CN110034128B - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents
显示装置及其驱动方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110034128B CN110034128B CN201910236879.2A CN201910236879A CN110034128B CN 110034128 B CN110034128 B CN 110034128B CN 201910236879 A CN201910236879 A CN 201910236879A CN 110034128 B CN110034128 B CN 110034128B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display area
- light
- camera module
- display
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011120 plywood Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/73—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/75—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing optical camera components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/471—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having different architectures, e.g. having both top-gate and bottom-gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
本申请提出了一种显示装置及其驱动方法,该显示装置包括显示屏、壳体以及设置于该显示屏与该壳体之间的摄像模组;该显示屏包括第一显示区和第二显示区,该摄像模组在该显示屏上的正投影位于该第一显示区内;该第一显示区内的膜层结构由透明材料构成。本申请通过将显示屏中与摄像模组所对应的第一显示区设置为可控区,当摄像模组工作时,第一显示区透光。当摄像模组关闭时,第一显示区正常显示,进而提高了显示装置的屏占比。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示装置及其驱动方法。
背景技术
随着科技发展以及人们对产品要求的提高,具有高屏占比的全面屏产品成为智能手机备受期待的发展潮流。
前置摄像头的存在大大降低了产品的屏占比。前置摄像头需要在显示屏中留出一个用于光线通过的透明区域,显示屏在此透明区域无法显示图像,故降低了屏幕了屏占比。
本申请基于此技术问题,提出了下列技术方案。
发明内容
本申请提供了一种显示装置及其驱动方法,以解决现有显示装置屏占比较低的问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提出了一种显示装置,包括显示屏、壳体以及设置于所述显示屏与所述壳体之间的摄像模组;
所述显示屏包括第一显示区和第二显示区,所述摄像模组在所述显示屏上的正投影位于所述第一显示区内;
所述第一显示区内的膜层结构由透明材料构成。
在本申请的显示装置中,
所述第一显示区内设置有第一衬底、位于所述第一衬底上的第一薄膜晶体管单元,所述第二显示区内设置有第二衬底和位于所述第二衬底上的第二薄膜晶体管单元;
所述第一薄膜晶体管单元的结构与所述第二薄膜晶体管单元的结构不相同,所述第一衬底由透明材料构成。
在本申请的显示装置中,
所述第一薄膜晶体管单元包括位于所述第一衬底上的第一有源层,所述第一有源层包括铟镓锌氧化物;
所述第二薄膜晶体管单元包括位于所述第二衬底上的第二有源层,所述第二有源层包括低温多晶硅。
在本申请的显示装置中,
所述显示装置还包括主控制系统;
当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的摄像信号时,位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于不发光状态;
当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的显示信号时,位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于发光状态。
在本申请的显示装置中,
所述摄像模组包括一开合板;
所述开合板靠近所述显示屏的表面由反射材料构成;
当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的摄像信号时,所述摄像模组接收到所述主控制系统发出的第一电信号,所述开合板打开,所述摄像模组接收到所述第一显示区射入的外界光;
当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的显示信号时,所述摄像模组接收到所述主控制系统发出的第二电信号,所述开合板闭合,所述摄像模组反射所述第一发光器件单元发出的光线。
在本申请的显示装置中,
所述第一显示区为正方形、长方形或椭圆形中的一者。
本申请还提出了一种显示装置的驱动方法,其包括步骤:
S10、接收所述显示装置第一显示区发出的摄像信号,向摄像模组输出第一电信号;
S20、所述摄像模组通过所述第一电信号驱动所述摄像模组的开合板处于打开状态、及位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于不发光状态;
S30、接收所述显示装置第一显示区发出的显示信号,向摄像模组输出第二电信号;
S40、所述摄像模组通过所述第二电信号驱动所述摄像模组的开合板处于关闭状态、及位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于发光状态。
在申请的驱动方法中,步骤S20包括:
S201、所述摄像模组通过所述第一电信号输出第一开关信号和第一发光信号;
S202、所述第一开关信号使所述开合板处于打开状态;
S203、所述第一发光信号使所述第一发光器件单元处于不发光状态,外界光穿透所述第一发光器件单元进入所述摄像模组。
在申请的驱动方法中,步骤S40包括:
S401、所述摄像模组通过所述第二电信号输出第二开关信号和第二发光信号;
S402、所述第二开关信号使所述开合板处于闭合状态;
S403、所述第二发光信号使所述第一发光器件单元处于发光状态,所述第一发光器件单元发出的光线经过所述开合板反射至外界;
其中,所述开合板靠近所述显示屏的表面由反射材料构成。
在申请的驱动方法中,
所述第一显示区内设置有第一衬底、位于所述第一衬底上的第一有源层,所述第一有源层包括铟镓锌氧化物。
有益效果:本申请提出了一种显示装置及其驱动方法,该显示装置包括显示屏、壳体以及设置于该显示屏与该壳体之间的摄像模组;该显示屏包括第一显示区和第二显示区,该摄像模组在该显示屏上的正投影位于该第一显示区内;该第一显示区内的膜层结构由透明材料构成。本申请通过将显示屏中与摄像模组所对应的第一显示区设置为可控区,当摄像模组工作时,第一显示区透光。当摄像模组关闭时,第一显示区正常显示,进而提高了显示装置的屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示装置剖视图;
图2为本申请显示装置中显示屏的平面结构图;
图3为图2中截面AA的剖面图;
图4为本申请显示装置中摄像模组处于工作状态的示意图。
图5为本申请显示装置中摄像模组处于非工作状态的示意图。
图6为本申请显示装置驱动方法的步骤图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1,图1为本申请显示装置100剖视图。
所述显示装置100包括显示屏200、壳体300以及设置于所述显示屏200与所述壳体300之间的摄像模组400。
在本实施例中,所述摄像模组400可以包括摄像头。
请参阅图2,图2为本申请显示装置中显示屏的平面结构图。
所述显示屏200包括显示区域500以及设置在所述显示区域500外围的非显示区域600,所述显示区域500内设置有多个阵列分布的像素。
所述显示区域500包括第一显示区10和第二显示区20。
在本实施例中,所述第一显示区10的半径可以为1~3毫米。
所述摄像模组400在所述显示屏200上的正投影位于所述第一显示区10内。在本申请的实施例中,所述第一显示区10内的膜层结构由透明材料构成。
请参阅图3,图3为图2中截面AA的剖面图。
所述第一显示区10内设置有第一衬底11、位于所述第一衬底11上的第一薄膜晶体管单元12、位于所述第一薄膜晶体管单元12上的第一发光器件单元13、及位于所述第一发光器件单元13上的第一封装层14。
所述第二显示区20内设置有第二衬底21、位于所述第二衬底21上的第二薄膜晶体管单元22、位于所述第二薄膜晶体管单元22上的第二发光器件单元23、及位于所述第二发光器件单元23上的第二封装层24。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12的结构与所述第二薄膜晶体管单元22的结构不相同。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12为IGZO薄膜晶体管。所述第二薄膜晶体管单元22为LTPS薄膜晶体管。
所述第一薄膜晶体管单元12包括位于所述第一衬底11上的第一栅极层121、位于所述第一栅极层121上的第一栅绝缘层122、位于所述第一栅绝缘层122上的第一有源层123、位于所述第一有源层123上的第一源漏极层124、位于所述第一源漏极层124上的第一间绝缘层125。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12内的膜层结构由透明材料构成。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12的厚度可以为5~20微米。
在本实施例中,所述第一衬底11由透明材料构成。所述第一衬底11的材料可以包括透明聚酰亚胺。
在本实施例中,所述第一衬底11的半径可以为1~3毫米。
在本实施例中,所述第一有源层123可以为铟镓锌氧化物。
在本实施例中,所述第一发光器件单元13可以包括第一阳极131、第一发光单元132和第一阴极133,所述第一阳极131和所述第一阴极133均采用透明材料制备。
本申请在第一显示区10内通过采用透明电极替代传统的金属反射电极,将传统可见光波段不完全透明的聚酰亚胺材料替换为可见光波段完全透明的衬底材料,能够实现第一显示区10中像素的透明化。
在本实施例中,所述第一阳极131和所述第一阴极133的尺寸可以为5~20微米。
在本实施例中,所述第一封装层14由透明材料构成。
请参阅图3,所述第二薄膜晶体管单元22包括位于所述第二衬底21上的第二栅极层221、位于所述第二栅极层221上的第二栅绝缘层222、位于所述第二栅绝缘层222上的第二有源层223、位于所述第二有源层223上的第二间绝缘层224、位于所述第二间绝缘层224上的第二源漏极层225、位于所述第二源漏极层225上的第二平坦层226。
在本实施例中,所述第二有源层223可以为低温多晶硅。
在本实施例中,所述第一衬底11和所述第二衬底21的厚度相同。
在本实施例中,所述第二薄膜晶体管单元22的材料可以由非透明材料构成。
由于IGZO薄膜晶体管相较于LTPS薄膜晶体管,其电子迁移率较低,为了提高显示装置100的工作效率,本申请仅将于摄像模组400相对应的第一显示区10内的薄膜晶体管设置为IGZO薄膜晶体管。
在本实施例中,所述第二发光器件单元23包括第二阳极231、第二发光单元232和第二阴极233。所述第二阳极231及所述第二阴极233的金属材料可以由常规材料构成,由全反射和半反射材料形成微腔效应。
请参阅图4,图4为本申请显示装置100中的摄像模组400处于工作状态时的示意图。
请参阅图5,图5为本申请显示装置100中的摄像模组400处于非工作状态时的示意图。
所述摄像模组400包括一开合板401。所述开合板401靠近所述显示屏200的表面由反射材料构成。本申请可以通过所述开合板401将所述第一发光器件单元13发出的光线反射。
在本实施例中,当所述摄像模组400工作时,所述第一显示区10为透光区,所述第一显示区10内的第一发光器件单元13不发光,所述摄像模组400的开合板401打开,外界光可以穿过所述第一显示区10进入所述摄像模组400内,所述摄像模组400能够通过所述第一显示区10采集外界光。
当所述摄像模组400关闭时,所述第一显示区10为显示区,所述第一显示区10内的第一发光器件单元13发光,所述摄像模组400的开合板401关闭,所述第一发光器件单元13发出的部分光线被所述开合板401反射,使得所述第一显示区10正常显示图像。
在本申请的显示装置100中,所述显示装置100还包括主控制系统。
当用户调用所述摄像模组400时,所述主控制系统接收到所述第一显示区10发出的摄像信号,并根据所述摄像信号向所述摄像模组400输出第一电信号。所述摄像模组400根据所述第一电信号分别输出第一开关信号和第一发光信号。
在本实施例中,所述第一开关信号使所述开合板401处于打开状态,所述第一发光信号使所述第一发光器件单元13处于不发光状态,外界光穿透所述第一发光器件单元进入所述摄像模组400。
当用户关闭所述摄像模组400时,所述主控制系统接收到所述第一显示区10发出的显示信号,并根据所述显示信号向所述摄像模组400输出第二电信号。所述摄像模组400根据所述第二电信号分别输出第二开关信号和第二发光信号。
在本实施例中,所述第二开关信号使所述开合板401处于闭合状态,所述第二发光信号使所述第一发光器件单元13处于发光状态,所述第一发光器件单元发出的光线经过所述开合板401反射至外界。
当所述摄像模组400处于非工作状态时,所述开合板401关闭,所述摄像模组400将所述发光器件单元发出的光反射,不仅能够提升第一显示区10内像素的发光亮度,而且能够避免第一发光器件单元13发出的光对所述摄像模组400造成损伤。
在本实施例中,所述第一显示区10为正方形、长方形或椭圆形中的一者。
在本实施例中,所述摄像模组400的区域半径可以为1~3毫米。
本申请通过上述设计能够实现所述第一显示区可控,在不影响显示装置100摄像功能的前提下,进一步提升了显示装置100的屏占比。
请参阅图6,图6为本申请显示装置100驱动方法的步骤图。
所述显示装置100的驱动方法包括:
S10、接收所述显示装置100第一显示区10发出的摄像信号,向摄像模组400输出第一电信号;
请参阅图1,所述显示装置100包括显示屏200、壳体以及设置于所述显示屏200与所述壳体之间的摄像模组400。
在本实施例中,所述摄像模组400可以包括摄像头。
请参阅图2,所述显示屏200包括显示区域500以及设置在所述显示区域500外围的非显示区域600,所述显示区域500内设置有多个阵列分布的像素。
所述显示区域500包括第一显示区10和第二显示区20。
在本实施例中,所述第一显示区10的半径可以为1~3毫米。
所述摄像模组400在所述显示屏200上的正投影位于所述第一显示区10内。在本申请的实施例中,所述第一显示区10内的膜层结构由透明材料构成。
在本步骤中,当用户调用所述摄像模组400时,所述主控制系统接收到所述显示装置100第一显示区10发出的摄像信号,所述主控制系统根据所述摄像信号向所述摄像模组400输出第一电信号。
S20、所述摄像模组400通过所述第一电信号驱动所述摄像模组400的开合板401处于打开状态、及位于所述第一显示区10的第一发光器件单元13处于不发光状态;
步骤S20具体可以包括:
S201、所述摄像模组400通过所述第一电信号输出第一开关信号和第一发光信号;
S202、所述第一开关信号使所述开合板401处于打开状态;
S203、所述第一发光信号使所述第一发光器件单元13处于不发光状态,外界光穿透所述第一发光器件单元进入所述摄像模组400。
请参阅图4,所述摄像模组400包括一开合板401。所述开合板401靠近所述显示屏200的表面由反射材料构成。
在本实施例中,当所述摄像模组400工作时,所述第一显示区10为透光区,所述第一显示区10内的第一发光器件单元13不发光,所述摄像模组400的开合板401打开,外界光可以穿过所述第一显示区10进入所述摄像模组400内,所述摄像模组400能够通过所述第一显示区10采集外界光。
S30、接收所述显示装置100第一显示区10发出的显示信号,向摄像模组400输出第二电信号;
在本步骤中,当用户关闭所述摄像模组400时,所述主控制系统接收到所述第一显示区10发出的显示信号,并根据所述显示信号向所述摄像模组400输出第二电信号。
S40、所述摄像模组400通过所述第二电信号驱动所述摄像模组400的开合板401处于关闭状态、及位于所述第一显示区10的第一发光器件单元13处于发光状态;
步骤S40具体可以包括:
S401、所述摄像模组400通过所述第二电信号输出第二开关信号和第二发光信号;
S402、所述第二开关信号使所述开合板401处于闭合状态;
S403、所述第二发光信号使所述第一发光器件单元13处于发光状态,所述第一发光器件单元发出的光线经过所述开合板401反射至外界;
请参阅图5,当所述摄像模组400关闭时,所述第一显示区10为显示区,所述第一显示区10内的第一发光器件单元13发光,所述摄像模组400的开合板401关闭,所述第一发光器件单元13发出的部分光线被所述开合板401反射,使得所述第一显示区10正常显示图像。
在本实施例中,当所述开合板401关闭时,所述摄像模组400将所述发光器件单元发出的光反射,不仅能够提升第一显示区10内像素的发光亮度,而且能够避免第一发光器件单元13发出的光对所述摄像模组400造成损伤。
由于所述第一显示区10为透明区域,所述第二显示区20为非透明区域,因此二者在结构上有一定的差异。
请参阅图3,所述第一显示区10内设置有第一衬底11、位于所述第一衬底11上的第一薄膜晶体管单元12、位于所述第一薄膜晶体管单元12上的第一发光器件单元13、及位于所述第一发光器件单元13上的第一封装层14。
所述第二显示区20内设置有第二衬底21、位于所述第二衬底21上的第二薄膜晶体管单元22、位于所述第二薄膜晶体管单元22上的第二发光器件单元23、及位于所述第二发光器件单元23上的第二封装层24。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12的结构与所述第二薄膜晶体管单元22的结构不相同。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12为IGZO薄膜晶体管。所述第二薄膜晶体管单元22为LTPS薄膜晶体管。
所述第一薄膜晶体管单元12包括位于所述第一衬底11上的第一栅极层121、位于所述第一栅极层121上的第一栅绝缘层122、位于所述第一栅绝缘层122上的第一有源层123、位于所述第一有源层123上的第一源漏极层124、位于所述第一源漏极层124上的第一间绝缘层125。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12内的膜层结构由透明材料构成。
在本实施例中,所述第一薄膜晶体管单元12的厚度可以为5~20微米。
在本实施例中,所述第一衬底11由透明材料构成。所述第一衬底11的材料可以包括透明聚酰亚胺。
在本实施例中,所述第一衬底11的半径可以为1~3毫米。
在本实施例中,所述第一有源层123可以为铟镓锌氧化物。
在本实施例中,所述第一发光器件单元13可以包括第一阳极131、第一发光单元132和第一阴极133,所述第一阳极131和所述第一阴极133均采用透明材料制备。
本申请在第一显示区10内通过采用透明电极替代传统的金属反射电极,将传统可见光波段不完全透明的聚酰亚胺材料替换为可见光波段完全透明的衬底材料,能够实现第一显示区10中像素的透明化。
在本实施例中,所述第一阳极131和所述第一阴极133的尺寸可以为5~20微米。
在本实施例中,所述第一封装层14由透明材料构成。
请参阅图3,所述第二薄膜晶体管单元22包括位于所述第二衬底21上的第二栅极层221、位于所述第二栅极层221上的第二栅绝缘层222、位于所述第二栅绝缘层222上的第二有源层223、位于所述第二有源层223上的第二间绝缘层224、位于所述第二间绝缘层224上的第二源漏极层225、位于所述第二源漏极层225上的第二平坦层226。
在本实施例中,所述第二有源层223可以为低温多晶硅。
在本实施例中,所述第一衬底11和所述第二衬底21的厚度相同。
在本实施例中,所述第二薄膜晶体管单元22的材料可以由非透明材料构成。
由于IGZO薄膜晶体管相较于LTPS薄膜晶体管,其电子迁移率较低,为了提高显示装置100的工作效率,本申请仅将于摄像模组400相对应的第一显示区10内的薄膜晶体管设置为IGZO薄膜晶体管。
在本实施例中,所述第二发光器件单元23包括第二阳极231、第二发光单元232和第二阴极233。所述第二阳极231及所述第二阴极233的金属材料可以由常规材料构成,由全反射和半反射材料形成微腔效应。
本申请提出了一种显示装置及其驱动方法,该显示装置包括显示屏、壳体以及设置于该显示屏与该壳体之间的摄像模组;该显示屏包括第一显示区和第二显示区,该摄像模组在该显示屏上的正投影位于该第一显示区内;该第一显示区内的膜层结构由透明材料构成。本申请通过将显示屏中与摄像模组所对应的第一显示区设置为可控区,当摄像模组工作时,第一显示区透光。当摄像模组关闭时,第一显示区正常显示,进而提高了显示装置的屏占比。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (7)
1.一种显示装置,其特征在于,包括显示屏、壳体以及设置于所述显示屏与所述壳体之间的摄像模组,所述显示屏包括第一显示区和第二显示区,所述摄像模组在所述显示屏上的正投影位于所述第一显示区内;
所述第一显示区内设置有第一衬底、位于所述第一衬底上的第一薄膜晶体管单元,所述第二显示区内设置有第二衬底和位于所述第二衬底上的第二薄膜晶体管单元,所述第一衬底由透明材料构成;
所述第一薄膜晶体管单元包括位于所述第一衬底上的第一栅极层、位于所述第一栅极层上的第一栅绝缘层、位于所述第一栅绝缘层上的第一有源层、位于所述第一有源层上的第一源漏极层、位于所述第一源漏极层上的第一间绝缘层,所述第一有源层包括铟镓锌氧化物,所述第二薄膜晶体管单元包括位于所述第二衬底上的第二有源层,所述第二有源层包括低温多晶硅;
所述第一薄膜晶体管单元的结构与所述第二薄膜晶体管单元的结构不相同,所述第一显示区内的膜层结构由透明材料构成。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括主控制系统;当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的摄像信号时,位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于不发光状态;当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的显示信号时,位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于发光状态。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述摄像模组包括一开合板,所述开合板靠近所述显示屏的表面由反射材料构成;
当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的摄像信号时,所述摄像模组接收到所述主控制系统发出的第一电信号,所述开合板打开,所述摄像模组接收到所述第一显示区射入的外界光;
当所述主控制系统接收到所述第一显示区发出的显示信号时,所述摄像模组接收到所述主控制系统发出的第二电信号,所述开合板闭合,所述摄像模组反射所述第一发光器件单元发出的光线。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一显示区为正方形、长方形或椭圆形中的一者。
5.一种如权利要求1~4任一项所述显示装置的驱动方法,其特征在于,包括步骤:
S10、接收所述显示装置第一显示区发出的摄像信号,向摄像模组输出第一电信号;
S20、所述摄像模组通过所述第一电信号驱动所述摄像模组的开合板处于打开状态、及位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于不发光状态;
S30、接收所述显示装置第一显示区发出的显示信号,向摄像模组输出第二电信号;
S40、所述摄像模组通过所述第二电信号驱动所述摄像模组的开合板处于关闭状态、及位于所述第一显示区的第一发光器件单元处于发光状态。
6.根据权利要求5所述的驱动方法,其特征在于,步骤S20包括:
S201、所述摄像模组通过所述第一电信号输出第一开关信号和第一发光信号;
S202、所述第一开关信号使所述开合板处于打开状态;
S203、所述第一发光信号使所述第一发光器件单元处于不发光状态,外界光穿透所述第一发光器件单元进入所述摄像模组。
7.根据权利要求5所述的驱动方法,其特征在于,步骤S40包括:
S401、所述摄像模组通过所述第二电信号输出第二开关信号和第二发光信号;
S402、所述第二开关信号使所述开合板处于闭合状态;
S403、所述第二发光信号使所述第一发光器件单元处于发光状态,所述第一发光器件单元发出的光线经过所述开合板反射至外界;
其中,所述开合板靠近所述显示屏的表面由反射材料构成。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910236879.2A CN110034128B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 显示装置及其驱动方法 |
US16/603,781 US11404445B2 (en) | 2019-03-27 | 2019-05-07 | Display device and display driving method |
PCT/CN2019/085817 WO2020191860A1 (zh) | 2019-03-27 | 2019-05-07 | 显示装置及其驱动方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910236879.2A CN110034128B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 显示装置及其驱动方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110034128A CN110034128A (zh) | 2019-07-19 |
CN110034128B true CN110034128B (zh) | 2021-07-23 |
Family
ID=67236752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910236879.2A Active CN110034128B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 显示装置及其驱动方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11404445B2 (zh) |
CN (1) | CN110034128B (zh) |
WO (1) | WO2020191860A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110570774A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110687710A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-01-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
CN110767143B (zh) * | 2019-10-08 | 2023-06-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示设备的显示控制方法及显示设备 |
CN110928075B (zh) * | 2019-12-17 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置、制作方法、以及显示和摄像方法 |
CN114582941A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-06-03 | 福建华佳彩有限公司 | 一种新型全面屏手机画素排布结构及方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594498A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-02-19 | 北京理工大学 | 一种透明导电薄膜 |
CN105094307A (zh) * | 2014-05-23 | 2015-11-25 | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 | 一种具有前置摄像头的移动设备 |
CN106921767A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-07-04 | 捷开通讯(深圳)有限公司 | 一种高屏占比的移动终端 |
CN109286704A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-29 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9487144B2 (en) * | 2008-10-16 | 2016-11-08 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Interior mirror assembly with display |
TW201531777A (zh) * | 2014-02-07 | 2015-08-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 透明顯示裝置 |
KR102658904B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2024-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN106952936B (zh) * | 2017-03-29 | 2020-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其显示方法和制作方法 |
US10469718B2 (en) * | 2017-05-03 | 2019-11-05 | Omnivision Technologies, Inc. | Camera module having baffle between two glass substrates |
US10388212B2 (en) * | 2017-06-12 | 2019-08-20 | Motorola Mobility Llc | Organic light emitting diode display with transparent pixel portion and corresponding devices |
CN107359185B (zh) * | 2017-07-27 | 2021-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN107818989B (zh) * | 2017-10-20 | 2020-08-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
KR102572136B1 (ko) * | 2018-01-08 | 2023-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 윈도우를 갖는 전계 발광 장치 |
CN108366186B (zh) * | 2018-02-09 | 2020-07-24 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置、显示屏及拍照控制方法 |
CN108254963A (zh) | 2018-03-20 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示组件、显示装置及其驱动方法 |
CN108598115A (zh) | 2018-04-24 | 2018-09-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板 |
CN108594524B (zh) * | 2018-04-26 | 2021-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
CN108666348B (zh) | 2018-05-07 | 2021-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN109256047B (zh) | 2018-10-31 | 2021-12-17 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示装置及其驱动方法 |
-
2019
- 2019-03-27 CN CN201910236879.2A patent/CN110034128B/zh active Active
- 2019-05-07 US US16/603,781 patent/US11404445B2/en active Active
- 2019-05-07 WO PCT/CN2019/085817 patent/WO2020191860A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594498A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-02-19 | 北京理工大学 | 一种透明导电薄膜 |
CN105094307A (zh) * | 2014-05-23 | 2015-11-25 | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 | 一种具有前置摄像头的移动设备 |
CN106921767A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-07-04 | 捷开通讯(深圳)有限公司 | 一种高屏占比的移动终端 |
CN109286704A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-29 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11404445B2 (en) | 2022-08-02 |
WO2020191860A1 (zh) | 2020-10-01 |
US20210335835A1 (en) | 2021-10-28 |
CN110034128A (zh) | 2019-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110034128B (zh) | 显示装置及其驱动方法 | |
CN110061044B (zh) | 有机发光显示面板和显示装置 | |
CN111863868B (zh) | 屏下摄像组件及相应的有机发光二极管显示屏和终端设备 | |
US9343698B2 (en) | Organic EL display and electronic apparatus | |
US11322568B2 (en) | Display panel and display device having a micro-cavity structure with transflective layers | |
US11069756B2 (en) | Display panel, display device and method for driving display panel | |
TWI393262B (zh) | 薄膜電晶體及顯示器 | |
JP4506810B2 (ja) | 表示装置 | |
US20190123304A1 (en) | Reflective display device | |
US11018209B2 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
US8084939B2 (en) | Organic light emitting display and fabricating method thereof | |
JP2015053137A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 | |
WO2021143366A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
WO2020108372A1 (zh) | 显示面板及终端 | |
US10910446B2 (en) | Display device for displaying the outline of icons | |
WO2019192399A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板及装置 | |
CN114005861A (zh) | 显示基板以及显示装置 | |
KR20210006409A (ko) | 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 | |
JP7111793B2 (ja) | 画素アレイ基板およびこれを備えるディスプレイ装置 | |
US8148892B2 (en) | System for displaying images including active-matrix organic light emission display | |
WO2020192338A1 (zh) | 屏下摄像组件及相应的终端设备 | |
CN111653582B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
TWI692665B (zh) | 顯示裝置 | |
JP2005148740A (ja) | デュアルディスプレイの反射型液晶ディスプレイ | |
TWI241435B (en) | Liquid crystal display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |