CN110618555A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括衬底基板，位于衬底基板上的黑矩阵图形和量子点层，以及位于黑矩阵图形远离衬底基板一侧的第一滤光层，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构。本申请有助于避免显示基板出现混色。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示装置能够实现更广色域的显示。量子点(英文：Quantum Dot；简称：QD)显示装置具有光谱窄、色纯度高以及色域广等特点，在广色域的显示领域中具有独特的优势。
QD显示装置通常包括背光源和QD显示面板，QD显示面板的显示基板包括衬底基板，以及，设置在衬底基板上的黑矩阵图形和QD发光层，QD发光层包括红色QD结构、绿色QD结构和蓝色QD结构，QD结构位于黑矩阵图形限定的像素区内，且QD结构凸出于黑矩阵图形。背光源发射出的光线在经过红色QD结构时激发红色QD结构发射红色光线，经过绿色QD结构时激发绿色QD结构发射绿色光线，经过蓝色QD结构时激发蓝色QD结构发射蓝色光线。
但是，由于QD结构凸出于黑矩阵图形，因此每个像素区中的QD结构发射出的光线能够从黑矩阵图形上方照射至相邻的像素区，导致显示基板出现混色。
发明内容
本申请提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：
衬底基板，位于所述衬底基板上的黑矩阵图形和量子点层，以及，位于所述黑矩阵图形远离所述衬底基板一侧的第一滤光层；
所述黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，所述量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，所述量子点结构位于所述像素区内；
所述第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，所述第一滤光结构位于所述挡墙结构上，所述第一滤光结构远离所述衬底基板的一面凸出于所述量子点结构远离所述衬底基板的一面，位于每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上的所述第一滤光结构包括与所述量子点结构颜色不同的滤光结构。
可选地，位于每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上的所述第一滤光结构还包括与所述量子点结构颜色相同的滤光结构。
可选地，每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上包括两种不同颜色的所述第一滤光结构，所述两种不同颜色的所述第一滤光结构中，远离所述量子点结构的所述第一滤光结构的颜色与所述量子点结构的颜色相同；或者，
每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上包括两种不同颜色的所述第一滤光结构，所述两种不同颜色的所述第一滤光结构中，靠近所述量子点结构的所述第一滤光结构的颜色与所述量子点结构的颜色相同。
可选地，每个所述挡墙结构上的两种不同颜色的所述第一滤光结构关于所述挡墙结构的第一轴截面对称。
可选地，所述第一滤光结构的宽度w的范围为：1微米≤w≤L/4，所述L为所述第一滤光结构所在的所述挡墙结构的最小宽度；
所述第一滤光结构的厚度d的范围为：d≥2微米。
可选地，所述显示基板还包括：
位于所述衬底基板与所述量子点层之间的第二滤光层，所述第二滤光层包括至少两种不同颜色的第二滤光结构，所述第二滤光结构位于所述像素区内，且在每个所述像素区中，所述第二滤光结构的颜色与所述量子点结构的颜色相同。
可选地，所述量子点层包括红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构；
所述第一滤光层和所述第二滤光层均包括红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构。
第二方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成黑矩阵图形，所述黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区；
在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成量子点层和第一滤光层，所述量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，所述量子点结构位于所述像素区内，所述第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，所述第一滤光结构位于所述挡墙结构上；
其中，所述第一滤光结构远离所述衬底基板的一面凸出于所述量子点结构远离所述衬底基板的一面，位于每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上的所述第一滤光结构包括与所述量子点结构颜色不同的滤光结构。
可选地，所述在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成量子点层和第一滤光层，包括：
在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成所述第一滤光层；
在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层。
可选地，在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成所述第一滤光层之后，所述方法还包括：对所述第一滤光层远离所述衬底基板的一面进行疏液处理；
所述在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层，包括：通过喷墨打印工艺在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层。
可选地，所述对所述第一滤光层远离所述衬底基板的一面进行疏液处理，包括：
采用预设等离子体对所述第一滤光层远离所述衬底基板的一面进行等离子体处理。
可选地，所述预设等离子体包括氟化碳或氟化硫中的至少一种。
可选地，在衬底基板上形成黑矩阵图形之后，所述方法还包括：
在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成第二滤光层，所述第二滤光层包括至少两种不同颜色的第二滤光结构，所述第二滤光结构位于所述像素区内；
所述在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层，包括：
在形成有所述第二滤光层的衬底基板上形成所述量子点层，在每个所述像素区中，所述量子点结构的颜色与所述第二滤光结构的颜色相同。
可选地，所述第二滤光层与所述第一滤光层通过同一次工艺制备。
可选地，所述量子点层包括红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构；
所述第一滤光层和所述第二滤光层均包括红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构。
第三方面，提供一种显示装置，包括第一方面任一所述的显示基板。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请实施例提供的显示基板及其制造方法、显示装置，在显示基板中，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构，因此位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构可以对该量子点结构发射出的侧向光线进行滤光，有助于避免量子点结构发射出的侧向光线照射至相邻的像素区，从而避免显示基板出现混色。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术提供的一种显示基板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的一种显示基板的部分区域的放大图；
图4是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图5是相关技术提供的一种量子点结构所在像素区发射的侧向光线的光谱图；
图6是本申请实施例提供的一种第一滤光层的透光光谱图；
图7是一种红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图；
图8是另一种红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图；
图9是一种绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图；
图10是另一种绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图；
图11是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图；
图12是本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图；
图13是本申请实施例提供的一种在衬底基板上形成黑矩阵图形后的示意图；
图14是本申请实施例提供的一种在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成红色滤光结构后的示意图；
图15是本申请实施例提供的一种在形成有红色滤光结构的衬底基板上形成绿色滤光结构后的示意图；
图16是本申请实施例提供的一种在形成有绿色滤光结构的衬底基板上形成蓝色滤光结构后的示意图；
图17是本申请实施例提供的一种在形成有第一滤光层的衬底基板上形成红色量子点结构后的示意图；
图18是本申请实施例提供的一种在形成有红色量子点结构的衬底基板上形成绿色量子点结构后的示意图；
图19是本申请实施例提供的再一种显示基板的制造方法的方法流程图；
图20是本申请实施例提供的一种在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成红色滤光结构后的示意图；
图21是本申请实施例提供的一种在形成有红色滤光结构的衬底基板上形成绿色滤光结构后的示意图；
图22是本申请实施例提供的一种在形成有绿色滤光结构的衬底基板上形成蓝色滤光结构后的示意图；
图23是本申请实施例提供的一种在形成有第二滤光层的衬底基板上形成红色量子点结构后的示意图；
图24是本申请实施例提供的一种在形成有红色量子点结构的衬底基板上形成绿色量子点结构后的示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了使本申请的原理、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参考图1，其示出了相关技术提供的一种显示基板00的结构示意图，参见图1，该显示基板00包括衬底基板001，以及位于衬底基板001上的黑矩阵图形002和量子点层003，黑矩阵图形002包括由挡墙结构0021限定的多个像素区(图1中未标出)，量子点层003包括红色量子点结构0031、绿色量子点结构0032和蓝色量子点结构0033，每个量子点结构位于一个像素区内，且每个量子点结构中分散有散射粒子003a，红色量子点结构0031、绿色量子点结构0032和蓝色量子点结构0033中的每个量子点结构可以通过吸收照射至该量子点结构的激发光线发射出相应颜色的光线(例如红色量子点结构0031可以通过吸收照射至该红色量子点结构0031的激发光线发射出红色光线)，每个量子点结构中的散射粒子003a可以对该量子点结构所在像素区中的光线进行散射，使该量子点结构所在像素区中的光线从不同方向射出。
受量子点材料性能的影响，量子点结构无法完全吸收照射至该量子点结构的激发光线，而通过增加量子点结构的厚度，可以使量子点结构尽可能多的对激发光线进行吸收，提高量子点结构的发光效率。现有工艺中制约量子点结构的厚度的主要因素是挡墙结构0021的厚度，目前，受挡墙结构的材料以及制造工艺的影响，挡墙结构0021的最大厚度为6微米～7微米，理想条件下量子点结构的最大厚度与挡墙结构0021的最大厚度相同，但是，量子点结构通常采用喷墨打印工艺形成，在实际打印过程中，受到挡墙结构0021的影响，如图1所示，量子点结构成膜后的形貌多为中间厚两边薄，量子点结构远离衬底基板001的一面凸出于黑矩阵图形003远离衬底基板001的一面，并且量子点结构与挡墙结构0021的厚度段差可达1微米～2微米，该厚度段差约为挡墙结构0021的厚度的15％～20％(百分比)，在散射粒子003a的作用下，每个量子点结构所在像素区中的光线可以从黑矩阵图形002的上方照射至与相邻的像素区，导致显示基板出现混色。
请参考图2，其示出了本申请实施例提供的一种显示基板01的结构示意图。参见图2，该显示基板01包括：衬底基板011，位于衬底基板011上的黑矩阵图形012和量子点层013，以及，位于黑矩阵图形012远离衬底基板011一侧的第一滤光层014。
其中，黑矩阵图形012包括由挡墙结构0121限定的多个像素区(图2中未标出)，量子点层013包括至少两种不同颜色的量子点结构，量子点结构位于像素区内。第一滤光层014包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，第一滤光结构位于挡墙结构0121上，第一滤光结构0121远离衬底基板011的一面凸出于量子点结构远离衬底基板011的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该量子点结构颜色不同的第一滤光结构。在本申请实施例中，滤光结构的颜色指的是该滤光结构允许通过的光线的颜色，量子点结构颜色指的是该量子点结构能够发射出的光线的颜色。
示例地，图2以至少两种不同颜色的量子点结构包括红色量子点结构0131、绿色量子点结构0132和蓝色量子点结构0133，至少两种不同颜色的第一滤光结构包括红色滤光结构0141、绿色滤光结构0142和蓝色滤光结构0143为例进行说明，如图2所示，红色量子点结构0131、绿色量子点结构0132和蓝色量子点结构0133位于不同的像素区内，红色滤光结构0141、绿色滤光结构0142和蓝色滤光结构0143均位于挡墙结构0121上，红色滤光结构0141、绿色滤光结构0142和蓝色滤光结构0143中的每个滤光结构远离衬底基板011的一面凸出于红色量子点结构0131、绿色量子点结构0132和蓝色量子点结构0133中的任一量子点结构远离衬底基板011的一面，位于红色量子点结构0131两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该红色量子点结构0131颜色不同的第一滤光结构，也即是位于红色量子点结构0131两侧的挡墙结构0121上包括绿色滤光结构0142和/或蓝色滤光结构0143，位于绿色量子点结构0132两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该绿色量子点结构0132颜色不同的第一滤光结构，也即是位于绿色量子点结构0132两侧的挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和/或蓝色滤光结构0143，位于蓝色量子点结构0133两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该蓝色量子点结构0133颜色不同的第一滤光结构，也即是位于蓝色量子点结构0133两侧的挡墙结构0121上包括绿色滤光结构0142和/或蓝色滤光结构0143。
其中，每个量子点结构被配置为在射入该量子点结构的激发光线的作用下，发射出指定颜色的彩色光线，该指定颜色与该量子点结构的颜色相同，每个第一滤光结构被配置为对射入该第一滤光结构的光线进行滤光，该第一滤光结构允许与该第一滤光结构颜色相同的光线通过该第一滤光结构。示例地。红色量子点结构0131被配置为在射入红色量子点结构0131的激发光线的作用下发射出红色光线，绿色量子点结构0132被配置为在射入绿色量子点结构0132的激发光线的作用下发射出绿色光线，蓝色量子点结构0133被配置为在射入蓝色量子点结构0133的激发光线的作用下发射出蓝色光线；红色滤光结构0141被配置为对射入该红色滤光结构0141的非红色光线进行滤光，绿色滤光结构0142被配置为对射入该绿色滤光结构0142的非绿色光线进行滤光，蓝色滤光结构0143被配置为对射入该蓝色滤光结构0143的非蓝色光线进行滤光。不难理解，在本申请实施例中，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该量子点结构颜色不同的第一滤光结构，与该量子点结构颜色不同的第一滤光结构可以对该量子点结构发射出的侧向光线进行滤光，以避免该量子点结构发射出的侧向光线照射至该量子点结构所在像素区的相邻像素区，因此有助于避免显示基板01出现混色。其中，量子点结构发射出的侧向光线指的是从量子点结构的侧向发射出的光线，量子点结构的侧向指的是量子点结构的侧面所在的方向，量子点结构的侧面与衬底基板的板面相交。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构，因此位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构可以对该量子点结构发射出的侧向光线进行滤光，有助于避免量子点结构发射出的侧向光线照射至相邻的像素区，从而避免显示基板出现混色。
可选地，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构还包括与该每个量子点结构颜色相同的滤光结构。请继续参考图2，位于红色量子点结构0131两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构还包括红色滤光结构0141，位于绿色量子点结构0132两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构还包括绿色滤光结构0142，位于蓝色量子点结构0133两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构还包括蓝色滤光结构0143。容易理解，在本申请实施例中，每个量子点结构所在像素区中可以包括两种不同颜色的光线，每个量子点结构两侧的挡墙结构0121上可以包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，每个量子点结构两侧的挡墙结构0121上的该至少两种不同颜色的第一滤光结构可以对该每个量子点结构所在像素区中的两种不同颜色的光线进行滤光，有助于避免显示基板01出现混色。
可选地，在本申请实施例中，每个量子点结构两侧的挡墙结构0121上包括两种不同颜色的第一滤光结构，该两种不同颜色的第一滤光结构关于该挡墙结构0121的第一轴截面对称。也即是，每个挡墙结构0121上的两种不同颜色的第一滤光结构关于该挡墙结构0121的第一轴截面对称。其中，挡墙结构0121上与衬底基板011垂直的截面可以包括梯形，挡墙结构0121的第一轴截面可以垂直于衬底基板011且与该梯形的底边垂直。示例地，请参考图3，图3是本申请实施例提供的一种显示基板01的部分区域的放大图，参见图3，挡墙结构0121上包括两种不同颜色的第一滤光结构(图3中未标出)，该两种不同颜色的第一滤光结构关于该挡墙结构0121的第一轴截面M对称。
可选地，如图3所示，每个第一滤光结构的厚度d的范围可以为d≥2微米。示例地，每个第一滤光结构的厚度d可以为2.5微米、3微米或4微米等等。每个第一滤光结构的宽度w的范围可以为1微米≤w≤L/4，其中该L为该第一滤光结构所在的挡墙结构0121的最小宽度，在本申请实施例中，挡墙结构0121可以呈梯台结构，且该挡墙结构0121靠近衬底基板011的一面的宽度可以大于远离衬底基板011的一面的宽度，则L可以为该挡墙结构0121远离衬底基板011的一面的宽度。本领域技术人员容易理解，L通常大于10微米，以保证显示基板的分辨率和量子点结构的精度。示例地，挡墙结构0121的最小宽度L可以为10微米，则第一滤光结构的宽度w的范围可以为1微米≤w≤2.5微米。示例地，当L为10微米时，第一滤光结构的宽度w可以为1微米、1.5微米或2微米等。
可选地，请参考图4，图4是本申请实施例提供的另一种显示基板01的结构示意图，参见图4，在图3的基础上，该显示基板01还包括：位于衬底基板011与量子点层013之间的第二滤光层(图4中未标出)，该第二滤光层包括至少两种不同颜色的第二滤光结构，第二滤光结构位于像素区内，且在每个像素区中，第二滤光结构的颜色与量子点结构的颜色相同。示例地，图4以至少两种不同颜色的第二滤光结构包括红色滤光结构0151、绿色滤光结构0152和蓝色滤光结构0153为例进行说明，参见图4，红色滤光结构0151与红色量子点结构0131位于同一像素区内，且红色滤光结构0151和红色量子点结构0131沿远离衬底基板011的方向叠加；绿色滤光结构0152与绿色量子点结构0132位于同一像素区内，且绿色滤光结构0152与绿色量子点结构0132沿远离衬底基板011的方向叠加；蓝色滤光结构0153与蓝色量子点结构0133位于同一像素区内，且蓝色滤光结构0153与蓝色量子点结构0133沿远离衬底基板011的方向叠加。
可选地，在本申请实施例中，每个量子点结构两侧的挡墙结构0121上包括两种不同颜色的第一滤光结构，该两种不同颜色的第一滤光结构中，远离该每个量子点结构的第一滤光结构的颜色与该每个量子点结构的颜色相同。示例地，如图2所示，红色量子点结构0131两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和绿色滤光结构0142，该红色滤光结构0141相对于绿色滤光结构0142远离红色量子点结构0131，另一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和蓝色滤光结构0143，该红色滤光结构0141相对于蓝色滤光结构0143远离红色量子点结构0131；绿色量子点结构0132两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括绿色滤光结构0142和红色滤光结构0141，该绿色滤光结构0142相对于红色滤光结构0141远离绿色量子点结构0132，另一个挡墙结构0121上包括蓝色滤光结构0143和绿色滤光结构0142，该绿色滤光结构0142相对于蓝色滤光结构0143远离绿色量子点结构0132；蓝色量子点结构0133两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括蓝色滤光结构0143和绿色滤光结构0142，该蓝色滤光结构0143相对于绿色滤光结构0142远离蓝色量子点结构0133，另一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和蓝色滤光结构0143，该蓝色滤光结构0143相对于红色滤光结构0141远离蓝色量子点结构0133。
或者，可选地，每个量子点结构两侧的挡墙结构上包括两种不同颜色的第一滤光结构，该两种不同颜色的第一滤光结构中，靠近量子点结构的第一滤光结构的颜色与该每个量子点结构的颜色相同。示例地，如图4所示，红色量子点结构0131两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和绿色滤光结构0142，该红色滤光结构0141相对于绿色滤光结构0142靠近红色量子点结构0131，另一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和蓝色滤光结构0143，该红色滤光结构0141相对于蓝色滤光结构0143靠近红色量子点结构0131；绿色量子点结构0132两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括绿色滤光结构0142和红色滤光结构0141，该绿色滤光结构0142相对于红色滤光结构0141靠近绿色量子点结构0132，另一个挡墙结构0121上包括蓝色滤光结构0143和绿色滤光结构0142，该绿色滤光结构0142相对于蓝色滤光结构0143靠近绿色量子点结构0132；蓝色量子点结构0133两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括蓝色滤光结构0143和绿色滤光结构0142，该蓝色滤光结构0143相对于绿色滤光结构0142靠近蓝色量子点结构0133，另一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和蓝色滤光结构0143，该蓝色滤光结构0143相对于红色滤光结构0141靠近蓝色量子点结构0133。
需要说明的是，本申请实施例是以量子点层包括红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构，第一滤光层和第二滤光层均包括红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构为例进行说明的，本领域技术人员容易理解，在背光为蓝色背光的情况下，量子点层还可以包括红色量子点结构和绿色量子点结构，而不包括蓝色量子点结构，相应地，第一滤光层和第二滤光层也可以包括红色滤光结构和绿色滤光结构，而不包括蓝色滤光结构，当然，在量子点层不包括蓝色量子点结构时，第一滤光层和第二滤光层也可以包括蓝色滤光结构，本申请实施例对此不做限定。
根据以上描述不难理解，在本申请实施例中，每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构可以对从该量子点结构所在像素区发射出的侧向光线进行滤光，避免显示基板出现混色。下面结合图5至图10，对本申请实施例提供的显示基板的避免混色的效果进行简单说明。
请参考图5，其示出了相关技术提供的一种量子点结构所在像素区发射的侧向光线(也即是由该量子点结构所在像素区发射出且照射至该量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线，量子点结构所在像素区发射的侧向光线包括该量子点结构发射出的侧向光线和该量子点结构的激发光线中未被该量子点结构吸收的侧向光线)的光谱图，参见图5，曲线Q1表示在蓝色光线的激发下，绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线(包括绿色量子点结构发射出的绿色侧向光线以及未被该绿色量子点结构吸收的蓝色侧向光线)的光谱图，曲线Q2表示在蓝色光线的激发下，红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线(包括红色量子点结构发射出的红色侧向光线以及未被该红色量子点结构吸收的蓝色侧向光线)的光谱图，从曲线Q1和曲线Q2可以看出，由于不同颜色的像素区中存在侧向光线，因此显示基板容易出现混色。
请参考图6，其示出了本申请实施例提供的一种第一滤光层的透光光谱图(也即是透过该第一滤光层的光线的光谱图)，参见图6，曲线Q3表示蓝色滤光结构的透光光谱图，曲线Q4表示绿色滤光结构的透光光谱图，曲线Q5表示红色滤光结构的透光光谱图，参考图6并结合蓝光波长(450纳米～520纳米)、绿色波长(520纳米～560纳米)和红光波长(625纳米～700纳米)容易理解，每种颜色的第一滤光结构允许与该第一滤光结构颜色相同的光线透过，而禁止与该第一滤光结构颜色不同的光线透过。
请参考图7，其示出了一种本申请实施例提供的红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线(也即是由该量子点结构所在像素区发射出且照射至该量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线，量子点结构所在像素区发射的侧向光线包括该量子点结构发射出的侧向光线和该量子点结构的激发光线中未被该量子点结构吸收的侧向光线)与相关技术提供的红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图，其中曲线QD-R表示相关技术提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱图，曲线QDR*G*R表示本申请实施例提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下红色量子点结构所在像素区发射出且经过第一滤光结构(包括绿色滤光结构和红色滤光结构)的侧向光线的光谱图，对比曲线QD-R和曲线QDR*G*R并结合图6所示的曲线Q4和曲线Q5容易理解，相比于相关技术提供的显示基板，在本申请实施例提供的显示基板中，由于红色量子点结构两侧的挡墙结构上设置了第一滤光结构，因此照射至该红色量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线较少，有助于避免显示基板出现混色。
请参考图8，其示出了另一种本申请实施例提供的红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线(也即是由该量子点结构所在像素区发射出且照射至该量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线，量子点结构所在像素区发射的侧向光线包括该量子点结构发射出的侧向光线和该量子点结构的激发光线中未被该量子点结构吸收的侧向光线)与相关技术提供的红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图，其中曲线QD-R表示相关技术提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下红色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱图，曲线QDR*R*B表示本申请实施例提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下红色量子点结构所在像素区发射出且经过第一滤光结构(包括红色滤光结构和蓝色滤光结构)的侧向光线的光谱图，对比曲线QD-R和曲线QDR*R*B并结合图6所示的曲线Q3和曲线Q5容易理解，相比于相关技术提供的显示基板，在本申请实施例提供的显示基板中，由于红色量子点结构两侧的挡墙结构上设置了第一滤光结构，因此照射至该红色量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线较少，本申请实施例中红色量子点结构发射出的红色光线的透过率不超过相关技术中红色量子点结构发射出的红色光线的透过率的5％，因此有助于避免显示基板出现混色。
请参考图9，其示出了一种本申请实施例提供的绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线(也即是由该量子点结构所在像素区发射出且照射至该量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线，量子点结构所在像素区发射的侧向光线包括该量子点结构发射出的侧向光线和该量子点结构的激发光线中未被该量子点结构吸收的侧向光线)与相关技术提供的绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图，其中曲线QD-G表示相关技术提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱图，曲线QDR*B*G表示本申请实施例提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下绿色量子点结构所在像素区发射出且经过第一滤光结构(包括蓝色滤光结构和绿色滤光结构)的侧向光线的光谱图，对比曲线QD-G和曲线QDR*B*G并结合图6所示的曲线Q3和曲线Q4容易理解，相比于相关技术提供的显示基板，在本申请实施例提供的显示基板中，由于绿色量子点结构两侧的挡墙结构上设置了第一滤光结构，因此照射至该绿色量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线较少，本申请实施例中绿色量子点结构发射出的绿色光线的透过率不超过相关技术中绿色量子点结构发射出的绿色光线的透过率的15％，因此有助于避免显示基板出现混色。
请参考图10，其示出了另一种本申请实施例提供的绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线(也即是由该量子点结构所在像素区发射出且照射至该量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线，量子点结构所在像素区发射的侧向光线包括该量子点结构发射出的侧向光线和该量子点结构的激发光线中未被该量子点结构吸收的侧向光线)与相关技术提供的绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱对比图，其中曲线QD-G表示相关技术中提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下绿色量子点结构所在像素区发射出的侧向光线的光谱图，曲线QDR*R*G表示本申请实施例提供的显示基板中，在蓝色光线的激发下的绿色量子点结构所在像素区发射出且经过第一滤光结构(具体为红色滤光结构和绿色滤光结构)的侧向光线的光谱图，对比曲线QD-G和曲线QDR*R*G并结合图6所示的曲线Q4和曲线Q5容易理解，相比于相关技术提供的显示基板中的绿色量子点结构，在本申请实施例提供的显示基板中，由于绿色量子点结构两侧的挡墙结构上设置了第一滤光结构，因此照射至该绿色量子点结构所在像素区的相邻像素区的光线较少，因此有助于避免显示基板出现混色。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构，因此位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构可以对该量子点结构发射出的侧向光线进行滤光，有助于避免量子点结构发射出的侧向光线照射至相邻的像素区，从而避免显示基板出现混色。
本申请实施例提供的显示基板可以应用于下文的方法，本申请实施例中显示基板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图11，其示出了本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图，该方法可以用于制造图2或图4所示的显示基板01，参见图11，该方法包括如下步骤：
在步骤401中，在衬底基板上形成黑矩阵图形，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区。
在步骤402中，在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成量子点层和第一滤光层，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板的制造方法，在该方法制造的显示基板中，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构，因此位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构可以对该量子点结构发射出的侧向光线进行滤光，有助于避免量子点结构发射出的侧向光线照射至相邻的像素区，从而避免显示基板出现混色。
请参考图12，其示出了本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图，本实施例以图2所示的显示基板01为例进行说明，参见图12，该方法包括如下步骤：
在步骤501中，在衬底基板上形成黑矩阵图形，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区。
请参考图13，其示出了本申请实施例提供的一种在衬底基板011上形成黑矩阵图形012后的示意图，参见图13，黑矩阵图形012包括挡墙结构0121以及由挡墙结构0121限定的多个像素区K，挡墙结构0121的截面可以为梯形，挡墙结构0121远离衬底基板011的一面可以为平面。
可选地，可以采用旋涂或刮涂等工艺中的任一种在衬底基板011上形成黑矩阵溶液材料层，接着对黑矩阵溶液材料层进行烘烤，去除黑矩阵溶液材料层的溶剂得到黑矩阵材质层，然后对黑矩阵材质层依次进行曝光和显影，得到黑矩阵图形012，最后通过烘烤的方式对黑矩阵图形012进行固化。
在步骤502中，在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成第一滤光层，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，第一滤光结构位于挡墙结构上。
本申请实施例以至少两种不同颜色的第一滤光结构包括红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构为例，则可以通过三次工艺在形成有黑矩阵图形的衬底基板上分别形成红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构，每个挡墙结构上可以包括两种不同颜色的第一滤光结构，该两种不同颜色的第一滤光结构可以关于该挡墙结构的第一轴截面对称。
可选地，红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构中的每个滤光结构的材料可以为相应颜色的色阻材料，在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成第一滤光层可以包括如下三个步骤：
步骤(1)、在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成红色滤光结构。
示例地，请参考图14，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有黑矩阵图形012的衬底基板011上形成红色滤光结构0141后的示意图。可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)等工艺中的任一种在形成有黑矩阵图形012的衬底基板011上形成红色色阻材质层，然后通过一次构图工艺对该红色色阻材质层进行处理得到红色滤光结构0141，该红色滤光结构0141位于挡墙结构0121上。
步骤(2)、在形成有红色滤光结构的衬底基板上形成绿色滤光结构。
示例地，请参考图15，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有红色滤光结构0141的衬底基板011上形成绿色滤光结构0142后的示意图。可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等工艺中的任一种在形成有红色滤光结构0141的衬底基板011上形成绿色色阻材质层，然后通过一次构图工艺对该绿色色阻材质层进行处理得到绿色滤光结构0142，该绿色滤光结构0142位于挡墙结构0121上。
步骤(3)、在形成有绿色滤光结构的衬底基板上形成蓝色滤光结构。
示例地，请参考图16，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有绿色滤光结构0142的衬底基板011上形成蓝色滤光结构0143后的示意图。可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等工艺在形成有绿色滤光结构0142的衬底基板011上形成蓝色色阻材质层，然后通过一次构图工艺对该蓝色色阻材质层进行处理得到蓝色滤光结构0143，该蓝色滤光结构0143位于挡墙结构0121上。
经过上述步骤(1)至(3)之后，可以在形成黑矩阵图形012的衬底基板011上形成红色滤光结构0141、绿色滤光结构0142和蓝色滤光结构0143，红色滤光结构0141、绿色滤光结构0142和蓝色滤光结构0143可以组成第一滤光层014，红色滤光结构0141、绿色滤光结构0142和蓝色滤光结构0143均位于挡墙结构0121上，在本申请实施例中，红色滤光结构0141、绿色滤光结构0142和蓝色滤光结构0143均为第一滤光结构，如图16所示，每个挡墙结构0121上包括两种不同颜色的第一滤光结构。需要说明的是，本申请实施例是以依次形成红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构为例进行说明的，实际应用中，可以按照任意顺序形成红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构，本申请实施例不对红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构的形成顺序进行限定。
在步骤503中，对第一滤光层远离衬底基板的一面进行疏液处理。
可选地，可以采用预设等离子体对第一滤光层远离衬底基板的一面进行等离子体处理，以改变第一滤光层远离衬底基板的一面的疏液性，从而对第一滤光层远离衬底基板的一面进行疏液处理。其中，该预设等离子体可以为含氟等离子体，例如该预设等离子体可以为氟化碳或氟化硫等含氟气体中的至少一种。
可选地，请继续参考图16，可以在第一滤光层014远离衬底基板011的一侧设置掩膜版(图16中未示出)，使掩膜版的开口区域与第一滤光层的各个第一滤光结构对应(也即是使第一滤光层的各个第一滤光结构通过掩膜版的开口区域露出)，然后从掩膜版远离衬底基板011的一侧，采用预设等离子体对第一滤光层014远离衬底基板011的一面进行等离子体处理。
在步骤504中，在形成有第一滤光层的衬底基板上形成量子点层，量子点层包括至少两种颜色的量子点结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面。
本申请实施例以至少两种颜色的量子点结构包括红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构为例，则可以通过三次工艺在形成有第一滤光层的衬底基板上分别形成红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构，每个量子点结构可以位于一个像素区内。
可选地，红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构中的每个量子点结构的材料可以为相应颜色的量子点材料，在形成有第一滤光层的衬底基板上形成量子点层可以包括如下三个步骤：
步骤(1)、在形成有第一滤光层的衬底基板上形成红色量子点结构。
示例地，请参考图17，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有第一滤光层014的衬底基板011上形成红色量子点结构0131后的示意图，红色量子点结构0131远离衬底基板011的一面为向远离该衬底基板011的方向凸起的曲面，且任一第一滤光结构远离衬底基板011的一面凸出于该红色量子点结构0131远离衬底基板011的一面，位于每个红色量子点结构0131两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该红色量子点结构0131颜色不同的第一滤光结构和与该红色量子点结构0131颜色相同的第一滤光结构，如图17所示，该红色量子点结构0131两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和绿色滤光结构0142，另一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和蓝色滤光结构0143。可选地，可以采用喷墨打印工艺在红色像素区中打印红色量子点材料，并对红色量子点材料进行固化得到红色量子点结构0131。
步骤(2)、在形成有红色量子点结构的衬底基板上形成绿色量子点结构。
示例地，请参考图18，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有红色量子点结构0131的衬底基板011上形成绿色量子点结构0132后的示意图，绿色量子点结构0132远离衬底基板011的一面为向远离该衬底基板011的方向凸起的曲面，且任一第一滤光结构远离衬底基板011的一面凸出于该绿色量子点结构0132远离衬底基板011的一面，位于每个绿色量子点结构0132两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该绿色量子点结构0132颜色不同的第一滤光结构和与该绿色量子点结构0132颜色相同的第一滤光结构，如图17所示，该绿色量子点结构0132两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括绿色滤光结构0142和红色滤光结构0141，另一个挡墙结构0121上包括蓝色滤光结构0143和绿色滤光结构0142。可选地，可以采用喷墨打印工艺在绿色像素区中打印绿色量子点材料，并对绿色量子点材料进行固化得到绿色量子点结构0132。
步骤(3)、在形成有绿色量子点结构的衬底基板上形成蓝色量子点结构。
在形成有绿色量子点结构0132的衬底基板011上形成蓝色量子点结构0133后的示意图可以如图2所示。蓝色量子点结构0133远离衬底基板011的一面为向远离该衬底基板011的方向凸起的曲面，且任一第一滤光结构远离衬底基板011的一面凸出于该蓝色量子点结构0133远离衬底基板011的一面，位于每个蓝色量子点结构0133两侧的挡墙结构0121上的第一滤光结构包括与该每个蓝色量子点结构0133颜色不同的第一滤光结构和与该蓝色量子点结构0133颜色相同的第一滤光结构，如图2所示，该蓝色量子点结构0133两侧的两个挡墙结构0121中，其中一个挡墙结构0121上包括蓝色滤光结构0143和绿色滤光结构0142，另一个挡墙结构0121上包括红色滤光结构0141和蓝色滤光结构0143。可选地，可以采用喷墨打印工艺在蓝色像素区中打印蓝色量子点材料，并对蓝色量子点材料进行固化得到蓝色量子点结构0133。
经过上述步骤(1)至(3)之后，可以在形成有第一滤光层014的衬底基板011上形成红色量子点结构0131、绿色量子点结0132和蓝色量子点结构0133，红色量子点结构0131、绿色量子点结0132和蓝色量子点结构0133组成量子点层013。需要说明的是，本申请实施例是以依次形成红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构为例进行说明的，实际应用中，可以按照任意顺序形成红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构，本申请实施例不对红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构的形成顺序进行限定。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板的制造方法，在该方法制造的显示基板中，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构，因此位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构可以对该量子点结构发射出的侧向光线进行滤光，有助于避免量子点结构发射出的侧向光线照射至相邻的像素区，从而避免显示基板出现混色。
请参考图19，其示出了本申请实施例提供的再一种显示基板的制造方法的方法流程图，本实施例以制造图4的显示基板01为例进行说明。参见图19，该方法包括如下步骤：
在步骤801中，在衬底基板上形成黑矩阵图形，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区。
步骤801的实现过程可以参考本申请图12所示实施例的步骤501以及该步骤501对应的附图，本申请实施例在此不再赘述。
在步骤802中，在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成第一滤光层和第二滤光层，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，第一滤光结构位于挡墙结构上，第二滤光层包括至少两种不同颜色的第二滤光结构，第二滤光结构位于像素区内。
在本申请实施例中，第一滤光层和第二滤光层可以同时制备。本申请实施例以第一滤光层的至少两种不同颜色的第一滤光结构和第二滤光层的至少两种不同颜色的第二滤光结构均包括红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构为例，则可以通过三次工艺在形成有黑矩阵图形的衬底基板上分别形成红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构，且第一滤光层和第二滤光层中颜色相同的滤光结构可以同时形成，每个挡墙结构上可以包括两种不同颜色的第一滤光结构，每个挡墙结构上的两种不同颜色的第一滤光结构可以关于该挡墙结构的第一轴截面对称，每个像素区中可以具有一个第二滤光结构。
可选地，在本申请实施例中，红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构中每个滤光结构的材料可以为相应颜色的色阻材料。示例地，在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成第一滤光层和第二滤光层可以包括如下三个步骤：
步骤(1)、在形成有黑矩阵图形的衬底基板上形成红色滤光结构。
示例地，请参考图20，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有黑矩阵图形012的衬底基板011上形成红色滤光结构0141和红色滤光结构0151后的示意图。可选地，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等工艺在形成有黑矩阵图形012的衬底基板011上形成红色色阻材质层，然后通过一次构图工艺对红色色阻材质层进行处理得到红色滤光结构0141和红色滤光结构0151，红色滤光结构0141位于挡墙结构0121上，红色滤光结构0151位于像素区中。
步骤(2)、在形成有红色滤光结构的衬底基板上形成绿色滤光结构。
示例地，请参考图21，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有红色滤光结构的衬底基板011上形成绿色滤光结构0142和绿色滤光结构0152后的示意图。可选地，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等工艺在形成有红色滤光结构的衬底基板011上形成绿色色阻材质层，然后通过一次构图工艺对绿色色阻材质层进行处理得到绿色滤光结构0142和绿色滤光结构0152，绿色滤光结构0142位于挡墙结构0121上，绿色滤光结构0152位于像素区中。
步骤(3)、在形成有绿色滤光结构的衬底基板上形成蓝色滤光结构。
示例地，请参考图22，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有绿色滤光结构的衬底基板011上形成蓝色滤光结构0143和蓝色滤光结构0153后的示意图。可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等工艺在形成有绿色滤光结构的衬底基板011上形成蓝色色阻材质层，然后通过一次构图工艺对蓝色色阻材质层进行处理得到蓝色滤光结构0143和蓝色滤光结构0153，蓝色滤光结构0143位于挡墙结构0121上，蓝色滤光结构0153位于像素区中。
经过上述步骤(1)至(3)之后，可以在形成黑矩阵图形012的衬底基板011上形成第一滤光层014和第二滤光层015，第一滤光层014的第一滤光结构位于挡墙结构0121上，第二滤光层015的第二滤光结构位于像素区内。需要说明的是，本申请实施例是以依次形成红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构为例进行说明的，实际应用中，可以按照任意顺序形成红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构，本申请实施例不对红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构的形成顺序进行限定。
在步骤803中，对第一滤光层远离衬底基板的一面进行疏液处理。
步骤803的实现过程可以参考本申请图12所示实施例的步骤503，本申请实施例在此不再赘述。
在步骤804中，在形成有第二滤光层的衬底基板上形成量子点层，量子点层包括至少两种颜色的量子点结构，量子点结构位于像素区内，在每个像素区中，量子点结构的颜色与第二滤光结构的颜色相同。
本申请实施例以至少两种颜色的量子点结构包括红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构为例，则可以通过三次工艺在形成有第二滤光层的衬底基板上分别形成红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构，每个量子点结构可以位于一个像素区内。
可选地，红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构中的每个量子点结构的材料可以为相应颜色的量子点材料，在形成有第二滤光层的衬底基板上形成量子点层可以包括如下三个步骤：
步骤(1)、在形成有第二滤光层的衬底基板上形成红色量子点结构。
示例地，请参考图23，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有第二滤光层015的衬底基板011上形成红色量子点结构0131后的示意图，红色量子点结构0131叠加在红色滤光结构0151远离衬底基板011的一面，红色量子点结构0131远离衬底基板011的一面为向远离该衬底基板011的方向凸起的曲面。可选地，可以采用喷墨打印工艺在红色像素区中打印红色量子点材料，并对红色量子点材料进行固化得到红色量子点结构0131。
步骤(2)、在形成有红色量子点结构的衬底基板上形成绿色量子点结构。
示例地，请参考图24，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有红色量子点结构0131的衬底基板011上形成绿色量子点结构0132后的示意图，绿色量子点结构0132叠加在绿色滤光结构0152远离衬底基板011的一面，绿色量子点结构0132远离衬底基板011的一面为向远离该衬底基板011的方向凸起的曲面。可选地，可以采用喷墨打印工艺在绿色像素区中打印绿色量子点材料，并对绿色量子点材料进行固化得到绿色量子点结构0132。
步骤(3)、在形成有绿色量子点结构的衬底基板上形成蓝色量子点结构。
在形成有绿色量子点结构0132的衬底基板011上形成蓝色量子点结构0133后的示意图可以参考图4，蓝色量子点结构0133叠加在蓝色滤光结构0153远离衬底基板011的一面，蓝色量子点结构0133远离衬底基板011的一面为向远离该衬底基板011的方向凸起的曲面。可选地，可以采用喷墨打印工艺在蓝色像素区中打印蓝色量子点材料，并对蓝色量子点材料进行固化得到蓝色量子点结构0133。
经过上述步骤(1)至(3)之后，可以在形成有第二滤光层015的衬底基板011上形成红色量子点结构0131、绿色量子点结0132和蓝色量子点结构0133，红色量子点结构0131、绿色量子点结构0132和蓝色量子点结构0133组成量子点层013。需要说明的是，本申请实施例是以依次形成红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构为例进行说明的，实际应用中，可以按照任意顺序形成红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构，本申请实施例不对红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构的形成顺序进行限定。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板的制造方法，在该方法制造的显示基板中，黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，量子点结构位于像素区内，第一滤光结构位于挡墙结构上，第一滤光结构远离衬底基板的一面凸出于量子点结构远离衬底基板的一面，位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构包括与量子点结构颜色不同的滤光结构，因此位于每个量子点结构两侧的挡墙结构上的第一滤光结构可以对该量子点结构发射出的侧向光线进行滤光，有助于避免量子点结构发射出的侧向光线照射至相邻的像素区，从而避免显示基板出现混色。
在本申请实施例中，一次构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，因此，通过一次构图工艺对材质层(例如蓝色色阻材质层)进行处理可以包括：在材质层上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使光刻胶层形成完全曝光区域和非曝光区域，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区域的光刻胶被完全去除，非曝光区域的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材质层上完全曝光区域对应的区域进行刻蚀，之后剥离非曝光区域的光刻胶，材质层上与非曝光区域对应的区域形成相应的结构(例如蓝色滤光结构0143)。容易理解，本段在描述一次构图工艺时所提及到的光刻胶为正性光刻胶，该光刻胶也可以为负性光刻胶，当光刻胶为负性光刻胶时，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述，本申请实施例在此不再赘述。
本申请实施例提供的显示基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的显示基板，该显示装置可以为液晶显示装置或量子点发光(英文：QuantumDot Light Emitting Diodes；简称：QLED)显示装置。该显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪或可穿戴设备等任何具有显示功能的产品或部件。
本申请中术语“A或B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
衬底基板，位于所述衬底基板上的黑矩阵图形和量子点层，以及，位于所述黑矩阵图形远离所述衬底基板一侧的第一滤光层；
所述黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区，所述量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，所述量子点结构位于所述像素区内；
所述第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，所述第一滤光结构位于所述挡墙结构上，所述第一滤光结构远离所述衬底基板的一面凸出于所述量子点结构远离所述衬底基板的一面，位于每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上的所述第一滤光结构包括与所述量子点结构颜色不同的滤光结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
位于每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上的所述第一滤光结构还包括与所述量子点结构颜色相同的滤光结构。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上包括两种不同颜色的所述第一滤光结构，所述两种不同颜色的所述第一滤光结构中，远离所述量子点结构的所述第一滤光结构的颜色与所述量子点结构的颜色相同；或者，
每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上包括两种不同颜色的所述第一滤光结构，所述两种不同颜色的所述第一滤光结构中，靠近所述量子点结构的所述第一滤光结构的颜色与所述量子点结构的颜色相同。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，
每个所述挡墙结构上的两种不同颜色的所述第一滤光结构关于所述挡墙结构的第一轴截面对称。
5.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
位于所述衬底基板与所述量子点层之间的第二滤光层，所述第二滤光层包括至少两种不同颜色的第二滤光结构，所述第二滤光结构位于所述像素区内，且在每个所述像素区中，所述第二滤光结构的颜色与所述量子点结构的颜色相同。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，
所述量子点层包括红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构；
所述第一滤光层和所述第二滤光层均包括红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构。
7.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成黑矩阵图形，所述黑矩阵图形包括由挡墙结构限定的多个像素区；
在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成量子点层和第一滤光层，所述量子点层包括至少两种不同颜色的量子点结构，所述量子点结构位于所述像素区内，所述第一滤光层包括至少两种不同颜色的第一滤光结构，所述第一滤光结构位于所述挡墙结构上；
其中，所述第一滤光结构远离所述衬底基板的一面凸出于所述量子点结构远离所述衬底基板的一面，位于每个所述量子点结构两侧的所述挡墙结构上的所述第一滤光结构包括与所述量子点结构颜色不同的滤光结构。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成量子点层和第一滤光层，包括：
在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成所述第一滤光层；
在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成所述第一滤光层之后，所述方法还包括：对所述第一滤光层远离所述衬底基板的一面进行疏液处理；
所述在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层，包括：通过喷墨打印工艺在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成黑矩阵图形之后，所述方法还包括：
在形成有所述黑矩阵图形的衬底基板上形成第二滤光层，所述第二滤光层包括至少两种不同颜色的第二滤光结构，所述第二滤光结构位于所述像素区内；
所述在形成有所述第一滤光层的衬底基板上形成所述量子点层，包括：
在形成有所述第二滤光层的衬底基板上形成所述量子点层，在每个所述像素区中，所述量子点结构的颜色与所述第二滤光结构的颜色相同。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，
所述第二滤光层与所述第一滤光层通过同一次工艺制备。
12.根据权利要求7至11任一项所述的方法，其特征在于，
所述量子点层包括红色量子点结构、绿色量子点结构和蓝色量子点结构；
所述第一滤光层和所述第二滤光层均包括红色滤光结构、绿色滤光结构和蓝色滤光结构。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的显示基板。
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