[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN110649069B - 显示面板及显示面板的制作方法 - Google Patents

显示面板及显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110649069B
CN110649069B CN201910822476.6A CN201910822476A CN110649069B CN 110649069 B CN110649069 B CN 110649069B CN 201910822476 A CN201910822476 A CN 201910822476A CN 110649069 B CN110649069 B CN 110649069B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display panel
passivation
thin film
film transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910822476.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110649069A (zh
Inventor
刘婕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910822476.6A priority Critical patent/CN110649069B/zh
Publication of CN110649069A publication Critical patent/CN110649069A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110649069B publication Critical patent/CN110649069B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/88Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本揭示提供一种显示面板及显示面板的制作方法,所述显示面板包括阵列排布的多个子像素,所述子像素包括:薄膜晶体管,包括层间绝缘层和设置于所述层间绝缘层上的源漏电极;平坦层,覆盖所述薄膜晶体管;像素定义层,设置于平坦层远离薄膜晶体管的一侧上,自所述像素定义层表面形成有贯穿像素定义层和平坦层的第一连通孔;第一钝化保护层,设置于所述像素定义层远离所述平坦层的一侧上,并填入所述第一连通孔以将相邻所述子像素的所述像素定义层和所述平坦层阻隔,防止水汽和氧气通过像素定义层和平坦层侵入显示面板的显示器件,在提高显示面板的信耐性的同时,可以缩减显示面板封装层的封装范围,从而减小显示面板的边框宽度。

Description

显示面板及显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示面板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的迅速发展,已经引入各种轻薄的平板显示面板。器件寿命是诸如液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板的产业化的重要考量指标,而其受到水汽和氧气的不利影响。若能有效阻隔水汽和氧气,能够抑制黑点的产生,从而大幅延长显示面板的寿命,而这依赖于对器件的有效封装。
现有的显示面板可包覆薄膜封装层,以阻挡来自外部的湿气、氧等的渗透。传统的薄膜封装层具有无机层和有机层交替堆叠的构造。然而,通常薄膜封装层与显示面板整体地形成,例如薄膜封装层会将基板上的缓冲层、薄膜晶体管、平坦层和诸如LCD或OLED的多个显示器件一起包封在内,水汽和氧气仍能够通过显示面板的有机层等膜层侵入显示器件内部,造成显示器件迅速衰败。
综上所述,现有显示面板存在薄膜封装不完善,导致水汽和氧气侵入显示器件内的问题。故,有必要提供一种显示面板及显示面板的制作方法来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制作方法,用于解决现有显示面板存在薄膜封装不完善,导致水汽和氧气侵入显示器件内的问题。
本揭示实施例提供一种显示面板,包括阵列排布的多个子像素,所述子像素包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括层间绝缘层和设置于所述层间绝缘层上的源漏电极;
平坦层,所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管;
像素定义层,设置于所述平坦层远离所述薄膜晶体管的一侧上,自所述像素定义层表面形成有贯穿所述像素定义层和所述平坦层的第一连通孔;以及
第一钝化保护层,设置于所述像素定义层远离所述平坦层的一侧上,并填入所述第一连通孔以将相邻所述子像素的所述像素定义层和所述平坦层阻隔。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括封装层,所述第一钝化保护层被覆于所述第一连通孔的侧壁和底部,并形成镂空部分,所述封装层填入所述镂空部分。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括第二钝化保护层,任意相邻所述子像素的所述源漏电极之间形成间隙,所述第二钝化保护层覆盖所述间隙,所述第一钝化保护层通过所述第一连通孔与所述第二钝化保护层接触。
根据本揭示一实施例,所述第二钝化保护层的两端延伸至相邻所述子像素的所述源漏电极表面。
根据本揭示一实施例,所述第一钝化保护层沿所述显示面板厚度方向在所述层间绝缘层上的投影与所述第二钝化保护层沿所述显示面板厚度方向在所述层间绝缘层上的投影重合。
根据本揭示一实施例,所述第一钝化保护层和所述第二钝化保护层的材质均包括氧化硅、氮化硅或者两者的混合物。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括支撑柱,所述支撑柱间隔设置于所述第一钝化保护层远离所述像素定义层的一侧上。
本揭示实施例还提供一种显示面板的制作方法,包括:
提供柔性衬底,在所述柔性衬底上形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括层间绝缘层和设置于所述层间绝缘层上的源漏电极;
在所述薄膜晶体管上依次形成平坦层、阳极走线层和像素定义层;
对所述平坦层和所述像素定义层进行刻蚀,形成贯穿所述平坦层和所述像素定义层的第一连通孔;以及
在所述像素定义层上沉积并图案化形成第一钝化保护层,并在所述第一连通孔内填入所述第一钝化保护层。
根据本揭示一实施例,在沉积形成所述平坦层之前,在所述薄膜晶体管上沉积形成第二钝化保护层,所述第二钝化保护层覆盖相邻所述源漏电极之间形成的间隙。
根据本揭示一实施例,所述第一钝化保护层沿所述显示面板厚度方向在所述层间绝缘层上的投影与所述第二钝化保护层沿所述显示面板厚度方向在所述层间绝缘层上的投影重合。
本揭示实施例的有益效果:本揭示实施例将第一钝化保护层设置于像素定义层上,并将所述第一钝化保护层填入贯穿所述像素定义层和平坦层的第一连通孔,以将相邻所述子像素的所述像素定义层和所述平坦层阻隔,从而防止水汽和氧气通过像素定义层和平坦层侵入显示面板的薄膜晶体管等显示器件,在提高显示面板的信耐性的同时,可以缩减显示面板封装层的封装范围,从而减小显示面板的边框宽度。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例一提供的显示面板的截面结构示意图;
图2为本揭示实施例二提供的显示面板制作方法的流程示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明:
实施例一:
本揭示实施例提供一种显示面板,下面结合图1进行详细说明。
如图1所示,图1为本揭示实施例提供的显示面板100的截面结构示意图,所述显示面板100包括依次堆叠的第一柔性衬底110、第一缓冲层120、第二柔性衬底111、第二缓冲层121以及阵列排布的多个子像素,图1中仅展示出相邻的两个子像素A1和A2,所述子像素均包括薄膜晶体管130、平坦层140、阳极走线层150、像素定义层160以及第一钝化保护层170。
具体地,如图1所示,所述薄膜晶体管130包括沟道层131、覆盖所述沟道层131的第一栅极绝缘层132、设置于所述第一栅极绝缘层132上的第一栅极栅极线层133、覆盖所述第一栅极线层133的第二栅极绝缘层134、设置于所述第二栅极绝缘层134上的第二栅极线层135、覆盖所述第二栅极线层135的层间绝缘层136以及设置于所述层间绝缘层136上的源漏电极137,所述源漏电极137通过贯穿所述层间绝缘层136、所述第二栅极绝缘层134以及第一栅极绝缘层132的过孔与所述沟道层131接触。
在本实施例中,所述平坦层140覆盖所述薄膜晶体管130,所述阳极走线层150设置于所述平坦层140上,并通过贯穿所述平坦层140的第二连通孔与所述源漏电极137接触。所述像素定义层160设置于所述平坦层140远离所述薄膜晶体管130的一侧上,自所述像素定义层160表面形成有贯穿所述像素定义层160和所述平坦层140的第一连通孔161,所述第一钝化保护层170设置于所述像素定义层160远离所述平坦层140的一侧上,并填入所述第一连通孔170以将相邻所述子像素的所述像素定义层160和所述平坦层140阻隔。
如图1所示,相邻子像素A1与A2的像素定义层160和平坦层140均被第一连通孔161断开连接,同时填入所述第一连通孔161的第一钝化保护层170被覆于所述第一连通孔的侧壁以及底部,以将相邻子像素的像素定义层160和平坦层140阻隔,从而防止水汽以及氧气通过像素定义层160和平坦层140等膜层侵入显示面板100的薄膜晶体管130以及其他显示器件,提高显示面板100的信耐性。
在本实施例中,所述显示面板100还包括封装层(图中未示出),所述第一钝化保护层170被覆于所述第一连通孔161的侧壁和底部,并形成一镂空部分171,所述封装层填入所述镂空部分171。
在本实施例中,如图1所示,所述显示面板100还包括第二钝化保护层180,任意相邻所述子像素的所述源漏电极137之间形成一间隙,所述第二钝化保护层180覆盖所述间隙,所述第一钝化保护层170通过所述第一连通孔161与所述第二钝化保护层180接触,通过第二钝化保护层180对第一钝化保护层170填入第一连通孔161的底部以及相邻子像素的源漏电极137之间的间隙进行填充覆盖,并利用第一钝化保护层170和第二钝化保护层180对像素定义层160和平坦层140的边缘进行包覆,提升显示面板100封装的信耐性的同时,还能够有效缩减封装层超出显示面板100显示区域的范围,有助于减小显示面板100的边框宽度。
在一些实施例中,所述第二钝化保护层180的两端还分别延伸至相邻所述子像素的所述源漏电极137表面,通过第二钝化保护层180对源漏电极137的包覆,能够防止水汽和氧气侵入诉搜狐薄膜晶体管130。
优选的,所述的第一钝化保护层170沿所述显示面板100厚度方向在所述层间绝缘层136上的投影与所述第二钝化保护层180沿所述显示面板100厚度方向在所述层间绝缘层136上的投影重合。由于第一钝化保护层170和第二钝化保护层180的投影重合,在对两者进行图案化制程时,可以采用同一掩膜板对第一钝化保护层170和第二钝化保护层180分别进行曝光,从而减少掩膜板的制作和使用,有效减少实际的生产成本,提高生产效率。
优选的,所述第一钝化保护层和所述第二钝化保护层的材质均包括氧化硅、氮化硅或者两者的混合物,利用上述材料的防水性能,有效阻隔水汽和氧气侵入显示面板100的显示器件内部。
在本实施例中,所述显示面板100还包括支撑柱190,所述支撑柱190间隔设置于所述第一钝化保护层170远离所述像素定义层160的一侧上,所述支撑柱190用于支撑蒸镀形成所述显示面板100的发光层时所需的掩膜板。在一些实施例中,所述支撑柱190的截面形状包括梯形和矩形。
本揭示实施例提供一种显示面板100,将第一钝化保护层170设置于像素定义层160上,并将所述第一钝化保护层170填入贯穿所述像素定义层160和平坦层140的第一连通孔161,以将相邻所述子像素的所述像素定义层160和所述平坦层140阻隔,从而防止水汽和氧气通过像素定义层160和平坦层140侵入显示面板100的薄膜晶体管130等显示器件,在提高显示面板100的信耐性的同时,可以缩减显示面板100封装层的封装范围,从而减小显示面板100的边框宽度。
实施例二:
本揭示实施例还提供一种显示面板的制作方法,下面结合图1和图2进行详细说明。
如图2所示,图2为本揭示实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图,所述方法包括:
步骤S10:提供一柔性衬底110,所述柔性衬底110上形成薄膜晶体管130,所述薄膜晶体管130包括层间绝缘层136和设置于所述层间绝缘层136上的源漏电极137。
具体地,所述柔性衬底110上还形成有第一缓冲层120、第二柔性衬底111和第二缓冲层121,所述薄膜晶体管还包括沟道层131、覆盖所述沟道层131的第一栅极绝缘层132、设置于所述第一栅极绝缘层132上的第一栅极栅极线层133、覆盖所述第一栅极线层133的第二栅极绝缘层134、设置于所述第二栅极绝缘层134上的第二栅极线层135,所述源漏电极137通过贯穿所述层间绝缘层136、所述第二栅极绝缘层134以及第一栅极绝缘层132的过孔与所述沟道层131接触。
步骤S20:在所述薄膜晶体管130上依次形成平坦层140、阳极走线层150和像素定义层160。所述阳极走线层150设置于所述平坦层140上,并通过贯穿所述平坦层140的过孔与所述源漏电极137接触。
步骤S30:对所述平坦层140和所述像素定义层160进行刻蚀,形成贯穿所述平坦层140和所述像素定义层160的第一连通孔161。如图1所示,所述第一连通孔161将位于薄膜晶体管130上的像素定义层160和平坦层140断开,形成多个独立的部分,每一部分均对应于一个所述薄膜晶体管130,即每一部分对应一个子像素。
步骤S40:在所述像素定义层160上沉积并图案化形成第一钝化保护层170,并在所述第一连通孔161内填入所述第一钝化保护层170。
如图1所示,所述第一钝化保护层170被覆于所述第一连通孔161的侧壁以及底部,以将相邻的所述像素定义层160和平坦层140阻隔,从而防止水汽以及氧气通过像素定义层160和平坦层140等膜层侵入显示面板100的薄膜晶体管130以及其他显示器件,提高显示面板100的信耐性。
在本实施例中,所述显示面板100还包括封装层(图中未示出),所述第一钝化保护层170被覆于所述第一连通孔161的侧壁和底部,并形成一镂空部分171,所述封装层填入所述镂空部分171。
在本实施例中,在沉积形成所述平坦层140之前,先在所述薄膜晶体管130上沉积形成第二钝化保护层180,所述第二钝化保护层180覆盖相邻所述源漏电极137之间形成的间隙,所述第一钝化保护层170通过所述第一连通孔161与所述第二钝化保护层180接触,通过第二钝化保护层180对第一钝化保护层170填入第一连通孔161的底部以及相邻子像素的源漏电极137之间的间隙进行填充覆盖,并利用第一钝化保护层170和第二钝化保护层180对像素定义层160和平坦层140的边缘进行包覆,提升显示面板100封装的信耐性的同时,还能够有效缩减封装层超出显示面板100显示区域的范围,有助于减小显示面板100的边框宽度。
在一些实施例中,所述第二钝化保护层180的两端还分别延伸至相邻所述子像素的所述源漏电极137表面,通过第二钝化保护层180对源漏电极137的包覆,能够防止水汽和氧气侵入诉搜狐薄膜晶体管130。
优选的,所述的第一钝化保护层170沿所述显示面板100厚度方向在所述层间绝缘层136上的投影与所述第二钝化保护层180沿所述显示面板100厚度方向在所述层间绝缘层136上的投影重合。由于第一钝化保护层170和第二钝化保护层180的投影重合,在对两者进行图案化制程时,可以采用同一掩膜板对第一钝化保护层170和第二钝化保护层180分别进行曝光,从而减少掩膜板的制作和使用,有效减少实际的生产成本,提高生产效率。
优选的,所述第一钝化保护层和所述第二钝化保护层的材质均包括氧化硅、氮化硅或者两者的混合物,利用上述材料的防水性能,有效阻隔水汽和氧气侵入显示面板100的显示器件内部。
在本实施例中,所述制作方法还包括:在所述第一钝化保护层170上涂布并图案化形成支撑柱190,所述支撑柱190间隔设置于所述第一钝化保护层170远离所述像素定义层160的一侧上,所述支撑柱190用于支撑蒸镀形成所述显示面板100的发光层时所需的掩膜板。在一些实施例中,所述支撑柱的截面形状包括梯形和矩形。
本揭示实施例提供一种显示面板100的制作方法,将第一钝化保护层170设置于像素定义层160上,并将所述第一钝化保护层170填入贯穿所述像素定义层160和平坦层140的第一连通孔161,以将相邻所述子像素的所述像素定义层160和所述平坦层140阻隔,从而防止水汽和氧气通过像素定义层160和平坦层140侵入显示面板100的薄膜晶体管130等显示器件,在提高显示面板100的信耐性的同时,可以缩减显示面板100封装层的封装范围,从而减小显示面板100的边框宽度。
综上所述,虽然本揭示以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本揭示,本领域的普通技术人员,在不脱离本揭示的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (5)

1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列排布的多个子像素,所述子像素包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括层间绝缘层和设置于所述层间绝缘层上的源漏电极;
平坦层,所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管;
像素定义层,设置于所述平坦层远离所述薄膜晶体管的一侧上,自所述像素定义层表面形成有贯穿所述像素定义层和所述平坦层的第一连通孔;
第一钝化保护层,设置于所述像素定义层远离所述平坦层的一侧上,并填入所述第一连通孔以将相邻所述子像素的所述像素定义层和所述平坦层阻隔;以及
第二钝化保护层,任意相邻所述子像素的所述源漏电极之间形成间隙,所述第二钝化保护层覆盖所述间隙,所述第一钝化保护层通过所述第一连通孔与所述第二钝化保护层接触;
所述显示面板还包括封装层,所述第一钝化保护层被覆于所述第一连通孔的侧壁和底部,并形成镂空部分,所述封装层填入所述镂空部分。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二钝化保护层的两端延伸至相邻所述子像素的所述源漏电极表面。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一钝化保护层沿所述显示面板厚度方向在所述层间绝缘层上的投影与所述第二钝化保护层沿所述显示面板厚度方向在所述层间绝缘层上的投影重合。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一钝化保护层和所述第二钝化保护层的材质均包括氧化硅、氮化硅或者两者的混合物。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括支撑柱,所述支撑柱间隔设置于所述第一钝化保护层远离所述像素定义层的一侧上。
CN201910822476.6A 2019-09-02 2019-09-02 显示面板及显示面板的制作方法 Active CN110649069B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910822476.6A CN110649069B (zh) 2019-09-02 2019-09-02 显示面板及显示面板的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910822476.6A CN110649069B (zh) 2019-09-02 2019-09-02 显示面板及显示面板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110649069A CN110649069A (zh) 2020-01-03
CN110649069B true CN110649069B (zh) 2022-03-29

Family

ID=68991638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910822476.6A Active CN110649069B (zh) 2019-09-02 2019-09-02 显示面板及显示面板的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110649069B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112103400A (zh) * 2020-09-24 2020-12-18 福建华佳彩有限公司 一种显示面板及制作方法
CN113745252B (zh) * 2021-08-31 2023-07-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114695494A (zh) * 2022-03-23 2022-07-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN117457664A (zh) * 2023-02-23 2024-01-26 广州华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法
CN116456769B (zh) * 2023-04-20 2024-09-10 惠科股份有限公司 显示面板和显示终端

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070059683A (ko) * 2005-12-07 2007-06-12 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치의 제조 방법 및 상기 방법을 이용하여제조된 평판 표시 장치
CN109037277A (zh) * 2018-07-17 2018-12-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置
CN110112317A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、柔性显示面板及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101112547B1 (ko) * 2005-01-18 2012-03-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판의제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070059683A (ko) * 2005-12-07 2007-06-12 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치의 제조 방법 및 상기 방법을 이용하여제조된 평판 표시 장치
CN109037277A (zh) * 2018-07-17 2018-12-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置
CN110112317A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、柔性显示面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110649069A (zh) 2020-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110649069B (zh) 显示面板及显示面板的制作方法
US11217642B2 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display device
CN110544714B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
KR100936881B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US10665815B2 (en) Naturally discontinuous display mother-substrate and method of manufacturing the same, display substrate and display apparatus
US7538488B2 (en) Flat panel display
KR100765522B1 (ko) 전계발광소자와 그 제조방법
KR101157262B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101927334B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US9299961B2 (en) OLED display panel
US6930331B2 (en) Thin film transistor for use in active matrix type organic light emitting diode device
CN111900260A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN109037304B (zh) 有机发光二极管显示器及其制作方法
CN112736122A (zh) 显示面板及显示装置
CN111433915A (zh) 显示屏及其制作方法,以及显示设备
KR100949509B1 (ko) 표시장치 및 그 제조방법
CN110634927B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR20150033345A (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR100482166B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR102079252B1 (ko) 유기발광표시장치 및 이의 제조 방법
JP2008010275A (ja) 画像表示装置
KR100557237B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
US20240260346A1 (en) Display panel and display apparatus
CN113314683B (zh) 挡墙结构、显示面板及显示装置
JP4664877B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant