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CN110103134A - 晶片加工方法 - Google Patents

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Publication number
CN110103134A
CN110103134A CN201910397048.3A CN201910397048A CN110103134A CN 110103134 A CN110103134 A CN 110103134A CN 201910397048 A CN201910397048 A CN 201910397048A CN 110103134 A CN110103134 A CN 110103134A
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CN
China
Prior art keywords
chip
processing method
wafer
wafer processing
milled processed
Prior art date
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Pending
Application number
CN201910397048.3A
Other languages
English (en)
Inventor
李小菊
刘青健
侯书超
姜威
谢秀芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shantou Special Cooperation Zone Ying Dali Electronic Technology Co Ltd
Yingdali Electronics Co Ltd
Original Assignee
Shantou Special Cooperation Zone Ying Dali Electronic Technology Co Ltd
Yingdali Electronics Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶片加工方法，本发明的加工方法中晶片相对于研磨装置活动自由度更大，使得每部分被研磨的机会更平均，最后导致晶片的厚薄更均一，良品率更高。另外本发明采取批量加工，批量生产，大大提升了效率。再有本发明仅仅是加工材料形状的简单变化，机器设备都未发生任何变化，因此操作简单，也无需额外的改造成本，十分经济实惠。

Description

晶片加工方法
技术领域
本发明属于材料加工领域，具体涉及一种晶片的加工方法。
背景技术
现在很多元器件的基础材料都涉及到研磨加工，最终目的是使得材料厚度均匀，满足使用需求。
例如石英晶体谐振器和振荡器由于其频率的准确性及稳定性、出色的可靠性、小体积以及低成本等特点，在现代电子行业如通讯、电脑、娱乐设备、工业控制及其它我们所涉及的领域中都是一种不可缺少的非常重要的电子元器件。为了保持产品具有极小的寄生频率，要求石英晶体谐振器和振荡器中的石英晶片厚度的一致性要尽量好。
到目前为止，控制晶片厚度的关键工序之一是在研磨工序，一般是将长方形的晶片放入上下磨盘之间的游星轮中的孔中，然后游星轮带着其中的晶片在上下磨盘之间旋转，将晶片越磨越薄，频率越来越高。
在石英晶体的厚度切变振荡模式中，晶片的谐振频率和晶片的厚度有以下公式：
F＝1.67/t (公式一)
t代表厚度，单位mm，F代表谐振频率，单位MHz，此谐振频率通常在1MHz～200MHz之间。从以上公式可知，晶片的谐振频率F和晶片的厚度t成线性反比。
在此情况下，迫切需要能够提供一种简单易行的生产技术，以便运用现有材料生产厚度一致性更好的晶片。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶片加工方法，以解决现有的加工方法加工的晶片厚薄不够均匀，导致良品率低的技术问题。
为了解决上述问题本发明提供了一种晶片加工方法，包含如下步骤：
将方形晶片的四个直角进行切割处理，除去所述方形晶片的四个直角；
将经所述切割处理后的晶片进行研磨处理，所述晶片在研磨处理过程中可研磨平面上自由移动；
对经所述研磨处理后的所述晶片进行筛选处理。
优选地，所述经切割处理后的晶片的四个角为圆弧状。
优选地，所述晶片的材料包括石英、陶瓷、玻璃中的任意一种。
优选地，所述加工方法还包括将方形晶片对齐叠放在一起，并固定处理。
进一步优选地，所述固定处理包括采用溶胶固定处理。
优选地，所述研磨处理是在研研磨机和游星轮中进行。
优选地，所述加工方法还包括：
将筛选出的晶片进行进一步加工处理。
进一步优选地，所述进一步加工处理的方法包括切割、打磨、刻蚀中的一种或多种组合。
与现有技术相比本发明的加工方法中晶片相对于研磨装置活动自由度更大，使得每部分被研磨的机会更平均，最后导致晶片的厚薄更均一，良品率更高。另外本发明采取批量加工，批量生产，大大提升了效率。再有本发明仅仅是加工材料形状的简单变化，机器设备都未发生任何变化，因此操作简单，也无需额外的改造成本，十分经济实惠。
附图说明
图1为本发明实施例所述的晶片加工方法的流程示意图；
图2为本发明实施例所述的晶片加工方法的优选流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种晶片加工方法，如图1所示主要包括：
S02：将方形晶片的四个直角进行切割处理，除去所述方形晶片的四个直角；
S03：将经所述切割处理后的晶片进行研磨处理，所述晶片在研磨处理过程中可研磨平面上自由移动；
S04：对经所述研磨处理后的所述晶片进行筛选处理。
本发明的加工方法并不需要对机器设备有任何改变，仅仅将所要加工的材料的形态做了简单地切割处理，所以不需要有任何的机器改造成本，和人工培训成本；但是这一点改变，可以使得所要加工的晶片运动自由度大大增加，使得晶片各个部位受到研磨处理的机会均等，技术效果是，晶片厚度的一致性得到了很大的改善。所述晶片加工方法，如图2所示在原有的晶片加工方法上优化后的方法包含如下步骤：
S01：将方形晶片对齐叠放在一起，并固定处理；
在一实施例中，所述固定处理包括采用溶胶固定处理。可以采用溶胶对晶片进行固定，也可以采取其他手段吗，如采用工具将晶片卡住。
在另一实施例中，所述晶片的材料包括石英、陶瓷、玻璃中的任意一种。本发明的加工方法可以应用于多种材料，这里仅仅举几个例子，并不对保护范围做限定。只要是需要机器研磨达到厚度一致效果的材料均可采用此方法加工。
S02：将方形晶片的四个直角进行切割处理，除去所述方形晶片的四个直角；
去掉四个直角后晶片将变得更加圆滑，之前只能在很小范围内滑动，或者左右移动。而加工后的晶片可以带有绕自身中心旋转加滑动等多种运动形式，因此具有更高的运动自由度。
在一实施例中，所述经切割处理后的晶片的四个角为圆弧状。此形状的晶片的更圆滑，因此在碰撞中运动的改变幅度小，运动的连续性更好，在后续的研磨中更加均匀。
S03：将经所述切割处理后的晶片进行研磨处理，所述晶片在研磨处理过程中可研磨平面上自由移动；
研磨平面指的是加工槽内部优先的空间的平面，但是此平面并不固定，因为加工槽可以相对研磨装置移动，而晶片则可以在加工槽有限的空间内自由移动。整体上晶片的运动范围是一个环形带状，但其运动轨迹可以是旋转加滑动，或者其他复杂的运动组合。运动范围的大大增加，使得晶片各部位受到研磨的机会均等，达到晶片厚度均匀的效果。
在一实施例中，所述研磨处理是在研研磨机和游星轮中进行。
S04：对经所述研磨处理后的所述晶片进行筛选处理。
筛选处理前还需对晶片进行必要的清洗处理，除去可能有的溶胶和必然有得加工粉尘。清洗完毕晾干后即可进行测量，筛选出符合标准的晶片，进行之后的处理或应用。
S05：将筛选出的晶片进行进一步加工处理。
在一实施例中，所述进一步加工处理的方法包括切割、打磨、刻蚀中的一种或多种组合。经过研磨处理的晶片的大小和形状都不符合应用场景。经过这些处理后的晶片就可以作为零部件投入使用了。

Claims (8)

1.一种晶片加工方法，其特征在于，包含如下步骤：
将方形晶片的四个直角进行切割处理，除去所述方形晶片的四个直角；
将经所述切割处理后的晶片进行研磨处理，所述晶片在研磨处理过程中可研磨平面上自由移动；
对经所述研磨处理后的所述晶片进行筛选处理。
2.如权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于：所述经切割处理后的晶片的四个角为圆弧状。
3.如权利要求1或2所述的晶片加工方法，其特征在于：所述晶片的材料包括石英、陶瓷、玻璃中的任意一种。
4.如权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于：所述加工方法还包括将方形晶片对齐叠放在一起，并固定处理。
5.如权利要求4所述的晶片加工方法，其特征在于：所述固定处理包括采用溶胶固定处理。
6.如权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于：所述研磨处理是在研研磨机和游星轮中进行。
7.如权利要求1或2所述的晶片加工方法，其特征在于：所述加工方法还包括：
将筛选出的晶片进行进一步加工处理。
8.如权利要求7所述的晶片加工方法，其特征在于：所述进一步加工处理的方法包括切割、打磨、刻蚀中的一种或多种组合。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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