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CN110140194A - 用于处理薄基板的设备和方法 - Google Patents

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CN110140194A
CN110140194A CN201780081781.3A CN201780081781A CN110140194A CN 110140194 A CN110140194 A CN 110140194A CN 201780081781 A CN201780081781 A CN 201780081781A CN 110140194 A CN110140194 A CN 110140194A
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substrate
rotatable chamber
thin
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基思·A·米勒
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Applied Materials Inc
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Abstract

公开了用于薄基板的处理方法和设备。所述方法和设备旋转薄基板而不使所述薄基板暴露于压力梯度。所述设备和方法可以是用于在所述薄基板的两面上沉积膜的集成系统的一部分。

Description

用于处理薄基板的设备和方法
技术领域
本公开内容大体涉及薄基板的处理，并且更特别地涉及处理在半导体处理中使用的薄基板，诸如用于制造极紫外掩模坯料的薄基板。
背景技术
集成电路的制造包括处理薄基板，并且可以包括厚度在20nm至1000nm的范围内的基板。例如，在可用于制造0.0135微米和更小的最小特征尺寸的半导体器件的极紫外(EUV)光刻(EUVL)(也被称为软x射线投影光刻)中，在集成电路制造期间使用薄膜片。更特定地，在EUVL中，可以重复地使用光掩模(例如，掩模版)来可再现地印刷数千个基板以形成集成电路。典型地，掩模版是玻璃或石英基板，其包括具有多个层的膜堆叠，包括光吸收层和设置在其上的不透明层。在执行光刻工艺时，使用膜片来保护掩模版免受颗粒污染。膜片是薄透明膜，其允许光和辐射从中穿过到达掩模版。膜片是相对便宜的透明柔性片，其在掩模的表面上方伸展而不接触掩模的表面。膜片通过机械地分离颗粒和掩模表面来为颗粒污染提供功能和经济的解决方案。
在EUVL中使用的包含硅的膜片具有约20nm至约1000nm的范围的厚度，例如，在约20nm至约200nm的范围内，更特别地在约20nm至约100nm的范围内，例如在约30nm与约80nm的范围内(例如约50nm)。硅基EUVL膜片吸收EUV辐射，这可能在使用中引起急剧温度升高，因此有时在沉积腔室(诸如物理气相沉积(PVD)腔室)中将涂层施加到膜片。通常涂覆膜片的两面，因此，膜片必须放入沉积腔室中并旋转180度或翻转以在膜片的两面上提供涂层。
需要提供能够在工艺期间旋转薄基板而不损坏或破坏薄基板的设备和方法。
发明内容
本公开内容的一个或多个实施方式针对一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：基板装载口，所述基板装载口被配置为保持薄基板，所述薄基板在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面和与所述第一面相对的第二面以及在约20nm与约1000nm的范围内的所述第一面与所述第二面之间的厚度；可旋转的腔室，所述可旋转的腔室被配置为当所述薄基板放置在所述可旋转的腔室中时旋转所述薄基板，使得薄基板能被取向成使所述薄基板的所述第一面或所述薄基板的所述第二面面向上而不损坏所述薄基板；以及薄基板保持器，所述薄基板保持器在所述可旋转的腔室中，所述薄基板保持器被配置为在所述薄基板旋转期间保持所述薄基板。
另一方面涉及薄基板处理设备，包括：基板装载口，所述基板装载口被配置为保持薄基板，所述薄基板在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面和与所述第一面相对的第二面以及在约20nm与约1000nm的范围内的所述第一面与所述第二面之间的厚度；可旋转的腔室，所述可旋转的腔室被配置为当所述薄基板放置在所述可旋转的腔室中时旋转所述薄基板，使得薄基板能被取向成使所述薄基板的所述第一面或所述薄基板的所述第二面面向上而不损坏所述薄基板；薄基板保持器，所述薄基板保持器在所述可旋转的腔室中，所述薄基板保持器被配置为在所述薄基板旋转期间保持所述薄基板；膜沉积腔室，所述膜沉积腔室被配置为在所述薄基板上沉积膜；以及第一装载臂，所述第一装载臂被配置为以所述第一面面向上的方式从所述基板装载口移除所述薄基板，将所述薄基板放置在所述可旋转的腔室中，从所述可旋转的腔室移除所述薄基板，以及移动所述薄基板以装载在所述膜沉积腔室中来在所述薄基板的所述第一面和所述第二面上沉积薄膜。
本公开内容的另一方面涉及一种制造薄基板的方法，包括：将薄基板装载到可旋转的腔室中，所述薄基板在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面和与所述第一面相对的第二面以及在约20nm与约1000nm的范围内的所述第一面与所述第二面之间的厚度；旋转容纳所述薄基板的所述可旋转的腔室；从所述可旋转的腔室移除所述薄基板，使得所述第一面面向上；将所述薄基板放置在膜沉积腔室中；以及在所述薄基板的所述第一面上沉积膜，其中在旋转所述可旋转的腔室期间所述薄基板不损坏。
附图说明
为了能够详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，可通过参考实施方式获得上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述，实施方式中的一些示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可以允许其它等效实施方式。
图1示出了根据一实施方式的包括基板处理设备的半导体器件生产系统的实施方式。
图2A示出了根据一实施方式的基板处理设备的透视图，其中薄基板正被插入设备中；
图2B示出了根据一实施方式的在薄基板已经插入基板处理设备之后的基板处理设备的透视图；
图3是根据一实施方式的基板处理设备的简化侧视图；
图4A是根据一实施方式的基板处理设备的截面图；
图4B是根据另一实施方式的基板处理设备的截面图；
图5示意性地示出了极紫外光刻系统的实施方式；以及
图6示出了根据一实施方式的过程流程图。
具体实施方式
在描述本公开内容的若干示例性实施方式前，应理解，本公开内容不限于以下描述中阐述的构造或工艺步骤的细节。本公开内容也能够具有其它实施方式并以各种方式实践或实施。
本文所用的术语“水平”定义为平行于掩模坯料的平面或表面的平面，而不管其取向如何。术语“竖直”是指垂直于刚定义的水平的方向。诸如“上方”、“下方”、“底部”、“顶部”、“侧部”(如“侧壁”)、“高部”、“下部”、“上部”、“在……之上”和“在……之下”之类的术语是相对于水平面定义的，如图所示。
术语“在……上”表示元件之间存在直接接触。术语“直接在……上”表示元件之间存在直接接触而没有中间元件。
如本说明书和所附权利要求使用的，术语“前驱物”、“反应物”、“反应气体”及类似术语可互换地使用，以便指称能够与基板表面反应的任何气态物种。
本领域技术人员将理解，使用诸如“第一”和“第二”之类的序数描述工艺区域并不表示处理腔室内的特定位置或处理腔室内的暴露顺序。
公开了用于薄基板的处理方法和设备。一个或多个实施方式中的方法和设备旋转薄基板而不使薄基板暴露于损坏或破坏薄基板的压力梯度。所述设备和方法可以是集成系统的一部分，所述集成系统诸如真空群集工具(例如，可从位于加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司获得的处理平台或处理平台)，用于在薄基板的两面上沉积膜。虽然本公开内容提供了用于处理可在EUV光刻系统中使用的膜片的设备和方法的示例性实施方式，但是应当理解，本文描述的工艺和设备可以用于任何薄基板。因此，本公开内容不限于特定类型的薄基板。
已经发现，在处理薄基板以在基板的两面上提供涂层时，基板的旋转可能具有对薄基板造成损坏的趋势。特别地，如上所述，EUVL中使用的膜片(例如，硅膜片)具有在约20nm至约1000nm范围内的厚度，例如，在约20nm至约200nm的范围内，更特别地，在约20nm和约100nm的范围内，例如在约30nm与约80nm的范围内(例如约50nm)。将在这些厚度范围内的薄基板暴露于超过约10帕斯卡、或约5帕斯卡、或约4帕斯卡或约3帕斯卡或约2帕斯卡的压力梯度足以损坏或破坏薄基板。特别地，将厚度在30nm和80nm范围内的EUV膜片暴露于这些压力梯度可能导致EUV膜片损坏或破坏EUV膜片，使得膜片不能用于EUV光刻系统。
如上所述，存在需要在薄基板的两面上沉积膜的薄基板。可通过循环层沉积(CLD)、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)来沉积膜，这通常在被配置为实现特定类型的沉积工艺的腔室中完成。沉积工艺通常被配置为当基板放置在膜沉积腔室中时仅在基板的一面上沉积膜。因此，如果需要在薄基板的两面上沉积膜，那么需要旋转薄基板。例如，硅基EUVL膜片吸收EUV辐射，这可能在使用中导致温度急剧上升。因此，有时在沉积腔室(诸如PVD、CLD、ALD或CVD腔室)中将涂层或膜施加到膜片。必须将待在两面上涂覆的膜片放入沉积腔室中并旋转180度或翻转以在膜片的两面上提供涂层。
旋转诸如EUV膜片的薄基板(其厚度在约20nm和约1000nm的范围内，例如在约20nm和约200nm的范围内，更特别地在约20nm和约100nm的范围内，例如在约30nm和约80nm的范围内)可能导致EUV膜片损坏、破裂或不可用。膜片在开放气氛中的旋转使EUV膜片暴露于大于薄基板可承受的压力梯度，从而损坏或破坏薄膜片。在开放气氛中旋转薄基板可使薄基板暴露于超过约10帕斯卡、或约5帕斯卡、或约4帕斯卡、或约3帕斯卡或约2帕斯卡的压力梯度。在EUV膜片的厚度在约30nm和80nm范围内的情况下，膜片暴露于超过约2帕斯卡的压力梯度可能会损坏或破坏膜片。现在参考图1至图4A-B，本公开内容的实施方式提供了一种基板处理设备100，其包括适于或被配置为保持薄基板112的基板装载口110。在一实施方式中，薄基板112在暴露于超过约5帕斯卡或超过2帕斯卡的气体压力梯度时易损坏。在一个实施方式中，基板112具有第一面113和与第一面113相对的第二面115，以及在第一面113和第二面115之间的厚度“t”(参见图4A)，所述厚度的范围为约20nm与约1000nm。在特定实施方式中，所述厚度在约20nm和约200nm的范围内，更特别地在约20nm与约100nm的范围内，例如在约30nm与约80nm的范围内。在特定实施方式中，薄基板112是EUV膜片，更特定地，是硅基EUV膜片。
设备100还包括可旋转的腔室120，其适于或被配置为当薄基板112放置在可旋转的腔室120中时旋转薄基板112，使得薄基板112可以被取向成使薄基板112的第一面113或薄基板112的第二面115面向上而不损坏薄基板112。图1至图4A-4B示出了可旋转的腔室的示例，其适于或被配置为当薄基板112放置在可旋转的腔室中时旋转薄基板112，并且包括马达122和直接耦接到可旋转的腔室120的轴124，使得可旋转的腔室120可以绕轴124的轴线旋转，如箭头123所示。可旋转的腔室120可以如图1和3所示在一个方向上绕轴线旋转，或替代地如图4A和4B中箭头125所示在两个方向上旋转。可旋转的腔室120可被配置为或适于在薄基板112放置在腔室中时以其它方式(例如，通过具有直接驱动可旋转的腔室120上的互补齿轮的齿轮的马达)旋转薄基板112。马达122可以是任何合适的马达，诸如交流马达或直流马达。可旋转的腔室还可以适于或被配置为通过耦接到可旋转的腔室120的气动或液压可旋转轴旋转。
参考图3，可旋转的腔室120、轴124和马达122(或用于旋转可旋转的腔室120的其它合适的驱动机构)可以安装到合适的台架128。参考图4A和4B，设备100进一步包括在可旋转的腔室120中的薄基板保持器130，其被配置为或适于在薄基板112旋转期间保持薄基板112。
在图4A和4B中更详细地示出了被配置为或适于保持薄基板112的基板保持器130的非限制性示例。如图4A所示，薄基板保持器130包括一对夹持构件132、134，该对夹持构件可包括弹簧136、136，该对夹持构件132、134被配置为在薄基板112的相对边缘112a、112b处保持薄基板。夹持构件132、134可以沿箭头135所示的方向移动。夹持构件132、134可通过马达、气动控制、液压控制或手动致动来自动控制，以在箭头135的方向上移动夹持构件132、134来实现将薄基板112夹持并固定在可旋转的腔室120中以及在要从可旋转的腔室120移除薄基板112时释放薄基板112。因此，图4A提供了一对夹持构件132、134，其被配置为或适于从薄基板112的相对边缘112a、112b接合薄基板112。图4B示出了一对夹持构件142、144的实施方式，该对夹紧构件适于或被配置为从第一面113和第二面115接合薄基板112。特别地，夹持构件142、144包括下搁架146和上把手148，两者都可以在箭头145指示的方向上移动。因此，在将薄基板112装载到搁架146上时，可致动上把手148以向下移动以接合薄基板的边缘112a、112b。上把手148和下搁架146可以独立地致动。上把手148和下搁架146可通过马达、气动控制、液压控制或手动致动来自动控制，以沿箭头145的方向移动上把手148和下搁架146来实现将薄基板112夹持和固定在可旋转的腔室120内以及在要从可旋转的腔室120移除薄基板112时释放薄基板112。
参考图2A和2B，可旋转的腔室120还可包括门121，门121可沿箭头127的方向移动以打开和关闭腔室。图2A示出了处于打开位置的可旋转的腔室120门121，其中薄基板112在装载在可旋转的腔室120中时第一面113面向上。可通过使用叶片、刮刀手动装载薄基板112或通过可沿箭头133的方向移动的其它合适的装置(诸如机器人臂或终端受动器的叶片131)来实现装载，以从可旋转的腔室120装载和卸载薄基板112。
返回参考图1，基板处理设备100还可包括基板装载口110，其适于或被配置为保持薄基板112。适于或被配置为保持薄基板的装载口具有一定尺寸和形状以将薄基板112保持就位来装载和卸载到可旋转的腔室120中。设备100还包括装载锁定腔室150和第一装载臂152，第一装载臂152适于或被配置为以第一面113面向上的方式从装载口110移除薄基板112，将薄基板112放置在可旋转的腔室120中，从可旋转的腔室120移除薄基板112，以及将薄基板112移动到装载锁定腔室150。如上最近所述的适于或被配置为移动基板的第一装载臂152可以机器人的形式包括在工厂接口160内，其具有可在装载口110、可旋转的腔室120和装载锁定腔室150之间移动薄基板112的终端受动器或叶片131。第一装载臂152能够将薄基板112从装载口110通过工厂接口160传送到可旋转的腔室120及传送到装载锁定腔室150。第一装载臂152还能够将晶片从装载锁定腔室150通过工厂接口160传送到具有载体的载体装载口161，载体可用于将薄基板112运输到装载锁定腔室中。如本领域技术人员将理解的，工厂接口160可具有机器人臂形式的多个装载臂。例如，工厂接口160可具有：机器人臂形式的第一装载臂152，其在装载口110与可旋转的腔室之间传送晶片；以及机器人臂形式的第二装载臂，其在可旋转的腔室120与载体装载口161之间传送晶片。机器人臂形式的合适的装载臂的示例是可从应用材料公司获得的基板传送机器人。
仍然参考图1，可旋转的腔室120可集成到包括与装载锁定腔室150连通的至少一个膜沉积腔室170的系统中，膜沉积腔室170适于或被配置为在薄基板112上沉积膜。适于或被配置为在薄基板112上沉积薄膜的膜沉积腔室170可以是PVD、CLD、ALD或CVD腔室。在一实施方式中，装载锁定腔室150耦接到传送腔室172并便于薄基板112在工厂接口160的基本环境气氛与传送腔室172的真空环境之间通过。在一实施方式中，装载锁定腔室150通过狭缝阀(未示出)选择性地与工厂接口160和传送腔室172隔离。在一实施方式中，气氛控制系统174耦接到装载锁定腔室150，以在薄基板112经由装载锁定腔室150在工厂接口160与传送腔室172之间传送时抽空装载锁定腔室150的内部容积及使其通风。在一实施方式中，设备100还包括第二装载臂178，第二装载臂178被配置为将薄基板从装载锁定腔室150移动到传送腔室172和膜沉积腔室102以及从膜沉积腔室170移动到传送腔室172和装载锁定腔室150。合适的装载臂的示例是机器人臂的形式，如可从应用材料公司获得的基板传送机器人。附加的基板处理腔室180、182、184可在基板上执行各种沉积、蚀刻和清洁工艺。
因此，本公开内容的实施方式涉及薄基板处理设备100，其包括：基板装载口110，该基板装载口110被配置为保持薄基板112，该薄基板112在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面113和与第一面113相对的第二面115以及在约20nm至约1000nm的范围内的第一面与第二面之间的厚度；可旋转的腔室120，该可旋转的腔室120被配置为当薄基板放置在可旋转的腔室120中时旋转薄基板，使得薄基板112可被取向成使薄基板的第一面113或薄基板的第二面115面向上而不损坏薄基板112；以及薄基板保持器130，该薄基板保持器130在可旋转的腔室120中，被配置为在薄基板旋转期间保持薄基板。该实施方式中的设备包括：膜沉积腔室170，该膜沉积腔室170被配置为在薄基板112上沉积膜；以及第一装载臂152，该第一装载臂152被配置为以第一面113面向上的方式从装载口110移除薄基板112，将薄基板112放置在可旋转的腔室120中，从可旋转的腔室移除薄基板112，以及移动薄基板112以装载在膜沉积腔室170中来在薄基板的第一面113和第二面115上沉积薄膜。
在一实施方式中，薄基板处理设备可包括位于可旋转的腔室120和膜沉积腔室170之间的装载锁定腔室150，使得第一装载臂152被配置为使薄基板在装载于膜沉积腔室170中之前从可旋转的腔室120移动到装载锁定腔室150。因此，薄基板处理设备100还可包括第二装载臂168，第二装载臂168被配置为使薄基板112从装载锁定腔室150移动到膜沉积腔室170以及从膜沉积腔室移动到装载锁定腔室150。在该实施方式中，薄基板112典型地在由第一装载臂152从载体装载口161取回的载体162上。在一实施方式中，可旋转的腔室120被配置为防止薄基板112在旋转期间暴露于小于约2帕斯卡的压力梯度。
现在参考图5，示出了使用在设备100中生产的膜片的极紫外光刻系统500的示例性实施方式。极紫外光刻系统500包括用于产生极紫外光512的极紫外光源502、一组反射元件和目标晶片510。反射元件包括聚光器504、具有带框架509的膜片507的EUV反射掩模506、光学缩小组件108、掩模坯料、镜或它们的组合。为了清楚起见，膜片507被示出为与EUV反射掩模506分离，但是在使用中，膜片507在EUV反射掩模506上方伸展并被放置成紧邻但不接触EUV反射掩模506。膜片507将颗粒与EUV反射掩模506机械地分离。
极紫外光源502产生极紫外光512。极紫外光512是波长在5到50纳米(nm)范围内的电磁辐射。例如，极紫外光源502包括激光器、激光产生的等离子体、放电产生的等离子体、自由电子激光器、同步辐射或它们的组合。
在一个实施方式中，极紫外光源502产生具有各种特性的极紫外光512。极紫外光源502产生在一定波长范围内的宽带极紫外辐射。例如，极紫外光源502产生波长范围为5nm至50nm的极紫外光512。
在一个或多个实施方式中，远紫外光源502产生具有窄带宽的极紫外光512。例如，极紫外光源502产生13.5nm的极紫外光512。波长峰值的中心为13.5nm。聚光器504是用于反射和聚焦极紫外光512的光学单元。聚光器504反射并聚集来自极紫外光源502的极紫外光512以照射EUV反射掩模506。
虽然聚光器504被示出为单个元件，但是应理解，聚光器504可包括一个或多个反射元件，诸如凹面镜、凸面镜、平面镜或它们的组合，以用于反射和聚集极紫外光512。例如，聚光器504可以是单个凹面镜或具有凸面、凹面和平面光学元件的光学组件。
EUV反射掩模506是具有掩模图案514的极紫外反射元件。EUV反射掩模506产生或印刷光刻图案以形成要在目标晶片510上形成的电路布局。EUV反射掩模506反射极紫外光512。掩模图案514限定电路布局的一部分。
光学缩小组件508是用于缩小掩模图案514的图像的光学单元。来自EUV反射掩模506的极紫外光512的反射被光学缩小组件508缩小并反射到目标晶片510上。光学缩小组件508可包括镜和其它光学元件，以缩小掩模图案514的图像的尺寸。例如，光学缩小组件508可包括用于反射和聚焦远紫外光512的凹面镜。
在操作中，光学缩小组件508缩小目标晶片510上的掩模图案514的图像的尺寸。例如，掩模图案514可通过光学缩小组件508以4:1的比率在目标晶片510上成像以在目标晶片510上形成由掩模图案514表示的电路。极紫外光512可与目标晶片510同步地扫描EUV反射掩模506，以在目标晶片510上形成掩模图案514。
本公开内容的另一方面涉及一种制造薄基板的方法，所述方法包括：将薄基板装载到可旋转的腔室中，所述薄基板在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面和与所述第一面相对的第二面以及在约20nm与约1000nm的范围内的第一面与第二面之间的厚度；然后，旋转容纳薄基板的可旋转的腔室；从可旋转的腔室移除薄基板，使得第一面面向上；将薄基板放置在膜沉积腔室中；以及在薄基板的第一面上沉积膜，其中在旋转可旋转的腔室期间薄基板不损坏。
根据一个或多个实施方式的方法可包括：从沉积腔室移除在第一面上具有膜的薄基板；以第一面面向上的方式将薄基板装载到可旋转的腔室中；旋转腔室，使得薄基板的第二面面向上；从可旋转的腔室移除薄基板，使得第一面面向上；以第二面面向上的方式将薄基板放置在膜沉积腔室中；以及在薄基板的第二面上沉积膜，其中在旋转可旋转的腔室期间薄基板不损坏。在一个或多个实施方式中，薄基板在旋转期间不暴露于超过约5帕斯卡的压力梯度。在一个或多个实施方式中，薄基板在旋转期间不暴露于超过约2帕斯卡的压力梯度。
该方法还可包括在旋转可旋转的腔室之前用一对夹具将薄基板固定在可旋转的腔室中。在一个或多个实施方式中，薄基板是厚度在约20nm与100nm范围内的极紫外膜片，例如，厚度在30nm与80nm范围内的极紫外膜片。在所述方法的一个实施方式中，膜沉积腔室是物理气相沉积腔室。在一个实施方式中，膜沉积腔室在膜片上沉积钌或金膜。
图6提供了根据一个或多个实施方式的示例性过程的流程图。在步骤610中，诸如机器人臂的装载臂将载体上的第一面面向上的膜片装载到诸如膜沉积腔室(例如沉积诸如钌或金膜之类的膜的PVD或CVD腔室)之类的处理腔室。在步骤612中，膜沉积在膜片的第一面上。在步骤614中，诸如机器人臂的装载臂从处理腔室移除载体上的膜片，并且在步骤616中，诸如机器人臂的装载臂以第一面面向上的方式将膜片装载到可旋转的腔室中。在步骤618中，可旋转的腔室旋转约180度，并且在步骤620中，诸如机器人臂的装载臂从可旋转的腔室移除膜片并以第二面面向上的方式将膜片放置在载体上。在步骤622中，诸如机器人臂的装载臂将载体上的第二面面向上的膜片装载到处理腔室中，并且在步骤624中，将膜沉积在膜片的第二面上。在步骤626中，诸如机器人臂的装载臂从处理腔室移除膜片和载体，从而提供在第一面和第二面上具有膜或涂层的膜片。膜片经得住处理，因为在膜片在可旋转的腔室中旋转期间，膜片未暴露于大于约10帕斯卡、大于约5帕斯卡、大于约4帕斯卡或大于约2帕斯卡的压力梯度。
因此，本公开内容的一个或多个实施方式提供了提供在处理期间避免或防止对薄基板的损坏的有利效果的设备和方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了在处理薄基板(诸如EUV膜片)期间提供避免或防止薄基板破裂的有利效果的设备和方法。特别地，所述方法和设备的实施方式提供了如下有利效果，即，这种薄基板和膜片可以在膜沉积设备中处理，使得基板的两面可以在如本文所述的膜沉积腔室中涂覆膜。根据所述方法和设备的一个或多个实施方式的另一个有利效果是在EUV掩模版和EUV光刻系统的制造中提高了生产率并减少了损耗部分和生产时间。
在本说明书全文中提到“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一个或多个实施方式”或“一实施方式”表示结合实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开内容的至少一个实施方式中。因此，本说明书全文各处出现的诸如“在一个或多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在一实施方式中”的短语不一定指本公开内容的同一个实施方式。此外，特定特征、结构、材料或特性可以任何合适的方式结合在一个或多个实施方式中。
虽然本公开内容在本文中已参考特定实施方式来描述，但应理解，这些实施方式仅说明了本公开内容的原理和应用。本领域技术人员将清楚，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，可以对本公开内容的方法和设备进行各种修改和变化。因此，本公开内容旨在包括在所附权利要求书及其等同物的范围内的修改和变化。

Claims (15)

1.一种基板处理设备，包括：
基板装载口，所述基板装载口被配置为保持薄基板，所述薄基板在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面和与所述第一面相对的第二面以及在约20nm与约1000nm的范围内的所述第一面与所述第二面之间的厚度；
可旋转的腔室，所述可旋转的腔室被配置为当所述薄基板放置在所述可旋转的腔室中时旋转所述薄基板，使得薄基板能被取向成使所述薄基板的所述第一面或所述薄基板的所述第二面面向上而不损坏所述薄基板；以及
薄基板保持器，所述薄基板保持器在所述可旋转的腔室中，所述薄基板保持器被配置为在所述薄基板旋转期间保持所述薄基板。
2.如权利要求1所述的基板处理设备，所述薄基板保持器包括一对夹持构件，所述一对夹持构件被配置为在所述薄基板的相对边缘处保持所述薄基板。
3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中一对夹持构件被配置为从所述第一面和所述第二面接合所述薄基板。
4.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述一对夹持构件被配置为从所述薄基板的相对边缘接合所述薄基板。
5.如权利要求1所述的基板处理设备，进一步包括：
装载口；
装载锁定腔室；
第一装载臂，所述第一装载臂被配置为以所述第一面面向上的方式从所述装载口移除所述薄基板，将所述薄基板放置在所述可旋转的腔室中，从所述可旋转的腔室移除所述薄基板，以及将所述薄基板移动到所述装载锁定腔室；以及
膜沉积腔室，所述膜沉积腔室与所述装载锁定腔室连通，所述膜沉积腔室被配置为在所述薄基板上沉积膜。
6.如权利要求5所述的基板处理设备，其中所述膜沉积腔室包括物理气相沉积腔室。
7.如权利要求5所述的基板处理设备，进一步包括第二装载臂，所述第二装载臂被配置为将所述薄基板从所述装载锁定腔室移动到所述膜沉积腔室以及从所述膜沉积腔室移动到所述装载锁定腔室。
8.一种薄基板处理设备，包括：
基板装载口，所述基板装载口被配置为保持薄基板，所述薄基板在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面和与所述第一面相对的第二面以及在约20nm与约1000nm的范围内的所述第一面与所述第二面之间的厚度；
可旋转的腔室，所述可旋转的腔室被配置为当所述薄基板放置在所述可旋转的腔室中时旋转所述薄基板，使得薄基板能被取向成使所述薄基板的所述第一面或所述薄基板的所述第二面面向上而不损坏所述薄基板；
薄基板保持器，所述薄基板保持器在所述可旋转的腔室中，所述薄基板保持器被配置为在所述薄基板旋转期间保持所述薄基板；
膜沉积腔室，所述膜沉积腔室被配置为在所述薄基板上沉积膜；以及
第一装载臂，所述第一装载臂被配置为以所述第一面面向上的方式从所述基板装载口移除所述薄基板，将所述薄基板放置在所述可旋转的腔室中，从所述可旋转的腔室移除所述薄基板，以及移动所述薄基板以装载在所述膜沉积腔室中来在所述薄基板的所述第一面和所述第二面上沉积薄膜。
9.如权利要求8所述的薄基板处理设备，进一步包括定位在所述可旋转的腔室与所述膜沉积腔室之间的装载锁，使得所述第一装载臂被配置为在将所述薄基板装载在所述膜沉积腔室中之前将所述薄基板从所述可旋转的腔室移动到装载锁定腔室。
10.如权利要求9所述的薄基板处理设备，进一步包括第二装载臂，所述第二装载臂被配置为将所述薄基板从所述装载锁定腔室移动到所述膜沉积腔室以及从所述膜沉积腔室移动到所述装载锁定腔室。
11.如权利要求10所述的薄基板处理设备，其中所述可旋转的腔室被配置为防止所述薄基板暴露于小于约2帕斯卡的压力梯度。
12.一种制造薄基板的方法，包括：
将薄基板装载到可旋转的腔室中，所述薄基板在暴露于超过约5帕斯卡的气体压力梯度时易损坏，并且具有第一面和与所述第一面相对的第二面以及在约20nm与约1000nm的范围内的所述第一面与所述第二面之间的厚度；
旋转容纳所述薄基板的所述可旋转的腔室；
从所述可旋转的腔室移除所述薄基板，使得所述第一面面向上；
将所述薄基板放置在膜沉积腔室中；以及
在所述薄基板的所述第一面上沉积膜，其中在旋转所述可旋转的腔室期间所述薄基板不损坏。
13.如权利要求12所述的方法，进一步包括：
从所述膜沉积腔室移除在所述第一面上具有所述膜的所述薄基板；
以所述第一面面向上的方式将所述薄基板装载到所述可旋转的腔室中；
旋转所述可旋转的腔室，使得所述薄基板的所述第二面面向上；
从所述可旋转的腔室移除所述薄基板，使得所述第一面面向上；
以所述第二面面向上的方式将所述薄基板放置在所述膜沉积腔室中；以及
在所述薄基板的所述第二面上沉积膜，其中在旋转所述可旋转的腔室期间所述薄基板不损坏。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述薄基板在旋转期间不暴露于超过约5帕斯卡的压力梯度。
15.如权利要求12所述的方法，其中所述薄基板是极紫外膜片，其厚度在约20nm与100nm的范围内。
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