包括氟树脂材料。
在一些实施例中，所述面向第一开口的侧面的坡度角为30度-90度。
在一些实施例中，所述第一像素界定层为具有多个第一开口的网状结构，且所述第一像素界定层的所有面向第一开口的侧面均包括由所述第一亲疏材料形成的第一侧面和由所述第二亲疏材料形成的第二侧面。
在一些实施例中，所述第一像素界定层中所述第一部分和所述第二部分的高度相同。
在一些实施例中，所述第一像素界定层中的所述第二部分和所述第二像素界定层中的第二亲疏材料为一体，所述第二亲疏材料为疏液材料。
在一些实施例中，所述第二像素界定层面向所述第二开口的侧面的坡度角为30度-90度。
根据本公开实施例的第二方面，提供了一种包括前述像素界定结构的显示面板。
根据本公开实施例的第三方面，提供了一种包括前述显示面板的显示装置。
根据本公开实施例的第四方面，提供了一种像素界定结构的制备方法，包括：在基板上形成具有第一开口的第一像素界定层，所述第一像素界定层包括由第一亲疏材料形成的第一部分和由第二亲疏材料形成的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在基板表面上的投影不交叠，所述第一像素界定层面向所述第一开口的侧面包括由所述第一亲疏材料形成的第一侧面和由所述第二亲疏材料形成的第二侧面，其中，所述第一亲疏材料与所述第二亲疏材料的亲疏性不同。
在一些实施例中，所述制备方法还包括在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层，其中，形成所述第一像素界定层和第二像素界定层包括：在所述基板上形成第一亲疏材料层；图案化所述第一亲疏材料层，以形成所述第一像素界定层的所述第一部分；在图案化的第一亲疏材料层的基础上形成第二亲疏材料层；图案化所述第二亲疏材料层，以形成所述第一像素界定层的所述第二部分和所述第二像素界定层，其中，所述第二像素界定层具有第二开口，所述第二像素界定层在基板表面上的投影被所述第一像素界定层在所述基板表面上的投影完全覆盖，所述第二开口与所述第一开口的位置对应，且所述第二开口在所述基板表面上的投影完全覆盖所述第一开口在所述基板表面上的投影。
在一些实施例中，所述第一部分为亲液部分，所述制备方法还包括：根据在所述第一开口处待形成的功能层在所述亲液部分的攀爬速度确定所述第一侧面与所述第二侧面的面积比。
在一些实施例中，所述第一侧面与所述第二侧面的面积比与所述攀爬速度成反比。
根据本公开实施例的第五方面，提供了一种显示面板的制备方法，包括：前述像素界定结构的制备方法。
在一些实施例中，所述像素界定结构围成用于形成功能层的开口，所述开口包括第一开口，所述制备方法还包括：利用喷墨打印在所述开口内形成包含所述功能层的材料的溶液。
在上述实施例中，将第一像素界定层设计为面向第一开口的侧面包括由亲液绝缘材料形成的第一侧面和由疏液绝缘材料形成的第二侧面，可以显著改善形成的薄膜厚度的均匀性。
通过以下参照附图对本公开的实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1A是示出根据本公开一些实施例的像素界定结构的俯视图；
图1B是图1A所示的像素界定结构的一部分的俯视图；
图1C和1D是分别沿图1B所示的俯视图中线AA'和BB'截取的像素界定结构的截面图；
图1E是沿图1C所示的截面图中线CC'截取的像素界定结构的剖面图；
图2A是示出根据本公开另一些实施例的像素界定结构的俯视图；
图2B和2C是分别沿图2A所示的俯视图中线aa'和bb'截取的像素界定结构的截面图；
图2D是沿图2B所示的截面图中线cc'截取的像素界定结构的剖面图；
图3A是示出根据本公开又一些实施例的像素界定结构的俯视图；
图3B和3C是分别沿图3A中的线AA'和BB'截取的像素界定结构的截面图；
图3D是沿图3B中的线CC'截取的像素界定结构的剖面图；
图4A是示出根据本公开一些实施例的像素界定结构的制备方法的流程图；
图4B是示出根据本公开另一些实施例的像素界定结构的制备方法的流程图；
图5是示出根据本公开一些实施例的显示面板的制备方法的流程图；
图6是示出根据本公开一些实施例在形成第一亲疏材料层后的截面图；
图7A是示出根据本公开一些实施例在图案化第一亲疏材料层后的俯视图；
图7B是沿图7A中的线AA'截取的像素界定结构的截面图；
图8是示出根据本公开一些实施例在形成第二亲疏材料层后的截面图；
图9A、9B分别示出一个像素单元内功能层在纵向L和横向T上的厚度分布图；
图10A、10B分别示出根据本公开一些实施例在一个像素单元内功能层在纵向L和横向T上的厚度分布图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种实施例。对实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置应被解释为仅仅是示意性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定元件位于第一元件和第二元件之间时，在该特定元件与第一元件或第二元件之间可以存在居间元件，也可以不存在居间元件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
根据本公开一些实施例，像素界定结构包括具有第一开口的第一像素界定层。第一像素界定层位于基板上。第一像素界定层包括由第一亲疏材料形成的第一部分和由第二亲疏材料形成的第二部分。第一部分和第二部分在基板表面上的投影不交叠。第一像素界定层面向第一开口的侧面包括由第一亲疏材料形成的第一侧面和由第二亲疏材料形成的第二侧面。第一亲疏材料与第二亲疏材料的亲疏性不同。
根据本公开另一些实施例，像素界定结构还包括具有第二开口的第二像素界定层。第二像素界定层位于第一像素界定层远离基板的一侧，由第二亲疏材料形成。第二像素界定层在基板表面上的投影被第一像素界定层在基板表面上的投影完全覆盖，第二开口与第一开口的位置对应，且第二开口在基板表面上的投影完全覆盖第一开口在基板表面上的投影。
图1A是示出根据本公开一些实施例的像素界定结构的俯视图。
图1A示出第一像素界定层PDL1、第二像素界定层PDL2在基板100上沿纵向L和横向T的分布。
图1B是图1A所示的像素界定结构的一部分(包括两个像素界定单元)的俯视图。图1C和1D是分别沿图1B中的线AA'和BB'截取的像素界定结构的截面图。图1E是沿图1C中的线CC'截取的像素界定结构的剖面图。
图1B示出第一像素界定层PDL1、第二像素界定层PDL2在基板100上沿纵向L的分布。如图1C所示，第一像素界定层PDL1具有第一开口110，第二像素界定层PDL2具有第二开口210。第二开口210与第一开口110的位置对应，且第二开口210在基板表面上的投影完全覆盖第一开口110在基板表面上的投影。例如，第二开口210与第一开口110的位置对应且中心基本重叠，且第二开口210大于第一开口110。
第一像素界定层PDL1面向第一开口110的侧面包括第一侧面SF1和第二侧面SF2，分别如图1C和1D所示。第一侧面SF1与第二侧面SF2在基板100的表面上的投影P1和P2没有交线，如图1E所示。第一侧面SF1由第一亲疏材料(例如亲液材料)形成，而第二侧面SF2由第二亲疏材料(例如疏液材料)形成。在一些实施例中，亲液材料包括SiO2，疏液材料包括氟树脂材料。
如图1C和1D所示，第一像素界定层PDL1位于基板100上。第二像素界定层PDL2在基板表面上的投影被第一像素界定层PDL1在基板表面上的投影完全覆盖。例如，第二像素界定层PDL2部分覆盖第一像素界定层PDL1。
如图1D所示，第一像素界定层PDL1包括由第一亲疏材料形成的第一部分(例如亲液部分)120和由第二亲疏材料形成的第二部分(例如疏液部分)130。在一些实施例中，第一部分120和第二部分130的高度相同。如图1E所示，第一部分120和第二部分130在基板表面上的投影不交叠。
第二像素界定层PDL2由第二亲疏材料形成，例如与PDL1包括同一种第二亲疏材料。在一些实施例中，第二像素界定层PDL2中的第二亲疏材料与第一像素界定层PDL1的第二部分130中的第二亲疏材料是一体的，例如都是疏液材料。PDL2由疏液材料形成或者其表面包括疏液材料，可以防止利用湿法工艺制备功能层的过程中发生溢流，从而有效防止相邻像素间的串色。
图1E示出沿图1C所示的截面图中线CC'截取的第一像素界定层PDL1的剖面图。第一部分120为亲液部分，第二部分130为疏液部分。亲液部分120靠近第一开口110的一侧包括齿形结构。疏液部分130位于齿形结构的齿之间。在齿的延伸方向上，疏液部分130不超出亲液部分120。如图1E所示，面向第一开口的侧面在基板100的表面上的投影P1和P2呈齿形，其中在齿的延伸方向上，亲液部分120比疏液部分130更长。在一些实施例中，齿形结构为矩形齿结构。图1E示出第一像素界定层PDL1面向第一开口110的侧面为矩形齿状，其中，第一侧面SF1和第二侧面SF2均为矩形。
在另一些实施例中，第一像素界定层PDL1面向第一开口110的侧面为平面状。即，第一侧面与第二侧面共平面，第一侧面与第二侧面在基板100的表面上的投影呈直线形。
图2A是示出根据本公开另一些实施例的像素界定结构的俯视图。图2B和2C是分别沿图2A中的线aa'和bb'截取的像素界定结构的截面图。图2D是沿图2B中的线cc'截取的像素界定结构的剖面图。
图2A示出第二像素界定层PDL2'和基板100。如图2B所示，第一像素界定层PDL1'具有第一开口110'，第二像素界定层PDL2'与第一像素界定层PDL1'的开口相同。
第一像素界定层PDL1'面向第一开口110'的侧面包括第一侧面SF1'和第二侧面SF2'，分别如图2B和2C所示。如图2B和2C所示，
第二像素界定层PDL2'完全覆盖第一像素界定层PDL1'。与图1D类似，图2C中的第一像素界定层PDL1'也包括亲液部分120'和疏液部分130'，区别在于疏液部分与亲液部分的体积比更大。
图2D示出沿图2B所示的截面图中线cc'截取的第一像素界定层PDL1'的剖面图。如图2D所示，第一侧面SF1'与第二侧面SF2'在基板100的表面上的投影P1'和P2'呈直线形，即第一侧面与第二侧面共平面。
在一些实施例中，第一像素界定层和第二像素界定层均为具有多个开口的网状结构。例如，第一像素界定层为具有多个第一开口的网状结构，且第一像素界定层的所有面向第一开口的侧面均包括由第一亲疏材料形成的第一侧面和由第二亲疏材料形成的第二侧面。第二像素界定层为具有多个第二开口的网状结构。
第一像素界定层面向第一开口的侧面的坡度角可以在30度-90度的范围内。第二像素界定层面向第二开口的侧面的坡度角为30度-90度。
图3A是示出根据本公开又一些实施例的像素界定结构的俯视图。图3A与图1B示出的俯视图是相同的，因此用同样的附图标记来表示类似的结构。图3B和3C是分别沿图3A中的线AA'和BB'截取的像素界定结构的截面图。图3D是沿图3B中的线CC'截取的像素界定结构的剖面图。图3B与图1C示出的截面图也是相同的。对于相同之处不再赘述，下面将详细描述不同的图3C和图3D。
与图1D不同的是，从图3C仅能看到第一像素界定层PDL1”的疏液部分130”，而看不到第一像素界定层PDL1”的亲液部分120”。
图3D是沿图3B中的线CC'截取的第一像素界定层PDL1”的剖面图。如图3D所示，亲液部分120”和疏液部分130”为交替设置的条形结构，其中，在条形的延伸方向上，亲液部分120”比疏液部分130”更长。类似于与图1E，第一像素界定层PDL1”面向第一开口的侧面在基板100的表面上的投影P1和P2也呈齿形。
图4A是示出根据本公开一些实施例的像素界定结构的制备方法的流程图。下面结合图1B-1E和2A-2D来描述图4A中的步骤S1-S2。
在步骤S1中，在基板上形成第一像素界定层，第一像素界定层具有第一开口，例如形成图1E和2D所示的第一像素界定层。如前所述，第一像素界定层包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分在基板表面上的投影不交叠，第一像素界定层面向所述第一开口的侧面包括由第一亲疏材料形成的第一侧面和由第二亲疏材料形成的第二侧面，其中，第一亲疏材料与第二亲疏材料的亲疏性不同。第一开口处用于形成功能层。
在步骤S2中，在第一像素界定层上形成第二像素界定层，例如形成图1B-1D和2A-2C所示的结构。如前所述，第二像素界定层具有第二开口。第二像素界定层在基板表面上的投影被第一像素界定层在基板表面上的投影完全覆盖。第二开口与第一开口的位置对应，且第二开口在基板表面上的投影完全覆盖第一开口在基板表面上的投影。
在一些实施例中，像素界定结构的制备方法还包括：步骤S3，根据在第一开口处待形成的功能层在第一部分(即亲液部分)的攀爬速度确定第一侧面与所述第二侧面的面积比。后面将结合图5来描述步骤S3。
图4B是示出根据本公开另一些实施例的像素界定结构的制备方法的流程图。下面结合图6-8来描述图4B中的步骤S11-S14。图6示出根据本公开一些实施例在形成第一亲疏材料层后的截面图。图7A是示出根据本公开一些实施例在图案化第一亲疏材料层后的俯视图；图7B是沿图7A中的线AA'截取的像素界定结构的截面图。图8是示出根据本公开一些实施例在形成第二亲疏材料层后的截面图。
在步骤S11中，在基板100上形成第一亲疏材料层300，形成如图6所示的结构。在一些实施例中，通过旋涂或蒸镀工艺形成第一亲疏材料层。如前所述，第一亲疏材料层可以包括SiO2。
在步骤S12中，图案化第一亲疏材料层300，以形成第一像素界定层的第一部分(例如亲液部分)，例如形成图7A和7B所示的结构。图案化的第一亲疏材料层300靠近开口310的一侧包括齿形结构。如图7A所示，第一亲疏材料层300面向开口310的侧面在基板100上的投影为齿形。即，第一亲疏材料层面向开口的侧面为凸起310P与凹陷310C交替设置的面。在一些实施例中，图案化工艺包括光刻工艺，例如利用掩膜对第一亲疏材料层进行曝光显影，形成齿状的第一亲疏材料层。
在步骤S13中，在图案化的第一亲疏材料层300的基础上形成第二亲疏材料层400，形成例如图8所示的结构。如图8所示，第二亲疏材料层400的一部分填充开口310，另一部分覆盖第一亲疏材料层300(第一像素界定层的亲液部分)。在一些实施例中，通过旋涂或蒸镀工艺形成第二亲疏材料层。如前所述，第二亲疏材料层可以包括氟树脂材料。
在步骤S14中，图案化第二亲疏材料层400，以在开口310的对应位置形成第一开口和第二开口，从而形成具有第一开口的第一像素界定层和具有第二开口的第二像素界定层，例如形成如图1C或2B所示的结构。图1C和图2B中，第二开口在基板表面上的投影均完全覆盖第一开口在基板表面上的投影。具体地，图1C示出第二开口大于第一开口；而图2B示出第二开口与第一开口的大小基本相同。如前所述，第一像素界定层面向第一开口的侧面包括由第一亲疏材料形成的第一侧面和由第二亲疏材料形成的第二侧面。
在步骤S14中可以采用与步骤S12中类似的图案化工艺，例如利用掩膜对第二亲疏材料进行曝光显影，区别在于，采用与步骤S12中不同的掩膜。采用不同的掩膜可以形成不同的第一开口和第二开口，从而可以形成不同的第一像素界定层和第二像素界定层。
在一些实施例中，采用一种掩膜形成如图1B-1E所示的第一像素界定层PDL1和第二像素界定层PDL2，其中，第二开口210大于第一开口110，第二像素界定层PDL2部分覆盖第一像素界定层PDL1。
在另一些实施例中，采用另一种掩膜形成如图2A-2D所示的第一像素界定层PDL1'和第二像素界定层PDL2'，其中，第二开口210'等于第一开口110'，第二像素界定层PDL2'完全覆盖第一像素界定层PDL1'。
根据本公开的实施例，还提供了一种包括前述像素界定结构的显示面板及其制备方法。
图5是示出根据本公开的另一些实施例的显示面板的制备方法的流程图。图5中的步骤S11、S12、S13、S14与图4B中的相应步骤类似，因此下面将不再重复描述，而仅详细描述步骤S21、S22和S3。
在步骤S21中，利用湿法工艺在开口内形成包含功能层材料的溶液，像素界定结构围成用于形成功能层的开口，开口包括第一开口。在一些实施例中，湿法工艺包括喷墨打印工艺。在利用喷墨打印形成包含功能层材料的溶液时，墨水可以通过相应功能层材料作为溶质溶于芳香族溶剂来形成。
功能层例如为发光层、空穴注入层、空穴传输层或电子阻挡层。作为示例，上述各功能层可以选择如下材料。例如，发光层的材料可以选择例如聚对苯乙烯、聚噻吩、聚芴等。空穴传输层的材料可以选择PEDOT/PSS(掺杂聚苯胺)。电子阻挡层的材料可以选择Ir(ppz)3(Tris(phenylpyrazole)iridium；三(1-基吡唑)合铱)。
在步骤S22中，对包含功能层材料的溶液进行干燥处理。在一些实施例中，在真空腔中对溶液进行干燥处理，例如进行抽真空处理。根据不同的功能层材料，采用不同参数(例如温度、时间、真空度等)干燥后，可以在第一开口对应的位置得到相应的功能层。作为像素的组成部分，这些功能层的厚度均匀性将显著影响显示效果。每个像素单元位于一个第一开口中。
在得到相应的功能层后，可以测量功能层在不同方向的厚度。图9A、9B分别示出一个像素单元内功能层在纵向L和横向T上的厚度分布，其中横轴表示像素单元的宽度(即像素宽度)，纵轴表示功能层的厚度(即薄膜厚度)。图9A、9B采用的第一像素界定层仅由亲水材料构成。
根据发光器件(例如OLED)的发光原理，期望功能层在整个像素宽度范围内厚度一致，都等于设计厚度。即期望的是：实际厚度在设计容差范围内的功能层对应的宽度(也称实际宽度)尽可能与设计宽度一样大，设计容差指实际厚度与设计厚度之差在一定范围内是可容忍的。实际厚度在设计容差范围内的功能层认为是平坦的，可以用于计算实际宽度。
图9A、9B分别示出像素在纵向L和横向T上的设计宽度为L0和T0，实际宽度为L1和T1，其中设计容差为10nm。根据图9A、9B的数据，可以计算出L1/L0＝82％，T1/T0＝73％。这样的结果表示：在纵向L和横向T上的厚度均匀性都较低，且在横向T上的厚度均匀性低于纵向L上的厚度均匀性，即T1/T0<L1/L0。
在前述实施例中，通过将第一像素界定层设计为面向第一开口的侧面包括由第一亲疏材料形成的第一侧面和由第二亲疏材料形成的第二侧面，则可以显著改善形成的薄膜厚度的均匀性，例如，能够达到L1/L0≈90％，T1/T0≈85％，并且使得在纵向L和横向T上的厚度均匀性接近，即L1/L0更接近T1/T0。
在另一些实施例中，还可以通过调整第一侧面与第二侧面的面积比来进一步改善功能层的厚度均匀性。得到的功能层的厚度均匀性可以反映在开口处待形成的功能层在亲液部分的攀爬速度。由此，可以在步骤S3中根据在开口处待形成的功能层在亲液部分的攀爬速度确定第一侧面与第二侧面的面积比。
例如，如果测量出的结果为T1/T0<L1/L0，即在横向T上的厚度均匀性低于纵向L上的厚度均匀性，则可以减小横向T上第一像素界定层面向第一开口的第一表面与第二表面的面积比，以使在干燥过程中溶液的表面张力重新分布，进而使得纵向和横向上的溶质迁移作用一致，尽量达到T1/T0＝L1/L 0。这种情况下，可以减小第一表面的面积或增加第二表面的面积，或既减小第一表面的面积又增加第二表面的面积。
以图1A-1E的第一侧面和第二侧面呈矩形齿状为例，可以在开口形状不变的情形下减小矩形齿的宽度，这样位于矩形齿顶部的第一侧面的面积将减小，而位于矩形齿根部的第二侧面的面积将相应增加。另外，第一像素界定层采用矩形齿的形状，对溶液会起到引流的作用，有助于进一步控制功能层的形貌。
类似地，如果测量出的结果为T1/T0>L1/L0，即在横向T上的厚度均匀性大于纵向L上的厚度不均匀性，则可以通过减小纵向L上第一像素界定层面向第一开口的第一表面与第二表面的面积比，以尽量达到T1/T0＝L1/L0。
根据本公开一些实施例，第一侧面与第二侧面的面积比与攀爬速度成反比。即，在某个方向上功能层材料在第一像素界定层的亲液部分的攀爬速度越快，则将该方向上的第一侧面与第二侧面的面积比调整为越小。通过减小纵向L或横向T上第一像素界定层面向第一开口的第一表面与第二表面的面积比，可以减弱功能层材料在第一像素界定层的侧面上的攀爬，从而进一步提高L1/L0或T1/T0，例如，能够达到L1/L0≈T1/T0≈90％。
图10A、10B分别示出根据本公开一些实施例在一个像素单元内功能层在纵向L和横向T上的厚度分布图。根据图10A、10B的数据，仍以设计容差为10nm为例，则纵向L和横向T上的实际宽度分别为L1≈115μm，T1≈70μm。
比较图10A和10B，还可以看出：在纵向L上，功能层材料在第一像素界定层侧面上的攀爬比较明显；而在横向T上，功能层材料在像素单元的中间区域的堆积比较明显。
具体地，在纵向L上第一侧面上的亲液材料比第二侧面上的疏液材料起着更重要的作用，即在像素单元的两侧(第一像素界定层的侧面)上对溶质的吸引作用大于排斥作用，导致溶质在侧面上攀爬。在横向T上的情况正相反，第二侧面上的疏液材料比第一侧面上的亲液材料起着更重要的作用，即在像素单元的两侧上对溶质的排斥作用大于吸引作用，导致溶质被侧面排斥，从而堆积在远离侧面的中间区域。
这样的结果表示：在纵向L和横向T上功能层材料的溶质迁移作用不一致。在这种情况下，可以根据像素在纵向L和横向T上的设计宽度L0和T0，来确定在纵向L和横向T上功能层的厚度均匀性，并进而确定需要调整哪个方向上的溶质迁移，以使得不同方向上的溶质迁移作用一致。
例如，如果L0≈135μm，T0≈80μm，则可以计算出L1/L0≈85％，T1/T0≈87.5％。即，在横向T上的厚度均匀性大于纵向L上的厚度不均匀性，T1/T0>L1/L0。因此，可以调整纵向L上的溶质迁移作用，例如减小纵向L上亲液材料的吸引作用、增加疏液材料的排斥作用。即，可以减小纵向L上第一像素界定层面向第一开口的第一表面与第二表面的面积比，以尽量达到T1/T0＝L1/L0，且与在横向T上的溶质迁移作用趋于一致。
相反，如果L0≈128μm，T0≈80μm，则可以计算出L1/L0≈90％，T1/T0≈87.5％。即，在横向T上的厚度均匀性低于纵向L上的厚度均匀性，T1/T0<L1/L0。因此，可以调整横向T的溶质迁移作用，例如在横向T上减小疏液材料的排斥作用、增加亲液材料的吸引作用。可以增加横向T上第一像素界定层面向第一开口的第一表面与第二表面的面积比，以使在干燥过程中溶液的表面张力重新分布，进而使得横向T上的溶质迁移作用与纵向L上的一致，尽量达到T1/T0＝L1/L 0。
确定第一表面与第二表面的面积比还需要考虑溶液的成分、第一像素界定层的材料及侧面的坡度角等多个因素。在一些实施例中，第一像素界定层面向第一开口的侧面的坡度角在30度-90度的范围内。
在第一像素界定层PDL1的亲液部分靠近第一开口的一侧包括齿形结构的像素界定结构中，第一表面与第二表面的面积比也可以通过齿的尺寸来反映。齿的尺寸可以根据形成的显示面板的分辨率来确定。显示面板的分辨率决定了像素尺寸(即第一开口的大小)和节距，即决定了像素界定层的结构，例如决定了像素界定单元(即PDL1)的尺寸。下面以长边为例描述如何确定齿的尺寸。例如，假设像素节距为P，像素长边尺寸为Dp，则像素界定单元PDL1的尺寸为D1＝P-Dp。假设在利用湿法工艺形成包含功能层材料的溶液时，保证不溢流的PDL2的最小尺寸为D2，且PDL1和PDL2面向开口的坡度角都为90度，则齿的最大尺寸就是(D1-D2)/2。
例如，对于最大分辨率为160ppi(pixels per inch每英寸像素)的显示面板来说，以长边为例，设像素尺寸和节距分别为120μm和160μm，则PDL1的单元尺寸为40μm。假设在利用喷墨打印形成包含功能层材料的溶液时，保证不溢流的PDL2的最小尺寸为20μm，且PDL1和PDL2面向开口的坡度角都为90度，则齿的最大尺寸就是(40-20)/2＝10μm。
不同分辨率的像素界定层PDL1中齿的可调节尺寸范围(即从零到最大尺寸的范围)可能是不同的。分辨率越高，齿的可调节尺寸范围越大。
从上述内容还可以看出，PDL1中齿的可调节尺寸范围还取决于PDL1和PDL2面向开口的坡度角的大小。另外，对于制备功能层材料的不同湿法工艺，保证不溢流的PDL2的最小尺寸也是不同的。即，PDL1中齿的可调节尺寸范围还取决于采用的湿法工艺。
根据本公开实施例，还提供了一种包括前述显示面板的显示装置。在一些实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
至此，已经详细描述了本公开的各种实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。
Claims (19)
1.一种像素界定结构，包括：
具有第一开口的第一像素界定层，位于基板上，所述第一像素界定层包括由第一亲疏材料形成的第一部分和由第二亲疏材料形成的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在基板表面上的投影不交叠，所述第一像素界定层面向第一开口的侧面包括由所述第一亲疏材料形成的第一侧面和由所述第二亲疏材料形成的第二侧面，其中，所述第一亲疏材料与所述第二亲疏材料的亲疏性不同。
2.根据权利要求1所述的像素界定结构，其中，所述第一部分为亲液部分，所述第二部分为疏液部分，所述亲液部分靠近所述第一开口的一侧包括齿形结构，所述疏液部分位于所述齿形结构的齿之间，且在所述齿的延伸方向上所述疏液部分不超出所述亲液部分。
3.根据权利要求2所述的像素界定结构，其中，所述齿形结构为矩形齿结构，所述第一侧面和所述第二侧面均为矩形。
4.根据权利要求1所述的像素界定结构，还包括：
具有第二开口的第二像素界定层，位于所述第一像素界定层远离所述基板的一侧，所述第二像素界定层由所述第二亲疏材料形成，所述第二像素界定层在所述基板表面上的投影被所述第一像素界定层在所述基板表面上的投影完全覆盖，所述第二开口与所述第一开口的位置对应，且所述第二开口在所述基板表面上的投影完全覆盖所述第一开口在所述基板表面上的投影。
5.根据权利要求1所述的像素界定结构，其中，所述第一亲疏材料包括SiO2。
6.根据权利要求1所述的像素界定结构，其中，所述第二亲疏材料包括氟树脂材料。
7.根据权利要求1所述的像素界定结构，其中，所述面向第一开口的侧面的坡度角为30度-90度。
8.根据权利要求1所述的像素界定结构，其中，所述第一像素界定层为具有多个第一开口的网状结构，且所述第一像素界定层的所有面向第一开口的侧面均包括由所述第一亲疏材料形成的第一侧面和由所述第二亲疏材料形成的第二侧面。
9.根据权利要求1所述的像素界定结构，其中，所述第一像素界定层中所述第一部分和所述第二部分的高度相同。
10.根据权利要求4所述的像素界定结构，其中，所述第一像素界定层中的所述第二部分和所述第二像素界定层中的所述第二亲疏材料为一体，所述第二亲疏材料为疏液材料。
11.根据权利要求4所述的像素界定结构，其中，所述第二像素界定层面向所述第二开口的侧面的坡度角为30度-90度。
12.一种显示面板，包括根据权利要求1至11中任一项所述的像素界定结构。
13.一种显示装置，包括根据权利要求12所述的显示面板。
14.一种像素界定结构的制备方法，包括：
在基板上形成具有第一开口的第一像素界定层，所述第一像素界定层包括由第一亲疏材料形成的第一部分和由第二亲疏材料形成的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在基板表面上的投影不交叠，所述第一像素界定层面向第一开口的侧面包括由所述第一亲疏材料形成的第一侧面和由所述第二亲疏材料形成的第二侧面，其中，所述第一亲疏材料与所述第二亲疏材料的亲疏性不同。
15.根据权利要求14所述的制备方法，还包括在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层，其中，形成所述第一像素界定层和第二像素界定层包括：
在所述基板上形成第一亲疏材料层；
图案化所述第一亲疏材料层，以形成所述第一像素界定层的所述第一部分；
在图案化的第一亲疏材料层的基础上形成第二亲疏材料层；
图案化所述第二亲疏材料层，以形成所述第一像素界定层的所述第二部分和所述第二像素界定层，其中，所述第二像素界定层具有第二开口，所述第二像素界定层在基板表面上的投影被所述第一像素界定层在所述基板表面上的投影完全覆盖，所述第二开口与所述第一开口的位置对应，且所述第二开口在所述基板表面上的投影完全覆盖所述第一开口在所述基板表面上的投影。
16.根据权利要求14所述的制备方法，其中，所述第一部分为亲液部分，所述制备方法还包括：
根据在所述第一开口处待形成的功能层在所述亲液部分的攀爬速度确定所述第一侧面与所述第二侧面的面积比。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其中，所述第一侧面与所述第二侧面的面积比与所述攀爬速度成反比。
18.一种显示面板的制备方法，包括：
根据权利要求14至17中任一项所述的像素界定结构的制备方法。
19.根据权利要求18所述的制备方法，所述像素界定结构围成用于形成功能层的开口，所述开口包括第一开口，所述制备方法还包括：利用喷墨打印在所述开口内形成包含所述功能层的材料的溶液。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811010429.3A CN110875357B (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 像素界定结构和显示面板及其制备方法、显示装置 |
| EP19831971.7A EP3846212A4 (en) | 2018-08-31 | 2019-04-29 | PIXEL DEFINING STRUCTURE, DISPLAY PANEL AND METHOD OF PREPARING IT, AND DISPLAY APPARATUS |
| US16/497,585 US10964776B2 (en) | 2018-08-31 | 2019-04-29 | Pixel defining structure, display panel, method of manufacturing the same and display device |
| PCT/CN2019/084929 WO2020042656A1 (zh) | 2018-08-31 | 2019-04-29 | 像素界定结构和显示面板及其制备方法、显示装置 |
| JP2019560278A JP7295033B2 (ja) | 2018-08-31 | 2019-04-29 | 画素規定構造、表示パネル、それらの製造方法、表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811010429.3A CN110875357B (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 像素界定结构和显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110875357A CN110875357A (zh) | 2020-03-10 |
| CN110875357B true CN110875357B (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=69643436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811010429.3A Active CN110875357B (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 像素界定结构和显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10964776B2 (zh) |
| EP (1) | EP3846212A4 (zh) |
| JP (1) | JP7295033B2 (zh) |
| CN (1) | CN110875357B (zh) |
| WO (1) | WO2020042656A1 (zh) |
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| EP3846212A4 (en) | 2022-06-15 |
| CN110875357A (zh) | 2020-03-10 |
| US20200403060A1 (en) | 2020-12-24 |
| WO2020042656A1 (zh) | 2020-03-05 |
| JP7295033B2 (ja) | 2023-06-20 |
| JP2021535533A (ja) | 2021-12-16 |
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| PB01 | Publication | ||
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