CN110797473B - 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示基板，其包括：基底，所述基底包括像素区域和非像素区域，在所述像素区域内形成有槽状电极，所述槽状电极包括底部和由所述底部的边缘向远离所述基底的方向延伸形成的侧部。本发明的技术方案，能够使墨滴在蒸发溶剂的过程中汇集在槽状电极所限定的区域内，从而避免产生咖啡环效应，保证了墨滴所形成的薄膜的均匀性。

Description

一种显示基板、显示基板的制备方法及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、显示基板的制备方法及显示面板。

背景技术

目前，在制备有机发光二极管、有机场效应晶体管的过程中，各层材料的沉积工艺大部分采用喷墨印刷工艺实现，即，利用喷墨印刷工艺将墨水沉积在电极上。现有技术中，常用的电极为平面电极，这不可避免存在以下问题：墨水在沿着平面电极的表面蒸发溶剂的过程中，会受表面张力以及液滴在固-液-气界面的流体动力学现象的影响，从而形成咖啡环效应，进而导致最终沉积形成的薄膜中间薄，边缘厚，从而使薄膜均匀性较差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板、显示基板的制备方法及显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：基底，所述基底包括像素区域和非像素区域，在所述像素区域内形成有槽状电极，所述槽状电极包括底部和由所述底部的边缘向远离所述基底的方向延伸形成的侧部。

可选的，还包括：像素界定层，所述像素界定层对应于所述像素区域的位置形成有像素容纳孔；

所述像素界定层背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第一距离，所述侧部背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第二距离；

所述第一距离大于所述第二距离。

可选的，所述像素界定层中用于围成所述像素容纳孔的侧壁上形成有疏液层。

可选的，所述像素界定层与所述基底之间设置有介质层，所述介质层的侧壁与所述槽状电极的侧部贴合。

可选的，所述像素界定层在所述基底上正投影的面积小于所述介质层在所述基底上正投影的面积，且所述介质层在所述基底上正投影完全覆盖所述像素界定层在所述基底上正投影。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板的制备方法，包括：

提供基底，所述基底包括像素区域和非像素区域；

在像素区域内形成槽状电极，所述槽状电极包括底部和由所述底部的边缘向远离所述基底的方向延伸形成的侧部。

可选的，所述在像素区域内形成槽状电极的步骤具体包括：

形成介质层，所述介质层对应于所述像素区域的位置形成有开孔；

在所述介质层背向所述基底的一侧以及所述开孔内形成导电材料薄膜；

通过构图工艺去除位于所述导电材料薄膜位于所述介质层背向所述基底的一侧的部分，所述导电材料薄膜剩余的部分作为所述槽状电极。

可选的，在所述在像素区域内形成槽状电极的步骤之后，还包括：

去除所述介质层。

可选的，在所述在像素区域内形成槽状电极的步骤之后，还包括：

在所述非像素区域内形成像素限定层，所述像素界定层对应于所述像素区域的位置形成有像素容纳孔，所述像素界定层背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第一距离，所述侧部背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。

可选的，在所述在所述非像素区域内形成像素限定层的步骤之后，还包括：

在所述像素界定层中用于围成所述像素容纳孔的侧壁上形成疏液层。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，其包括本发明所提供的显示基板。

附图说明

图1为本发明提供的一种显示基板的俯视图；

图2为本发明实施例提供的一种显示基板的纵截面的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种显示基板的纵截面的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；

图5为本发明实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图；

图6a～6f为制备图3所示的显示基板的中间结构示意图；

图7为本发明实施例中步骤S206的方法流程图；

图8为本发明实施例提供的再一种显示基板的制备方法的流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的显示基板、显示基板的制备方法及显示面板进行详细描述。

为方便描述，将平行于显示基板的截面称为横截面，将垂直于显示基板的截面称为纵截面。

图1为本发明实施例提供的一种显示基板的俯视图，图2为本发明实施例提供的一种显示基板的纵截面的结构示意图，结合图1和图2所示，该显示基板包括：基底1，基底1包括像素区域101和围绕像素区域的非像素区域102；其中，在像素区域内形成有槽状电极2，槽状电极2包括底部211和由底部的边缘向远离基底的方向延伸形成的侧部212。

在一些实施例中，上述“基底”具体是指通过Array工艺制备的包含有栅线、数据线、像素驱动电路等结构的基底。其中，像素驱动电路包括薄膜晶体管，薄膜晶体管可以选自LTPS晶体管、CMOS晶体管等任意类型晶体管。本发明的技术方案对基底的具体结构不作限定。

进一步地，显示基板具体为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示基板，此时槽状电极具体是指OLED的阳极。需要说的是，本发明中的槽状电极的材料为现有OLED的阳极材料，其一般为亲液导电材料，例如，氧化铟锡(化学式ITO)、氧化铟镓锌(化学式IGZO)等透明导电材料。

在利用喷墨印刷工艺将墨水沉积至槽状电极上，以制备OLED的有机功能层(至少包括有机发光层，当然还可以包括空穴注入层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层等其他功能膜层)时，该槽状电极能够限制墨滴内部运动的马戈兰尼效应，从而使得墨滴在蒸发干燥过程中能够汇集在槽状电极所限定的区域内，进而避免产生咖啡环效应，保证了墨滴所形成的薄膜的均匀性。

需要说明的是，在通过喷墨打印工艺在槽状电极上制备有机功能层时，需保证有机功能层背向基底的一侧表面包裹住槽状电极2的侧部212的端部以及内壁，以防止后续形成OLED的阴极与该槽状电极2接触而发生短路。

在一些实施例中，槽状电极2的底部211与槽状电极2的侧部212垂直。

继续参见图2，在一些实施例中，该显示基板还包括：像素界定层3，该像素界定层3对应于像素区域的位置形成有像素容纳孔311，像素容纳孔311用于容纳槽状电极2；该像素界定层3背向基底1的一侧表面与基底1之间具有第一距离H1，侧部212背向基底1的一侧表面与基底1之间具有第二距离H2，第一距离H1大于第二距离H2，即是说，像素界定层3相较于槽状电极2的侧部最高点具有一定的高度，优选的，该高度为1.5um左右。

在一些实施例中，在像素界定层3中用于围成像素容纳孔311的侧壁上还可形成有疏液层4，该疏液层4的设置能够使墨滴在滴入槽状电极后，趋向于向槽状电极所限定的区域内汇集，从而进一步避免产生咖啡环效应。

当然，在另一些实施例中，疏液层还可不仅仅设置在用于围成像素容纳孔311的侧壁上，还可以是在像素容纳层3背向基底1的一侧表面上也设置有疏液层，这样设置可以使得墨滴不容易在槽状电极2以外的区域沉积，从而提高工艺的精确性。

在一些实施例中，当槽状电极2的底部与侧部的夹角为90度，且像素界定层3的用于围成像素容纳孔311的侧壁与水平面的夹角为120度时，显示基板对滴入电极的墨滴具有更好的汇集作用。

图3为本发明实施例提供的另一种显示基板的纵截面的结构示意图，如图3所示，本实施例所提供的显示基板与图2所示的显示基板的区别在于，本实施例中，显示基板还包括介质层5，该介质层5设置于像素界定层3与基底1之间，介质层5对应于像素区域形成有开孔511，介质层5的侧壁与槽状电极2的侧部贴合。

需要说明的是，本实施例中，像素界定层3在基底1上正投影的面积小于介质层5在基底1上正投影的面积，且介质层5在基底1上正投影完全覆盖像素界定层3在基底1上正投影，即是说，在图3中，距离W1小于距离W2，这样设置可以避免像素界定层3对介质层5产生过覆盖(Overlay)而导致开口率下降的问题。

图4为本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图4所示，本实施例所提供的显示基板的制备方法包括：

步骤S101、提供基底。

步骤S102、在像素区域内形成槽状电极，该槽状电极包括底部和由该底部的边缘向远离基底的方向延伸形成的侧部。

基于本实施例所提供的显示基板的制备方法可形成本发明实施例一所提供的显示基板，该显示基板的像素区域内所形成的电极为槽状电极，相较于现有技术，在利用喷墨印刷工艺将墨水沉积至电极上时，本实施例所提供的槽状电极能够限制墨滴内部运动的马戈兰尼效应，从而使得墨滴在蒸发溶剂的过程中能够汇集在槽状电极所限定的区域内，进而避免产生咖啡环效应，保证了墨滴所形成的薄膜的均匀性。

图5为本发明实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图，用于制备图3所示的显示基板，图6a～6f为制备图3所示的显示基板的中间结构示意图，如图5至图6f所示，该方法包括：

步骤S201、提供基底。

步骤S202、形成介质层，该介质层对应于像素区域的位置形成开孔。

参加图6a所示，在步骤S202中，首先在基底上形成一层介质层材料薄膜，其中，形成介质层材料薄膜的方式可采用现有技术中的沉积、涂敷以及溅射等多种方式中的任意一种，此处不再详细描述，介质层材料可以是SiNx或者SiO2等无机材料，也可以是Resin等有机材料；然后对该层介质层材料薄膜进行构图工艺，以在介质层材料薄膜上的对应于像素区域的位置形成开孔511，从而得到的介质层5，其中，所述构图工艺是指现有技术中的包括光刻胶涂布、曝光、显影、膜层刻蚀、光刻胶剥离等的工艺，此处不再详细描述。

在一些实施例中，介质层的开孔的侧壁与基底之间的夹角为直角。

步骤S203、在介质层背向基底的一侧以及开孔内形成导电材料薄膜。

参见图6b所示，在步骤S203中，首先在步骤S202中所形成的介质层的背向基底的一侧以及开孔内形成一层导电材料薄膜2a，该导电材料薄膜的形成可以采用现有技术中的沉积、涂敷以及溅射等方式中的任意一种，此处不再详细描述。需要说明的是，本发明中的槽状电极的材料为现有OLED的阳极材料，其一般为亲液导电材料，例如，氧化铟锡(化学式ITO)、氧化铟镓锌(化学式IGZO)等透明导电材料。

步骤S204、通过构图工艺去除导电材料薄膜位于介质层背向基底的一侧的部分。

参见图6c所示，通过构图工艺将导电材料薄膜位于介质层背向基底的一侧的部分去除后，导电材料薄膜剩余的部分即构成为本发明所述的槽状电极2，其具有底部211和由底部的边缘向远离基底的方向延伸形成的侧部212。此时，槽状电极2的侧部212与介质层5的侧壁相贴合。

步骤S205、在非像素区域内形成像素限定层，该像素界定层对应于像素区域的位置形成有像素容纳孔，像素界定层背向基底的一侧表面与基底之间具有第一距离，侧部背向基底的一侧表面与基底之间具有第二距离，该第一距离大于第二距离。

参见图6d，在步骤S205中，首先在步骤S204中所形成的介质层之上以及槽状电极之上形成像素限定材料薄膜，所述像素限定材料薄膜可采用现有技术中的沉积、涂敷以及溅射等方式中的任意一种，此处不再详细描述，像素限定材料可以为树脂类或有机酰胺类等；然后，对该像素限定材料薄膜进行构图工艺，以在该像素限定材料薄膜对应于像素区域的位置形成像素容纳孔311，从而得到像素限定层3。如图6d所示，像素界定层3背向基底1的一侧表面与基底1之间具有第一距离H1，侧部212背向基底1的一侧表面与基底1之间具有第二距离H2，第一距离H1应大于第二距离H2，即是说，像素界定层3相较于槽状电极2的侧部最高点具有一定的高度，优选的，该高度为1.5um左右。

在一些实施例中，可通过对像素容纳孔311的位置和尺寸进行设定，使得像素容纳孔在基底上的正投影完全覆盖所述槽状电极在基底上的正投影，从而实现像素界定层在基底上正投影的面积小于介质层在基底上正投影的面积，且介质层在基底上正投影完全覆盖像素界定层在基底上正投影；该设计可以避免像素界定层3对介质层5产生过覆盖(Overlay)而导致开口率下降的问题。

步骤S206、在像素界定层中用于围成像素容纳孔的侧壁上形成疏液层。

疏液层具有疏离墨水的特性，通过在像素界定层的用于围成像素容纳孔的侧壁上形成疏液层，能够使墨滴在滴入槽状电极后，趋向于向槽状电极所限定的区域内汇集，从而进一步避免产生咖啡环效应。

如图7所示，在一些实施例中，步骤S206可具体包括：

步骤S2061、在像素容纳孔内以及像素界定层背向基底的一侧形成疏液材料薄膜。

图6e为经过步骤S2061形成的显示基板的纵截面的结构示意图。优选的，疏液层材料为特氟龙。

步骤S2062、通过构图工艺以去除疏液材料薄膜位于槽状电极表面的部分。

图6f为经过步骤2062形成的显示基板的纵截面的结构示意图，经过步骤S2062后，疏液材料薄膜的剩余部分覆盖于像素界定层的用于围成像素容纳孔的侧壁上以及像素界定层的背向基底的一侧表面上。

在一些实施例中，像素界定层的背向基底的一侧表面上的疏液材料薄膜也是可以被去除的。

需要说明的是，本实施例中步骤S2062所涉及的构图工艺与步骤S202、S204和S205所采用的构图工艺有所区别，步骤S202、S204和S205中对材料进行图案化所采用的工艺为刻蚀工艺；而步骤S2062中，去除位于槽状电极内的疏液材料采用灰化工艺。

图8为本发明实施例提供的再一种显示基板的制备方法的流程图，如图8所示，该制备方法用于制备图2所示的显示基板，本实施例所提供的显示基板的制备方法与图5所示的显示基板的制备方法的区别在于，在本实施例中，在步骤S204之后且在步骤S205之前，还包括：

步骤S204’、去除介质层。

介质层的作用主要为辅助形成槽状电极，因而在本实施例中，在形成槽状电极后，直接将介质层去除，以降低显示基板的复杂程度。

对应于步骤S204’，在步骤S204’之后执行步骤S205，像素限定层由原先的直接形成于介质层上变为直接形成于基底上，即形成图2所示的显示基板。

本发明实施例还提供一种显示面板，其包括本发明上述实施例所提供的显示基板。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底，所述基底包括像素区域和非像素区域，在所述像素区域内形成有槽状电极，所述槽状电极包括底部和由所述底部的边缘向远离所述基底的方向延伸形成的侧部；

所述显示基板还包括：像素界定层和疏液层；

其中，所述像素界定层对应于所述像素区域的位置形成有像素容纳孔，所述槽状电极对应设置于所述像素容纳孔中；所述像素界定层背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第一距离，所述侧部背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第二距离；所述第一距离大于所述第二距离；

疏液层设置在所述像素界定层的用于围成所述像素容纳孔的侧壁上，以及设置在所述像素限定层背向基底的一侧表面上；

所述槽状电极的所述底部与所述槽状电极的所述侧部垂直。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素界定层与所述基底之间设置有介质层，所述介质层的侧壁与所述槽状电极的侧部贴合。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素界定层在所述基底上正投影的面积小于所述介质层在所述基底上正投影的面积，且所述介质层在所述基底上正投影完全覆盖所述像素界定层在所述基底上正投影。

4.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括像素区域和非像素区域；

在像素区域内形成槽状电极，所述槽状电极包括底部和由所述底部的边缘向远离所述基底的方向延伸形成的侧部；所述槽状电极的所述底部与所述槽状电极的所述侧部垂直；

在所述在像素区域内形成槽状电极的步骤之后，还包括：

在所述非像素区域内形成像素限定层，所述像素界定层对应于所述像素区域的位置形成有像素容纳孔，所述槽状电极对应设置于所述像素容纳孔中；所述像素界定层背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第一距离，所述侧部背向所述基底的一侧表面与所述基底之间具有第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；

在所述非像素区域内形成像素限定层的步骤之后，还包括：

在所述像素界定层中用于围成所述像素容纳孔的侧壁上、以及在所述像素限定层背向基底的一侧表面上形成疏液层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在像素区域内形成槽状电极的步骤具体包括：

形成介质层，所述介质层对应于所述像素区域的位置形成有开孔；

在所述介质层背向所述基底的一侧以及所述开孔内形成导电材料薄膜；

通过构图工艺去除位于所述导电材料薄膜位于所述介质层背向所述基底的一侧的部分，所述导电材料薄膜剩余的部分作为所述槽状电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述在像素区域内形成槽状电极的步骤之后，还包括：

去除所述介质层。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-3任一项所述的显示基板。

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