CN110344004A - 一种蒸镀坩埚和蒸镀设备 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种蒸镀坩埚和蒸镀装置，该蒸镀坩埚包括：坩埚主体；防爆沸板，设置于坩埚主体的开口处，或者设置于坩埚主体内且靠近坩埚主体的开口的预设位置处；防爆沸板与坩埚主体的侧壁之间存在间隙，且防爆沸板与坩埚主体的底部之间存在间隙；掩模体，掩模体朝向坩埚主体的一侧固定在防爆沸板背离坩埚主体的一侧；坩埚盖，盖合于坩埚主体的开口处，且与防爆沸板之间存在容纳空间；坩埚盖包括蒸镀口，蒸镀口与坩埚主体的开口连通；掩模体背离坩埚主体的一侧在防爆沸板上的垂直投影位于蒸镀口在防爆沸板上的垂直投影内，掩模体背离坩埚主体的一侧与蒸镀口之间的垂直距离小于或等于预设值。本发明实施例提供的技术方案，可改善膜厚均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及镀膜装置技术领域，尤其涉及一种蒸镀坩埚和蒸镀设备。
背景技术
在半导体器件或装置的制备过程中，示例性的，在有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示面板的制作过程中，通常会采用蒸镀工艺来形成膜层。在蒸镀工艺中，可将待蒸镀材料放在蒸镀坩埚内，然后对蒸镀坩埚加热，使待蒸镀材料受热气化，气化的待蒸镀成膜材料在待蒸镀衬底基板上沉积，从而在待蒸镀衬底基板上形成膜层。
但是，目前蒸镀形成的膜层，在膜层各不同位置处的膜厚差异较大，即膜厚均匀性较差。
发明内容
本发明提供一种蒸镀坩埚和蒸镀设备，以改善蒸镀工艺的膜厚均匀性。
第一方面，本发明实施例提供了一种蒸镀坩埚，该蒸镀坩埚包括：
坩埚主体；
防爆沸板，设置于所述坩埚主体的开口处，或者设置于所述坩埚主体内且靠近所述坩埚主体的开口的预设位置处；所述防爆沸板与所述坩埚主体的侧壁之间存在间隙，且所述防爆沸板与所述坩埚主体的底部之间存在间隙；
掩模体，所述掩模体朝向所述坩埚主体的一侧固定在所述防爆沸板背离所述坩埚主体的一侧；
坩埚盖，盖合于所述坩埚主体的开口处，且与所述防爆沸板之间存在容纳空间；所述坩埚盖包括蒸镀口，所述蒸镀口与所述坩埚主体的开口连通；
所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板上的垂直投影位于所述蒸镀口在所述防爆沸板上的垂直投影内，所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧与所述蒸镀口之间的垂直距离小于或等于预设值。
第二方面，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备包括第一方面提供的蒸镀坩埚。
本发明实施例提供的蒸镀坩埚包括坩埚主体、防爆沸板、掩模体和坩埚盖，通过设置防爆沸板可防止待蒸镀材料突沸，可汇集蒸汽流，可保证蒸镀坩埚内待蒸镀材料分压稳定；通过设置掩模体，并设置掩模体与坩埚盖的蒸镀口之间的垂直距离小于或等于预设值，可利用掩模体调整蒸汽流由蒸镀口逸出时的蒸发角度，从而可使蒸镀口的不同位置处逸出的待蒸镀材料在衬底基板上的厚度互补叠加，可改善膜层厚度均匀性。
附图说明
图1为现有技术提供的一种蒸镀坩埚的蒸镀原理示意图；
图2为本发明实施例提供的一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的蒸镀坩埚的蒸镀原理示意图；
图5为图2中坩埚盖与掩模体的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图13为图2中坩埚主体与防爆沸板的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的一种蒸镀设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1中示出了单蒸发源蒸镀坩埚010、掩膜版011和衬底基板012；其中，蒸镀坩埚010通常采用底部平坦的坩埚装填待蒸镀材料，并在真空环境下以加热的方式蒸镀成膜。在蒸镀成膜过程中，随着蒸镀坩埚010中的待蒸镀材料的减少，蒸发角逐渐减小，在衬底基板012与蒸镀坩埚010之间的距离固定不变的前提下，待蒸镀材料在衬底基板012上可成膜的面积逐渐减小，如图1中的第一可成膜面积S01和第二可成膜面积S02所示。如此，最终形成的膜层中，中心区域的膜厚较厚，而越往边缘区域膜厚越薄，如图1中的参考膜厚分布线L01所示，从而整体膜层的厚度均匀性较差。
针对上述技术问题，本发明实施例提供一种蒸镀坩埚，通过设置掩模体，可调节蒸发角度，从而可改善蒸镀膜厚均匀性。
下面结合附图2-图14对本发明实施例提供的蒸镀坩埚进行示例性说明。
参照图2和图3，该蒸镀坩埚10包括：坩埚主体110；防爆沸板120，设置于坩埚主体110的开口112处，或者设置于坩埚主体110内且靠近坩埚主体110的开口112的预设位置处；防爆沸板120与坩埚主体110的侧壁之间存在间隙，且防爆沸板120与坩埚主体110的底部之间存在间隙；掩模体130，掩模体130朝向坩埚主体110的一侧固定在防爆沸板120背离坩埚主体110的一侧；坩埚盖140，盖合于坩埚主体110的开口112处，且与防爆沸板120之间存在容纳空间；坩埚盖140包括蒸镀口142，蒸镀口142与坩埚主体110的开口112连通；掩模体130背离坩埚主体110的一侧在防爆沸板120上的垂直投影位于蒸镀口142在防爆沸板120上的垂直投影内，掩模体130背离坩埚主体110的一侧与蒸镀口142之间的垂直距离小于或等于预设值。
其中，坩埚主体110用于装填待蒸镀材料。坩埚主体110的形状可为圆柱形、圆台形或本领域技术人员可知的其他任意形状，本发明实施例对此不赘述也不作限定。
其中，防爆沸板(inner plate)120一方面可防止蒸镀材料突沸而导致的材料飞溅或者材料灰化产生的杂质直接蒸镀到膜层中，从而有利于确保膜层良率，确保膜层性能；另一方面可汇集蒸汽流，有利于保证蒸镀坩埚10内待蒸镀材料的分压稳定。
示例性的，图2中利用带箭头的直线示出了待蒸镀材料由坩埚主体110、经由防爆沸板120，最终由坩埚盖140的蒸镀口142逸出的路径。
示例性的，图2中示出了防爆沸板120设置于坩埚主体110的开口112处，图3中示出了防爆沸板120设置于坩埚主体110内。如图3，预设位置可为：防爆沸板120距离坩埚主体110的开口112的距离为坩埚主体110的高度的1/9、1/8、1/5或其他可选位置。防爆沸板120与坩埚主体110的底部之间的容纳空间用于装填待蒸镀材料，防爆沸板120与坩埚主体110的侧壁之间的间隙用于允许蒸汽流逸出。
可理解的是，防爆沸板120除包括用于固定掩模体130的支撑固定结构之外，还包括将防爆沸板120自身固定于坩埚主体110的支撑固定结构，防爆沸板120的结构在下文中详述。
其中，掩模体130用于调节蒸汽流的逸出角度，即用于调节蒸发角度，通过不同蒸发区的膜厚的互补叠加，可改善膜层厚度的均匀性。
示例性的，可参照图4，通过设置掩模体130，使得单蒸发源结构的蒸镀坩埚10可形成多个蒸发区，示例性的，图4中以第一蒸发区QZL和第二蒸发区QZR示出。其中，第一蒸发区QZL贡献到膜层的膜厚分布可由第一膜厚分布线L101示出，第二蒸发区QZR贡献到膜层的膜厚分布可由第二膜厚分布线L102示出，本发明实施例提供的蒸镀坩埚形成的总体膜厚分布可由第三膜厚分布线L103示出。结合第一膜厚分布线L101、第二膜厚分布线L102和第三膜厚分布线L103可知，第一蒸发区QZL的膜厚较厚区可弥补第二蒸发区QZR的膜厚较薄处，第一蒸发区QZL的膜厚较薄处可叠加第二蒸发区QZR的膜厚较厚区，从而通过将第一蒸发区QZL和第二蒸发区QZR的膜厚互补叠加，可使得整体膜层厚度在误差允许范围内趋向于相等，从而改善了膜厚均匀性。
其中，坩埚盖140与坩埚主体110盖合，坩埚盖140与防爆沸板120之间存在的容纳空间可用于容纳掩模体130。由于坩埚盖140设置蒸镀口142，所以容纳掩模体130的空间可理解为开放的空间，掩模体130可收容于该容纳空间内，或者掩模体130可与蒸镀口142平齐，或者掩模体130可超出蒸镀口142。在此基础上，可设置掩模体130背离坩埚主体110的一侧与蒸镀口142之间的垂直距离小于或等于预设值，以满足在不同的蒸镀场景中，均可达到较好的改善膜厚均匀性的效果。
示例性的，图5中示出了掩模体130与坩埚盖140的相对大小关系。其中，坩埚盖140可包括连通的第一圆柱侧壁、第二圆柱侧壁以及连接第一圆柱侧壁和第二圆柱侧壁的横向侧壁，第一圆柱侧壁与第二圆柱侧壁同轴设置，横向侧壁所在的平面与第一圆柱侧壁的轴向垂直。其中，第一圆柱侧壁的高度为H1，宽度(即开口口径)为W1；第二圆柱侧壁的高度为H2，掩模体130的高度为L2(也即本文中的掩模体130远离坩埚主体的一侧与防爆沸板之间的垂直距离L2)，掩模体130的远离坩埚主体的一侧的宽度为W0。若假定掩模体130在图5中的三角形填充区域内对膜层厚度均一性无显著影响，则为了达到改善膜厚均匀性的效果，掩模体130的高度L2和宽度W0需满足：
基于此，预设值可为H1/2。其中，掩模体130相对于蒸镀口142的高度不能过低，以满足掩模体130可实现调节蒸发角度的作用。
需要说明的是，当掩模体130未超出蒸镀口142时，预设值用于限定掩模体130在蒸镀口142内的最低高度。即，掩模体130的高度等于或大于该最低高度时，掩模体130可实现对蒸发角度的调节；也即，该预设值决定了掩模体130可以实现调节蒸发角度时的高度最低的位置。在此基础上，当掩模体130的高度大于该最低高度时，掩模体130背离坩埚主体110的一侧与蒸镀口142之间的垂直距离可根据实际蒸镀需求设置，即预设值的大小可根据蒸镀需求设置，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，本文中的“垂直距离”理解为沿垂直于坩埚主体110的开口112所在平面的方向(也即下文中的第一方向Z)的距离。
示例性的，参照图2、图3以及图6，蒸镀口142与防爆沸板120之间的垂直距离为L1，掩模体130背离坩埚主体110的一侧与防爆沸板120之间的垂直距离为L2，且L1≤L2。
如此设置，可使掩模体130背离坩埚主体110的一侧与蒸镀口142平齐，或者掩模体130背离坩埚主体110的一侧超出蒸镀口。如此，便于通过掩模体130的设计，有效控制蒸发角度，从而可有效改善蒸镀膜厚均匀性。
示例性的，图2中示出了L1＝L2，图3和图6中示出了L1<L2。
需要说明的是，图3和图6中示出了两种不同形状的坩埚盖140。在其他实施方式中，坩埚盖140的形状还可根据蒸镀坩埚10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，蒸镀口142与掩模体130背离坩埚主体110的一侧之间的垂直距离可调。
如此设置，可根据衬底基板与蒸镀坩埚之间的距离和/或衬底基板的有效蒸镀面积对掩模体130背离坩埚主体110的一侧与蒸镀口142之间的垂直距离进行调节，以使该蒸镀坩埚10可满足不同场景的蒸镀需求。
示例性的，为实现二者之间的垂直距离可调，可设置蒸镀口142与防爆沸板120之间的距离可调，或者掩模体130背离坩埚主体110的一侧与防爆沸板120之间的距离可调，或者二者均可调，下文中详述。
在其他实施方式中，还可设置掩模体130沿防爆沸板120所在平面的位置可调，如此可根据不同蒸发区的膜厚分布变化调节掩模体130在防爆沸板120所在平面的位置，从而可通过掩模体130位置的实时调节有效改善蒸镀膜层的膜厚均匀性。
下面结合图7对蒸镀口142与防爆沸板120之间的距离可调(也可理解为蒸镀口142的高度可调)进行示例性说明。
可选的，参照图7，坩埚盖140包括角度板141，角度板141远离坩埚主体110的一侧形成蒸镀口142；沿第一方向Z，角度板141的高度可调；第一方向Z垂直于坩埚主体110的开口112所在的平面。
其中，角度板141为蒸发角度限定板，用于限定蒸发角度的边界。
如此设置，通过调节角度板141的高度即可实现对蒸镀口142与防爆沸板120之间的距离的调节，从而实现蒸镀口142与掩模体130远离防爆沸板120的一侧之间的垂直距离的调节。
可选的，参照图7，坩埚盖140还包括坩埚盖体143，坩埚盖体143的一侧开口与坩埚主体110的开口112盖合连通，坩埚盖体143的另一侧开口与角度板141靠近坩埚主体110的一侧连通；角度板141包括依次嵌套可伸缩的至少两个(示例性的，图7中示出了三个)第一连接部1411。
其中，坩埚盖体143用于将角度板141与坩埚主体110连通，以使坩埚主体110中的待蒸镀材料气化形成的蒸汽流可经过坩埚盖体143后最终由角度板141的蒸镀口142逸出。
其中，通过各第一连接部1411嵌套伸缩，可实现角度板141的高度的调节。
示例性的，第一连接部1411可包括卡和结构1412，通过卡和结构1412的卡和与释放，可实现相邻的第一连接部1411的拉伸固定与收缩固定。
需要说明的是，图7中仅示例性的示出了每个第一连接部1411包括1个或2个卡和结构1412。在其他实施方式中，还可设置每个第一连接部1411包括多个卡和结构1412，或者设置第一连接部1411包括卡和条，卡和条中的各个位置均可与相邻的第一连接部1411卡和固定，如此实现角度板141的高度连续可调；或者，还可采用本领域技术人员可知的其他类型的固定结构，本发明实施例对此不作限定。
在其他实施方式中，第一连接部1411的数量还可根据蒸镀坩埚10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图7，在蒸镀坩埚10的中心轴(以点划线示出)所在的平面内，坩埚盖体143呈折线型。
如此，可使坩埚盖体143的形状简单，且蒸镀坩埚10整体的结构简单，形状规则，便于设计和制作，有利于降低蒸镀坩埚10的设计难度和制作难度。
示例性的，坩埚盖体143呈“L型”。
在其他实施方式中，坩埚盖体143还可设置为本领域技术人员可知的其他形状，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图7，在蒸镀坩埚10的中心轴(以点划线示出)所在的平面内，沿远离坩埚主体110的方向，各第一连接部1411的宽度依次减小。
如此设置，可使角度板141的结构设计和制作较简单。
同时，沿远离坩埚主体110的方向，由第二个第一连接部1411开始的各第一连接部1411均可依次被收容至最靠近坩埚主体110的第一连接部1411中，从而可减小角度板141所占用的空间，即有利于减小蒸镀坩埚10所占用的空间。由此，可使得蒸镀坩埚10便于存储、携带和安装。
在其他实施方式中，还可设置在蒸镀坩埚10的中心轴(以点划线示出)所在的平面内，沿远离坩埚主体110的方向，各第一连接部1411的宽度依次增大，本发明实施例对此不作限定。
下面结合图8，对掩模体130背离坩埚主体110的一侧与防爆沸板120之间的距离可调(即掩模体130的高度可调)进行示例性说明。
可选的，参照图8，沿第一方向Z，掩模体130的高度可调；第一方向Z垂直于坩埚主体110的开口112所在的平面。
其中，掩模体130靠近坩埚主体110的一侧与防爆沸板120固定。通过设置掩模体130的高度可调，即可实现掩模体130背离坩埚主体110的一侧与防爆沸板120之间的距离可调，从而实现蒸镀口142与掩模体130远离防爆沸板120的一侧之间的垂直距离的调节。
可选的，继续参照图8，掩模体130包括依次嵌套可伸缩的至少两个第二连接部1301。
其中，通过各第二连接部1301嵌套伸缩，可实现掩模体130的高度的调节。
示例性的，第二连接部1301可包括卡和结构1302，通过卡和结构1302的卡和与释放，可实现相邻的第二连接部1301的拉伸固定与收缩固定。
需要说明的是，图8中仅示例性的示出了每个第二连接部1301包括1个或2个卡和结构1302。在其他实施方式中，还可设置每个第二连接部1301包括多个卡和结构1302，或者设置第二连接部1301包括卡和条，卡和条中的各个位置均可与相邻的第二连接部1301卡和固定，如此实现掩模体130的高度连续可调；或者，还可采用本领域技术人员可知的其他类型的固定结构，本发明实施例对此不作限定。
在其他实施方式中，第二连接部1301的数量还可根据蒸镀坩埚10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，在蒸镀坩埚10的中心轴所在的平面内，沿远离坩埚主体110的方向，各第二连接部1301的宽度依次减小或依次增大，可根据蒸镀坩埚10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
在上述实施方式的基础上，掩模体130的形状可为圆柱形、圆台形或本领域技术人员可知的其他形状，本发明实施例对此不作限定，下文中以圆台形和圆柱形为例，对掩模体130的形状进行示例性说明。
示例性的，继续参照图8，掩模体130的形状可为圆柱形，如此掩模体130的形状简单，较容易实现对掩模体130的嵌套可伸缩结构的设计。
示例性的，继续参照图2、图3、图6以及图7，掩模体130的形状包括圆台形，掩模体130远离坩埚主体110的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影位于掩模体130靠近坩埚主体110的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影内。
如此，可形成正圆台形的掩模体130。其中，圆台形的掩模体130的侧面可发挥与角度板相同的作用，控制蒸汽流的出射方向，如此更容易实现对蒸发角度的控制。同时，在此基础上，通过对该掩模体130与蒸镀口142的垂直距离的调节，可满足不同蒸镀需求。
可选的，参照图9，掩模体130的形状包括圆台形，掩模体130靠近坩埚主体110的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影位于掩模体130远离坩埚主体110的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影内；掩模体130远离坩埚主体110的一侧与防爆沸板120之间的垂直距离为L3，蒸镀口142与防爆沸板120之间的垂直距离为L4，L3＞L4。
如此，可形成倒圆台形的掩模体130。
其中，通过设置掩模体130远离坩埚主体110的一侧的面积较大，以及设置掩模体130超出蒸镀口142，可使由掩模体130与蒸镀口142限定的不同蒸发区之间的成膜区域不交叠，从而可形成中间区域不成膜的圆环形的蒸镀膜层。
示例性的，掩模体130远离坩埚主体110的一侧的面积与掩模体靠近坩埚主体110的一侧的面积的差值越大，掩模体130超出蒸镀口142的高度越高，对应形成的不成膜区域的面积占比越大。
需要说明的是，L3与L4的差值以及掩模体130远离坩埚主体110的一侧的面积与掩模体靠近坩埚主体110的一侧的面积的差值均可根据蒸镀需求的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图9，掩模体130的侧面与防爆沸板120所在的平面的锐角夹角A0小于预设角度值。
其中，掩模体130的高度固定时，掩模体130远离坩埚主体110的一侧的面积与掩模体靠近坩埚主体110的一侧的面积的差值越大，掩模体130的侧面与防爆沸板120所在的平面的锐角夹角A0越小。通过设置锐角夹角A0小于预设值，可实现不同蒸发区的成膜区域不交叠，从而实现形成圆环形的蒸镀膜层。
示例性的，预设角度值可为85°、78°、75°或者其他角度值，可根据蒸镀坩埚10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，参照图9和图10，掩模体130的数量为至少一个。
如此设置，可对应在蒸镀膜层中形成至少一个不成膜区域。即可满足在蒸镀膜层中形成一个、两个或更多个不成膜区域的需求。
示例性的，图9中示出的掩模体130的数量为一个，图10中示出的掩模体130的数量为两个。在其他实施方式中，掩模体130的数量还可为更多个，可根据蒸镀坩埚10以及蒸镀需求设置，本发明实施例对此不作限定。
此外，当蒸镀坩埚10中设置的掩模体130的数量为多个时，各掩模体130可相同，也可不同，可根据蒸镀坩埚10以及蒸镀需求设置，本发明实施例对此不作限定。
在上述实施方式的基础上，为了提高待蒸镀材料的利用率，还可设置蒸镀坩埚包括加热柱以提高待蒸镀材料的气化比例，下文中结合图11-图14对此进行示例性说明。
示例性的，参照图11，该蒸镀坩埚10还包括加热柱150；加热柱150设置于坩埚主体110与防爆沸板120形成的空间中。
其中，坩埚主体110与防爆沸板120形成的空间中装填待蒸镀材料。通过设置加热柱150，可增加待蒸镀材料的受热面积以及受热均一性，从而有利于提高待蒸镀材料的气化比例和效率，有利于增加待蒸镀材料的利用率。
示例性的，加热柱150可与坩埚主体110直接固定或间接固定。
可选的，参照图11和图12，加热柱150的一侧固定于坩埚主体110的底部，且沿垂直于坩埚主体110的底部所在平面的方向，加热柱150的高度可调。
如此设置，可使加热柱150的固定方式简单。
同时，通过设置加热柱150的高度可调，可使加热柱150的高度可根据待蒸镀材料的剩余量进行调节，如此可实现对加热柱150的高度的实时调控，以适应于不同的剩余量；同理，加热柱150的不同高度也可适用于不同的填料量。
示例性的，剩余量或填料量较多时，加热柱150的高度较高；剩余量或填料量较少时，加热柱150的高度较低。
需要说明的是，加热柱150的高度可在蒸镀过程开始之前调节，也可在蒸镀过程中调节，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图12，加热柱150的远离坩埚主体110的底部的一侧与防爆沸板120接触。
如此设置，可利用加热柱150遮挡至少部分防爆沸板120，从而可减少待蒸镀材料在防爆沸板120朝向坩埚主体110的底部的一侧的沉积。同时，加热柱150的热量可传导至防爆沸板120，从而可避免待蒸镀材料在防爆沸板120朝向坩埚主体110的底部的一侧冷凝沉积，从而可提高待蒸镀材料的利用效率。
需要说明的是，图11和图12中仅示例性的示出了加热柱150的形状为圆柱形(其剖面形状为长方形)，在其他实施方式中，还可根据蒸镀坩埚10的实际需求，设置加热柱150的形状为圆台形或本领域技术人员可知的其他形状，本发明实施例对此不作限定。
可选的，参照图13和图14，防爆沸板120包括中心圆板122、外围固定点126以及连接中心圆板122与外围固定点126的连接条124；外围固定点126与坩埚主体110固定；加热柱150靠近防爆沸板120的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影覆盖至少部分中心圆板122。
如此设置，可减少待蒸镀材料在中心圆板122朝向坩埚主体110的底部的一侧的沉积，有利于提高待蒸镀材料的利用效率。
示例性的，加热柱150靠近防爆沸板120的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影可与中心圆板122重叠，如此，在提高待蒸镀材料的利用效率的同时，可避免加热柱150对中心圆板122与坩埚主体110的侧壁之间的空隙的遮挡，从而可使蒸汽流较顺畅的传输并逸出，从而有利于确保较高的成膜质量。
需要说明的是，图13中仅示例性的示出了外围固定点126的数量为4个，在其他实施方式中，外围固定点126的数量还可根据防爆沸板120以及蒸镀坩埚10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
此外，图13中仅示例性的示出了防爆沸板120的中心圆板122为实心圆板。在其他实施方式中，中心圆板122中也可设置通孔，通孔的形状和数量可根据蒸镀坩埚10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
在其他实施方式中，防爆沸板120还可设置为本领域技术人员可知的其他结构，本发明实施例对此不赘述也不作限定。
可选的，继续参照图14，第一投影覆盖至少部分第二投影；其中，第一投影为加热柱150靠近防爆沸板120的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影覆盖，第二投影为掩模体130靠近坩埚主体110的一侧在防爆沸板120所在平面内的垂直投影。
其中，在蒸镀坩埚10中，掩模体130并非直接加热源，导致掩模体130的温度相对较低；进一步的，防爆沸板120中的第二投影区域的温度相对较低，待蒸镀材料易在此区域冷凝沉积。
通过设置第一投影覆盖至少部分第二投影，可利用加热柱150遮挡至少部分温度相对较低的区域，从而可减少待蒸镀材料在此区域范围内的沉积，有利于提高待蒸镀材料的利用率。
此外，通过设置加热柱150的形状为倒圆台形，还可增大加热柱150与待蒸镀材料的接触面积，提高待蒸镀材料的受热均一性。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备可包括上述实施方式提供的任一种蒸镀坩埚。因此，该蒸镀设备也具有上述实施方式提供的任一种蒸镀坩埚所具有的技术效果，可参照上文对蒸镀坩埚的解释说明进行理解，在此不赘述。
示例性的，参照图15，该蒸镀设备20可包括蒸镀坩埚10、基片台013、真空腔室014以及真空泵015。其中，真空泵015用于对真空腔室014抽真空，是真空腔室014的真空度达到蒸镀需求。基片台013用于固定衬底基板012和掩膜版011。示例性的，基片台013还可具有加热的功能，用于对衬底基板012进行加热。
需要说明的是，图15中仅示例性的示出了蒸镀设备20中的蒸镀坩埚10的数量为1个，真空泵015的数量为1个。在其他实施方式中，蒸镀坩埚10的数量还可为两个或更多个，真空泵015的数量也可为两个或更多个，均可根据蒸镀设备20的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
此外，该发明构思还可应用于线蒸发源。线蒸发源可包括多个蒸镀出口，每个蒸镀出口处均可设置防爆沸板和掩模体，以改善膜厚整体均匀性。
示例性的，本发明实施例提供的蒸镀设备可用于制备OLED显示面板或其他半导体膜层或器件的过程中，本发明实施例对此不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (19)
1.一种蒸镀坩埚，其特征在于，包括：
坩埚主体；
防爆沸板，设置于所述坩埚主体的开口处，或者设置于所述坩埚主体内且靠近所述坩埚主体的开口的预设位置处；所述防爆沸板与所述坩埚主体的侧壁之间存在间隙，且所述防爆沸板与所述坩埚主体的底部之间存在间隙；
掩模体，所述掩模体朝向所述坩埚主体的一侧固定在所述防爆沸板背离所述坩埚主体的一侧；
坩埚盖，盖合于所述坩埚主体的开口处，且与所述防爆沸板之间存在容纳空间；所述坩埚盖包括蒸镀口，所述蒸镀口与所述坩埚主体的开口连通；
所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板上的垂直投影位于所述蒸镀口在所述防爆沸板上的垂直投影内，所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧与所述蒸镀口之间的垂直距离小于或等于预设值。
2.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述蒸镀口与所述防爆沸板之间的垂直距离为L1，所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧与所述防爆沸板之间的垂直距离为L2，且L1≤L2。
3.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述蒸镀口与所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧之间的垂直距离可调。
4.根据权利要求3所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述坩埚盖包括角度板，所述角度板远离所述坩埚主体的一侧形成所述蒸镀口；
沿第一方向，所述角度板的高度可调；
所述第一方向垂直于所述坩埚主体的开口所在的平面。
5.根据权利要求4所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述坩埚盖还包括坩埚盖体，所述坩埚盖体的一侧开口与所述坩埚主体的开口盖合连通，所述坩埚盖体的另一侧开口与所述角度板靠近所述坩埚主体的一侧连通；
所述角度板包括依次嵌套可伸缩的至少两个第一连接部。
6.根据权利要求5所述的蒸镀坩埚，其特征在于，在所述蒸镀坩埚的中心轴所在的平面内，所述坩埚盖体呈折线型。
7.根据权利要求6所述的蒸镀坩埚，其特征在于，在所述蒸镀坩埚的中心轴所在的平面内，沿远离所述坩埚主体的方向，各所述第一连接部的宽度依次减小。
8.根据权利要求3所述的蒸镀坩埚，其特征在于，沿第一方向，所述掩模体的高度可调；
所述第一方向垂直于所述坩埚主体的开口所在的平面。
9.根据权利要求8所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述掩模体包括依次嵌套可伸缩的至少两个第二连接部。
10.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述掩模体的形状包括圆台形，所述掩模体远离所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板所在平面内的垂直投影位于所述掩模体靠近所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板所在平面内的垂直投影内。
11.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述掩模体的形状包括圆台形，所述掩模体靠近所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板所在平面内的垂直投影位于所述掩模体远离所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板所在平面内的垂直投影内；
所述掩模体远离所述坩埚主体的一侧与所述防爆沸板之间的垂直距离为L3，所述蒸镀口与所述防爆沸板之间的垂直距离为L4，L3＞L4。
12.根据权利要求11所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述掩模体的侧面与所述防爆沸板所在的平面的锐角夹角小于预设角度值。
13.根据权利要求11所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述掩模体的数量为至少一个。
14.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，还包括加热柱；
所述加热柱设置于所述坩埚主体与所述防爆沸板形成的空间中。
15.根据权利要求14所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述加热柱的一侧固定于所述坩埚主体的底部，且沿垂直于所述坩埚主体的底部所在平面的方向，所述加热柱的高度可调。
16.根据权利要求14所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述加热柱的远离所述坩埚主体的底部的一侧与所述防爆沸板接触。
17.根据权利要求14所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述防爆沸板包括中心圆板、外围固定点以及连接所述中心圆板与所述外围固定点的连接条；所述外围固定点与所述坩埚主体固定；
所述加热柱靠近所述防爆沸板的一侧在所述防爆沸板所在平面内的垂直投影覆盖至少部分所述中心圆板。
18.根据权利要求14所述的蒸镀坩埚，其特征在于，第一投影覆盖至少部分第二投影；其中，所述第一投影为所述加热柱靠近所述防爆沸板的一侧在所述防爆沸板所在平面内的垂直投影覆盖，所述第二投影为所述掩模体靠近所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板所在平面内的垂直投影。
19.一种蒸镀设备，其特征在于，包括：权利要求1-18任一项所述的蒸镀坩埚。
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