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CN110632831A - 一种cof基板的新冲孔式样和曝光对位mark设计方法 - Google Patents

一种cof基板的新冲孔式样和曝光对位mark设计方法 Download PDF

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CN110632831A
CN110632831A CN201911114679.6A CN201911114679A CN110632831A CN 110632831 A CN110632831 A CN 110632831A CN 201911114679 A CN201911114679 A CN 201911114679A CN 110632831 A CN110632831 A CN 110632831A
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CN
China
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cof substrate
alignment mark
substrate
exposure
cof
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911114679.6A
Other languages
English (en)
Inventor
戚爱康
孟庆园
计晓东
孙彬
沈洪
李晓华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Shangda Electronics Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Shangda Electronics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Jiangsu Shangda Electronics Co Ltd filed Critical Jiangsu Shangda Electronics Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

本发明提供一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，涉及COF基板曝光技术领域。该COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，包括以下步骤：S1、准备绝缘基材，在绝缘基材的单面通过溅镀法或电解电镀法形成铜导体层，绝缘基材和铜导体层组成COF基材，S2、在COF基材上进行冲孔，冲出多个方孔与shot间通孔，在现有的基础上，在两个方孔之间加入一个圆孔，该圆孔为新的曝光对位MARK。通过将现有的方孔改为方孔加圆孔的模式，可以在最小限度改变生产线，控制变更成本的前提下，提高曝光的准确性和效率，由此，减少因曝光位置偏移引起的过曝和漏曝问题，提高产品良率和经济效益。

Description

一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法
技术领域
本发明涉及COF基板曝光技术领域，具体为一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法。
背景技术
现今，电子设备的轻薄化，多功能化，高密度化不断发展，搭载芯片的封装基板也由传统的FPC向COF过渡，COF产品为满足狭窄空间内封装的需求，其线宽/线距也越来越小，一般在10/10um左右，目前，COF产品的生产方法主要有减层法，半加层法和加层法三种，减层法作为传统FPC生产的主要方法，由于受抗蚀层厚度和侧蚀现象的影响，其线宽极限为20μm，与此相对，加层法虽然可以制作更加精细的线路，但存在工艺复杂，成本高等问题。现阶段，结合市场需求和技术条件，利用半加层法制作精细线路成为主流。
通常，利用冲孔得到的圆孔或方孔作为曝光对位MARK与玻璃菲林的MARK进行定位后对基材进行曝光，相对来说，圆孔精度高于方孔且易于CCD捕捉中心点，但是，后段分切设备继sensor定位搬送之后目前仅存方孔齿轮搬送，受此影响，方孔成为冲孔的主要孔类型，而现有的COF生产工艺则是，将由冲孔得到的1.42mm的方孔作为对位MARK与玻璃菲林的MARK进行定位后对基材进行曝光，该技术存在着如下的缺陷：
1、曝光精度不高，曝光前，CCD捕捉冲孔得到的基材对位MARK和玻璃菲林的对位MARK，当两个MARK中心偏移时，工作台面可进行微调，多次重复搬送后，微调时可能会对位到上一个或下一个方孔，从而造成过曝和漏曝的问题。
2、处理时间偏长，方孔相对来说不易捕捉中心点，处理时间长，效率低。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，解决了现有技术中的缺陷与不足。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，包括以下步骤：
S1、准备绝缘基材，在绝缘基材的单面通过溅镀法或电解电镀法形成铜导体层，绝缘基材和铜导体层组成COF基材；
S2、在COF基材上进行冲孔，冲出多个方孔与shot间通孔，在现有的基础上，在两个方孔之间加入一个圆孔，该圆孔为新的曝光对位MARK；
S3、将涂布后的COF基材由左边卷出端向右边卷取端搬送一定的长度后，被真空吸着板吸附，此时，玻璃菲林上的对位MARK通过投影镜头投影到COF基材的定位孔上，定位孔下方CCD相机同时捕捉COF基材上的MARK和投影到COF基材定位孔上的玻璃菲林的对位MARK；
S4、当两个对位MARK的中心重合，进行曝光，中心位置有偏差时，对真空吸着板下方的台面进行微调，直至中心重合。
优选的，所述绝缘基材为聚酰亚胺材料制成，且绝缘基材的厚度为12.5～50μm。
优选的，所述圆孔的直径为1mm，两个所述方孔之间的距离为4.75mm。
(三)有益效果
本发明提供了一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法。具备以下有益效果：
通过将现有的方孔改为方孔加圆孔的模式，可以在最小限度改变生产线，控制变更成本的前提下，提高曝光的准确性和效率，由此，减少因曝光位置偏移引起的过曝和漏曝问题，提高产品良率和经济效益。
附图说明
图1为本发明中对位曝光示意图；
图2为本发明中COF基材结构示意图；
图3为本发明中冲孔排布示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
如图1-3所示，本发明实施例提供一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，包括以下步骤：
S1、准备绝缘基材1，在绝缘基材1的单面通过溅镀法或电解电镀法形成铜导体层2，绝缘基材1和铜导体层2组成COF基材3；
S2、在COF基材3上进行冲孔，冲出多个方孔4与shot间通孔5，在现有的基础上，在两个方孔4之间加入一个圆孔6，该圆孔为新的曝光对位MARK；
S3、将涂布后的COF基材3由左边卷出端向右边卷取端搬送一定的长度后，被真空吸着板9吸附，此时，玻璃菲林7上的对位MARK通过投影镜头8投影到COF基材3的定位孔上，定位孔下方CCD相机10同时捕捉COF基材3上的MARK和投影到COF基材3定位孔上的玻璃菲林的对位MARK；
S4、当两个对位MARK的中心重合，进行曝光，中心位置有偏差时，对真空吸着板9下方的台面进行微调，直至中心重合。
其中绝缘基材1为聚酰亚胺材料制成，且绝缘基材1的厚度为12.5～50μm，圆孔6的直径为1mm，两个方孔4之间的距离为4.75mm。
通过将现有的方孔4改为方孔4加圆孔6的模式，可以在最小限度改变生产线，控制变更成本的前提下，提高曝光的准确性和效率，由此，减少因曝光位置偏移引起的过曝和漏曝问题，提高产品良率和经济效益。
实施例二：
本实施例与实施例一的不同之处在于：实施例一中采用方孔之间加小圆孔的冲孔式样，该式样不仅限于两个方孔之间加一个小圆孔的形式，也涵盖一个方孔加一个圆孔的形式。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (3)

1.一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、准备绝缘基材，在绝缘基材的单面通过溅镀法或电解电镀法形成铜导体层，绝缘基材和铜导体层组成COF基材；
S2、在COF基材上进行冲孔，冲出多个方孔与shot间通孔，在现有的基础上，在两个方孔之间加入一个圆孔，该圆孔为新的曝光对位MARK；
S3、将涂布后的COF基材由左边卷出端向右边卷取端搬送一定的长度后，被真空吸着板吸附，此时，玻璃菲林上的对位MARK通过投影镜头投影到COF基材的定位孔上，定位孔下方CCD相机同时捕捉COF基材上的MARK和投影到COF基材定位孔上的玻璃菲林的对位MARK；
S4、当两个对位MARK的中心重合，进行曝光，中心位置有偏差时，对真空吸着板下方的台面进行微调，直至中心重合。
2.根据权利要求1所述的一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，其特征在于：所述绝缘基材为聚酰亚胺材料制成，且绝缘基材的厚度为12.5～50μm。
3.根据权利要求1所述的一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，其特征在于：所述圆孔的直径为1mm，两个所述方孔之间的距离为4.75mm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11569336B2 (en) 2020-07-24 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1619421A (zh) * 2003-11-18 2005-05-25 株式会社阿迪泰克工程 对应于基板伸缩的印刷电路板用曝光装置
CN1740914A (zh) * 2004-02-02 2006-03-01 Lg电子株式会社 曝光装置
CN101460897A (zh) * 2006-06-07 2009-06-17 集成方案株式会社 曝光方法以及曝光装置
CN101672997A (zh) * 2009-09-28 2010-03-17 友达光电（苏州）有限公司 液晶显示面板
US20120104200A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 International Business Machines Corporation Self-supporting cantilevered mounting system and methods of installation thereof
CN205691896U (zh) * 2016-06-20 2016-11-16 北京京东方显示技术有限公司 对位机构
CN206380164U (zh) * 2017-01-13 2017-08-04 东莞塘厦裕华电路板有限公司 一种pcb板菲林结构

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1619421A (zh) * 2003-11-18 2005-05-25 株式会社阿迪泰克工程 对应于基板伸缩的印刷电路板用曝光装置
CN1740914A (zh) * 2004-02-02 2006-03-01 Lg电子株式会社 曝光装置
CN101460897A (zh) * 2006-06-07 2009-06-17 集成方案株式会社 曝光方法以及曝光装置
CN101672997A (zh) * 2009-09-28 2010-03-17 友达光电（苏州）有限公司 液晶显示面板
US20120104200A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 International Business Machines Corporation Self-supporting cantilevered mounting system and methods of installation thereof
CN205691896U (zh) * 2016-06-20 2016-11-16 北京京东方显示技术有限公司 对位机构
CN206380164U (zh) * 2017-01-13 2017-08-04 东莞塘厦裕华电路板有限公司 一种pcb板菲林结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11569336B2 (en) 2020-07-24 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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