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CN110660928A - 显示装置 - Google Patents

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CN110660928A
CN110660928A CN201910548066.7A CN201910548066A CN110660928A CN 110660928 A CN110660928 A CN 110660928A CN 201910548066 A CN201910548066 A CN 201910548066A CN 110660928 A CN110660928 A CN 110660928A
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CN
China
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layer
color conversion
color
display device
light
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Application number
CN201910548066.7A
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金洙东
权善英
金颂伊
金珍源
朴卿元
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：显示元件，被构造为产生第一颜色光；封装构件，位于显示元件上，并且在封装构件的最外侧部分处包括无机层；颜色转换层，位于封装构件上，并且包括被构造为透射第一颜色光的第一颜色转换部分、被构造为将第一颜色光转换为第二颜色光的第二颜色转换部分以及被构造为将第一颜色光转换为第三颜色光的第三颜色转换部分；以及缓冲层，位于封装构件与颜色转换层之间，其中，缓冲层与无机层之间的折射率的差为约0.5或更小。

Description

显示装置
本申请要求于2018年6月29日提交的第10-2018-0075827号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开在此涉及一种显示装置。例如，本公开的实施例涉及一种使对颜色转换层的损坏最小化或减少对颜色转换层的损坏并且提高光提取效率的显示装置。
背景技术
正在开发用于诸如电视、移动电话、导航系统、计算机监视器、游戏机等的多媒体设备中的各种显示装置。近年来，正在开发能够应用于大尺寸显示装置的有机发光二极管等。
为了提高显示装置的光提取效率和颜色再现性，正在增加诸如量子点的发光体的应用。
发明内容
本公开的实施例提供了一种显示装置，在该显示装置中应用了其折射率被控制的缓冲层，以提高光提取效率。
本公开的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示元件，被构造为产生第一颜色光；封装构件，位于显示元件上，并且在封装构件的最外侧部分处包括无机层；颜色转换层，位于封装构件上，并且包括被构造为透射第一颜色光的第一颜色转换部分、被构造为将第一颜色光转换为第二颜色光的第二颜色转换部分以及被构造为将第一颜色光转换为第三颜色光的第三颜色转换部分；以及缓冲层，位于封装构件与颜色转换层之间，其中，缓冲层与无机层之间的折射率的差为约0.5或更小。
在实施例中，缓冲层可以填充在封装构件与颜色转换层之间。
在实施例中，无机层可以具有约1.5至约2.5的折射率。
在实施例中，缓冲层可以具有约1.5至约2.0的折射率。
在实施例中，显示装置还可以包括位于颜色转换层上的滤色器层。
在实施例中，滤色器层可以包括：第一滤色器部分，与第一颜色转换部分叠置，并且被构造为透射第一颜色光；第二滤色器部分，与第二颜色转换部分叠置，并且被构造为阻挡第一颜色光并透射第二颜色光；以及第三滤色器部分，与第三颜色转换部分叠置，并且被构造为阻挡第一颜色光并透射第三颜色光。
在实施例中，显示装置还可以包括盖层，盖层位于从在颜色转换层与缓冲层之间的位置以及在颜色转换层与滤色器层之间的位置中选择的至少一个位置中。
在实施例中，缓冲层可以包括：底表面，接触封装构件；以及顶表面，与颜色转换层相邻并包括不平坦图案。
在实施例中，内部空间可以限定在缓冲层与颜色转换层之间。
在实施例中，缓冲层可以与第二颜色转换部分和第三颜色转换部分中的至少一个接触。
在实施例中，颜色转换层可以包括量子点。
在实施例中，第一颜色光可以包括具有约410nm至约480nm的波长区域的光，第二颜色光可以包括具有约500nm至约570nm的波长区域的光，并且第三颜色光可以包括具有约625nm至约675nm的波长区域的光。
在实施例中，显示装置还可以包括位于颜色转换层与滤色器层之间的低折射率层，低折射率层具有约1.1至约1.5的折射率。
在本公开的实施例中，显示装置包括：显示元件；颜色转换层，位于显示元件上，并且包括第一颜色转换部分、第二颜色转换部分和第三颜色转换部分，第一颜色转换部分、第二颜色转换部分和第三颜色转换部分均包括量子点并且被定位为彼此间隔开；封装构件，位于显示元件与颜色转换层之间，并且包括接触颜色转换层的无机层；以及缓冲层，位于封装构件与颜色转换层之间，并且具有约1.5至约2.0的折射率。
在实施例中，在平面中，第二颜色转换部分的厚度可以大于第一颜色转换部分的厚度和第三颜色转换部分的厚度中的每个，并且第三颜色转换部分的厚度可以大于第一颜色转换部分的厚度。
在实施例中，在平面中，第二颜色转换部分的面积可以大于第一颜色转换部分的面积和第三颜色转换部分的面积中的每个，并且第三颜色转换部分的面积可以大于第一颜色转换部分的面积。
在实施例中，缓冲层与无机层之间的折射率的差可以为约0.5或更小。
在实施例中，显示装置还可以包括：第一盖层，位于颜色转换层的顶表面上；以及第二盖层，位于缓冲层与颜色转换层之间。
在实施例中，缓冲层可以包括：底表面，接触封装构件；以及顶表面，与颜色转换层相邻，顶表面具有不平坦图案，其中，内部空间可以限定在缓冲层与颜色转换层之间。
在实施例中，内部空间可以限定在缓冲层与第一颜色转换部分之间以及限定在缓冲层与第三颜色转换部分之间。
在本公开的实施例中，显示装置包括：显示元件，在平面中包括彼此相邻的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，显示元件包括与第一像素区域叠置并包括发光层的第一有机发光二极管、与第二像素区域叠置并包括发光层的第二有机发光二极管以及与第三像素区域叠置并包括发光层的第三有机发光二极管；封装构件，位于显示元件上，并且在封装构件的最外侧部分处包括无机层；颜色转换层，位于封装构件上，并且包括定位为与第一有机发光二极管对应的第一颜色转换部分、定位为与第二有机发光二极管对应的第二颜色转换部分以及定位为与第三有机发光二极管对应的第三颜色转换部分；滤色器层，位于颜色转换层上；缓冲层，位于封装构件与颜色转换层之间，其中，缓冲层与无机层之间的折射率的差为约0.5或更小；低折射率层，位于颜色转换层与滤色器层之间；第一盖层，位于颜色转换层与低折射率层之间；以及第二盖层，位于缓冲层与颜色转换层之间，其中，第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的发光层可以彼此成为一体。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的主题的进一步理解，并且附图包含在本公开中并构成本公开的一部分。附图示出了本公开的示例性实施例，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图；
图2是根据本公开的实施例的显示装置的平面图；
图3是沿图2中的线I-I'截取的剖视图；
图4A是示出根据对比示例的显示装置的光路的剖视图；
图4B是示出根据本公开的实施例的显示装置的光路的剖视图；
图5是示出根据对比示例和本公开的实施例的显示装置的光转换率的图；
图6是根据本公开的实施例的像素的等效电路图；
图7是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图8是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图；
图9是根据本公开的实施例的显示装置的平面图；
图10是沿图9中的线II-II'截取的剖视图；
图11是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图；
图12是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图；
图13是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图；以及
图14是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例实施例。因为本公开可以包含各种修改的实施例，所以示例实施例在附图中示出并在本公开的具体实施方式中描述。然而，这并不将本公开限制于示例实施例，并且应该理解的是，在本公开的精神和范围内，本公开涵盖了所有修改、等同物和替换。
同样的附图标记始终表示同样的元件。在附图中，为了便于描述且清楚，可以夸大、省略或示意性地示出每个结构的尺寸和大小。将理解的是，尽管这里使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中被称作第一元件的元件可以在另一实施例中被称作第二元件。除非明确描述为相反，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
如这里使用的，术语“包含”和“包括”的含义包括所陈述的性质、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件，但是不排除其它性质、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件。
在本公开中，将理解的是，当层(或膜)、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“上”或者“在”另一层、区域或板“的上部上”时，该层(或膜)、区域或板可以直接在所述另一层、区域或板上，或者也可以存在中间层、区域或板。与此相反，将理解的是，当层(或膜)、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“下方”或者“在”另一层、区域或板“的下部上”时，该层(或膜)、区域或板可以直接在所述另一层(或膜)、区域或板下方，或者也可以存在中间层、区域或板。此外，在本公开中，层、膜、区域或板“在”另一层、膜、区域或板“上”的结构可以包括该层、膜、区域或板在所述另一层、膜、区域或板的下部和/或上部上的结构。
在本公开中，“直接接触”可以表示在一个层、膜、区域、板等与另一层、膜、区域、板等之间不存在其它层、膜、区域、板等。例如，“直接接触”可以表示在两个层或两个构件之间不使用诸如粘合构件的附加构件的情况下被定位。
在下文中，将参照附图描述根据本公开的实施例的显示装置。
图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图。图2是根据本公开的实施例的显示装置的平面图，图3是沿图2中的线I-I'截取的剖视图。
参照图1，显示装置DD包括显示元件、位于显示元件上的封装构件TFE、位于封装构件TFE上的缓冲层BFL以及位于缓冲层BFL上的颜色转换层CCL。缓冲层BFL可以保护颜色转换层CCL以提高显示元件的光提取效率。
根据本公开的显示元件可以是作为自发光元件的有机发光二极管OLED，并且有机发光二极管OLED可以产生第一颜色光。例如，由有机发光二极管OLED提供的第一颜色光可以是蓝光。蓝光可以包括具有约410nm至约480nm的波长区域(例如，波长在约410nm至约480nm的范围内)的光。
显示装置DD还可以包括彼此面对定位的第一基底SUB1和第二基底SUB2。有机发光二极管OLED可以位于第二基底SUB2上。
参照图2，根据实施例的显示装置DD可以包括其上可以显示图像的显示区域DA和其上不显示图像的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以位于显示区域DA外部。
显示装置DD可以具有矩形形状，该矩形形状具有由沿第一方向DR1的轴和沿第二方向DR2的轴限定的平面。显示装置DD还可以具有在与第一方向DR1和第二方向DR2垂直的第三方向DR3上的厚度。然而，本公开不限于此。例如，显示区域DA和非显示区域NDA可以在形状上相对设计。
尽管在图2中显示装置DD包括平面显示表面，但是本公开不限于此。根据实施例的显示装置DD可以包括弯曲显示表面或立体显示表面。立体显示表面可以包括指示不同方向的多个显示区域。例如，立体显示表面可以包括多边形柱型显示表面。
显示区域DA可以包括多个像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R。例如，像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R可以由多条栅极线和多条数据线来限定。像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R可以以矩阵形式布置。下面将描述的像素可以位于像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R中的每个中。
显示装置DD可以包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域在平面中彼此相邻并且发射具有彼此不同的波长的光。在实施例中，第一像素区域可以是蓝色像素区域Pxa-B，第二像素区域可以是绿色像素区域Pxa-G，第三像素区域可以是红色像素区域Pxa-R。例如，在实施例中，显示装置DD可以包括蓝色像素区域Pxa-B、绿色像素区域Pxa-G和红色像素区域Pxa-R。蓝色像素区域Pxa-B可以是被构造为发射蓝光的蓝色发光区域。绿色像素区域Pxa-G和红色像素区域Pxa-R可以是分别被构造为发射绿光的绿色发光区域和被构造为发射红光的红色发光区域。
图2中所示的像素区域的布置结构可以被称为条纹结构(stripe structure)，但是本公开不限于像素区域的该布置结构。例如，像素区域可以具有PenTile结构。
在实施例中，显示装置DD可以是刚性显示装置。然而，本公开不限于此。例如，根据本公开的实施例的显示装置DD可以是柔性显示装置。
参照图3，根据实施例的显示装置DD可以包括第一基底SUB1和第二基底SUB2。第一基底SUB1和第二基底SUB2中的每个可以包括聚合物基底、塑料基底、玻璃基底和/或石英基底。第一基底SUB1和第二基底SUB2中的每个可以包括透明绝缘基底。第一基底SUB1和第二基底SUB2中的每个可以是刚性的。第一基底SUB1和第二基底SUB2中的每个可以是柔性的。
显示装置DD可以包括位于第二基底SUB2上的电路层CL。这里将参照图7更详细地描述电路层CL。
根据实施例的显示装置DD可以包括与第一像素区域Pxa-B叠置的第一有机发光二极管OLED、与第二像素区域Pxa-G叠置的第二有机发光二极管OLED以及与第三像素区域Pxa-R叠置的第三有机发光二极管OLED。
第一有机发光二极管OLED至第三有机发光二极管OLED中的每个可以包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发光层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
第一有机发光二极管OLED至第三有机发光二极管OLED的发光层EML可以具有一体的形状并且公共地位于像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R以及外围区域NPxa中。发光层EML可以产生例如蓝光的第一颜色光。
封装构件TFE可以位于有机发光二极管OLED上以密封有机发光二极管OLED。封装构件TFE可以包括无机层IL，该无机层IL直接接触缓冲层BFL并且位于与颜色转换层CCL相邻的最外侧位置处。此外，封装构件TFE还可以包括有机层OL，或者可以具有其中无机层IL和有机层OL交替重复地布置的结构。封装构件TFE可以保护有机发光二极管OLED免受湿气/氧气的影响，并且还保护有机发光二极管OLED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。
根据实施例，无机层IL可以具有约1.5至约2.5的折射率。根据另一实施例，无机层IL可以具有约1.5至约2.5、约1.6至约2.4或约1.8至约2.3的折射率。不特别限制无机层IL，只要该材料满足折射率即可。例如，无机层IL可以由包括氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOyNx)、氧化硅(SiOy)、氧化钛(TiOy)和/或氧化铝(AlOy)的材料制成。
有机层OL可以包括丙烯酸酯类有机材料，但不特别限于此。无机层IL可以通过沉积方法等来形成，有机层OL可以通过沉积方法、涂覆方法等来形成。
颜色转换层CCL可以包括：第一颜色转换部分CCP1，被构造为透射第一颜色光；第二颜色转换部分CCP2，被构造为将第一颜色光转换为第二颜色光；以及第三颜色转换部分CCP3，被构造为将第一颜色光转换为第三颜色光。例如，第二颜色光可以是绿光，并且绿光可以包括具有约500nm至约570nm的波长区域(例如，波长在约500nm至约570nm的范围内)的光。第三颜色光可以是红光，并且红光可以包括具有约625nm至约675nm的波长区域(例如，波长在约625nm至约675nm的范围内)的光。
颜色转换层CCL可以包括多个颜色转换部分CCP1、CCP2和CCP3。根据实施例，第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3可以被定位为在平面中彼此间隔开。参照图3，第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3可以在由沿第一方向DR1的轴和沿第三方向DR3的轴限定的平面中布置为彼此间隔开。
第一颜色转换部分CCP1可以被定位为与第一像素区域Pxa-B对应，第二颜色转换部分CCP2可以被定位为与第二像素区域Pxa-G对应，并且第三颜色转换部分CCP3可以被定位为与第三像素区域Pxa-R对应。
根据实施例，颜色转换层CCL可以包括发光体，并且发光体可以包括量子点。量子点可以从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合中选择。
II-VI族化合物可以从二元化合物、三元化合物和四元化合物中选择，二元化合物从由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其组合组成的组中选择，三元化合物从由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其组合组成的组中选择，四元化合物从由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其组合组成的组中选择。
III-V族化合物可以从二元化合物、三元化合物和四元化合物中选择，二元化合物从由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其组合组成的组中选择，三元化合物从由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其组合组成的组中选择，四元化合物从由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其组合组成的组中选择。IV-VI族化合物可以从二元化合物、三元化合物和四元化合物中选择，二元化合物从由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其组合组成的组中选择，三元化合物从由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其组合组成的组中选择，四元化合物从由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其组合组成的组中选择。IV族元素可从由Si、Ge及其组合组成的组中选择。IV族化合物可以是从由SiC、SiGe及其组合组成的组中选择的二元化合物。
这里，二元化合物、三元化合物和四元化合物可以以均匀(例如，基本上均匀)的浓度存在于颗粒中，或者以浓度分布被分成局部不同状态的状态存在于颗粒中。
量子点可以具有包括围绕核的壳的核壳结构。在一些实施例中，量子点可以具有一个量子点围绕另一个量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有存在于壳中的元素浓度朝向量子点的中心逐渐减小的浓度梯度。
量子点可以具有纳米级尺寸的颗粒。量子点可以具有发射波长光谱的约45nm或更小的半峰全宽(FWHM)，例如，约40nm或更小或者约30nm或更小的半峰全宽(FWHM)。在该范围内，可以改善颜色纯度和颜色再现性。此外，通过量子点发射的光可以在所有方向上发射以改善光学视角。
此外，量子点可以具有本领域通常使用的任何合适的形状，并且不特别限于任何特定的形状。在一些实施例中，量子点可以具有球形状、金字塔形状、多臂形状、立方纳米颗粒形状、纳米管形状、纳米线形状、纳米纤维形状和/或纳米片颗粒形状等。
从量子点发射的光可以根据量子点的粒径来改变颜色。例如，设置在第二颜色转换部分CCP2中的量子点的粒径可以小于设置在第三颜色转换部分CCP3中的量子点的粒径。这里，设置在第二颜色转换部分CCP2中的量子点发射的光的波长可以比从设置在第三颜色转换部分CCP3中的量子点发射的光的波长短。
尽管第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3在附图中具有相同(例如，基本上相同)的面积和/或厚度，但是本公开不限于此。例如，第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3可以具有不同的面积和/或厚度。
在一些实施例中，阻光部分BM可以位于彼此间隔开的第一颜色转换部分CCP1与第二颜色转换部分CCP2之间，并且/或者位于彼此间隔开的第二颜色转换部分CCP2与第三颜色转换部分CCP3之间。
在实施例中，显示装置可以包括滤色器层CFL。滤色器层CFL可以位于颜色转换层CCL上，并且包括第一滤色器部分B-CFP、第二滤色器部分G-CFP、第三滤色器部分R-CFP以及阻光部分BM。
在实施例中，第一滤色器部分B-CFP、第二滤色器部分G-CFP和第三滤色器部分R-CFP可以在平面中定位为彼此间隔开。参照图3，第一滤色器部分B-CFP、第二滤色器部分G-CFP和第三滤色器部分R-CFP可以在由沿第一方向DR1的轴和沿第三方向DR3的轴限定的平面中布置为彼此间隔开。
第一滤色器部分B-CFP可以被定位为与第一颜色转换部分CCP1对应并且被构造为透射具有第一颜色的光。第二滤色器部分G-CFP可以被定位为与第二颜色转换部分CCP2对应并且被构造为阻挡具有第一颜色的光并透射具有第二颜色的光。第三滤色器部分R-CFP可以被定位为与第三颜色转换部分CCP3对应并且被构造为阻挡具有第一颜色的光并透射具有第三颜色的光。显示装置DD可以包括滤色器层CFL以有效地减少外部光的反射。
阻光部分BM可以设置为与外围区域NPxa对应。阻光部分BM可以包含有机阻光材料或包括黑色颜料或染料的无机阻光材料。阻光部分BM可以防止或减少漏光现象的发生，并且可以区分彼此相邻的滤色器部分之间的边界。阻光部分BM的至少一部分可以被定位为同与其相邻的滤色器部分叠置。例如，阻光部分BM的至少一部分可以被定位为在由沿第一方向DR1的轴和沿第三方向DR3的轴限定的平面中在厚度方向上同与其相邻的滤色器部分叠置。然而，本公开不限于此。
尽管在本公开的实施例中阻光部分BM包括在滤色器层CFL中，但是本公开不限于此。
缓冲层BFL位于封装构件TFE与颜色转换层CCL之间。缓冲层BFL可以位于封装构件TFE与颜色转换层CCL之间，以防止或减少颜色转换层CCL与封装构件TFE的接触，并且提高显示装置DD的光提取效率。
在实施例中，缓冲层BFL可以填充在封装构件TFE与颜色转换层CCL之间。填充在封装构件TFE与颜色转换层CCL之间意味着封装构件TFE与颜色转换层CCL之间的空间完全被缓冲层BFL填充，使得在封装构件TFE与颜色转换层CCL之间不产生内部空间，并且缓冲层BFL接触封装构件TFE以及颜色转换层CCL的第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3中的全部。
缓冲层BFL可以防止或减少设置在颜色转换层CCL中的量子点的氧化。因此，显示装置DD可以保持其光提取效率而使光提取效率不会被大大减小。
在实施例中，缓冲层BFL可以直接位于定位在封装构件TFE的最外侧部分处的无机层IL上。缓冲层BFL与无机层IL之间的折射率的差可以为约0.5或更小。在一些实施例中，缓冲层BFL可以具有约1.5至约2.0的折射率。缓冲层BFL可以包括无机粘合剂、有机粘合剂或液晶化合物以满足具有上述范围的折射率，但是本公开不限于此。
此外，缓冲层BFL还可以包括流平剂。在这种情况下，即使当颜色转换层CCL的第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3的厚度和/或面积彼此不同时，缓冲层BFL也可以具有低共形性并且是平坦的。缓冲层BFL可以通过滴下式注入(one drop fill，ODF)方式来形成，在滴下式注入方式中，在聚合之前将缓冲层材料注入到一个基底中，然后，将另一基底放置在所述一个基底的其上设置有缓冲层材料的表面上并使缓冲层材料聚合，由此两个基底彼此附着。
这里，将参照图4A-图4B来更详细地描述缓冲层BFL的折射率。
图4A是示出根据对比示例的显示装置的光路的剖视图。图4B是示出根据本公开的实施例的显示装置的光路的剖视图。图5是示出根据对比示例和本公开的实施例的显示装置的光转换率的图。
参照图4A，与该实施例不同，缓冲层BFL不设置在封装构件TFE的无机层IL与颜色转换层CCL之间，并且也存在内部空间AR。内部空间AR可以处于真空状态并且具有约1.0的折射率。因此，无机层IL与内部空间AR之间的折射率的差相对大。
当从无机层IL朝向颜色转换层CCL行进的光被定义为入射光时，垂直于无机层IL与内部空间AR之间的界面的虚线与入射光之间的角可以被定义为入射角。当入射角大于全反射角时，100％的入射光在无机层IL与内部空间AR之间的界面处被反射。全反射角的大小取决于斯涅尔定律。
当显示装置不包括缓冲层BFL时，因为无机层IL与内部空间AR之间的折射率的差相对大，所以全反射角相对小，入射光的具有大于全反射角的入射角θc的部分在无机层IL与内部空间AR之间的界面处被全反射，因此不会到达颜色转换层CCL。此外，入射光的剩余部分具有小于全反射角的入射角θr，因此在无机层IL与内部空间AR之间的界面处不被全反射。然而，入射光由于无机层IL与内部空间AR之间的折射率的差而被大大地折射而不透射到颜色转换层CCL的前表面。因此，当在无机层IL与颜色转换层CCL之间不设置缓冲层BFL而仅存在内部空间AR时，会减少透射到颜色转换层CCL的光量，从而降低光提取效率。
参照图4B，根据该实施例，缓冲层BFL位于无机层IL与颜色转换层CCL之间。因为缓冲层BFL与无机层IL之间的折射率的差为约0.5或更小，所以全反射角可以相对大。因此，与入射光的一部分被全反射以如图4B的虚线L1指示行进不同，因为入射角θc小于全反射角，所以入射光的一部分(具有入射角θc)不在无机层IL与缓冲层BFL之间的界面处被全反射，而是透射到侧表面。此外，具有入射角θr的剩余入射光(与被大大折射以如图4B的虚线L2指示行进的剩余入射光不同)可以以小角度折射以穿过缓冲层BFL。然后，入射光到达缓冲层BFL与颜色转换层CCL之间的界面，然后再次被折射以入射到颜色转换层CCL的前表面中。
因此，根据实施例的显示装置DD可以包括其折射率被控制的缓冲层BFL，以将光收集引入到颜色转换层CCL中，从而提高光提取效率。
图5是示出通过比较根据对比示例和本公开的实施例的光转换效率的保持率而获得的结果的图。为了确认在设置缓冲层BFL时的效果，提供顺序地层叠有基底、颜色转换层和缓冲层的层叠体作为实施例，提供顺序地层叠有基底和颜色转换层的层叠体作为对比示例。实施例1-1和对比示例1-1表示在第三颜色转换部分中测量的保持率，实施例1-2和对比示例1-2表示在第二颜色转换部分中测量的保持率。制造工艺主要分为三个步骤，并且在每个步骤之后就通过测量光转换效率来计算保持率(％)。步骤1是在180℃的温度下热处理每个层叠体30分钟的工艺，步骤2是形成无机层的工艺，步骤3是在230℃的温度下热处理每个层叠体30分钟的工艺。
在图5中，保持率(％)是通过以下步骤获得的值：在执行步骤1之前测量每个层叠体的光转换效率，然后当上述光转换效率被称为初始光转换效率时，将保持初始光转换效率的程度转换为百分(％)值。例如，当初始光转换效率为约24％，并且步骤1中测量的光转换效率为约20％时，步骤1中的保持率为约83％。
在对比示例1-1中，保持率降低至值88％→值80％→值80％，即，与初始保持率相比降低了约8％。另一方面，在实施例1-1中，保持率降低至值88％→值81％→值87％，即，与初始保持率相比仅降低了约1％。在对比示例1-2中，保持率降低至值95％→值87％→值83％，即，与初始保持率相比降低了约12％。另一方面，在实施例1-2中，保持率降低至值95％→值89％→值93％，即与初始保持率相比仅降低约2％。
例如，当缓冲层BFL在显示装置DD中位于无机层IL与颜色转换层CCL之间时，可以有效地保护彼此间隔开定位的所有颜色转换层CCL。因此，即使在高温下执行热处理，也可以持续保持高水平的光转换效率。
图6是根据本公开的实施例的像素的等效电路图。图7是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图6示出了一条扫描线GL、一条数据线DL、电源线PL和结合到(例如，连接到)扫描线GL、数据线DL和电源线PL的像素PX。像素PX的构造可以不限于图6的构造，而可以是可变形的。
有机发光二极管OLED可以是顶发射型二极管或底发射型二极管。像素PX包括第一晶体管T1(或开关晶体管)、第二晶体管T2(或驱动晶体管)和电容器Cst作为驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路。第一电源电压ELVDD被提供到第二晶体管T2，第二电源电压ELVSS被提供到有机发光二极管OLED。第二电源电压ELVSS可以小于第一电源电压ELVDD。
第一晶体管T1响应于施加到栅极线GL的扫描信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst充入与从第一晶体管T1接收的数据信号对应的电压。第二晶体管T2结合到(例如，连接到)有机发光二极管OLED。第二晶体管T2控制流过有机发光二极管OLED的驱动电流，以与存储在电容器Cst中的电荷量对应。
等效电路仅是示例，因此，本公开不限于此。像素PX还可以包括多个晶体管，并且可以包括大数量的电容器。有机发光二极管OLED可以结合在(例如，连接在)电源线PL与第二晶体管T2之间。
图7是与一个像素对应的剖视图。电路层CL、有机发光二极管OLED和封装构件TFE顺序位于第二基底SUB2上。
在实施例中，电路层CL可以包括第一绝缘层IS1、第二绝缘层IS2和第三绝缘层IS3。第一绝缘层IS1和第二绝缘层IS2中的每个可以包括无机材料，但是其种类不特别限制。第三绝缘层IS3可以包括有机材料，但是其种类不特别限制。在一些实施例中，阻挡层可以附加地位于第二基底SUB2上。第一绝缘层IS1、第二绝缘层IS2和第三绝缘层IS3中的每个可以具有单层或多层结构。
第二晶体管T2包括半导体图案SP、控制电极GE、输入电极SE和输出电极DE。半导体图案SP位于第二基底SUB2上。半导体图案SP可以包括晶体半导体材料或非晶硅。
第一绝缘层IS1位于第二基底SUB2上。第一绝缘层IS1可以与显示区域DA和非显示区域NDA共同叠置并且覆盖半导体图案SP。
控制电极GE位于第一绝缘层IS1上。控制电极GE与半导体图案SP叠置。控制电极GE可以与扫描线GL(见图6)通过同一光刻工艺来制造。
第二绝缘层IS2位于第一绝缘层IS1上。第二绝缘层IS2覆盖第一绝缘层IS1和控制电极GE。输入电极SE和输出电极DE位于第二绝缘层IS2上。输入电极SE和输出电极DE分别通过限定在绝缘层IS1和IS2中的多个接触孔CH1和CH2接触半导体图案SP。第二晶体管T2可以被改变为底栅结构。
覆盖第二晶体管T2的第三绝缘层IS3位于第二绝缘层IS2上。第三绝缘层IS3可以提供平坦表面。
有机发光二极管OLED和像素限定层PDL位于第三绝缘层IS3上，第三绝缘层IS3可以包括接触孔CH3，第一电极EL1通过接触孔CH3接触输出电极DE。像素限定层PDL可以包括有机材料。像素限定层PDL的开口OP暴露第一电极EL1的至少一部分。像素限定层PDL的开口OP可以限定像素的发射区域Pxa。在实施例中，可以省略像素限定层PDL。
在实施例中，发射区域Pxa可以与第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个叠置。可以使开口OP变宽，并且可以进一步使第一电极EL1变宽。
第一电极EL1位于第三绝缘层IS3上。第一电极EL1可以由金属合金或导电化合物制成。第一电极EL1可以是阳极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。
空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一种。
空穴传输区域HTR可以具有由单一材料制成的单层结构、由彼此不同的材料制成的单层结构或者包括由彼此不同的材料制成的多个层的多层结构。
例如，空穴传输区域HTR可以具有空穴注入层或空穴传输层的单层结构，也可以具有由空穴注入材料或空穴传输材料制成的单层结构。此外，空穴传输区域HTR可以具有由多种不同的材料形成的单层结构，或者具有从第一电极EL1顺序层叠的空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/空穴缓冲层、空穴注入层/空穴缓冲层、空穴传输层/空穴缓冲层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，但不限于此。
如上所述，除了空穴注入层和空穴传输层之外，根据实施例的空穴传输区域HTR还可以包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一种，但不限于此。
发光层EML可以位于空穴传输区域HTR上。发光层EML可以具有例如约
Figure BDA0002104595600000151
至约
Figure BDA0002104595600000152
的厚度。发光层EML可以具有由单一材料形成的单层结构、由彼此不同的材料形成的单层结构或者包括由彼此不同的材料形成的多个层的多层结构。
发光层EML可以包括荧光发光材料或磷光发光材料。在实施例中，发光层EML可以发射蓝光。发光层EML可以发射具有约410nm至约480nm的波长区域(例如，波长在约410nm至约480nm的范围内)的光。
电子传输区域ETR可以设置在发光层EML上。电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一种，但不限于此。
电子传输区域ETR可以具有由单一材料制成的单层结构、由彼此不同的材料制成的单层结构或者包括由彼此不同的材料制成的多个层的多层结构。例如，电子传输区域ETR可以具有电子注入层或电子传输层的单层结构，也可以具有由电子注入材料或电子传输材料制成的单层结构。此外，电子传输区域ETR可以具有由彼此不同的多种材料制成的单层结构或者从发光层EML顺序层叠的电子传输层/电子注入层或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构，但不限于此。
第二电极EL2可以位于电子传输区域HTR上。第二电极EL2可以具有导电性。第二电极EL2可以由金属合金或导电化合物制成。第二电极EL2可以是阴极。第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。
在一些实施例中，第二电极EL2可以结合到(例如，连接到)辅助电极。当第二电极EL2结合到(例如，连接到)辅助电极时，可以减小第二电极EL2的电阻。
封装构件TFE可以位于第二电极EL2上。封装构件TFE可以共同定位在像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R(发射区域Pxa)以及外围区域NPxa上。封装构件TFE可以直接覆盖第二电极EL2。封装构件TFE可以包括至少一个无机层IL，并且还包括有机层OL。在一些实施例中，封装构件TFE可以具有其中交替重复有无机层IL和有机层OL的结构。在实施例中，封装构件TFE可以在其最外侧部分处包括无机层IL。
图8是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。图9是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。图10是沿图9的线II-II'截取的剖视图。
在图8和图10中，当与图3相比时，示意性地示出了有机发光二极管OLED和封装构件TFE。在下文中，可以不重复已经参照图1-图7描述的特征的重复描述。
参照图8的显示装置DD-1，在颜色转换层CCL中，第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3可以具有彼此不同的厚度。
在实施例中，在由沿第一方向DR1的轴和沿第三方向DR3的轴限定的平面中，厚度H可以被定义为在第三方向DR3上测量的长度。这里，第一颜色转换部分CCP1的厚度可以被定义为H1'，第二颜色转换部分CCP2的厚度可以被定义为H2'，第三颜色转换部分CCP3的厚度可以被定义为H3'。此外，从封装构件TFE与缓冲层BFL之间的界面到第一颜色转换部分CCP1的厚度可以被定义为H1，从封装构件TFE与缓冲层BFL之间的界面到第二颜色转换部分CCP2的厚度可以被定义为H2，从封装构件TFE与缓冲层BFL之间的界面到第三颜色转换部分CCP3的厚度可以被定义为H3。
第二颜色转换部分CCP2的厚度H2'可以大于第一颜色转换部分CCP1的厚度H1'和第三颜色转换部分CCP3的厚度H3'中的每个，并且第三颜色转换部分CCP3的厚度H3'可以大于第一颜色转换部分CCP1的厚度H1'。例如，可以满足以下等式：H2'>H3'>H1'。因此，从封装构件TFE与缓冲层BFL之间的界面到颜色转换部分CCP1、CCP2和CCP3的厚度的值可以满足以下等式：H1>H3>H2。
随着颜色转换部分CCP1、CCP2和CCP3的厚度增大，可以提供更大量的发光体以提高光转换率。第二颜色转换部分CCP2可能具有相对低的用于将第一颜色光转换为第二颜色光的光转换率。因此，第二颜色转换部分CCP2的厚度可以大于第一颜色转换部分CCP1和第三颜色转换部分CCP3中的每个的厚度。因为第一颜色转换部分CCP1透射第一颜色光，所以第一颜色转换部分CCP1可以具有最小的厚度。
参照图9-图10的显示装置DD-2，在颜色转换层CCL中，第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3可以具有彼此不同的面积。
参照图9，在由沿第一方向DR1的轴和沿第二方向DR2的轴限定的平面中，第一像素区域Pxa-B、第二像素区域Pxa-G和第三像素区域Pxa-R可以具有彼此不同的面积。第一像素区域Pxa-B、第二像素区域Pxa-G和第三像素区域Pxa-R的面积彼此不同的情况意味着有机发光二极管OLED的第一电极EL1、颜色转换部分CCP1、CCP2和CCP3等具有彼此不同的面积。
在实施例中，第二像素区域Pxa-G的面积可以大于第一像素区域Pxa-B和第三像素区域Pxa-R中的每个的面积，并且第三像素区域Pxa-R的面积可以大于第一像素区域Pxa-B的面积。
参照图10，在由沿第一方向DR1的轴和沿第三方向DR3的轴限定的平面中，当第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3具有相同(例如，基本相同)的厚度时，面积W可以被定义为在第一方向DR1上测量的值。这里，第一颜色转换部分CCP1的面积可以被定义为W1，第二颜色转换部分CCP2的面积可以被定义为W2，第三颜色转换部分CCP3的面积可以被定义为W3。
第二颜色转换部分CCP2的面积W2可以大于第一颜色转换部分CCP1的面积W1和第三颜色转换部分CCP3的面积W3中的每个，并且第三颜色转换部分CCP3的面积W3可以大于第一颜色转换部分CCP1的面积W1。例如，可以满足以下等式：W2>W3>W1。
随着颜色转换部分CCP1、CCP2和CCP3的面积增大，可以提供更大量的发光体以提高光转换率。第二颜色转换部分CCP2可能具有相对低的用于将第一颜色光转换为第二颜色光的光转换率。因此，第二颜色转换部分CCP2的面积可以大于第三颜色转换部分CCP3的面积。因为第一颜色转换部分CCP1透射第一颜色光，所以第一颜色转换部分CCP1可以具有最小的面积。
图11是根据本公开的实施例的显示装置DD-3的剖视图。图12是根据本公开的实施例的显示装置DD-4的剖视图。图13是根据本公开的实施例的显示装置DD-5的剖视图。图14是根据本公开的实施例的显示装置DD-6的剖视图。
在图11-图14中，当与图3相比时，示意性地示出了有机发光二极管OLED和封装构件TFE。在下文中，可以不重复已经参照图1-图10描述的特征的重复描述。
参照图11，显示装置DD-3还可以包括至少一个盖层CAP。
在实施例中，盖层CAP可以位于颜色转换层CCL与缓冲层BFL之间和/或位于颜色转换层CCL与滤色器层CFL之间。在实施例中，第一盖层CAP1可以位于颜色转换层CCL的顶表面上(例如，位于颜色转换层CCL与滤色器层CFL之间)，第二盖层CAP2可以位于颜色转换层CCL与缓冲层BFL之间。盖层CAP可以由无机材料制成。这里，无机材料的种类不特别限制。盖层CAP可以布置为围绕颜色转换层CCL，从而保护颜色转换层CCL。
参照图12-图13，在实施例中，缓冲层BFL可以包括不平坦图案PTN。
在实施例中，缓冲层BFL可以具有与封装构件TFE接触的底表面和与颜色转换层CCL相邻的顶表面，顶表面具有不平坦图案PTN。缓冲层BFL的不平坦图案PTN可以防止或降低入射光的全反射，从而提高光提取效率。
不平坦图案PTN在形状或尺寸上不特别限制。因此，不平坦图案PTN可以具有根据其形成方法而变化的形状或尺寸。用于形成不平坦图案PTN的方法不特别限制。例如，可以在缓冲层BFL的顶表面上设置用于形成不平坦的纳米颗粒，或者可以蚀刻缓冲层BFL以形成不平坦图案PTN。
内部空间AR可以限定在缓冲层BFL的顶表面(在该顶表面上形成有不平坦图案PTN)与颜色转换层CCL之间。内部空间AR可以处于真空状态，但不限于此。
图13示出了第一颜色转换部分CCP1、第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3具有彼此不同的厚度的显示装置DD-5。例如，如图8中所示，第二颜色转换部分CCP2的厚度H2'可以大于第一颜色转换部分CCP1的厚度H1'和第三颜色转换部分CCP3的厚度H3'中的每个，并且第三颜色转换部分CCP3的厚度H3'可以大于第一颜色转换部分CCP1的厚度H1'。
在实施例中，缓冲层BFL的其上形成有不平坦图案PTN的顶表面可以接触第二颜色转换部分CCP2和第三颜色转换部分CCP3中的至少一个。参照图13，第二颜色转换部分CCP2的厚度可以大于第一颜色转换部分CCP1和第三颜色转换部分CCP3中的每个的厚度，并且接触第二缓冲层BFL2的顶表面，不平坦图案PTN可以不形成在第二缓冲层BFL2的接触第二颜色转换部分CCP2的顶表面上。
具有高度H1”的内部空间AR可以限定在第一颜色转换部分CCP1与第一缓冲层BFL1的其上形成有不平坦图案PTN的顶表面之间。此外，具有高度H3”的内部空间AR可以限定在第三颜色转换部分CCP3与第三缓冲层BFL3的其上形成有不平坦图案PTN的顶表面之间。在实施例中，第三颜色转换部分CCP3的厚度可以大于第一颜色转换部分CCP1的厚度，并且从不平坦图案PTN到第三颜色转换部分CCP3的高度H3”可以小于高度H1”。
参照图14，显示装置DD-6还可以包括低折射率层LRL。在实施例中，低折射率层LRL可以位于颜色转换层CCL与滤色器层CFL之间。根据斯涅尔定律，低折射率层LRL可以由于低折射率而完全反射从颜色转换层CCL泄漏的光，以通过使光再循环来提高光提取效率。此外，低折射率层LRL也可以适用于如图1至图13中示出的实施例中。
根据实施例的显示装置可以包括缓冲层，以使对颜色转换层的损坏最小化或减少对颜色转换层的损坏。
根据本公开的实施例的显示装置可以包括其折射率被控制的缓冲层，以提高光提取效率。
如这里使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用是指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里使用的，可以认为术语“使用”及其变型分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指的是示例或图示。
此外，这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包括在这里明确陈述的范围内的任意子范围。
对本领域技术人员将明显的是，可以对本公开的主题进行各种修改和变化。因此，本公开意在覆盖公开的主题的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。
因此，本公开的保护范围应由所附权利要求的技术范围及其等同物确定。

Claims (12)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示元件，被构造为产生第一颜色光；
封装构件，位于所述显示元件上，并且在所述封装构件的最外侧部分处包括无机层；
颜色转换层，位于所述封装构件上，并且包括被构造为透射所述第一颜色光的第一颜色转换部分、被构造为将所述第一颜色光转换为第二颜色光的第二颜色转换部分以及被构造为将所述第一颜色光转换为第三颜色光的第三颜色转换部分；以及
缓冲层，位于所述封装构件与所述颜色转换层之间，其中，所述缓冲层与所述无机层之间的折射率的差为0.5或更小。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述缓冲层填充在所述封装构件与所述颜色转换层之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层具有1.5至2.5的折射率，并且
所述缓冲层具有1.5至2.0的折射率。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述颜色转换层上的滤色器层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述滤色器层包括：
第一滤色器部分，与所述第一颜色转换部分叠置以透射所述第一颜色光；
第二滤色器部分，与所述第二颜色转换部分叠置，并且被构造为阻挡所述第一颜色光并透射所述第二颜色光；以及
第三滤色器部分，与所述第三颜色转换部分叠置，并且被构造为阻挡所述第一颜色光并透射所述第三颜色光。
6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括盖层，所述盖层位于从在所述颜色转换层与所述缓冲层之间的位置以及在所述颜色转换层与所述滤色器层之间的位置中选择的至少一个位置中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述缓冲层包括：
底表面，接触所述封装构件；以及
顶表面，与所述颜色转换层相邻并包括不平坦图案。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，内部空间限定在所述缓冲层与所述颜色转换层之间。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述缓冲层接触所述第二颜色转换部分和所述第三颜色转换部分中的至少一个。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述颜色转换层包括量子点。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一颜色光包括具有410nm至480nm的波长区域的光，所述第二颜色光包括具有500nm至570nm的波长区域的光，并且所述第三颜色光包括具有625nm至675nm的波长区域的光。
12.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括位于所述颜色转换层与所述滤色器层之间的低折射率层，所述低折射率层具有1.1至1.5的折射率。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115843468A (zh) * 2020-06-11 2023-03-24 互耐普勒斯有限公司 具有内嵌光提取功能的量子点有机发光显示装置
WO2023206349A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102333769B1 (ko) * 2018-06-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110854167A (zh) * 2019-10-28 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
KR20210091384A (ko) 2020-01-13 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
KR20210118289A (ko) * 2020-03-19 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 및 전자 장치
CN113629100B (zh) * 2020-05-06 2024-08-20 群创光电股份有限公司 显示设备
KR20210155037A (ko) * 2020-06-12 2021-12-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220008995A (ko) 2020-07-14 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
EP4201062A4 (en) * 2020-08-20 2024-09-18 Applied Materials Inc OLED LIGHT FIELD ARCHITECTURES
KR20240135817A (ko) * 2022-02-08 2024-09-12 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
KR20230133998A (ko) 2022-03-10 2023-09-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN116828923A (zh) 2022-03-21 2023-09-29 群创光电股份有限公司 发光装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150279912A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Sony Corporation Organic el display device and electronic apparatus
WO2016076169A1 (ja) * 2014-11-10 2016-05-19 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置
CN107039492A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 乐金显示有限公司 有机发光显示设备和包括其的头戴式显示器
CN107623016A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN107731868A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN108153036A (zh) * 2016-12-05 2018-06-12 三星显示有限公司 光致发光器件、显示面板及控制光的光致发光的方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004357156A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Sharp Corp 映像受信装置および映像再生装置
US20060164618A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Smith Adlai H Method and apparatus for measurement of exit pupil telecentricity and source boresighting
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
US20090278454A1 (en) * 2008-05-12 2009-11-12 Fedorovskaya Elena A Oled display encapsulated with a filter
JP5872912B2 (ja) * 2011-01-21 2016-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US20150029425A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Auto-stereoscopic display device
JP2015128027A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置、表示装置
KR102223421B1 (ko) 2014-08-05 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102352283B1 (ko) * 2014-11-03 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
US9989806B2 (en) * 2015-09-10 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
KR102409702B1 (ko) 2015-09-23 2022-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR102067969B1 (ko) 2015-11-30 2020-01-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR102571631B1 (ko) 2015-11-30 2023-08-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102585535B1 (ko) * 2016-06-30 2023-10-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102713559B1 (ko) * 2016-10-07 2024-10-08 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 색변환 표시판 및 색변환 표시판의 제조 방법 및 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치
KR102472606B1 (ko) * 2016-10-26 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 색변환 패널을 포함하는 표시 장치
KR102534578B1 (ko) * 2016-10-31 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 표시 장치
KR102709996B1 (ko) * 2016-10-31 2024-09-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
US10620504B2 (en) * 2016-11-04 2020-04-14 VerLASE TECHNOLOGIES LLC Color-converting structures and light-emitting structures and visual displays made therewith
US10962837B2 (en) * 2016-11-18 2021-03-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20180090421A (ko) * 2017-02-02 2018-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102708001B1 (ko) * 2017-02-15 2024-09-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102416572B1 (ko) * 2017-08-23 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10678091B2 (en) * 2017-10-25 2020-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion element and display device including the same
KR102416417B1 (ko) * 2017-11-24 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102418724B1 (ko) * 2017-12-05 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102533686B1 (ko) * 2018-01-18 2023-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102515812B1 (ko) * 2018-03-20 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
CN110299383B (zh) * 2018-03-21 2024-01-19 三星显示有限公司 显示设备
KR102333769B1 (ko) * 2018-06-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210090337A (ko) * 2020-01-09 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150279912A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Sony Corporation Organic el display device and electronic apparatus
WO2016076169A1 (ja) * 2014-11-10 2016-05-19 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置
CN107039492A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 乐金显示有限公司 有机发光显示设备和包括其的头戴式显示器
CN107623016A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN107731868A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN108153036A (zh) * 2016-12-05 2018-06-12 三星显示有限公司 光致发光器件、显示面板及控制光的光致发光的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115843468A (zh) * 2020-06-11 2023-03-24 互耐普勒斯有限公司 具有内嵌光提取功能的量子点有机发光显示装置
WO2023206349A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

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