[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN110346859A - 光学谐振腔、显示面板 - Google Patents

光学谐振腔、显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN110346859A
CN110346859A CN201810306414.5A CN201810306414A CN110346859A CN 110346859 A CN110346859 A CN 110346859A CN 201810306414 A CN201810306414 A CN 201810306414A CN 110346859 A CN110346859 A CN 110346859A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
optical resonator
layer
display panel
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810306414.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110346859B (zh
Inventor
祝明
董学
陈小川
张世玉
王美丽
梁轩
王英涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810306414.5A priority Critical patent/CN110346859B/zh
Priority to PCT/CN2019/075922 priority patent/WO2019196563A1/zh
Priority to JP2020536573A priority patent/JP7315557B2/ja
Priority to US16/630,270 priority patent/US10965086B2/en
Priority to EP19786144.6A priority patent/EP3780301A4/en
Publication of CN110346859A publication Critical patent/CN110346859A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110346859B publication Critical patent/CN110346859B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7772—Halogenides
    • C09K11/7773—Halogenides with alkali or alkaline earth metal
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G02B5/284—Interference filters of etalon type comprising a resonant cavity other than a thin solid film, e.g. gas, air, solid plates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/155—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/157—Structural association of cells with optical devices, e.g. reflectors or illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/15—Function characteristic involving resonance effects, e.g. resonantly enhanced interaction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/041—Optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18358—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18383—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with periodic active regions at nodes or maxima of light intensity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种光学谐振腔、显示面板。该光学谐振腔包括光转换层，所述光学谐振腔配置为出射特定波长范围的光，并且所述特定波长范围的光的中心波长的至少一个波节处设置有所述光转换层。上述光转换层可以增加所述特定波长范围的光的出光量。

Description

光学谐振腔、显示面板
技术领域
本公开至少一个实施例提供一种光学谐振腔、显示面板。
背景技术
光学谐振腔可以对射入的光线进行选择，通过调整腔体内的光程可以出射特定波长的光。该特定波长的光在光学谐振腔的腔体中会干涉相长从而能够以更大的亮度出射，射入光学谐振腔中的其它波长的光线会在腔体内反复震荡从而干涉相消或者被其它结构吸收。因此，现有光学谐振腔对光的利用率有限，出光量低。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种光学谐振腔，包括光转换层，其中，所述光学谐振腔配置为出射特定波长范围的光，并且所述特定波长范围的光的中心波长的至少一个波节处设置有所述光转换层。
例如，本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔还包括：第一功能层；第二功能层，与所述第一功能层相对设置；光学介质层，位于所述第一功能层和所述第二功能层之间；其中，所述光转换层位于所述光学介质层中，所述特定波长范围的光从所述第一功能层出射。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述光学谐振腔为透射式光学谐振腔，所述第一功能层和所述第二功能层都为半透半反射膜；或者所述光学谐振腔为反射式光学谐振腔，所述第一功能层为半透半反射膜，所述第二功能层为全反射膜。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述光学介质层的光学厚度和所述光转换层的光学厚度之和为所述特定波长范围的光的中心波长的半波长的正整数倍。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述光转换层的折射率大于与所述光学介质层的折射率。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述光转换层的厚度中心面与所述特定波长范围的光的中心波长的波节的距离不大于所述中心波长的1/30。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述光转换层的厚度不大于所述特定波长范围的光的中心波长的1/30。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述特定波长范围的光为单色光。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述单色光为红光、绿光和蓝光之一。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，所述光转换层的材料包括用于得到所述单色光的上转换发光材料和/或下转换发光材料。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括前述任一实施例中的光学谐振腔。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示面板还包括光强控制结构，所述光强控制结构与所述光学谐振腔重叠设置，且配置为可控制通过的光的强度。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，所述显示面板为反射式显示面板，从所述显示面板的显示侧至非显示侧，依次设置光强控制结构和所述光学谐振腔，所述光学谐振腔为反射式光学谐振腔以实现光反射；或者所述显示面板为透射式显示面板，所述光学谐振腔为透射式光学谐振腔。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，所述光强控制结构为电致变色光强控制结构或液晶光强控制结构，其中，所述电致变色光强控制结构包括第一电极、第二电极和电致变色层，所述第一电极和第二电极配置为在施加电信号时可控制所述电致变色层；所述液晶光强控制结构包括第三电极、第四电极、第一偏光层、第二偏光层和液晶层，所述第一偏光层的第一偏光方向与所述第二偏光层的第二偏光方向彼此垂直，所述液晶层夹置在所述第一偏光层和所述第二偏光层之间，所述第三电极和所述第四电极配置为在施加电信号时可控制所述液晶层。
在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔和显示面板中，光转换层可以将其它波长的光转换为上述特定波长范围的光，可以提高光学谐振腔的出光量；此外，光转换层位于特定波长范围的光的中心波长的波节处，可以降低对上述特定波长范围的光的吸收，可以进一步增加光学谐振腔的出光量。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为本公开一实施例提供的一种光学谐振腔的结构示意图；
图1B为图1A所示光学谐振腔的光路图；
图2A为本公开一实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
图2B为本公开一实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图；
图3为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图；
图4A为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图；以及
图4B为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图；
附图标记：
100-光学谐振腔；110-光转换层；121-第一功能层；122-第二功能层；130-光学介质层；200-光强控制结构；210-第一电极；220-第二电极；230-电致变色层；240-第三电极；250-第四电极；260-第一偏光层；270-第二偏光层；280-液晶层；310-第一基板；320-第二基板；1100-像素单元。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开至少一个实施例提供一种光学谐振腔，包括光转换层，其中，光学谐振腔配置为出射特定波长范围的光，并且光转换层位于特定波长范围的光的中心波长的波节处。光转换层可以将其它波长的光转换为上述特定波长范围的光，可以提高光学谐振腔的出光量；此外，光转换层位于特定波长范围的光的中心波长的波节处，可以降低对上述特定波长范围的光的吸收，此外，在此情况下，光转换层会位于其它波长的光的非波节处，可以增加光转换层对其它部分的光的吸收，可以进一步增加光学谐振腔的出光量。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，光转换层位于特定波长范围的光的中心波长的波节处是指光转换层与波节重合或者位于波节附近。例如，光转换层与该中心波长的波节的距离小于光转换层与该中心波长的波腹的距离。
在本公开至少一个实施例中，上述特定波长范围的光的中心波长可以为光学谐振腔的设计波长。下面，在本公开下述至少一个实施例中的技术方案中，以光学谐振腔的设计波长表示上述特定波长范围的光的中心波长，并且以设计波长范围表示特定波长范围。
示例性的，光学谐振腔的设计波长为630纳米，即光学谐振腔可以出射中心波长为630纳米的红光，630纳米波长的光的至少一个波节会与420纳米的蓝光的波腹处于同一位置，如果在该位置设置光转换层，该光转换层不会吸收630纳米的红光，但是对420纳米的蓝光的吸收程度最高。如此，不仅最大程度地降低对入射光中符合设计波长范围的光(上述特定波长范围的光)的吸收，还可以最大程度地提高非设计波长范围的光与设计波长范围的光之间的转换量，从而进一步提高光学谐振腔的出光量。
下面，结合附图对根据本公开至少一个实施例中的光学谐振腔、显示面板进行说明。
图1A为本公开一实施例提供的一种光学谐振腔的结构示意图，图1B为图1A所示光学谐振腔的光路图。
例如，在本公开至少一个实施例中，如图1A和图1B所示，光学谐振腔100包括光转换层110，光学谐振腔100配置为出射特定波长范围的光，该特定波长范围的光的中心波长在光学谐振腔100中的一个波节为P，光转换层110可以设置在波节P处。光转换层110不会吸收设计波长范围的光，并且吸收非设计波长的光以转换为设计波长范围的光，可以提高设计波长范围的光的出光量。
例如，在本公开至少一个实施例中，光学谐振腔还可以包括第一功能层、第二功能层和光学介质层，第一功能层和第二功能层相对设置，光学介质层位于第一功能层和第二功能层之间，光转换层位于光学介质层中，特定波长范围的光从第一功能层出射。示例性的，如图1A和图1B所示，光学谐振腔100包括依次叠置的第一功能层121、光学介质层130和第二功能层122，光转换层110位于光学介质层130中。第一功能层121和第二功能层122相对于光学介质层130为高反膜层，使得射入光学谐振腔100光在第一功能层121和第二功能层122之间反射，符合光学谐振腔100的设计波长要求的光线会在反射过程中干涉相长，从而以更大的亮度从光学谐振腔100中射出。
在本公开至少一个实施例中，对光学谐振腔的类型不做限制，相应地，第一功能层和第二功能层可以根据光学谐振腔的类型进行设置。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光学谐振腔为透射式光学谐振腔，第一功能层和第二功能层都为半透半反射膜。例如，第二功能层对设计波长的光的反射率大于第一功能层对设计波长的光的反射率，使得设计波长的光可以从第一功能层射出。例如，射入透射式光学谐振腔中的光线可以包括从第二功能层射入光学谐振腔中的光线，也可以包括从第一功能层射入光学谐振腔中的光线。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光学谐振腔为反射式光学谐振腔，第一功能层为半透半反射膜，第二功能层为全反射膜。
在本公开至少一个实施例中，对第一功能层的反射率不做限制，可以根据需要进行选择。第一功能层的反射率越大，第一功能层的透射带的波长半宽度越小，相应地，出射光的波长范围越窄，即出射光的单色性越好。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光学谐振腔还可以包括抗反射膜。抗反射膜位于光学谐振腔的入光侧，可以增加入射光进入光学谐振腔的比例，提高光学谐振腔的设计波长范围光的出光量。示例性的，在光学谐振腔为透射式光学谐振腔的情况下，可以在第二功能层的远离第一功能层的一侧设置抗反射膜；在光学谐振腔为反射式光学谐振腔的情况下，可以在第一功能层的远离第二功能层的一侧设置抗反射膜。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光学介质层的光学厚度和光转换层的光学厚度之和为特定波长范围的光的中心波长的半波长的正整数倍。如此，上述中心波长的光在第一功能层121和第二功能层122之间可以干涉相长。光学厚度可以为结构层的实际厚度与折射率的乘积。示例性的，如图1A和图1B所示，第一功能层121所在面和第二功能层122所在面彼此平行，在垂直于第一功能层121所在面的方向上，光学介质层130的厚度和其折射率的乘积与光转换层110的厚度和其折射率的乘积之和为设计波长的半波长的正整数倍。
在本公开至少一个实施例中，对光学介质层的材料不做限制。例如，光学介质层的材料可以包括空气、无机材料或者有机材料等，例如无机材料可以为二氧化硅、氟化镁等低折射率材料。
例如，在本公开至少一个实施例中，光学谐振腔中可以设置一个光转换层；或者可以设置多个彼此间隔的光转换层。例如，该多个光转换层都设置在光学谐振腔的设计波长的波节处，可以进一步增加对非设计波长光的吸收，相应地，可以进一步提高设计波长光线的出光量。光转换层的设置数量可以根据第一功能层121和第二功能层122之间的光学厚度进行设计。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光转换层的折射率大于光学介质层的折射率。如此，光转换层可以作为反射层，使得光可以在相邻的光转换层之间或者光转换层与功能层(第一功能层或者第二功能层)之间反射。例如，光转换层作为反射层的情况下，可以在第一功能层或者第二功能层之间形成多个谐振腔，可以进一步提高对非设计波长的光的消除程度，并且进一步提高设计波长的出光量和亮度。例如，光转换层可以设置为具有较大的消光系数，以增加对非设计波长的光的吸收。
在本公开至少一个实施例中，对光转换层在光学谐振腔中的具体位置不做限制，只要光转换层位于设计波长的波节处即可，光转换层可以与波节重合，或者光转换层与波节的间隔距离在可接受的范围内。例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光转换层的厚度中心面与特定波长范围的光的中心波长的波节的距离不大于中心波长的1/30。在上述范围内，光转换层对设计波长范围的光吸收非常少，可以增加设计波长范围的光的出光量。示例性的，如图1B所示，第一功能层121所在面、第二功能层122所在面以及光转换层的厚度中心面Q平行，在垂直于第一功能层121所在面的方向(例如图1B所示的虚线W)上，厚度中心面Q与波节P的距离不大于设计波长的1/30。
在本公开至少一个实施例中，对光转换层在光学谐振腔中的具体位置不做限制，只要光转换层对设计波长范围的光的吸收在可接受的范围内即可。例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光转换层的厚度不大于特定波长范围的光的中心波长的1/30。在上述范围内，光转换层的主表面距离设计波长的光的波腹较远，光转换层对设计波长范围的光吸收非常少，可以增加设计波长范围的光的出光量。
例如，在本公开至少一个实施例中，光学谐振腔还可以包括金属吸收层。例如，金属吸收层可以位于第一功能层上，或者金属吸收层可以设置于第一功能层中。金属吸收层可以将非设计波长范围的光吸收，提高出射光的单色性。
示例性的，在本公开至少一个实施例中，提供一种光学谐振腔的膜系构成，如下表1所示，该光学谐振腔可以出射中心波长为620纳米的红光。
表1
在表1所示的光学谐振腔中，第一层的铬膜和第二层的银膜可以作为高反膜层(第二功能层)，在此情况下，第二功能层为全反射层。第一层的铬膜主要用于使得光学谐振腔固定在基底上，在本公开至少一个实施例中，也可以不设置第一层的铬膜。第六层的二氧化钛膜层、第七层的铬膜以及第八层的二氧化钛膜层可以作为高反膜层(第一功能层)，第七层的铬膜可以作为金属吸收层。第三层和第五层的二氧化硅膜层为光学介质层，第四层的光转换材料膜层为光转换层，光转换层位于光学介质层中。在表1所示的膜系下，光转换层位于620纳米波长的光的波节处。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，特定波长范围的光为单色光。例如，该单色光一般位于可见光范围内，即光学谐振腔出射的光的波长范围仅覆盖单一颜色的波段，以便光学谐振腔可以作为单色光发射器而应用于显示或照明。例如，该单色光也可以位于红外波段，以便光学谐振腔可以应用于传感器。例如，在本公开至少一个实施例中，光学谐振腔出射的光的波长范围可以覆盖多个颜色的波段。
下面，以光学谐振腔出射的光为单色光为例，对本公开下述至少一个实施例中的技术方案进行说明。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，单色光可以为红光、绿光和蓝光之一。如此，光学谐振腔可以发射三原色的光线，通过对发射不同颜色光的谐振腔进行组合，可以显示图像，如此，光学谐振腔可以应用于显示领域。
例如，在本公开至少一个实施例提供的光学谐振腔中，光转换层的材料包括用于得到单色光的上转换发光材料和/或下转换发光材料。上转换发光材料可以将波长大于该单色光的波长的光转换为该单色光，下转换发光材料可以将波长小于该单色光的波长的光转换为该单色光。光转换层中可以设置多种类型的光转换发光材料，这些光转换发光材料可以分别设置为多个膜层，也可以掺杂在同一膜层中。
在本公开至少一个实施例中，上转换发光材料和下转换发光材料的种类不做限制。例如，下转换发光材料可以包括无机发光材料和/或有机发光材料，进一步地，例如荧光材料或者量子点材料等。上转换发光材料可以包括：掺杂稀土离子的无机化合物。例如，根据光学谐振腔出射的蓝光的具体波段，可以在氟化物、氧化物、含硫化合物、氟氧化物、卤化物等无机化合物内掺杂相应浓度和比例的一种或多种稀土离子来获得相应的上转换发光材料。例如，上转换发光材料可以以氟化钇钠(NaYF4)作为基质材料，掺杂镱(Yb):铥(Tm):铒(Er)＝(18～60):(0～0.2):(0～2)。
示例性的，光学谐振腔出射的光为红光。光转换层可以包括用于将蓝光和绿光转换为红光的下转换发光材料。例如，下转换发光材料可以包括红色量子点，红色荧光材料等红色发光材料。需要说明的是，下转换发光材料还可以将波长小于蓝光的紫外线、X射线、伽马射线等转换为红光。例如，光转换层可以包括用于将波长大于红光的的红外线等转换为红光的上转换发光材料。
示例性的，光学谐振腔出射的光为绿光。光转换层可以包括用于将蓝光转换为绿光的下转换发光材料和/或用于将红光转换为绿光的上转换发光材料。例如，下转换发光材料可以包括绿色量子点，绿色荧光材料等绿色发光材料。例如，上转换发光材料可以以氟化钇钠(NaYF4)作为基质材料，掺杂Yb:Tm:Er＝(18～25):0:2。需要说明的是，上转换发光材料还可以将波长大于红光的红外线等转换为红光，下转换发光材料还可以将波长小于蓝光的紫外线、X射线、伽马射线等转换为蓝光。
示例性的，光学谐振腔出射的光为蓝光。光转换层可以包括用于将红光和绿光转换为蓝光的上转换发光材料。例如，以氟化钇钠(NaYF4)作为基质材料，掺杂Yb:Tm:Er＝20:0.2:(0～0.5)。需要说明的是，上转换发光材料还可以将波长大于红光的红外线等转换为红光。例如，光转换层可以包括用于将波长小于蓝光的紫外线、X射线、伽马射线等转换为蓝光的下转换发光材料。
例如，在本公开至少一个实施例中，量子点一般为球形或类球形，其直径常在2到20纳米之间。量子点的具体示例包括硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点等。
在本公开至少一个实施例中，对光转换层的折射率以及消光系数等参数不做限制，可以将上转换发光材料或者下转换发光材料与其它材料掺杂以获得相应折射率或者消光系数的光转换层。例如，光转换层的折射率的范围可以为1～5，进一步为2、3、4等。例如，光转换层的消光系数的范围可以为1～5，进一步为2、3、4等。例如，光转换层的折射率和消光系数可以设置为相等或近似相等。
例如，在本公开至少一个实施例中，光转换层的材料可以包括量子点和银纳米粒子。通过调节量子点和银纳米粒子的配比，可以调节光转换层的折射率和消光系数。例如，银纳米粒子在光转换层材料中的占比越多，光转换层的折射率减小并且消光系数增大。例如，量子点和银纳米粒子的体积比可以为66.94％/33.06％，如此可以使得光转换层具有与铬相同或相似的折射率和消光系数。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，可以利用光转换层取代光学谐振腔中的特定的结构层，该特定的结构层可以位于光学谐振腔的设计波长处。如此，在提高设计波长范围的光的出射率的同时可以简化对光学谐振腔的膜系设计，降低成本。
例如，一种光学谐振腔中设置有金属层(例如铬层)，该铬层位于光学谐振腔的设计波长的波节处。在光学谐振腔的工作过程中，铬层具有较高的反射率，可以对设计波长范围的光进行反射，从而增加设计波长范围的光的出射率；并且铬层具有较大的消光系数，可以将非设计波长范围的光吸收，从而降低非设计波长范围的光的出射率。例如，在本公开至少一个实施例中，可以以光转换层取代上述光学谐振腔中的铬层，该光站换层的光学厚度可以设置为与铬层相同。例如，该光转换层的折射率、消光系数、膜层厚度等参数设置为与铬层相等。如此，在增加设计波长范围的光的出射率的同时，可以不需要对光学谐振腔的膜系结构重新设计，光学谐振腔中的其它膜层的设计参数可以维持不变，简化光学谐振腔的制造工艺，降低成本。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括前述任一实施例中的光学谐振腔。在该显示面板中，光学谐振腔可以出射单色光线，可以不需要设置彩膜。此外，光学谐振腔出射光的单色性好，提高显示图像的效果，而且可以将其它波长光线转换为该单色光线，提高出射光的亮度。
例如，该显示面板可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开至少一个实施例对此不作限定。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示面板还包括光强控制结构，光强控制结构与光学谐振腔重叠设置，且配置为可控制透过的光的强度。光强控制结构可以对光的强度进行控制，可以调节显示面板的显示图像的灰度。需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，光强控制结构与光学谐振腔可以在显示用光的光路上重叠设置，可使得光强控制结构对显示图像的灰度进行调节。例如，光强控制结构所在面与光学谐振腔所在面平行，在垂直于光强控制结构所在面的方向上，光强控制结构与光学谐振腔至少部分重叠。
例如，在本公开至少一个实施例中，显示面板可以包括多个像素单元，每个像素单元中可以设置有一个上述任一实施例中的光学谐振腔。
图2A为本公开一实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图，图2B为本公开一实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图，图2A和图2B示出显示面板的一个像素单元的结构。
示例性的，如图2A和图2B所示，在每个像素单元1100中，显示面板包括光强控制结构200，光强控制结构200与光学谐振腔100在显示用光的光路上重叠设置，且光强控制结构200配置为可控制通过的光的强度。例如，光强控制结构200配置为对射入光学谐振腔100的光或者光学谐振腔100出射的光的强度进行控制。
例如，如图2A和图2B所示，显示面板可以包括第一基板310和第二基板320。例如，相对于第二基板320，第一基板310位于显示面板的显示侧。例如，第二基板320可以为阵列基板。例如，在每个像素单元1100中，阵列基板可以包括至少一个开关元件(例如薄膜晶体管)，开关元件与光强控制结构200信号连接以控制光强控制结构200的开关以及开态下被施加电压的大小。
在本公开至少一个实施例中，对显示面板的类型不做限制。例如，显示面板可以为反射式显示面板，也可以为透射式显示面板。此外，光强控制结构200与光学谐振腔100的位置关系以及光学谐振腔100的类型可以根据显示面板的类型进行选择。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，显示面板为反射式显示面板，从显示面板的显示侧至非显示侧，依次设置光强控制结构和光学谐振腔，光学谐振腔为反射式光学谐振腔以实现光反射。示例性的，如图2A所示，显示面板为反射式显示面板。例如，在显示过程中，外界的环境光经过光强控制结构200后进入反射式光学谐振腔100，反射式光学谐振腔100反射出单色光线，单色光线经过光强控制结构200后出射，期间，光强控制结构200对该单色光线的强度进行调节。如此，显示面板中不需要额外设置反射层，简化显示面板的结构，而且反射式光学谐振腔100可以将环境光中的其他波长的光线转换为该单色光，提高了该单色光的亮度，与现有的反射式显示面板相比，显示图像的亮度提高。
需要说明的是，在显示面板为反射式显示面板的情况下，光学谐振腔也可以设置为透射式光学谐振腔，相应地，第二基板可以设置为反射式基板。在上述情况下，光强控制结构和光学谐振腔的位置关系不做限制，只要光强控制结构和光学谐振腔位于第二基板的面向显示侧的一侧即可。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，显示面板为透射式显示面板，光学谐振腔为透射式光学谐振腔。示例性的，如图2B所示，显示面板为透射式显示面板。例如，在显示过程中，背光射入透射式光学谐振腔100，透射式光学谐振腔100出射单色光线，光强控制结构200对该单色光线的强度进行调节。背光先进入光学谐振腔100后进入光强控制结构200的显示方式，使得背光转换为单色光线的比例最大化，提高了背光利用率。需要说明的是，光强控制结构200也可以位于透射式光学谐振腔100的入光侧，即光强控制结构200对背光的亮度进行调节之后，亮度被调节的背光再射入透射式光学谐振腔100中。
在本公开至少一个实施例中，对光强控制结构的具体化结构不做限制，只要光强控制结构可以对光的亮度进行调节即可。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，光强控制结构为电致变色光强控制结构，该电致变色光强控制结构包括第一电极、第二电极和电致变色层，第一电极和第二电极配置为在施加电信号时可控制电致变色层。图3为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图。示例性的，如图3所示，光强控制结构200为电致变色光强控制结构，该电致变色光强控制结构200包括第一电极210、第二电极220和电致变色层230.例如，电致变色层230位于第一电极210和第二电极220之间。电致变色层230包括电致变色材料，电致变色材料在电场作用下的透光率发生变化，例如可由透明态向深色态转变。例如，第一电极210和第二电极220未被施加电压或者被施加的电压相等的情况下，第一电极210和第二电极220之间的电势差为零，电致变色层230具有透明态；在第一电极210和第二电极220之间的电势差大于零的情况下，电致变色层230具有深色态，且电致变色层230的透光率随着电势差的增加而减小。
在本公开至少一个实施例中，对电致变色层中的电致变色材料的类型不做限制。例如，电致变色材料可以包括三氧化钨、聚噻吩类及其衍生物、紫罗碱类、四硫富瓦烯或金属酞菁类化合物等。
例如，在本公开至少一个实施例中，第一电极和第二电极可以为透明电极或者半透明电极。例如，透明电极的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，光强控制结构为液晶光强控制结构，该液晶光强控制结构包括第三电极、第四电极、第一偏光层、第二偏光层和液晶层，液晶层夹置在第一偏光层和第二偏光层之间，第三电极和第四电极配置为在施加电信号时可控制液晶层。例如，第一偏光层的第一偏光方向与第二偏光层的第二偏光方向彼此垂直，可以使得显示面板为常黑态，可以提高显示图像的对比度。图4A为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图，图4B为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图。示例性的，如图4A和图4B所示，光强控制结构200为液晶光强控制结构，该液晶光强控制结构200包括第三电极240、第四电极250、第一偏光层260、第二偏光层270和液晶层280，液晶层280夹置在第一偏光层260和第二偏光层270之间。通过调节第三电极240和第四电极250之间产生的电场控制液晶层280中的液晶分子的扭转，在第一偏光层260和第二偏光层270的配合下，使得液晶光强控制结构200具有不同的光透过率。例如，第三电极240和第四电极250可以位于液晶层280的同一侧，也可以分别位于液晶层280的两侧。
在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，在显示用光的传播路径上，光学谐振腔可以位于光强控制结构之前，即显示用光经过光学谐振腔之后再进入光强控制结构中，如此，可以提高显示用光转换为期望的单色光的比例，提高光的利用率并且增加单色光的亮度。
例如，如图4A所示，显示面板为透射式显示面板，光学谐振腔100位于光强控制结构200的面向第二基板320的一侧，如此，可以增加背光转化为单色光线的比例。
例如，如图4B所示，显示面板为反射式显示面板，光学谐振腔100位于光强控制结构200的面向第一基板320的一侧，如此，可以增加外界环境光线转化为单色光线的比例。例如，第三电极240可以设置为透明电极或者半透明电极，第四电极250可以设置为反射电极。
需要说明的是，在本公开上述至少一个实施例提供的光学谐振腔不限于应用在显示领域中，还可以应用在其它光学领域中。例如，上述光学谐振腔可以应用于激光领域。
对于本公开，还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种光学谐振腔，包括光转换层，其中，所述光学谐振腔配置为出射特定波长范围的光，并且所述特定波长范围的光的中心波长的至少一个波节处设置有所述光转换层。
2.根据权利要求1所述的光学谐振腔，还包括：
第一功能层；
第二功能层，与所述第一功能层相对设置；
光学介质层，位于所述第一功能层和所述第二功能层之间；
其中，所述光转换层位于所述光学介质层中，所述特定波长范围的光从所述第一功能层出射。
3.根据权利要求2所述的光学谐振腔，其中，
所述光学谐振腔为透射式光学谐振腔，所述第一功能层和所述第二功能层都为半透半反射膜；或者
所述光学谐振腔为反射式光学谐振腔，所述第一功能层为半透半反射膜，所述第二功能层为全反射膜。
4.根据权利要求2所述的光学谐振腔，其中，
所述光学介质层的光学厚度和所述光转换层的光学厚度之和为所述特定波长范围的光的中心波长的半波长的正整数倍。
5.根据权利要求2所述的光学谐振腔，其中，
所述光转换层的折射率大于所述光学介质层的折射率。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的光学谐振腔，其中，
所述光转换层的厚度中心面与所述特定波长范围的光的中心波长的波节的距离不大于所述中心波长的1/30。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的光学谐振腔，其中，
所述光转换层的厚度不大于所述特定波长范围的光的中心波长的1/30。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的光学谐振腔，其中，
所述特定波长范围的光为单色光。
9.根据权利要求8所述的光学谐振腔，其中，
所述单色光为红光、绿光和蓝光之一。
10.根据权利要求8所述的光学谐振腔，其中，
所述光转换层的材料包括用于得到所述单色光的上转换发光材料和/或下转换发光材料。
11.一种显示面板，包括权利要求1-10中任一项所述的光学谐振腔。
12.根据权利要求11所述的显示面板，还包括
光强控制结构，所述光强控制结构与所述光学谐振腔重叠设置，且配置为可控制通过的光的强度。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，
所述显示面板为反射式显示面板，从所述显示面板的显示侧至非显示侧，依次设置光强控制结构和所述光学谐振腔，所述光学谐振腔为反射式光学谐振腔以实现光反射；或者
所述显示面板为透射式显示面板，所述光学谐振腔为透射式光学谐振腔。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述光强控制结构为电致变色光强控制结构或液晶光强控制结构，
其中，所述电致变色光强控制结构包括第一电极、第二电极和电致变色层，所述第一电极和第二电极配置为在施加电信号时可控制所述电致变色层；
所述液晶光强控制结构包括第三电极、第四电极、第一偏光层、第二偏光层和液晶层，所述第一偏光层的第一偏光方向与所述第二偏光层的第二偏光方向彼此垂直，所述液晶层夹置在所述第一偏光层和所述第二偏光层之间，所述第三电极和所述第四电极配置为在施加电信号时可控制所述液晶层。
CN201810306414.5A 2018-04-08 2018-04-08 光学谐振腔、显示面板 Active CN110346859B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810306414.5A CN110346859B (zh) 2018-04-08 2018-04-08 光学谐振腔、显示面板
PCT/CN2019/075922 WO2019196563A1 (zh) 2018-04-08 2019-02-22 光学谐振腔、显示面板
JP2020536573A JP7315557B2 (ja) 2018-04-08 2019-02-22 光共振器、表示パネル
US16/630,270 US10965086B2 (en) 2018-04-08 2019-02-22 Optical resonant cavity and display panel
EP19786144.6A EP3780301A4 (en) 2018-04-08 2019-02-22 Optical resonant cavity and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810306414.5A CN110346859B (zh) 2018-04-08 2018-04-08 光学谐振腔、显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110346859A true CN110346859A (zh) 2019-10-18
CN110346859B CN110346859B (zh) 2023-05-16

Family

ID=68163417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810306414.5A Active CN110346859B (zh) 2018-04-08 2018-04-08 光学谐振腔、显示面板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10965086B2 (zh)
EP (1) EP3780301A4 (zh)
JP (1) JP7315557B2 (zh)
CN (1) CN110346859B (zh)
WO (1) WO2019196563A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111240096A (zh) * 2020-03-13 2020-06-05 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及具有该背光模组的显示装置
CN112114390A (zh) * 2020-10-14 2020-12-22 南京晨锐腾晶激光科技有限公司 一种用于射频二氧化碳激光器的激光输出镜片
CN112213882A (zh) * 2020-10-26 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 反射式显示基板及制作方法、显示面板和显示装置
CN112835241A (zh) * 2019-11-25 2021-05-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于多彩电致变色结构的电子设备及隐藏功能组件的方法
CN113311616A (zh) * 2021-06-30 2021-08-27 上海耕岩智能科技有限公司 液晶显示单元和液晶显示模组
WO2021203522A1 (zh) * 2020-04-10 2021-10-14 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置
CN113707684A (zh) * 2020-05-21 2021-11-26 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种oled显示结构、显示装置
CN113707006A (zh) * 2020-05-20 2021-11-26 元太科技工业股份有限公司 功能性组件及具有功能性组件的显示装置
CN114253039A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构、器件及制法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220271254A1 (en) * 2021-02-25 2022-08-25 Apple Inc. Organic Light-Emitting Diode Display with Single Anti-Node Optical Cavities
JP7455267B1 (ja) 2022-10-28 2024-03-25 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 紫外線発光素子及びその製造方法

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050270633A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-08 Peter Herman Photonic crystal mirrors for high-resolving power fabry perots
US20090109435A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Kahen Keith B Device containing non-blinking quantum dots
CN101447644A (zh) * 2007-11-28 2009-06-03 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 电泵浦面发射耦合微腔有机激光器件
WO2011145358A1 (ja) * 2010-05-21 2011-11-24 シャープ株式会社 蛍光体基板、発光素子、およびそれを用いた表示装置
CN102751312A (zh) * 2012-07-27 2012-10-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种oled显示器及其制造方法
JP2013539598A (ja) * 2010-08-11 2013-10-24 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子ドット系照明
US20140023380A1 (en) * 2012-07-23 2014-01-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing apparatus
CN104078537A (zh) * 2014-06-25 2014-10-01 南京工业大学 一种利用量子点复合荧光微粒制备led的方法
US20150232034A1 (en) * 2000-03-02 2015-08-20 Andrew D. Weller Vision system for vehicle
US20160322543A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Lg Electronics Inc. Light conversion plate, and light-emitting diode package, backlight unit, and display device including the plate
JP2017037121A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 シャープ株式会社 色変換基板および表示装置
US20170082892A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device
WO2017107272A1 (zh) * 2015-12-25 2017-06-29 武汉华星光电技术有限公司 反射式液晶面板以及显示装置
WO2017130949A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 シャープ株式会社 波長変換基板、液晶素子、液晶モジュールおよび液晶表示装置
CN107209298A (zh) * 2015-02-02 2017-09-26 富士胶片株式会社 波长转换部件及具备该波长转换部件的背光单元、液晶显示装置、波长转换部件的制造方法
CN107221548A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 上海和辉光电有限公司 Oled显示面板、智能显示玻璃装置及制备方法
CN107357080A (zh) * 2017-08-30 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 彩膜片及其制作方法和彩膜基板
CN206671596U (zh) * 2017-04-20 2017-11-24 深圳市光峰光电技术有限公司 发光装置
CN206757181U (zh) * 2017-06-09 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种反射器件及显示装置
CN107579147A (zh) * 2017-09-14 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示装置的操作方法
CN206892500U (zh) * 2017-06-16 2018-01-16 京东方科技集团股份有限公司 一种反射式液晶显示面板及显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001249292A1 (en) * 2000-03-20 2001-10-03 Chiral Photonics, Inc. Chiral laser utilizing a quarter wave plate
CN1731635A (zh) 2004-08-13 2006-02-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 电泵浦有机微腔激光器及其制作方法
JP2014197163A (ja) * 2013-01-17 2014-10-16 株式会社ダイセル 半透明拡散型偏光積層体及びその用途
KR102370488B1 (ko) * 2016-03-15 2022-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
EP3555909A4 (en) * 2016-12-16 2020-09-16 Tesoro Scientific, Inc. TEST DEVICE FOR LIGHT EMITTING DIODE (LED) AND METHOD OF MANUFACTURING

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150232034A1 (en) * 2000-03-02 2015-08-20 Andrew D. Weller Vision system for vehicle
US20050270633A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-08 Peter Herman Photonic crystal mirrors for high-resolving power fabry perots
US20090109435A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Kahen Keith B Device containing non-blinking quantum dots
CN101447644A (zh) * 2007-11-28 2009-06-03 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 电泵浦面发射耦合微腔有机激光器件
US7804873B2 (en) * 2007-11-28 2010-09-28 Changchun Institute Of Optics, Fine Mechanics And Physics, Chinese Academy Of Sciences Electrically pumped surface emitting organic laser device with coupled microcavity
WO2011145358A1 (ja) * 2010-05-21 2011-11-24 シャープ株式会社 蛍光体基板、発光素子、およびそれを用いた表示装置
JP2013539598A (ja) * 2010-08-11 2013-10-24 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子ドット系照明
US20140023380A1 (en) * 2012-07-23 2014-01-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing apparatus
CN102751312A (zh) * 2012-07-27 2012-10-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种oled显示器及其制造方法
CN104078537A (zh) * 2014-06-25 2014-10-01 南京工业大学 一种利用量子点复合荧光微粒制备led的方法
CN107209298A (zh) * 2015-02-02 2017-09-26 富士胶片株式会社 波长转换部件及具备该波长转换部件的背光单元、液晶显示装置、波长转换部件的制造方法
US20160322543A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Lg Electronics Inc. Light conversion plate, and light-emitting diode package, backlight unit, and display device including the plate
CN106094328A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 Lg电子株式会社 光转换板及含其的发光二极管封装、背光单元和显示装置
JP2017037121A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 シャープ株式会社 色変換基板および表示装置
US20170082892A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device
WO2017107272A1 (zh) * 2015-12-25 2017-06-29 武汉华星光电技术有限公司 反射式液晶面板以及显示装置
WO2017130949A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 シャープ株式会社 波長変換基板、液晶素子、液晶モジュールおよび液晶表示装置
CN107221548A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 上海和辉光电有限公司 Oled显示面板、智能显示玻璃装置及制备方法
CN206671596U (zh) * 2017-04-20 2017-11-24 深圳市光峰光电技术有限公司 发光装置
CN206757181U (zh) * 2017-06-09 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种反射器件及显示装置
CN206892500U (zh) * 2017-06-16 2018-01-16 京东方科技集团股份有限公司 一种反射式液晶显示面板及显示装置
CN107357080A (zh) * 2017-08-30 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 彩膜片及其制作方法和彩膜基板
CN107579147A (zh) * 2017-09-14 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示装置的操作方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王莉娟等: ""高对比度光栅谐振腔量子点耦合纳米结构发光器件"" *
郭震宁,郭亨群,王加贤,张文珍,李世忱: "多层纳米硅复合膜的共振光学非线性" *
龙涛;: "光子晶体谐振腔的设计研究" *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112835241A (zh) * 2019-11-25 2021-05-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于多彩电致变色结构的电子设备及隐藏功能组件的方法
CN111240096A (zh) * 2020-03-13 2020-06-05 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及具有该背光模组的显示装置
WO2021203522A1 (zh) * 2020-04-10 2021-10-14 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置
CN113707006A (zh) * 2020-05-20 2021-11-26 元太科技工业股份有限公司 功能性组件及具有功能性组件的显示装置
CN113707684A (zh) * 2020-05-21 2021-11-26 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种oled显示结构、显示装置
CN114253039A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构、器件及制法
CN112114390A (zh) * 2020-10-14 2020-12-22 南京晨锐腾晶激光科技有限公司 一种用于射频二氧化碳激光器的激光输出镜片
CN112213882A (zh) * 2020-10-26 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 反射式显示基板及制作方法、显示面板和显示装置
CN113311616A (zh) * 2021-06-30 2021-08-27 上海耕岩智能科技有限公司 液晶显示单元和液晶显示模组

Also Published As

Publication number Publication date
EP3780301A4 (en) 2021-12-29
WO2019196563A1 (zh) 2019-10-17
JP7315557B2 (ja) 2023-07-26
US20200235543A1 (en) 2020-07-23
JP2021517263A (ja) 2021-07-15
US10965086B2 (en) 2021-03-30
EP3780301A1 (en) 2021-02-17
CN110346859B (zh) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110346859A (zh) 光学谐振腔、显示面板
US10103207B2 (en) Display device
US9146419B1 (en) Quantum rod based color pixel backlight for LCD
CN100504534C (zh) 液晶显示装置及电子装置
CN108873465B (zh) 量子点显示基板及其制作方法、显示装置
CN105190376B (zh) 反射型彩色滤光器以及彩色显示器装置
CN105204221B (zh) 彩膜基板、显示面板及显示装置
US9995964B2 (en) Liquid crystal display panel and display device
CN105223724A (zh) 量子点液晶显示装置
CN105988243A (zh) 光学构件、背光单元以及显示装置
CN103715217A (zh) 增亮型自发光型显示器
CN110061045B (zh) 一种白光有机发光二极管显示面板
US20170293169A1 (en) Optical microcavity for a high-contrast display
JP2003255336A (ja) 反射透過型液晶表示装置用カラーフィルタ基板及びその製造方法
CN109655959A (zh) 一种前置光源和显示装置
Oh et al. Highly efficient full-color display based on blue LED backlight and electrochromic light-valve coupled with front-emitting phosphors
CN108287421A (zh) 透明显示装置
CN107918229A (zh) 液晶显示面板、显示装置和显示方法
US7667799B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device using the same
US20040001341A1 (en) Light-emitting apparatus able to dynamically produce lights of different wavelengths
US6317179B1 (en) Reflection type display and coloring method thereof
US10551548B2 (en) Backlight unit and display apparatus including the same
KR100606778B1 (ko) 화상 표시 장치
JP2020091419A (ja) 表示装置
KR101849604B1 (ko) 액정표시패널 및 이를 포함하는 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant