CN110544739A - 一种倒装红光芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于芯片技术领域，公开了一种倒装红光芯片及其制作方法，玻璃片等透明基板通过粘接胶与红光LED的P层连接，形成倒装红光LED。本发明将红光系列外延片从P面进行机械划片，划有宽10微‑200微米、深20微米‑200微米的槽，将红光外延片分成长宽为10微米‑2毫米的方块；用透明无机胶水如硅溶胶，或者耐高温的透明胶如聚酰亚胺胶，与透明基板如玻璃片、蓝宝石等黏在一起；制作P电极、N电极，形成红光系列倒装芯片。一般透明耐高温的胶都有溶剂，本发明中槽的作用主要是为溶剂提供了释放通道，使外延片和透明衬底牢牢黏在一起。
Description
技术领域
本发明属于芯片技术领域，尤其涉及一种倒装红光芯片及其制作方法。
背景技术
目前，业内常用的现有技术是这样的：
该种技术早在20世纪60年代就已应用于IC行业中，美国IBM公司于20世纪60年代发明的可控塌陷芯片连接便是倒装芯片应用最重要的形式直到20世纪80年代末，倒装芯片才得以组装到硅或陶瓷基板上。由于半导体与基板的热膨胀系数不匹配，导致可控硅芯片连接的焊点热疲劳寿命低，这对芯片与底部基板的键合产生很大的冲击。如何减小基板与硅芯片之间的热膨胀系数差成为急需攻克的难题。1987年，日本日立公司通过填充树脂(即底部填充胶)来匹配焊点的热膨胀系数，提高了焊点的热疲劳寿命。近年来，芯片倒装技术逐步应用于LED行业中，与正装芯片相比，LED倒装芯片产品具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等特点，具有很好的发展前景。现有的红黄光LED倒装芯片良率不高，主要是缺乏合适的制造方法，导致外延片和透明基板不能很好的黏在一起，使外延片和透明基板容易分离，或者采用容易压坏外延片的高压力硬压键合工艺，这种工艺容易损坏芯片。
综上所述，现有技术存在的问题是：
现有的红光LED倒装芯片没有合适的制造工艺，导致外延片和透明基板粘结不牢，使外延片和透明衬底容易分离，要么硬压工艺虽然能使外延片和基板粘结牢，但是容易压坏芯片。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种倒装红光芯片及其制作方法。
本发明是这样实现的，一种倒装红光芯片设置有：
玻璃片；
玻璃片通过粘接胶与P层连接。
进一步，所述P层有P电极。
进一步，所述P层下有量子阱，量子阱下有N层，N层有N电极。
本发明的另一目的在于提供一种如倒装红光芯片制作方法，所述制作方法，具体包括以下步骤：
步骤一，将红光系列外延片从P面进行机械划片，划有宽10微-200微米深20微米-200微米的槽，将红光外延片分成长宽为10微米-2毫米的方块；
步骤二，用透明无机胶水如硅溶胶，或者耐高温的透明胶如聚酰亚胺胶，将外延层的P面与透明基板如玻璃片、蓝宝石等黏在一起；
步骤三，制作P电极、N电极，形成红光系列倒装芯片。
综上所述，本发明的优点及积极效果为：
一般透明耐高温的胶都有溶剂，本发明通过划片等工序在外延片P面形成适当的槽的，就为溶剂提供了释放通道，使外延片和透明基板能牢牢黏在一起。
附图说明
图1是本发明实施例提供的倒装红光芯片结构示意图。
图2是本发明实施例提供倒装红光芯片制作过程实物图。
图3是本发明实施例提供倒装红光芯片制作方法流程图。
图中：1、玻璃片；2、粘接胶；3、P层；4、量子阱；5、P电极；6、N电极；7、N层。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下。
下面结合附图对本发明的结构作详细的描述。
如图1所示，本发明实施例提供的倒装红光芯片包括：玻璃片1、粘接胶2、P层3、量子阱4、P电极5、N电极6、N层7。
玻璃片1通过粘接胶2与P层3连接；外延片的P层3上开有适当的槽，P层3粘贴有P电极5；P层3下有量子阱4，量子阱4下有N层7，N层7有N电极6。
作为本发明的优选实施例，从P层3上面划有宽10微-200微米深20微米-200微米的槽。
作为本发明的优选实施例，红光外延片分成长宽为10微米-2毫米的方块。
作为本发明的优选实施例，粘接胶2为透明无机胶水如硅溶胶，或者耐高温的透明胶如聚酰亚胺胶。
作为本发明的优选实施例，玻璃片1为透明基板，透明衬底可以为蓝宝石等透明基板。
如图3所示，本发明实施例提供的倒装红光芯片制作方法，具体包括以下步骤：
步骤一，将红光系列外延片从P面进行机械划片，划有宽10微-200微米深20微米-200微米的槽，将红光外延片分成长宽为10微米-2毫米的方块。
步骤二，用透明无机胶水如硅溶胶，或者耐高温的透明胶如聚酰亚胺胶，与透明衬底如玻璃片、蓝宝石等黏在一起。
步骤三，制作P电极、N电极，形成红光系列倒装芯片。
本发明将红光系列外延片从P面进行机械划片，划有宽10微-200微米深20微米-200微米的槽，将红光外延片分成长宽为10微米-2毫米的方块；用透明无机胶水如硅溶胶，或者耐高温的透明胶如聚酰亚胺胶，与透明衬底如玻璃片、蓝宝石等黏在一起；制作P电极、N电极，形成红光系列倒装芯片，其过程如图2所示。
以上所述仅是对本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。
Claims (4)
1.一种倒装红光芯片，其特征在于，所述的倒装红光芯片设置有：
玻璃片；
玻璃片通过粘接胶与P层连接。
2.如权利要求1所述的倒装红光芯片，其特征在于，所述P层有P电极。
3.如权利要求1所述的倒装红光芯片，其特征在于，所述P层下有量子阱，量子阱下N层，N层有N电极。
4.一种如权利要求1所述的倒装红光芯片制作方法，其特征在于，所述制作方法，具体包括以下步骤：
步骤一，将红光系列外延片从P面进行机械划片，划有宽10微-200微米深20微米-200微米的槽，将红光外延片分成长宽为10微米-2毫米的方块；
步骤二，用透明无机胶水如硅溶胶，或者耐高温的透明胶如聚酰亚胺胶，与透明基板如玻璃片、蓝宝石等黏在一起；
步骤三，制作P电极、N电极，形成红光系列倒装芯片。
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