CN110184639A - 电镀装置 - Google Patents
电镀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110184639A CN110184639A CN201811592104.0A CN201811592104A CN110184639A CN 110184639 A CN110184639 A CN 110184639A CN 201811592104 A CN201811592104 A CN 201811592104A CN 110184639 A CN110184639 A CN 110184639A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- polygonal
- shaped openings
- anode
- wall portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 175
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 32
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/005—Contacting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/007—Current directing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
- C25D17/12—Shape or form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明是使在多边形基板上电镀的膜的面内均匀性提高。电镀装置包括以保持阳极的方式而构成的阳极固持器、以保持多边形基板的方式而构成的基板固持器、以及设置在阳极固持器与基板固持器之间的调节板。调节板包括具有遵循多边形基板的外形的第一多边形开口的本体部、以及从第一多边形开口的边缘朝向基板固持器侧突出的壁部。壁部在包含第一多边形开口的边的中央部的第一区域内朝基板固持器侧跨第一距离而突出,在包含第一多边形开口的角部的第二区域内被切缺,或者朝向基板固持器侧跨小于第一距离的第二距离而突出。
Description
技术领域
本申请涉及一种电镀装置。
背景技术
现有技术中,是进行如下的工序:在半导体晶片等基板的表面上所设置的微细的配线用沟槽、孔(hole)或抗蚀开口部上形成配线,或者在基板的表面上形成与封装体的电极等电连接的凸块(突起状电极)。作为形成所述配线及凸块的方法,例如已知有电解电镀法、蒸镀法、印刷法、球凸块法等。伴随着半导体芯片的输入输出(input/output,I/O)数的增加、间距变窄,能够实现微细化且性能较稳定的电解电镀法更多地使用起来。
当使用电解电镀法来形成配线或凸块时,会在设置于基板上的配线用沟槽、孔或抗蚀开口部上的阻挡金属(barrier metal)的表面上形成低电阻的籽晶层(供电层)。在所述籽晶层(seed layer)的表面上,电镀膜成长。
一般来说,被电镀的基板在其周缘部具有电接点。即,电流从被电镀的基板的中央流向周缘部。随着距离远离基板的中央,电位逐渐下降与籽晶层的电阻相当的程度,与基板的中心部相比在基板的周缘部会产生更低的电位。由于所述在基板中心与周缘部的电位差,而使得金属离子的还原电流,即电镀电流集中于基板的周缘部的现象被称为终点效应(terminal effect)。
再者,作为利用电解电镀法而电镀的基板的形状,已知有圆形的基板、四边形的基板(例如,参照专利文献1及专利文献2)。
在圆形基板上,从圆形基板的中央部到基板的周缘部为止的距离与相邻的电接点之间的距离遍及基板的全周均相同。因此,在圆形基板上电镀时的终点效应是遍及基板的整个周围而大致同样地产生。因此,当在圆形基板上进行有电镀时,在基板的中心部的电镀速度会下降,在基板的中心部的电镀膜的膜厚薄于在基板的周缘部的电镀膜。现有技术中,为了抑制因终点效应导致的膜厚的面内均匀性的下降,是进行如下的工序:一边对均等地配置在圆形基板的周缘部上的电接点供给电流,一边例如利用如专利文献3所公开的调节板(regulation plate),调节施加至圆形基板的电场、即电活性离子的平流。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平09-125294号公报
[专利文献2]日本专利特公平03-029876号公报
[专利文献3]日本专利特开2005-029863号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
但是,在多边形基板中,当在多边形的所有边的周缘部上配置有电接点时,邻接的电接点间的距离会因位置而不同。即,多边形基板的顶点附近与多边形基板的边的中央部(顶点间的中央部)相比,邻接的电接点间的距离更短。由此,与多边形基板的边的中央部(顶点间的中央部)相比电量增加,因此在电镀初期,基板表面的电活性离子更多地消耗,浓度下降。并且,顶点附近被保护电接点远离电镀液的密封件等基板固持器的构成零件所包围,由此难以将电活性离子供给至基板表面。因此,在多边形基板上,存在如下的倾向:在靠近与中心部的距离相对较长的角部的区域内,最终的电镀膜厚变小。
本发明是鉴于所述问题而完成的,其目的之一在于使在多边形基板上电镀的膜的面内均匀性提高。
[解决问题的技术手段]
(方式1)根据方式1,提供一种电镀装置,所述电镀装置包括以保持阳极的方式而构成的阳极固持器、以保持多边形基板的方式而构成的基板固持器、以及设置在所述阳极固持器与所述基板固持器之间的调节板,所述调节板包括具有遵循所述多边形基板的外形的第一多边形开口的本体部、以及从所述第一多边形开口的边缘向所述基板固持器侧突出的壁部,所述壁部是在包含所述第一多边形开口的边的中央部的第一区域内朝向所述基板固持器侧跨第一距离而突出,在包含所述第一多边形开口的角部的第二区域内被切缺,或者朝向所述基板固持器侧跨小于所述第一距离的第二距离而突出。根据方式1,可以使在多边形基板上电镀的膜的面内均匀性提高。
(方式2)根据方式2,在方式1的电镀装置中,所述壁部的所述第一区域是从与所述本体部的板面垂直的方向观察外侧的边较长的梯形状。
(方式3)根据方式3,在方式1或方式2的电镀装置中,还包括隔膜,所述隔膜是以堵塞所述调节板的所述第一多边形开口的方式而配置,容许金属离子透过而阻碍添加剂透过。
(方式4)根据方式4,在方式1至方式3中任一项的电镀装置中,还包括阳极掩模(anode mask),所述阳极掩模包括具有遵循所述多边形基板的外形的第二多边形开口的阳极掩模本体部、以及从所述第二多边形开口的边缘向所述基板固持器侧突出的阳极掩模壁部,并安装在所述阳极固持器上,所述阳极掩模壁部是在包含所述第二多边形开口的边的中央部的第三区域内朝向所述基板固持器侧跨第三距离而突出,在包含所述第二多边形开口的角部的第四区域内被切缺,或者朝向所述基板固持器侧跨小于所述第三距离的第四距离而突出。
附图说明
图1是实施方式的电解电镀装置的整体配置图。
图2是电镀装置中所含的电镀单元的概略侧剖面图(纵剖面图)。
图3A是从基板侧表示实施方式的调节板的一例的图。
图3B是表示实施方式的调节板的一例的立体图。
图3C是表示使用形成有固定高度的壁部的比较例的调节板在四边形基板上进行有电镀时的电镀膜厚的概略图。
图3D是表示使用图3A及图3B所示的实施方式的调节板20在四边形基板上进行有电镀时的电镀膜厚的概略图。
图4是表示调节板的第一个另一例的立体图。
图5是表示调节板的第二个另一例的立体图。
图6是表示调节板的第三个另一例的立体图。
图7是电镀单元中所使用的基板固持器的概略前视图。
图8是基板固持器的概略侧视图。
图9是前板(front plate)本体的后视图。
图10是放大地表示与连接器(connector)相近之侧的面(face)部的角部附近的后视图。
[符号的说明]
10:电镀单元
12:阳极
13:阳极固持器
14:电镀槽
15:电镀电源
16:桨板
18:阳极掩模
18a:多边形开口(第二多边形开口)
20:调节板(调整板)
21:多边形开口(第一多边形开口)
22:本体部
23:壁部
23a:第一区域
23b:第二区域
23c:第三区域
24:隔膜
25:固定板
28:凸构件
30:基板固持器
100:晶盒
102:晶盒平台
104:调整器
106:自旋清洗甩干机
120:基板拆装部
122:基板搬运装置
124:储料器
126:预湿槽
128:预浸槽
130a:第一洗涤槽
130b:第二洗涤槽
132:卸料槽
136:溢流槽
140:基板固持器搬运装置
142:第一运输机
144:第二运输机
146:桨板驱动装置
150:轨道
152:载置板
300:前板
301:前表面
302:背面
303:开口部
310:前板本体
311:配线缓冲部
312:面部
320:安装部
330:臂部
331:台座
332:连接器
340:夹具
363:密封固持器
365:电缆通路
370:触点(接点构件)
400:背板
511:螺钉(紧固构件)
C1~C18:触点区域
Cor:角部
Ctr:中心部
L1~L18:电缆
S:基板
Wf:多边形基板
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中,对相同或相当的构成元件,标注相同的符号并省略重复说明。
图1表示实施方式中的电镀装置的整体配置图。如图1所示,所述电镀装置包括搭载收纳半导体晶片等基板的晶盒(cassette)100的两台晶盒平台(cassette table)102、使基板的定向平面(orientation flat)或凹口等位置在规定的方向上对准的调整器(aligner)104、以及使电镀处理后的基板高速旋转而干燥的自旋清洗甩干机(spin rinsedrier)106。在自旋清洗甩干机106的附近,设置有载置基板固持器30而进行基板的拆装的基板拆装部120。在这些单元100、单元104、单元106、单元120的中央,配置有包含在这些单元间搬运基板的搬运用机器人的基板搬运装置122。
依次配置有:储料器(stocker)124,进行基板拆装部120、基板固持器30的保管及暂时放置;预湿(prewet)槽126,使基板浸渍于纯水中;预浸槽(presoak tank)128,对形成于基板的表面上的籽晶层等导电层的表面的氧化膜进行蚀刻去除;第一洗涤槽130a,利用洗涤液(纯水等)对预浸后的基板与基板固持器30一并进行洗涤;卸料槽(blow tank)132,去除洗涤后的基板的液体;第二洗涤槽130b,利用洗涤液对电镀后的基板与基板固持器30一并进行洗涤;以及电镀单元10。
所述电镀单元10是在溢流槽(overflow tank)136的内部收纳多个电镀槽14而构成。各电镀槽14在内部收纳一个基板,使基板浸渍于内部所保持的电镀液中而在基板表面上实施镀铜等电镀。
电镀装置具有位于所述各设备的侧方,在所述各设备之间搬运基板固持器30及基板的例如采用线性马达(linear motor)方式的基板固持器搬运装置140。所述基板固持器搬运装置140包括第一运输机(transporter)142及第二运输机144,所述第一运输机142是在基板拆装部120、储料器124、预湿槽126、预浸槽128、第一洗涤槽130a及卸料槽132之间搬运基板,所述第二运输机144是在第一洗涤槽130a、第二洗涤槽130b、卸料槽132及电镀单元10之间搬运基板。电镀装置也可以设为不包含第二运输机144,而只包含第一运输机142。
在所述基板固持器搬运装置140的隔着溢流槽136的相反侧,配置有对作为搅拌棒的桨板(paddle)16(参照图2)进行驱动的桨板驱动装置146,所述桨板16位于各电镀槽14的内部,对电镀槽14内的电镀液进行搅拌。
基板拆装部120包括沿轨道150横向滑动自如的平板状的载置板152。两个基板固持器30是以水平状态并列地载置在所述载置板152上,在一个基板固持器30与基板搬运装置122之间进行基板的交接后,使载置板152横向滑动,在另一个基板固持器30与基板搬运装置122之间进行基板的交接。
图2是图1所示的电镀装置中所含的电镀单元的概略侧剖面图(纵剖面图)。如图2所示,电镀单元10包括以收容电镀液、基板固持器30、及阳极固持器13的方式而构成的电镀槽14、以及溢流槽(未图示)。基板固持器30是以保持多边形的基板Wf的方式而构成,阳极固持器13是以保持具有金属表面的阳极12的方式而构成。多边形的基板Wf与阳极12经由电镀电源15而电连接,通过使电流在基板Wf与阳极12之间流动,而在基板Wf的表面上形成电镀膜。
阳极固持器13包括用于调整阳极12与基板Wf之间的电场的阳极掩模18。阳极掩模18是例如包含介电质材料的大致板状的构件,设置在阳极固持器13的前表面。在这里,所谓阳极固持器13的前表面,是指与基板固持器30相向之侧的面。即,阳极掩模18配置在阳极12与基板固持器30之间。阳极掩模18在大致中央部具有流入至阳极12与基板Wf之间的电流所通过的多边形开口(第二多边形开口)18a。
电镀单元10包括用于调整基板Wf与阳极12之间的电场的调节板(调整板)20、以及用于对电镀液进行搅拌的桨板16。调节板20配置在基板固持器30与阳极12之间。具体来说,将调节板20的下端部,插入至设置于电镀槽14的底面的一对凸构件28之间,使调节板20相对于电镀槽14而固定。并且,调节板20也可以在上端附近具有向外侧突出的臂(未图示),在图1所示的储料器124内,通过将臂卡挂在储料器124的周壁上表面而吊挂支撑着。桨板16配置在基板固持器30与调节板20之间。
图3A是从基板Wf侧表示实施方式的调节板20的一例的图,图3B是表示调节板20的一例的立体图。调节板20是由例如介电质即氯化乙烯形成。调节板20包括在大致中央部具有多边形开口(第一多边形开口)21的板状的本体部22、以及从本体部22向基板固持器30侧突出的壁部23。多边形开口21是遵循基板Wf的外形的形状,优选的是稍小于基板Wf的外形的形状,在图3A、图3B所示的示例中为四边形。壁部23从本体部22中的多边形开口21的边缘起,沿与本体部22的板面垂直的方向(图2中为左右方向)突出。在图3A、图3B所示的示例中,壁部23在包含多边形开口21的角部的区域(第二区域)内被切缺。即,壁部23只设置在包含多边形开口21的边的中央部的区域(第一区域)内,而未设置在角部附近(第二区域)。在这里,第一区域与第二区域的区分只要通过实验或模拟等来确定即可,作为一例可将在多边形开口21的周围的2%、3%、5%、7%或10%的区域设为第二区域。并且,如图3A特别所示,壁部23是从基板固持器30侧观察外侧的边较长的梯形状,例如壁部23的端部也可以沿从多边形开口21的中央呈放射状延伸的直线而划定。但是,并不限定于这样的示例,例如,壁部23的第一区域与第二区域的分界也可以沿多边形开口21的边而划定。这样的调节板20是从阳极12向基板固持器30,在外观上,在包含多边形开口21的边的中央部的区域内形成跨相对较长的距离(本体部22的厚度与壁部23的高度的和)的长开口,在角附近形成跨相对较短的距离(本体部22的厚度)的短开口。
在调节板20收容于电镀槽14内的状态下,对基板Wf及阳极12施加电压后,来自阳极12的电流穿过多边形开口21而流入至基板Wf。换言之,调节板20遮挡着形成于阳极12与基板Wf之间的电场的一部分。并且,可抑制穿过多边形开口21的电流被壁部23引导而扩散至基板Wf的外侧。而且,实施方式的调节板20只在包含多边形开口21的边的中央部的区域(第一区域)内设置有壁部23,所以特别是在第一区域内电流流入至基板Wf的端部附近得到抑制。另一方面,调节板20在多边形开口21的角部附近(第二区域)壁部23被切缺,所以在所述第二区域内,与第一区域相比电流的扩散未得到抑制。在这里,存在如下的倾向:在多边形的基板Wf的角部附近电流相对不集中,在基板Wf的边的中央部附近电流相对较集中。与此相对,通过使用实施方式的调节板20,可以抑制流入至基板Wf的边的电流变得不均匀,从而能够提高膜厚的面内均匀性。
图3C是表示使用形成有固定高度的壁部的比较例的调节板在四边形基板上进行有电镀时的电镀膜厚的概略图,图3D是表示使用图3A及图3B所示的实施方式的调节板20在四边形基板上进行有电镀时的电镀膜厚的概略图。再者,在图3C及图3D中,表示将四边形基板一分为四而成的右上区域的电镀膜厚,图中左下相当于四边形基板的中心部,图中右上相当于四边形基板的角部。在图3C及图3D中,颜色越浅的地方表示膜厚越小,颜色越深的地方表示膜厚越大。如图3C所示,在使用包含角部在内形成有固定高度的壁部的比较例的调节板的情况下,在从基板的中心部Ctr算起的距离相对较长的角部Cor附近,电镀膜厚变小。与此相对,通过使用角部附近的壁部23经切缺的实施方式的调节板20在四边形基板上进行电镀,而如图3D所示,可抑制在角部附近电镀膜厚变小。并且,与图3C所示的示例相比,在图3D所示的示例中膜厚的均匀性(均匀性:(最大膜厚-最小膜厚)/(2·平均膜厚))得到提高。如上所述,通过使用角部附近的壁部23经切缺的实施方式的调节板20,可以提高膜厚的面内均匀性。
图4是表示调节板20的第一个另一例的图。在图4所示的调节板20中,壁部23与图3B所示的调节板20不同,其它方面相同。在图4所示的调节板20中,与包含角部附近在内的多边形开口21的整个边缘连续地设置有壁部23。但是,壁部23是在包含多边形开口21的边的中央部的第一区域23a内跨第一距离而突出,在包含多边形开口21的角部的第二区域23b内跨小于第一距离的第二距离而突出。通过使用这样的调节板20,也可以抑制流入至基板Wf的边的中央部附近的电流变得不均匀,从而可以提高膜厚的面内均匀性。在这里,第二区域23b内的壁部23的高度(第二距离)只要基于基板固持器30的供电构件的配置等,以膜厚的面内均匀性提高的方式而确定即可。并且,将第二区域23b内的壁部23的高度(第二距离)设为值0的调节板相当于图3A~图3D所示的调节板20。
图5是表示调节板20的第二个另一例的图。在图5所示的调节板20上,倾斜地形成有第二区域23b的壁部23。第二区域23b的壁部23的倾斜角度只要通过实验或模拟等而适当确定即可。在图5所示的示例中,第二区域23b的壁部23是设为越靠近多边形开口21的角越低,越远离角越高的倾斜。但是,第二区域23b的壁部23也可以设为越靠近多边形开口21的角越高,越远离角越低的倾斜。并且,在图5所示的示例中,第二区域23b的壁部23是朝向第一区域23a,倾斜至与第一区域23a的壁部23的高度相同的高度为止。但是,并不限定于这样的示例,壁部23也可以在第一区域23a与第二区域23b具有阶差,并且在第二区域23b内倾斜。
图6是表示调节板20的第三个另一例的图。在图6所示的调节板20上,壁部23在包含多边形开口21的边的中央部的第一区域23a、包含多边形开口21的角部的第二区域23b、及夹于第一区域23a与第二区域23b之间的第三区域23c内,高度不同。在图6所示的示例中,第三区域23c的壁部23是设为第一区域23a的壁部23与第二区域23b的壁部23之间的高度。但是,第三区域23c的壁部23也可以设计成低于第二区域23b的壁部23的高度。
并且,调节板20的壁部23也可以在第一区域23a与第二区域23b内呈曲线状或直线状顺滑地连接。并且,调节板20也可以不论第一区域23a或第二区域23b,都在壁部23的侧面形成有孔。
再次回到图2进行说明。在调节板20上,以堵塞多边形开口21的方式安装有隔膜24。隔膜24包含使金属离子穿过而不使添加剂穿过的阳离子交换膜或多孔膜。作为这种多孔膜的示例,可举出汤浅隔膜(Yuasa Membrane)股份有限公司制造的YUMICRON(商标名)。隔膜24通过具有与多边形开口21相对应的开口的框状的固定板25而固定在调节板20上。隔膜24及固定板25可从背面(阳极12侧的面)安装至调节板20。并且,在调节板20与隔膜24和/或固定板25的接触面上可设置与多边形开口21的形状相应的框状的密封体。
再者,刚才已对调节板20进行说明。但是,也可以代替调节板20的壁部23,或除了调节板20的壁部23以外,使安装在阳极固持器13上的阳极掩模18,具有与调节板20的壁部23同样的壁部。即,阳极掩模18也可以包括具有遵循多边形的基板Wf的外形的多边形开口(第二多边形开口)18a的阳极掩模本体部、以及从阳极掩模本体部的多边形开口18a的边缘向基板固持器30侧突出的阳极掩模壁部。而且,阳极掩模壁部也可以在包含多边形开口18a的边的中央部的第三区域内朝向基板固持器侧跨第三距离而突出,在包含多边形开口18a的角部的第四区域内被切缺,或者朝向基板固持器30侧跨小于第三距离的第四距离而突出。阳极掩模18中的多边形开口18a及阳极掩模壁部既可以为与调节板20中的多边形开口21及壁部23相同的尺寸,也可以为与调节板20中的多边形开口21及壁部23不同的尺寸。
接着,对基板固持器30进行说明。图7是图2所示的电镀单元10中所使用的基板固持器30的概略前视图,图8是基板固持器30的概略侧视图。基板固持器30包括前板300及背板(back plate)400。在这些前板300与背板400之间保持基板Wf。在本实施例中,基板固持器30是在使基板Wf的一面露出的状态下保持基板Wf。
前板300包括前板本体310及臂部330。臂部330具有一对台座331,通过在图1所示的各处理槽的周壁上表面设置台座331,而垂直地吊挂支撑着基板固持器30。并且,在臂部330上,设置有连接器332,所述连接器332是以在电镀槽14的周壁上表面设置有台座331时,与设置在电镀槽14内的电接点接触的方式而构成。由此,基板固持器30与外部电源电连接,对基板固持器30所保持的多边形的基板Wf施加电压及电流。
前板本体310为大致矩形状,包括配线缓冲(buffer)部311及面部312,并包括前表面301及背面302。前板本体310通过安装部320而在两处安装在臂部330上。在前板本体310上,设置有开口部303,使基板S的被电镀面从开口部303露出。在本实施方式中,开口部303形成为与多边形的基板Wf的形状相对应的形状。
背板400为大致矩形状,覆盖基板Wf的背面。背板400是在与前板本体310(更详细来说,为面部312)的背面302之间夹着基板Wf的状态下借由夹具(clamp)340而固定。夹具340是以围绕着与前板本体310的面301、面302平行的旋转轴旋转的方式构成。但是,夹具340并不限定于这样的示例,也可以设为以在与面301、面302垂直的方向上往返运动而夹持背板400的方式构成等。
图9是前板本体的后视图,图10是放大地表示与连接器相近之侧的面部的角部附近的后视图。前板本体310的背面302具有18个触点区域C1-触点区域C18。触点区域C1-触点区域C7、触点区域C17、触点区域C18配置在面部312之中连接器332侧的半边的区域(近位区域、图9的右侧半边的区域)内,触点区域C8-触点区域C16配置在面部312之中远离连接器332之侧的半边的区域(远位区域、图9的左侧半边的区域)内。在以下的说明中,为了方便,有时将配置在远位区域内的电缆称为第一组电缆,将配置在近位区域内的电缆称为第二组电缆。
如图10所示,在各触点区域C1-触点区域C18内,包含用于对基板Wf供电的触点(接点构件)370。触点370是沿前板300的开口部303的各边而配置。即,触点370是沿多边形的基板Wf的各边而配置。对各触点区域C1-触点区域C18的触点370,分别经由电缆L1-电缆L18,从外部进行供电。再者,在以下的说明中,在不需要对各电缆进行区分时,有时将电缆L1-电缆L18统称为电缆L。并且,也有时将任意的电缆作为电缆L来进行参照。
电缆L1-电缆L18的第一端部与设置在臂部330的一端的连接器332连接,更详细而言,在连接器332上与各别的接点电连接,或者每多条电缆与共同的接点(图略)电连接。电缆L1-电缆L18可经由连接器332的各接点与外部的电源(电源电路、电源装置等)电连接。
电缆L1-电缆L7是在同一平面内并列地导入至电缆通路365内,沿开口部303的连接器332侧的边而配置。电缆彼此在面部312的厚度方向上不重合。因此,能够抑制面部312及前板300的厚度。
各触点区域内的电缆L与触点370的电连接是如下所述而进行。如果举出电缆L1为例,则是对电缆L1的前端部(第二端部)去除包覆部,露出心线(导电线)。电缆L1的前端部是在触点区域C1的附近,导入至密封固持器(seal holder)363的配线沟槽内,并在触点区域C1内,通过四处螺钉(紧固构件)511而与触点370一并被按压。即,螺钉(紧固构件)511及密封固持器363夹持着电缆L1的心线及触点370。其结果为,电缆L1与触点370电连接。当基板固持器30保持基板Wf时,触点370与基板Wf接触,从外部的电源经由电缆L1、触点370对基板Wf进行供电。其它触点区域C2-触点区域C18也是同样地构成,从18处触点370对基板Wf进行供电。
如以上说明,本实施方式的基板固持器30是在多边形的基板Wf的各边上设置有触点370,从设置于各边的触点370对基板Wf进行供电。由此,在基板Wf的表面上形成电镀膜。
以上,已说明在四边形的基板Wf上进行电镀的工艺,但并不限于此,在三角形或五边形以上的基板Wf上,也可以利用同样的工艺进行电镀。在这种情况下,也是只要在阳极掩模18及调节板20上,形成遵循基板Wf的形状的三角形或五边形以上的多边形开口即可,只要设为将与多边形开口连续的壁部的角部加以切缺、或跨低于中央部的距离而突出即可。并且,只要沿多边形基板的各边配置多个供电构件即可。
以上,已说明本发明的实施方式,但所述发明的实施方式是用来使本发明易于理解,而不是对本发明进行限定。当然,本发明在不脱离其主旨的情况下,可进行变更、改良,并且在本发明中包含其等效物。而且,在能够解决所述问题的至少一部分范围或发挥至少一部分效果的范围内,可以对权利要求及说明书中所述的各构成元件进行任意组合或予以省略。
Claims (4)
1.一种电镀装置,其特征在于包括:
阳极固持器,以保持阳极的方式而构成;
基板固持器,以保持多边形基板的方式而构成;以及
调节板,设置在所述阳极固持器与所述基板固持器之间;并且
所述调节板包括具有遵循所述多边形基板的外形的第一多边形开口的本体部、以及从所述第一多边形开口的边缘向所述基板固持器侧突出的壁部,
所述壁部是在包含所述第一多边形开口的边的中央部的第一区域内朝向所述基板固持器侧跨第一距离而突出,在包含所述第一多边形开口的角部的第二区域内被切缺,或者朝向所述基板固持器侧跨小于所述第一距离的第二距离而突出。
2.根据权利要求1所述的电镀装置,其特征在于,所述壁部的所述第一区域是从与所述本体部的板面垂直的方向观察外侧的边较长的梯形状。
3.根据权利要求1或2所述的电镀装置,其特征在于还包括:隔膜,以堵塞所述调节板的所述第一多边形开口的方式而配置,容许金属离子透过而阻碍添加剂透过。
4.根据权利要求1或2所述的电镀装置,其特征在于还包括:
阳极掩模,包括具有遵循所述多边形基板的外形的第二多边形开口的阳极掩模本体部、以及从所述第二多边形开口的边缘向所述基板固持器侧突出的阳极掩模壁部,安装在所述阳极固持器上;并且
所述阳极掩模壁部是在包含所述第二多边形开口的边的中央部的第三区域内朝向所述基板固持器侧跨第三距离而突出,在包含所述第二多边形开口的角部的第四区域内被切缺,或者朝向所述基板固持器侧跨小于所述第三距离的第四距离而突出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-029810 | 2018-02-22 | ||
JP2018029810A JP6942072B2 (ja) | 2018-02-22 | 2018-02-22 | めっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110184639A true CN110184639A (zh) | 2019-08-30 |
CN110184639B CN110184639B (zh) | 2022-07-26 |
Family
ID=67617625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811592104.0A Active CN110184639B (zh) | 2018-02-22 | 2018-12-25 | 电镀装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10968530B2 (zh) |
JP (1) | JP6942072B2 (zh) |
KR (1) | KR102569414B1 (zh) |
CN (1) | CN110184639B (zh) |
TW (1) | TWI781275B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111394758A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-07-10 | 绍兴上虞顺风金属表面处理有限公司 | 一种基于金属表面化处理领域的电镀工艺及设备 |
CN113355729A (zh) * | 2020-03-04 | 2021-09-07 | 株式会社荏原制作所 | 镀敷装置及电阻体 |
CN116391063A (zh) * | 2022-06-01 | 2023-07-04 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置 |
CN117545879A (zh) * | 2022-06-27 | 2024-02-09 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置及镀覆方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7227875B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-02-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダおよびめっき装置 |
CN115708416B (zh) * | 2021-06-18 | 2024-04-05 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置以及镀覆方法 |
CN113638022B (zh) * | 2021-10-14 | 2022-01-04 | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 | 用于调节载带与阳极间距离的装置 |
KR102713873B1 (ko) | 2023-08-17 | 2024-10-08 | 주식회사 티케이씨 | 반도체 패키지 보드 도금장치의 패들 구동장치 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11152600A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ebara Corp | ウエハのメッキ装置 |
JP2006144120A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及びその方法に用いられるメッキ装置 |
JP2010095762A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 電気めっき方法 |
US20100212694A1 (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Nexx Systems, Inc. | Wetting a workpiece surface in a fluid-processing system |
CN103060871A (zh) * | 2007-12-04 | 2013-04-24 | 株式会社荏原制作所 | 电镀装置及电镀方法 |
TW201333276A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-08-16 | Novellus Systems Inc | 動態電流分布控制設備及晶圓電鍍用方法 |
US20140166492A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Ebara Corporation | Sn ALLOY PLATING APPARATUS AND METHOD |
US20160194780A1 (en) * | 2014-12-26 | 2016-07-07 | Ebara Corporation | Substrate holder, a method for holding a substrate with a substrate holder, and a plating apparatus |
CN106011982A (zh) * | 2015-03-27 | 2016-10-12 | 南茂科技股份有限公司 | 电化学反应设备 |
JP2017043815A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、めっき方法、及び基板ホルダ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0329876A (ja) | 1989-06-28 | 1991-02-07 | Nec Corp | 電波監視装置 |
JPH09125294A (ja) | 1995-11-02 | 1997-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 表面処理装置 |
US8475636B2 (en) * | 2008-11-07 | 2013-07-02 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for electroplating |
JP4136830B2 (ja) | 2003-07-10 | 2008-08-20 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
JP6335763B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2018-05-30 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
-
2018
- 2018-02-22 JP JP2018029810A patent/JP6942072B2/ja active Active
- 2018-12-17 KR KR1020180163595A patent/KR102569414B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-25 CN CN201811592104.0A patent/CN110184639B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-09 TW TW108100774A patent/TWI781275B/zh active
- 2019-01-29 US US16/260,153 patent/US10968530B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11152600A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ebara Corp | ウエハのメッキ装置 |
JP2006144120A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及びその方法に用いられるメッキ装置 |
CN103060871A (zh) * | 2007-12-04 | 2013-04-24 | 株式会社荏原制作所 | 电镀装置及电镀方法 |
JP2010095762A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 電気めっき方法 |
US20100212694A1 (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Nexx Systems, Inc. | Wetting a workpiece surface in a fluid-processing system |
TW201333276A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-08-16 | Novellus Systems Inc | 動態電流分布控制設備及晶圓電鍍用方法 |
US20140166492A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Ebara Corporation | Sn ALLOY PLATING APPARATUS AND METHOD |
US20160194780A1 (en) * | 2014-12-26 | 2016-07-07 | Ebara Corporation | Substrate holder, a method for holding a substrate with a substrate holder, and a plating apparatus |
CN106011982A (zh) * | 2015-03-27 | 2016-10-12 | 南茂科技股份有限公司 | 电化学反应设备 |
JP2017043815A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、めっき方法、及び基板ホルダ |
CN106480480A (zh) * | 2015-08-28 | 2017-03-08 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置、镀覆方法、及基板保持器 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113355729A (zh) * | 2020-03-04 | 2021-09-07 | 株式会社荏原制作所 | 镀敷装置及电阻体 |
CN111394758A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-07-10 | 绍兴上虞顺风金属表面处理有限公司 | 一种基于金属表面化处理领域的电镀工艺及设备 |
CN111394758B (zh) * | 2020-05-14 | 2023-11-03 | 绍兴上虞顺风金属表面处理有限公司 | 一种基于金属表面化处理领域的电镀工艺及设备 |
CN116391063A (zh) * | 2022-06-01 | 2023-07-04 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置 |
CN116391063B (zh) * | 2022-06-01 | 2023-11-21 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置 |
CN117545879A (zh) * | 2022-06-27 | 2024-02-09 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置及镀覆方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102569414B1 (ko) | 2023-08-22 |
KR20190101278A (ko) | 2019-08-30 |
US20190256997A1 (en) | 2019-08-22 |
TW201937010A (zh) | 2019-09-16 |
CN110184639B (zh) | 2022-07-26 |
JP2019143217A (ja) | 2019-08-29 |
US10968530B2 (en) | 2021-04-06 |
JP6942072B2 (ja) | 2021-09-29 |
TWI781275B (zh) | 2022-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110184639A (zh) | 电镀装置 | |
US10513795B2 (en) | Plating apparatus, plating method, and substrate holder | |
US11686009B2 (en) | Regulation plate, anode holder, and substrate holder | |
TWI806872B (zh) | 鍍覆裝置及非暫時性電腦可讀存儲介質 | |
JP6937974B1 (ja) | めっき装置、およびめっき方法 | |
JPH07300699A (ja) | マルチ・コンパートメント電気メッキ装置 | |
KR20120070520A (ko) | 전기도금방법 | |
JP2004225129A (ja) | めっき方法及びめっき装置 | |
US20180274116A1 (en) | Plating apparatus and method for determining plating bath configuration | |
TWI805746B (zh) | 鍍覆裝置 | |
JP6815817B2 (ja) | アノードユニットおよび該アノードユニットを備えためっき装置 | |
US6768194B2 (en) | Electrode for electroplating planar structures | |
TWI802798B (zh) | 鍍覆方法、鍍覆裝置、儲存有程式之非揮發性記憶媒體 | |
TWI809415B (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆方法 | |
KR102558706B1 (ko) | 도금 장치, 및 도금 방법 | |
TW202403121A (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |