[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN110573649A - 防污膜 - Google Patents

防污膜 Download PDF

Info

Publication number
CN110573649A
CN110573649A CN201780087978.8A CN201780087978A CN110573649A CN 110573649 A CN110573649 A CN 110573649A CN 201780087978 A CN201780087978 A CN 201780087978A CN 110573649 A CN110573649 A CN 110573649A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nickel
foil
thin film
flexible sheet
film deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780087978.8A
Other languages
English (en)
Inventor
何伟祥
何畊纬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Deyang Technology Co Ltd
Original Assignee
Deyang Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deyang Technology Co Ltd filed Critical Deyang Technology Co Ltd
Publication of CN110573649A publication Critical patent/CN110573649A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一种用于延长机器使用寿命的防污膜,其包含一个基板和一个在板上沉积的靶材。基板的制作方法包括溅射、电解、蒸发和激光。

Description

防污膜
本申请主张新加坡专利申请第10201700127P号对应的优先权日期(其申请日为2017年1月6日,其名称为“薄膜沉积系统与溅射工艺”)。优先权申请所有内容或相关主题完全或在适当情况下通过引用并入本申请中。
技术领域
本申请涉及一种薄膜沉积用防污膜,本申请亦涉及多种针对薄膜沉积而对防污膜进行制作、修改、安装、组装、维护、拆除、更换、回收利用和使用的方法。
背景技术
薄膜是一层厚度从几分之一纳米或单层到几微米的片材。薄膜材料的可控合成是一种薄膜沉积工艺,其为许多生产过程的基本步骤。溅射沉积是一种薄膜沉积工艺,属于一种溅射型的物理气相沉积(Physical Vapour Deposition,PVD)方法,用以生产集成电路的电极与扩散阻挡层的薄膜、磁记录介质用磁性薄膜以及液晶显示器装置用铟锡氧化物(indium-tin oxide,ITO)透明导电膜。
现有溅射沉积技术通常会导致所制得的膜上积聚粗大颗粒(通常称为“颗粒”)的缺点。所述“颗粒”是一种在基板上积聚的微粒或细粒。这些颗粒通常会变成直径达几微米的尺寸,其会在例如大规模集成电路(Large-Scale Integration circuits,LSI)的基板上积聚造成互连短接、断接或其他问题,导致不合格产品的比例增加。
颗粒主要是由薄膜沉积设备产生,大部分源自于沉积到基板周围和薄膜沉积设备内壁(例如室壁)、挡板、护板和其他部件上后又剥离的薄膜。颗粒以破碎状态四散再堆积在基板上,构成一种主要污染源。然而,薄膜沉积设备内壁实际上非常难以保持清洁。完全清洁内部通常需要较长时间,而且清洁工人(即清洁技术人员)有时根本无法接近薄膜沉积设备内壁和内部各装置。为减少内壁粗颗粒数量,通常需要先使用如金属喷涂的方式,对最容易受污染的内壁进行物理粗糙化,从而整体固定或捕集沉积物。此种方法要求对设备进行精心维护,而对沉积物的抗剥落效果仍然相当弱。为克服上述困难,人们开发了一次性箔形式的防污材料。此种方法认为,如果所述一次性箔贴附到内壁上,并在基板上形成(即沉淀)薄膜后移除,便可保持内壁清洁。
然而,这些一次性箔具有一种共同的致命缺陷。安装到位的箔材上沉积的成膜物质容易脱落,导致沉积在基板上的薄膜仍会形成颗粒。经验表明,一次性箔上的成膜物质层越厚,则剥落现象越频繁。实践中还发现,待沉积膜产品采用硅化物或铟锡氧化物等陶质材料时特别容易发生此种现象。为消除这种剥离现象,需要频繁更换箔材,这会严重影响薄膜沉积操作效率。还有一个问题是,在气相生长的薄膜形成过程中,基板周围漂浮的大量污染物(特别是伴随着大量颗粒的形成)导致基板上形成薄膜的质量不稳定。
发明内容
此种情况下十分需要采取有效措施遮盖薄膜沉积设备的内壁,防止内壁上形成颗粒。
本申请旨在提供一种或多种新颖且实用的用于薄膜沉积的箔。本申请还提供带有所述一种或多种箔的一种或多种新颖且实用的用于薄膜沉积的颗粒收集器(又称“收集器”)。本次申请还针对所述一种或多种用于薄膜沉积的箔提供了各种新颖且实用的制作、修改、安装、维护、移除、回收利用、更换和使用方法。相关发明的必要技术特征记载于一项或多项独立权利要求,而有益的特征则由相应的附属权利要求加以描述。所述箔可以是柔软、柔韧或可变形的膜、片或薄材。
根据第一种方面,本申请提供了一种用于薄膜沉积工艺(即溅射工艺)的防污膜(例如硅化物薄膜)。防污膜又可称为防污染膜、防污薄膜、防污薄片、防污层、防污皮、防污外皮或防污手段。防污膜包含一种软片材或片材,用于在真空室中捕集散射离子,如带正电氩离子或颗粒。软片材是可操作的或被配置后以在一次或多次薄膜沉积过程中基本保持其完整性;例如:在真空(例如薄膜沉积室内部)或空气中承受300℃、360℃、400℃、465℃、500℃、545℃、600℃、668℃、700℃、763℃、800℃、857℃、900℃、963℃或更高温度。所述“完整性”包括结构、化学成分、形状、尺寸、表面质地、颜色、某些性能特征及其他物理或化学性质。例如,所述“完整性”包括结构、化学成分、形状、尺寸、表面质地、颜色、某些性能特征及其他物理或化学性质等指标中的一项或多项。例如:倘若防污膜经过一次或多次溅射后在溅射室内壁上未发生剥离、变形、收缩或变色,则视为保持了完整性。此外,防污膜在周期性地或连续性地接触高温或电荷(例如带正电作为阳极)时不会释放或排出污染物(例如离子和气体粒子)。
防污膜还可包含无害或在薄膜气相沉积过程中暴露时不释放有害颗粒的一个或多个基片(例如复合材料)、基础结构(丝网)、基板(例如夹层结构)和涂层、镀层(例如镀金和镀银)、层压材料和胶粘剂。防污膜还可包含一层或多层铁箔(例如电解铁箔)或铁合金(铁基合金)箔。不同或相似的材料(物质)可选择性地用作电解镍箔上的涂层材料,前提是组合使用或混合使用在制造过程中(例如溅射过程)中不会构成污染源。例如镍箔可涂上其中一种金属构成合金,或者将有硅化钨涂层的镍箔用于硅化钼沉积。
软片材可包含一层或多层能够全部或部分露出的金属(例如过渡金属或后过渡金属。还可使用金属的合金或金属合金提供或构造软片材。特别值得注意的是,金属包含的一种或多种基本上纯的型式或采用合金型式的铁磁材料(又称“铁磁体”)。镍(无论是基本上纯镍还是合金型式)就是一种铁磁材料的例子。
软片材可包含一种高纯度材料、材料的氧化物或两者的组合。软片材上可存在实质上高纯度金属(例如原子量为28的镍或Ni<28Ni>),即纯度超过90%、95%、99%、99.9%、99.995%或更高的纯金属。基本不含杂质或污染物的纯金属适合用于对污染较敏感的溅射工艺。例如,金属层包含纯度超过50%、85%或99.9%在室温条件下以及周围环境中呈现金属光泽,银面带金色调的镍箔。一项相关发明的实施例提供了一种镍纯度超过99.9%的镍箔,其表面已经氧化。氧化后的镍包括氧化镍(又称绿镍矿,NiO)、三氧化二镍(Ni2O3)和二氧化镍(NiO2)。其他金属实例包括纯锡(Sn)箔卷材、纯锆(Zr)箔卷材、纯铝(Al)箔卷材、SUS304不锈钢箔、纯铜(Cu)箔卷材、钨箔或钼(Mo)箔。
软片材(即柔性材料)还包含一个或多个粗糙化的表面(例如无光、粗糙或磨砂表面、不均匀表面和皱褶表面)。软片材氧化面的表面粗糙度Ra为1.0微米至50微米(1.0μm~50μm),更好或更优化的情况是3.0微米至20微米(3.0μm~20μm),最好的情况是5.0微米至10.0微米(5.0μm~10.0μm)。换而言之,软片材氧化面表面粗糙度Ra为1.0微米至5微米(1.0μm~5μm),更优化的情况为2.0微米至4.0微米(2.0μm~4.0μm)。
所述一个或多个粗化表面可包含一个电解处理表面(例如电解镍箔或表面)、一个氧化面或者两者的组合。所述一个或多个粗化表面还可包含一个喷砂表面。所述一个或多个粗化表面还可包含一个激光或激光束处理表面。
粗化表面额包含一个不均匀表面,包括细粒、褶皱、不规整、压纹、下凹部分或所述任意情况的组合。
本申请实施例或不均匀表面包含凸出部分(例如压纹或压花、凸起)、下凹部分或凸出部分和下凹部分的组合。例如,凸出部分和下凹部分(即凹点、凹处、浅凹和凹槽)彼此相邻,形成具有颗粒感的不均匀表面,无论是否采用规则或不规则形式,是否直线对齐,是否具有方格斑纹。
软片材厚度基本上可从1微米到1毫米(1μm~1mm)。例如,软片材均匀厚度为10微米到750微米(10μm~750μm)、15微米到550微米(15μm~550μm)、18微米到330微米(18μm~300μm)、30微米到200微米(30μm~200μm)、40微米到100微米(40μm~100μm)或上述任意均匀厚度范围的组合。
软片材可以是一次性或可回收利用材料。例如,软片材在真空室内经过预定次数(例如10次、50次、100次和500次)的溅射后可作废弃处置。例如,软片材经过多次薄膜沉积后可(利用电解工艺翻新)进行清洁或处理。经清洁或翻新过的清洁或处理后的软片材重新用于薄膜沉积。
防污膜可包含一种预定特性(例如形状、尺寸和边界),以便贴附到薄膜沉积设备上。例如,防污膜可以卷材形式出现,类似于铝箔(被误认为是锡箔的铝箔)。当然,防污膜可以呈长方形、正方形、环形、圆形椭圆形或这些形状的任意组合。
本申请还提供一套薄膜沉积设备(例如薄膜气相生长系统或装置),配有真空室或溅射室。薄膜沉积设备包含一个罩壳(阳极锥、挡板、基板罩和靶材罩壳),罩壳表面一个或多个部分由防污膜覆盖。例如,真空室壁内表面或内壁表面部分或完全由防污膜覆盖。薄膜沉积设备还包含一个固定架(又称“定位架”),用于紧固薄膜生长用基板和一个或多个溅射源(例如磁控管),是用于约束带电等离子体粒子始终位于溅镀靶材表面附近。罩壳包含一个能抽真空或全密封的容器,设有一个容器壁用于容纳固定架及一或多个溅射源。容器壁内表面的一个或多个部分由防污膜覆盖。
其他情况,所述防污膜以可拆离的方式贴附到设备的一个容器内表面。在其他情况,所述设备的一个或多个部分或容器壁内表面包含的表面第一表面或第一内表面由第一防污膜覆盖,第二表面或内表面由第二防污膜覆盖。也就是说,薄膜沉积设备部件由多个防污膜覆盖,防污膜可具有不同的轮廓、产品规格、性能指标或其他特性。需要更强污染物吸收能力的部位或表面由更高性能的防污膜覆盖或包覆。受污染物影响较小的部位或表面可重复使用、回收利用或使用在薄膜沉积过程中用过少数次的。
根据第二个方面,本申请提供了一种用于薄膜沉积的防污膜制作方法。该方法共包含四个步骤:第一步,提供一种用于捕集散射离子的软片材;第二步,露出软片材的至少一部分;第三步,对所述软片材的一或多个部分的表面进行粗糙化处理;第四步,自软片材拆离至少一部分。上述某些步骤可进行组合、分割或顺序调整。例如,第二步露出软片材的一个或多个部分以及软片材一个或多个部分表面的粗化可通过对软片材进行一次或多次电解实现。防污膜有助于实现高效率和高品质的薄膜沉积过程,因为其可在较长的过程中甚至是较高或循环温度条件下有效吸收或捕集游散的颗粒。
对软片材的一或多个部分的表面的粗糙化步骤可包含利用电解程序或电解对表面进行处理的步骤。电解程序或电解能够提供均匀的粗糙化表面,其表面粗糙度可准确或精确调节。
对软片材的一或多个部分的表面的粗糙化步骤可包含在软片材一或多个部分的表面创造一个或多个表面结构的步骤。一个或多个表面结构包括凹槽、凹点、压纹或其他任何可见或不可见的表面纹理。
该方法可包含对软片材的一或多个部分的表面进行氧化的步骤。该方法还可对软片材一或多个部分的表面进行电解,从而产生一电解表面(例如铜、镍或铁)或电解材料(例如电解铜、电解镍或电解铁)。
该方法还可将一个基片贴附到软片材上。基片包含一基础结构、一基板、一涂层(即“涂层”)、一镀层(即“镀层”)、一层压材料或一胶粘层,其系无害的或在气相沉积制程中不会向薄膜释放有害颗粒。基片提供的附加的结构支持防污膜免于剥落或循环受热和冷却。
根据第三个方面,本申请为薄膜沉积工艺提供了一种防污膜使用方法。该方法第一步是提供一种防污膜或前文所述防污膜;第二步是提供一薄膜沉积设备;第三步是以可拆离的方式将防污膜贴附到(例如点焊或精密点焊)薄膜沉积设备的设备壁上。上述某些步骤可进行组合、分割或顺序调整。利用防污膜使用方法可移除耗尽或用过的防污膜,并将新防污膜贴附到薄膜沉积设备(例如阳极锥、收集器或颗粒收集器)的设备壁上。用过的防污膜可回收利用(例如清洁或翻新),然后可用于薄膜沉积工艺或其他过程。
该方法还可利用防污膜进行薄膜沉积工艺(例如溅射)的步骤。经过几次薄膜沉积后,用过的防污膜有时会从薄膜沉积设备壁面移除,随后可能丢弃。用过的防污膜可更换为新制、新的(即之前未用过)或经过清洁或翻新的防污膜。
该方法还可包含防污膜贴附之前或之后对设备壁进行处理(例如清洁)步骤。设备壁(例如薄膜沉积设备的内壁或表面)可进行粗糙化、氧化、喷砂或磨光处理,以改善防污膜附着力。
所述方法的实施例还包含提供一基片或将其贴附(即固定)至软片材,以提供防污膜。所述基片有助于增强结构完整性或降低防污膜成本。例如,防污膜包含一块带镍层的金属片(例如不锈钢箔)。金属片和/或镍层在贴附至真空室内壁进行薄膜沉积之前还可接受其他处理(例如氧化和电解)。
根据第四个方面,本申请提供的防污膜(即防污方法)是包含一个基板(例如基片)支承靶材,和基板上的靶材以产生不规则表面。靶材和基板可采用同种材质(例如镍)。基板一个或多个表面(例如两侧的两个表面)可以是不规则或不均匀表面。基板可采用柔韧或柔软材质,以便贴附到一个或多个不平表面或部位(例如可适用的机器或其他部分)。
根据第五个方面,本申请提供一种基于溅射的防污膜生产方法。该方法第一步是将基板固定到固定架(即定位器)上;第二步是将靶材放到一个或多个喷射器(例如磁控管)上;第三步是排空环绕固定架的腔室;第四步是向腔室内充入工艺气体或惰性气体(例如氩气);第五步是将一个或多个喷射器通电产生磁流。上述方法中某些步骤可进行组合、分割或顺序调整。
根据第六个方面,本申请提供一种基于电解的防污膜生产方法。该方法第一步是处理基板(例如镍箔)表面;第二部是将基板浸入电解质溶液(例如硫酸镍和硫酸铵);第三步是在另一种电解质溶液(例如硫酸镍、硼酸和氯化镍)中使基板新形成表面;第四步是将基板放入烘箱烘干。上述方法中某些步骤可进行组合、分割或顺序调整。
根据第七个方面,本申请提供一种基于蒸发的防污膜生产方法。该方法第一步是将基板贴附到固定架上;第二步是将靶材(例如镍)加热至其沸点(即2730℃);第三步是将靶材(例如镍)蒸发到固定架(即定位器)上的基板(例如镍箔)上。上述方法中某些步骤可进行组合、分割或顺序调整。
根据第八个方面,本申请提供一种基于激光的防污膜生产方法。该方法第一步是将基板(例如镍箔)放到卡盘上的多孔金属上;第二步是将主箔材放到基板上方;第三步是将聚酰亚胺箔材放到主箔材上方;第四步是抽真空;第五步是将激光投射到基板或主箔材上,或者两者同时照射。上述方法中某些步骤可进行组合、分割或顺序调整。多个基板可垂直排列,各基板之间设置一个分隔物(例如纸张等非金属材料)。上述方法中某些步骤可进行组合、分割或顺序调整。基板可放到相关部件上存放。该方法还可利用机械方式(例如末端执行器抓取或真空吸取)输送基板。
根据第九个方面,本申请为薄膜沉积提供了一种金属箔。箔材包括一种铁磁材料(例如铁、钴、镍和钆),以便在溅射沉积过程中附着至溅射设备,并捕集气相生长过程中散逸的颗粒。金属箔厚度大约为0.1毫米(或小于0.1毫米),箔材的一个表面进行粗糙处理。铁磁材料包括镍(Ni)材料或镍合金,例如:坡莫合金、镍铬恒弹性钢、殷钢、镍铁、镍铸铁、镍黄铜、镍青铜以及与铜、铬、铝、铅、钴、银和金的合金(例如因科镍合金、因科镍铬不锈钢、蒙乃尔合金和镍铬钛合金)。粗糙表面可进行电解。金属箔在电解侧或表面可包含凸起或凸出部分。凸起可包含肉眼无法辨识的细粒(看到的只是无光泽面),或者表面粗糙度Ra范围为05微米至20微米(05~20μm)。部分细粒是尺寸不超过100微米(100μm)的凸起或凸出。金属箔一个或多个部分可进行氧化。金属箔可与薄膜沉积设备部件(例如颗粒收集器)分离(例如不可分割片)进行移除;因此,金属箔可视为是一种一次性箔材。
根据第十个方面,本申请提供了一种配备一个或多个颗粒收集器的溅射沉积设备。至少有一个颗粒收集器连接电源阳极;颗粒收集器可以是圆锥形或方便安装于设备部件的任何形状。
根据第九个方面,本申请提供了一种薄膜沉积用箔材的制作方法。该方法第一步是提供一种铁磁材料(例如铁、钴、镍和钆);第二步是将铁磁材料附到薄膜沉积设备部件上,在薄膜沉积过程中捕集散射粒子。铁磁材料附到薄膜沉积设备部件上时可将铁磁材料焊接(例如精密点焊)至薄膜沉积设备部件。该方法还可在将铁磁材料附到薄膜沉积设备(例如溅射沉积设备)零件之前对铁磁材料进行电解。该方法还可在铁磁材料附到薄膜沉积设备部件上之前对铁磁材料进行粗糙化处理。该方法还可(在将铁磁材料附到薄膜沉积设备部件上之前对铁磁材料进行压纹处理。
所述一种或多种箔材可包括能用于铜和非铜薄膜沉积设备和溅射工艺的一种或多种镍箔。薄膜沉积溅射过程中利用镍箔覆盖或制作的颗粒收集器很容易捕捉散射粒子。镍箔覆盖颗粒收集器,形成用于非铜薄膜沉积的镍颗粒收集器。镍颗粒收集器的颗粒吸收能力更强,在薄膜沉积过程中持续时间更长。所述一种或多种镍箔上有圆形凸纹,方便所述一种或多种镍箔表面区域的扩展,可用于非铜薄膜沉积过程。镍箔表面吸收能力强于铜箔,因此能在薄膜沉积工艺中捕集更多颗粒。镍箔还能承受高温。例如,镍的熔点是1455℃,比铜的熔点高出370℃。此外,镍材料的热膨胀率也小于铜材料。镍箔最高工作温度通常为600℃左右,比铜箔大约高出200℃。
薄膜沉积用镍箔的颗粒吸收能力更强,更加耐用,且在薄膜沉积工艺中寿命更长。镍箔特别适合非铜薄膜沉积工艺。由于镍箔性能出色,薄膜沉积采用镍箔能够开发出先进的半导体制造工艺。
本申请提供的防污膜包括:
1.一种经处理的电解镍箔;
2.一种经过处理的电解镍箔,所述电解镍箔涂覆有与通过在基板上气相生长而沉积形成薄膜的材料相同或者无害和相似的材料;
3.一种皱褶金属箔,以及
4.带有许多不规则体(即凹处和凸出部分)的金属箔。
本申请还提供一种基于气相生长的薄膜沉积设备,其特征为:利用一种防污方法防止设备内部装置污染以及沉积薄膜中形成颗粒;可选方法包括:(1)电解镍箔或通过镍箔无光面镀镍形成镍或/和氧化镍细粒薄层的镍箔;(2)一种镍箔或电解镍箔,其通过箔材无光面镀镍形成镍或/和氧化镍细粒薄层,镀层材料与通过在基板上气相生长而沉积形成薄膜的材料相同或对其无害且与其相似;(3)一种皱褶镍箔;(4)通过压纹处理产生若干不规则体的镍箔。本次申请还提供一种用于薄膜气相沉积设备的防污方法,其从上述(1)~(4)范围内选择。本次申请还提供一方法是利用所述防污膜防止设备内部装置被污染及沉积薄膜中有颗粒生成。
根据第十二个方面,本申请提供了一种基于气相生长的薄膜沉积系统或装置。系统采用适当的防污方法。防污方法包括一种经处理的电解镍箔,上有镍、氧化镍或镍与氧化镍混合物的细粒,通过电解镍箔无光面大量凸起部位的镀镍实现沉淀。可避免、减少或减轻系统内装置的污染以及沉积薄膜中颗粒的形成。电解镍箔无光面表面粗糙度Ra范围为5微米至10微米(5~10μm)。经处理的电解镍箔(即箔材)其中一侧可以有细粒,用于捕集气相生长过程中散逸的颗粒。箔材可以是一种一次性的电解镍箔,系统可以是一种溅射系统。
系统实施例采用适当的防污方法。防污方法包括一种经处理的电解镍箔,上有镍、氧化镍或镍与氧化镍混合物的细粒,通过电解镍箔无光面大量凸起部位的镀镍实现沉淀。箔材镀层材料与通过在基板(例如硅晶圆)上气相生长而沉积形成薄膜的材料相同或对其无害且与其相似,从而防止系统内部装置污染以及沉积薄膜中形成颗粒。电解镍箔无光面表面粗糙度Ra范围为5微米至10微米(5~10μm)。箔材其中一侧可以有细粒,用于捕集气相生长过程中散逸的颗粒。
镍箔可以有镍、氧化镍或镍和氧化镍的细粒,其通过镀镍沉淀在镍箔表面,可以使用或不使用与基于气相生长而沉积形成薄膜的材料相同或对其无害且与其相似的镀层。防污材料可通过点焊连接至系统(例如溅射系统)内部一种或多种装置,从而将其覆盖。
附图说明
附图(图)描述了各种实施例,并对所揭示实施例的原理进行了说明。但要注意的是,这些附图仅供说明之用,并不是为了定义相关申请的限值。
图1描述了一种镍箔在溅射室中的应用;
图2描述了通过电解制作镍箔压纹的原理;
图3是通过沉淀制作镍箔压纹的示意图;
图4描述了激光雕纹设置的截面示意图。
本申请的非限制性实施例现在将参照上述附图进行说明。
具体实施方式
图1描述了一种镍箔在溅射室中的应用。溅射室是指溅射室100。图中所示溅射室100已拆除铰接半球形门,采用同心高抛光厚钢壁。同心钢壁内表面由防污膜102覆盖,如图中阴影部分所示。防污膜(即防污层)102基本是由纯度超过99.9%的镍制作,因此又称“镍箔”。
溅射室100同心壁基部设置三个磁控管。每个磁控管104由一个支架支撑,对向面朝向固定架108。靶材106放置在所述“对向面”上。三个磁控管104横向等距放置在一个三角结构内。磁控管104的斜度可手动独立调节,也可借助微控制器远程调节。
固定架108位于磁控管104对侧,即靠近同心壁的顶部区域。固定架108而后连接旋转主轴110。旋转主轴110在顶端连接同心壁。固定架在某种程度上就像吊扇一样悬挂在溅射室100内。固定架108自身至少设置两个抓臂112,位于朝向三个磁控管104的表面上。抓臂112扣紧到基板114上。
溅射室100门对端装有三个阀门,阀门水平直线对齐,略向顶部倾斜。左侧设置进气阀116,中间设置排气阀118,右侧设置已处理气体进气阀120。
图2描述了镍箔142电解压纹过程140。图中所示镍箔142是一个一毫米(1mm)厚、直径大约为一百毫米(100mm)的圆盘。左上角示意图从侧视图和三维图视角展示了圆形镍箔142。之后,第一个箭头166指向第一步。第一步是镍箔142表面处理174。其后,第二个箭头168指向第二步:提供不规则表面处理176。其后,第三个箭头170指向第三步“固化”178。其后,第四个箭头172指向第四步“硬化或强化180”。
具体来讲,镍箔142浸入盛有盐酸146(HCl)的第一个容器144。而后,经盐酸处理的镍箔148输送至盛有硫酸镍和硫酸铵152溶液的第二个容器150。
第二个容器150还有两个金属电极154插入硫酸镍(NiSO4)和硫酸铵((NH4)2SO4)152溶液。两个电极154连接DC(直流)电源(未显示)。直流电源有正极和负极。正极连接第二个容器150左侧的第一个电极154。负极连接第二个容器150右侧的第二个电极156。两个电极154和156由将两个电极154和156悬挂在溶液中的固定架(未显示)支承。浸在溶液中的电极154和156施加一定的电势时,镍箔142获得一个不规则表面。溶液是一种在溶解于极性溶剂(例如:与硫酸镍和硫酸铵152溶液混合的水(H2O)时产生导电溶液的电解液。溶解后的电解液分离成阳离子和阴离子,其在整个溶剂中均匀散布。溶液在电学上来说属于中性溶液。若向溶液施加电势,溶液阳离子会被引向电子数量较丰富的阴极(正电极),而阴离子将被引向缺少电子的阳极(即负电极)。阴离子和阳离子在溶液中相向运动产生电流。
硫酸镍是一种高度可溶蓝色盐,主要用于电镀。硫酸镍水溶液与碳酸钠反应产生镍基催化剂和颜料的前体碳酸镍。硫酸镍浓缩水溶液加入硫酸铵得到Ni(NH4)2(SO4)2·6H2O沉淀,即硫酸镍铵。这种蓝色固体类似于莫尔盐,Fe(NH4)2(SO4)2·6H2O又称硫酸亚铁铵。镍箔142表面形成沉淀158,产生不规则表面。表面包括镍箔142顶面和周边。然而,如果镍箔142悬浮在溶液中由固定架(未显示)支承,镍箔142将完全覆盖沉淀物。
而后,沉淀的镍箔160输送至盛有硫酸镍(NiSO4)、硼酸(H3BO3)和氯化镍(NiCl2)164的第三个容器162。第三个容器162中有另外一组电极154和156连接直流电源。上有硫酸镍铵的镍箔160不规则表面在第三个容器162中固化。
镍箔电镀配方中包含硼酸。其中一种配方中硼酸(H3BO3)与硫酸镍(NiSO4)的比例大约为1:10,还有极少量十二烷基硫酸钠和少量硫酸(H2SO4)。氯化镍溶液用于将镍电镀到其他金属物品上。一个新的镍层镀到镍箔的不规则表面上。而后,新镀镍的镍箔层在烘箱182中烘干,实现硬化或强化180。
图3是基于沉积的镍箔142压纹的示意图200。镍箔142是基板114,其由固定架(未显示)通过吸气固定。固定架(即定位器)与旋转主轴110连接。旋转主轴110一端连接步进电机208。蒸发源202设置在基板114下方。镍箔142朝蒸发源202倾斜。蒸发源202含有镍,蒸发水汽204(朝上的三向粗箭头所示)上升至镍箔142的表面。蒸发水汽204在镍箔142表面凝结,形成不规则倾斜柱210,如放大图圆折线所示。不规则体210出现的原因是蒸发水汽204随机到达表面上(镍箔)。相邻的柱210大小不等,且由于部分柱210挡住了相邻的柱210与蒸发水汽204的接触,导致后者的增长量减少。镍在真空室(未显示)内沉积到基板114上。真空室基础压力大约为6.7x10-5帕。镍沉积厚度大约为一微米(1μm)。与蒸发源202接触时间的长度影响镍沉积层的厚度。
图4描述了激光压纹250设置的横截面示意图。将一块直径大约为二十毫米(20mm)的一到二毫米(1~2mm)厚固体镍片用作工件252。工件252制作步骤包括锯切、软退火和后续表面抛光。一块厚度大约为三微米(3μm)的镍箔用作主箔254,作为模板使用。主箔254网格穿孔尺寸大约为100μm x 100μm。相邻方格之间的间隙为两微米(2μm)。
固体镍工件252安装到真空夹盘256上。而后,镍箔(主箔)254覆盖到工件252上。一块二十五微米(25μm)厚的聚酰亚胺箔258覆盖真空夹盘256、主箔254和工件252。开启真空泵266后,聚酰亚胺箔258密封真空夹盘256,然后将镍箔254和工件252牢牢压合。排出的空气在真空泵266吸气作用下穿过真空室264。而后,聚酰亚胺箔258以氟化氪准分子(激发复合体)激光器260照射。聚酰亚胺箔258是一种具有较高耐热性能的合成树脂。
用于激光照射的激光工作站内嵌式氟化氪(KrF)准分子(激发复合体)激光器260的脉冲长度为二十五纳秒(25ns),波长为二百四十八纳米(248nm)。工作站还包含一个光束成形和均质光学器件,在100μm x 100μm的激光光斑区内形成扁平顶部光束形态。激光束借助过程控制x-y-z台扫描聚酰亚胺表面。激光重复率固定在一百赫兹(100Hz)的频率水平上。
微压印图形区域尺寸由激光光斑尺寸限定。施加于一个点上形成印记的脉冲数量估计大约为二十次以上。该数量的脉冲无法钻通聚酰亚胺箔258,最后会剩余大约1μm左右的聚酰亚胺层,足以保护上镍箔254免受激光脉冲热冲击。因此,聚酰亚胺箔258连同激光烧蚀产生的所有污染物和碎屑在压纹结束后都可轻松移除,从而避免碎屑污染工件252或主镍箔254。
所施加的激光脉冲被聚酰亚胺箔258吸收,聚酰亚胺箔258激光烧蚀后形成等离子体羽。膨胀等离子体和热力过程造成的冲击波所产生的动量足以将结构化的主箔254压至下部镍片252。
制作镍箔142不规则表面并将其放到溅射室100表面上是为了延长溅射室100下次维护之前的使用时间。具有不规则表面的溅射镍箔142在溅射室100中施加到室壁和部件上。
从功能角度上讲,图1所示溅射室100前部是由钢材制成,在内室缺少空气或排成真空时能够承受所施加的大气压力。圆柱体和两个半球端点实现均匀压力分布。图1描述了镍箔142的应用以及通过溅射获得镍箔142的过程。
溅射室100在溅射过程中需保持受控环境,此种环境实际上是真空内室,因此又称“真空室”。真空内室基础压力大约为10-6巴(10-6bar)。真空内室提供一种没有任何悬浮物和不可见带电离子和颗粒的清洁环境。溅射室通过排气阀118排除空气后通过加工过的气体进口120充入氩气。氩是一种惰性元素,适用于溅射等高温工作环境。氩气可防止内部零件氧化和燃烧。
磁控管104含有基于电流运行的电磁体。电源可来自供电网。电磁体涂覆防水材料,防止发生腐蚀和电气短路。磁控管104的内腔满充水以在溅射过程进行冷却。冷却用水可以是自来水,因此需由导管连接磁控管104,在磁控管104的不同位置实现进水和出水。自由电子在溅射过程中持续撞击氩原子,从而形成氩正离子。带正电荷的氩离子在磁控管104上同靶材碰撞。靶材106镍带负电荷,可吸引氩游子。吸引力导致氩离子轰击镍离子。轰击动量致使镍离子转向内室顶部悬挂的基板114。基板114是一种镍箔142,可通过包覆镍离子使镍箔142表面不规则。
图2所示一毫米(1mm)厚、直径大约为一百毫米(100mm)的圆盘状镍箔142仅仅是一个实例。设置较大的厚度可在压纹或制作不规则表面过程中确保适当的强度。箔材厚度过小会导致无法进行压纹。图1中基板114即镍箔142,亦可以是相同尺寸。
第一个容器144中的盐酸146(HCl)将杂质从镍箔142表面上清除(表面处理174阶段)。而后,经处理的镍箔148或活化的镍箔浸入盛有电解液(由硫酸镍和硫酸铵152组成)的第二个容器150。镍箔142进行镍电镀时使用硫酸镍。添加硫酸铵在镍箔142表面产生晶体。这就是不规则表面处理阶段176。而后,经粗糙处理的镍箔浸入第三个容器162中强化粗糙表面或实现固化178。最终通过烘箱182烘烤实现镀层硬化或强化180。
图3描述了镍的蒸发过程。蒸发的镍在镍箔142温度较低表面上凝结,上方形成柱210。镍箔142连续转动,使来自下方蒸发源202的蒸发镍均匀分布。
图4描述了一种镍箔142压纹方法,即利用激光束烧穿其上覆盖的主箔254。真空室264使得镍箔142通过多孔金属262从底侧吸住。
一种基于溅射工艺的防污膜102使用方法(即防污方法或防污手段),首先是将基板114固定到固定架108上。本例中基板114是指镍箔142。固定架108(即定位器)连接至由旋转电机208驱动的旋转主轴110。而后,靶材106放置到至少一个磁控管104上。靶材106就是镍。接着,真空室通过排除空气实现清洁的受控环境。然后,将处理过的气体(氩气)重新充入真空室。接下来给至少一个磁控管104通电形成磁流。磁流使氩原子离子化,产生带正电的氩离子。氩离子将带负电的靶材106轰击到基板114上。最后,镍箔142产生镍沉淀,形成不规则表面。
一种基于电解140制造防污材料的方法,首先是用盐酸146处理镍箔142表面去除杂质(氧化物或颗粒)。而后,经盐酸处理的镍箔148浸入硫酸镍和硫酸铵152溶液,在镍箔142表面上产生沉淀158。接着,使新形成表面在硫酸镍、硼酸和氯化镍164溶液中固化178。第二步和第三步向电极154和156通电实现表面上的包镀。最后,镍箔在烘箱182中实现硬化和强化180。
一种基于蒸发200的防污材料(即防污膜或防污材料)的制造方法,首先是利用由步进电机208驱动的旋转主轴110将镍箔142或基板114连接到固定架上。而后,将一块镍加热至2730℃的沸点,使镍蒸发到固定架处的镍箔142上。该过程发生于清洁且受控的真空室内。零件和部件能够承受高温。
一种基于激光的防污材料的制造方法,首先是将镍箔142(又称工件252)放到真空夹盘256上的多孔金属262上。多孔金属262上的孔眼使得真空室能将镍箔142吸到多孔金属262(即主镍箔或主箔)底部。而后,主镍箔254放到镍箔142上方。主镍箔254穿孔。相邻各孔之间间距相同。主箔254作为激光260烧穿操作的模板,同时还可防止镍箔142受到来自镍箔142的喷起镍污染。接着,将聚酰亚胺箔258放到主镍箔254上方。真空泵266触发时,聚酰亚胺箔258可以提供一个安全的下层结构。聚酰亚胺箔258同样可以耐受高温。最后,激光260穿过聚酰亚胺箔258和主镍箔254后冲击镍箔142。激光260以预定强度冲击镍箔142,但不造成穿孔。激光260的冲击点形成凹口。受冲击的点与未受冲击的表面形成对比,从而产生不规则表面。
一种镍箔封装方法:基板114竖直排列,相邻基板114之间放置分隔物。分隔物应是纸张等非金属材料。使用纸张既经济又环保。基板114可按每包12件包装在一个由珀斯佩有机玻璃等材料制成的硬箱内。另外,硬箱还可利用槽格结构容纳基板114,避免相邻基板114之间直接接触。竖直排列可确保基板114表面处理在运输过程中不受损。
一种镍箔142使用方法:基板放到相关部件表面存放,然后在上面实施点焊。基板114通常主要用于溅射室100内部零件的表面。经处理的基板114有助于延长溅射室100在下次保养之前的使用时间。点焊过程中,不同的基板在电极(不同于电解所用电极)压力作用下结合在一起。基板114厚度约为1mm。该过程利用两个成形铜合金电极将焊接电流汇集到一个小“点”上,同时将基板114夹在一起。较大的电流通过焊点时将金属(镍基板)熔化形成焊缝。点焊极具吸引力的特性在于:极短时间内(约10~100毫秒)便可将能量汇集于焊点位置;因此,焊接时剩余基板114不会出现过度受热的情况。焊缝未暴露在邻接基板114顶面,从而避免铜电极污染。
所述基板形状均为圆形。需要时可通过其他操作将圆形基板转化成其他多边形。
所述基板(即镍箔)镀层或沉积过程均由控制系统控制。控制系统包含一台计算机、一个存储装置、一系列输入和输出(I/O)端口和连接器以及一个通信模块。输入/输出端口和连接器将计算机连接至图1所示溅射室100的步进电机208、磁控管104和检修门、图3所示蒸发过程200以及图4所示激光设备250。计算机用于实现资源管理并控制所连接的上述外部设备。计算机和外部设备由电网单独供电。计算机可以控制单个过程或单独控制上文所述全部四个沉积过程。可使用六类(CAT6)以太网电缆连接外部设备(计算机需安装相应的网卡),或使用USB(通用串行总线)实现串行通信。网卡是通信模块的组成部分。此外还可利用Wi-Fi(射频)、蓝牙和红外等无线技术实现计算机与外部设备之间的无线通信。Arduino Uno是一种包含有线和无线连接器和协议的典型通信模块。其他无线模块可插入Arduino Uno。存储装置包含控制步进电机208旋转速率的算法,流向磁控管104的电流。此外还设有传感器检测基板114上的沉积厚度。传感器输出信息送入计算机,由算法进行处理。算法可根据传感器反馈信息指示维护时间。
以溅射工序为例:如果步进电机208转速为五十转/分,且一分钟时间内向磁控管104输入的电流为一安培,则沉积厚度应为一微米。然而,倘若传感器反馈信息显示沉积厚度存在偏差,则表明溅射室100需要保养(清洁)。厚度偏差可能意味着基板上粘附了更多不需要的颗粒。溅射室100保养意指镍箔142(基板)的更换。
计算机还可在电解过程140中控制图2所示电极154和156电流的启用。计算机可控制用于升高基板114或将电极154和156放入电解液的多台电动机。批量生产时可将多块基板114放入吊篮后浸入电解液以提高生产效率。多块基板114可借助一系列拟人机械臂放到吊篮内。拟人机械臂也由计算机控制。每次成功处理基板114之后,拟人机械臂按照所编程序取回吊篮并将其输送至下一工位(不同的电解液容器)或送往包装站进行最终包装。事实上,所有不同的工序都可使用拟人机械臂。例如,拟人机械臂可将基板114放到固定架108上之后再将其取回,适用于溅射、蒸发和激光压纹工序。使用拟人机械臂可确保基板114输出质量的稳定性和良好控制。拟人机械臂末端部分采用类似于人手的精妙设计抓取基板114。此外,拟人机械臂末端部分装有多个吸盘,利用真空将基板吸到吸盘上。末端部分又称“末端执行器”。
总之,通过制作不规则表面膜可有效提高防污膜的耐久性。防污膜建议选用镍材料,因为其在应用条件下(特别是溅射室100)具有良好的化学和机械稳定性。本申请描述了三种制作镍不规则表面的方法,供放置于溅射室100使用。镍箔142、基板114和工件252可根据具体情况互换使用。
实际应用中,“包含(comprising或comprise)”这一词汇及其语法变化均表示“开放性”或“包容性”语言,不仅包括陈述要素,还允许包含附加非明确性陈述要素,除非另有规定。
本文在表述构成组分浓度时所用的“大约”一词通常是指偏差不超过所述数值的+/-5%,甚至是+/-4%、+/-3%、+/-2%、+/-1%或+/-0.5%。
此次披露的内容中,部分实施例可能会采用范围格式。范围描述仅仅是为了表述的方便和简洁,不能视为对披露范围的硬性限制。相应地,范围表述既涵盖所有可能的子范围,又包含范围内的单个数值。例如,范围“1~6”应理解为既涵盖子范围1~3、1~4、1~5、2~4、2~6、3~6等,又包含范围内的单个数值,如1、2、3、4、5和6。无论范围大小均适用此项规则。
显而易见,所属技术领域专业人员阅读上述披露内容后可在不偏离应用精神和范围的条件下理解应用的各种修改和调整,且所述各种修改和调整均不得超出所附权利要求范围。
附图标记
100溅射室
102防污膜
104磁控管
106靶材
108固定架
110旋转主轴
112抓臂
114基板
116进气阀
118排气阀
120已处理气体进气阀
140电解压纹过程
142镍箔
144第一个容器
146盐酸
148经盐酸处理的镍箔
150第二个容器
152硫酸镍和硫酸铵
154第一个电极
156第二个电极
158沉淀
160沉淀的镍箔
162第三个容器
164硫酸镍、硼酸和氯化镍
166第一个箭头
168第二个箭头
170第三个箭头
172第四个箭头
174表面处理
176不规则表面处理
178固化
180硬化或强化
182烘箱
200基于沉积的镍箔压纹过程
202蒸发源
204蒸发水汽
206圆虚线
208步进电机
210柱
250激光压纹
252工件
254主箔
256真空夹盘
258聚酰亚胺箔
260氟化氪准分子(激发复合体)激光器
262多孔金属
264真空室
266真空泵。

Claims (21)

1.一种用于薄膜沉积工艺(例如溅射工艺)的防污膜,所述防污膜包含
在薄膜沉积工艺中捕集散射离子的一软片材;
其中,所述软片材是可操作的以在所述薄膜沉积工艺中保持完整性。
2.根据权利要求1所述的防污膜,其中
所述软片材包含一层金属。
3.根据权利要求1或2所述的防污膜,其中
所述软片材至少包含一铁磁材料。
4.根据任一项前述权利要求所述的防污膜,其中
所述软片材包含一实质上纯的材料、所述纯的材料的氧化物或两者的组合。
5.根据任一项前述权利要求所述的防污膜,其中
所述软片材还包含一粗糙化的表面。
6.根据权利要求5所述的防污膜,其中
所述粗糙化的表面包含一不均匀的表面。
7.根据任一项前述权利要求所述的防污膜,其中
所述软片材的厚度实质上是1微米到1毫米(1μm-1mm)。
8.一种薄膜沉积设备,包含:
一罩壳,包含其表面的至少一部分被任一项前述权利要求所述防污膜覆盖。
9.根据权利要求8所述的薄膜沉积设备还包含:
一用于紧固薄膜生长用基板的固定架;以及
至少一用于约束带电等离子体粒子的溅射源;
所述罩壳包含一容器,其具有一用于容纳所述固定架及所述至少一个溅射源的容器壁;而且
所述容器壁的至少一部分被任一项前述权利要求所述防污膜覆盖。
10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中
所述容器壁的至少一部分包含被权利要求1至7任一项所述的第一防污膜覆盖的第一内表面;以及被权利要求1至7任一项所述的第二防污膜覆盖的第二个内表面。
11.一种用于薄膜沉积工艺的防污膜的制作方法,包含:
提供一用于捕集散射离子的软片材;
露出所述软片材的至少一部分;
对所述软片材至少一部分的表面进行粗糙化处理;以及
自所述软片材拆离所述的至少一部分。
12.根据权利要求10所述的方法,其中
对所述软片材至少一部分的表面进行的粗糙化处理包含对所述表面进行一电解程序。
13.根据权利要求10或11所述的方法,其中
对所述软片材至少一部分的表面进行的粗糙化处理包含对所述软片材至少一部分的表面创造表面结构。
14.根据权利要求10至12任一项所述的方法还包含
对所述软片材的至少一部分的表面进行氧化。
15.根据权利要求10至13任一项所述的方法还包含
将一基片贴附到所述软片材上。
16.一种用于薄膜沉积工艺的防污膜的使用方法,该方法包含:
提供一根据权利要求1至7任一项所述的防污膜;
提供一薄膜沉积设备;
将所述防污膜贴附到所述薄膜沉积设备的设备壁上。
17.根据权利要求15所述的方法还包含
进行薄膜沉积工艺。
18.根据权利要求15或16所述的方法还包含
将所述防污膜从所述设备壁上移除。
19.根据权利要求15或16所述的方法还包含
对所述用于薄膜沉积工艺的设备壁进行处理。
20.根据权利要求15至18任一项所述的方法还包含
将所述防污膜回收利用。
21.根据权利要求15至19任一项所述方法还包含
提供一用于所述防污膜的基片。
CN201780087978.8A 2017-01-06 2017-12-28 防污膜 Pending CN110573649A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG10201700127PA SG10201700127PA (en) 2017-01-06 2017-01-06 Foil for Thin Film Deposition
SG10201700127P 2017-01-06
PCT/SG2017/050652 WO2018106196A1 (en) 2017-01-06 2017-12-28 Anticontamination membrane

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110573649A true CN110573649A (zh) 2019-12-13

Family

ID=62492078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780087978.8A Pending CN110573649A (zh) 2017-01-06 2017-12-28 防污膜

Country Status (4)

Country Link
CN (1) CN110573649A (zh)
SG (2) SG10201700127PA (zh)
TW (1) TW201825567A (zh)
WO (1) WO2018106196A1 (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855521A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Mitsubishi Shindoh Co Ltd 通電部材およびその製造方法
JP2663025B2 (ja) * 1989-11-24 1997-10-15 株式会社ジャパンエナジー 薄膜形成装置
JPH10321559A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
CN1341158A (zh) * 1999-12-28 2002-03-20 东芝株式会社 真空成膜装置用部件及使用该部件的真空成膜装置及其觇板装置
US20020090464A1 (en) * 2000-11-28 2002-07-11 Mingwei Jiang Sputter chamber shield
US20040084305A1 (en) * 2002-10-25 2004-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering system and manufacturing method of thin film
CN205529015U (zh) * 2016-01-29 2016-08-31 北京机械工业自动化研究所 一种制备风速管防冰敷涂层的离子束镀膜装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2663025B2 (ja) * 1989-11-24 1997-10-15 株式会社ジャパンエナジー 薄膜形成装置
JPH0855521A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Mitsubishi Shindoh Co Ltd 通電部材およびその製造方法
JPH10321559A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
CN1341158A (zh) * 1999-12-28 2002-03-20 东芝株式会社 真空成膜装置用部件及使用该部件的真空成膜装置及其觇板装置
US20020090464A1 (en) * 2000-11-28 2002-07-11 Mingwei Jiang Sputter chamber shield
US20040084305A1 (en) * 2002-10-25 2004-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering system and manufacturing method of thin film
CN205529015U (zh) * 2016-01-29 2016-08-31 北京机械工业自动化研究所 一种制备风速管防冰敷涂层的离子束镀膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018106196A1 (en) 2018-06-14
SG11201805135UA (en) 2018-07-30
SG10201700127PA (en) 2018-08-30
TW201825567A (zh) 2018-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5804046A (en) Thin-film forming apparatus
EP1418250B1 (en) Vacuum evaporator
CN108707868B (zh) 一种真空离子镀Ag纳米复合涂层紧固件及制备方法
JPH05230628A (ja) 金属膜形成装置、金属膜形成装置における金属材回収方法
JP2015535744A (ja) 審美又はマーキング用途向け部分金属化精密合成糸スクエアメッシュファブリックの製造方法
JP6960785B2 (ja) 金属部品及びその製造方法、並びに金属部品を備えるプロセスチャンバー
JP7549794B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、蒸着方法、有機半導体素子の製造方法及び有機el表示装置の製造方法
CN110573649A (zh) 防污膜
JP2017135124A (ja) 電極アセンブリ
JPH08176816A (ja) 成膜装置用防着板の表面処理方法
KR101958500B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
CN115807210A (zh) 防污膜及其用途
TW202311055A (zh) 防污膜及其用途
JP2934263B2 (ja) アルミニウム材及びその製造方法
JP6458285B2 (ja) デバイスの製造方法
JP2016183397A (ja) 成膜装置
KR102568242B1 (ko) 금속부품 및 이를 구비한 공정챔버
CN101585134A (zh) 散热模块制造方法
RU2811297C1 (ru) Способ снятия защитных покрытий с проводящих поверхностей
CN204570023U (zh) 一种镀膜设备
TWI411384B (zh) Manufacturing method of heat dissipation module
KR100839644B1 (ko) 조명등 케이스의 금속코팅방법
JP2003049260A (ja) 成膜装置用部材およびその製造方法
JP3521583B2 (ja) 金属基板表面の遮熱コーティング層の耐剥離性向上方法
KR100609378B1 (ko) 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20191213