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CN1189958C - 可充电锂电池电极的制造方法 - Google Patents

可充电锂电池电极的制造方法 Download PDF

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CN1189958C
CN1189958C CNB008177414A CN00817741A CN1189958C CN 1189958 C CN1189958 C CN 1189958C CN B008177414 A CNB008177414 A CN B008177414A CN 00817741 A CN00817741 A CN 00817741A CN 1189958 C CN1189958 C CN 1189958C
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Abstract

一种可充电锂电池电极的制造方法，包括下列步骤：通过提供气相材料和利用一薄膜沉积工艺，沉积一活性材料构成的薄膜，该薄膜能在电流聚集极上与锂产生合金，而电流聚集极则由不能与锂产生合金的金属制成，其特征在于，该活性材料薄膜在能够通过电流聚集极成分在其两者之间界面附近扩散到薄膜中形成一混合层这一温度下沉积。

Description

可充电锂电池电极的制造方法
技术领域
本发明涉及一种可充电锂电池的新颖电极的制造方法。
背景技术
目前正加强研究开发的可充电锂电池的电池性能，例如，充电-放电电压、循环寿命特性、或贮存特性等，都较大程度地取决于所使用的电极。由此导致了通过改善电极活性材料来获得更好电池性能的尝试。
金属锂常用于负活性材料，尽管能构成具有单位重量和体积的高能量密度的电池，但存在着充电过程中所沉积的锂生成树杈形状的结晶、会引起内部短路这种问题。
所报导的锂电池(Solid State Ionics(《固态离子》)，113-115，P57页(1998))采用一种靠充电与锂一起形成电化学合金、由铝，硅，锡等等所组成的电极。这些材料中，硅电极给出特别高的理论容量，有希望成为高容量负极。由于这一原因，提出了种种可充电电池用硅作为负极的方案(日本专利公报特开平10-255768)。但这类合金的负极未提供足够的循环性能，因为合金作为电极活性材料，随充电和放电其自身被粉末化，致使电流-聚合能力下降。
就电极活性材料采用硅并呈现良好的充电-放电循环特性的可充电锂电池来说，本申请申请人提出了一种与通过CVD、溅射或其他成膜工艺在电流聚集极上沉积的微晶硅薄膜或非晶硅薄膜相结合的可充电锂电池方案(日本专利公报特开平11-301646等)。
发明内容
本发明目的在于，提供一种可充电锂电池用电极的制造方法，该电极采用一活性材料薄膜，例如硅薄膜作为电极，并能够提供较高的充电-放电容量和良好的充电-放电循环特性。
按照本发明的可充电锂电池电极的制造方法，包括下列步骤：通过提供气相材料和利用一薄膜沉积工艺，沉积一活性材料构成的薄膜，该薄膜能在电流聚集极上与锂产生合金，而电流聚集极则由不能与锂产生合金的金属制成，其特征在于，该活性材料薄膜在能够通过电流聚集极成分在其两者之间界面附近扩散到薄膜中形成一混合层这一温度下沉积。
可通过提供气相状态的材料来沉积薄膜的工艺例包括溅射、CVD、真空蒸镀和喷涂工艺。
本发明中，只要其可与锂形成合金，任何材料都可用于活性材料。这类材料的例子包括硅、锗、锡、铅、锌、镁、钠、铝、镓，铟等。
从采用上述沉积方法方便薄膜沉积出发，活性材料较好是主要包括硅或锗。从提高充电-放电容量的能力出发，活性材料最好是主要包括硅。而且，活性材料薄膜最好是具有非晶或微晶形态。因而，作为活性材料薄膜最好是非晶硅薄膜或微晶硅薄膜。当赖曼光谱仪检测到基本上没有与晶体区域相对应的约520cm-1峰值时，该薄膜便认定为非晶薄膜，而当赖曼光谱仪检测到与晶粒区域相对应的约520cm-1峰值和与非晶区域相对应的约480cm-1峰值时，该薄膜便认定为微晶薄膜。其他较佳薄膜例包括非晶锗薄膜、微晶锗薄膜、非晶硅-锗合金薄膜、微晶硅-锗合金薄膜。
本发明中所用的电流聚集极包括诸如铜这种不能与锂形成合金的材料。
本发明中，该活性材料薄膜在能够通过电流聚集极成分在其两者之间界面附近扩散到薄膜中形成一混合层这一温度下沉积。具体来说，随着活性材料薄膜沉积温度(成膜温度)的提高，有助于电流聚集极成分扩散到活性材料薄膜中。因而，本发明中活性材料薄膜在能够使电流聚集极成分充分扩散到薄膜中并在该薄膜中充分形成包括电流聚集极成分和活性材料的混合层这一温度下沉积。
通过电流聚集极成分扩散到活性材料薄膜中形成一混合层，使得薄膜与电流聚集极的粘结度提高。而且，电流聚集极成分是一种不能与锂形成合金的金属元素。这类电流聚集极成分扩散到活性材料薄膜中，致使活性材料薄膜贮存和释放锂时其膨胀和收缩相对减小。活性材料薄膜在其膨胀和收缩时所产生的应力便在其邻近电流聚集极位置处减小。这样便防止活性材料薄膜当其体积膨胀和收缩时与电流聚集极脱离，于是使电流聚集极和活性材料薄膜之间的粘结度得到进一步改善。
在混合层中，发现薄膜中电流聚集极成分浓度在薄膜和电流聚集极之间界面附近位置较高，而接近活性材料薄膜表面的位置较低。这种混合层中电流聚集极成分持续降低的浓度梯度，视为是电流聚集极成分和活性材料之间形成一固态溶解的表现。
较高成膜温度使得电流聚集极成分过度扩散到薄膜中间，并导致电流聚集极成分与活性材料形成金属间化合物的趋势有所增加。这种金属间化合物的形成使得作为活性材料起作用的部位其数目减少，这是因为活性材料的原子结合到化合物中，从而使活性材料薄膜的充电-放电容量下降。金属间化合物的形成还使得电流聚集极与活性材料薄膜的粘结度降低。因此，最好在混合层中不产生活性材料和电流聚集极成分之间金属间化合物这一温度下进行电流聚集极上沉积活性材料薄膜。这一温度最好低于300℃。
本发明中，可以在活性材料薄膜沉积到电流聚集极上后进行热处理。热处理允许电流聚集极成分进一步扩散到薄膜中。因此，薄膜形成期间由于未使得电流聚集极成分充分扩散到薄膜中从而混合层未能形成足够厚度的情况下，最好实际利用热处理。热处理最好是如上所述在避免电流聚集极成分过度扩散的条件下进行，以便防止电流聚集极成分和活性材料之间形成金属间化合物。用于热处理的温度较好低于650℃，最好是400℃或低于400℃。
本发明中，特别希望扩散到薄膜中的电流聚集极成分是铜。较好是，至少电流聚集极表面部分主要包括铜，因为铜从电流聚集极表面部分扩散到薄膜中。
本发明中，活性材料薄膜可通过溅射来沉积。这一实例中，包含该活性材料成分原子的靶上所加的功率密度较好为50W/cm2或更低，最好采用6W/cm2或更低。功率可按诸如DC、RF或脉冲电压这些任意方式加上。
而且本发明中，活性材料薄膜的沉积最好按间歇方式进行。活性材料薄膜的间歇沉积对降低沉积温度有效，即对降低薄膜沉积期间所能达到的最高温度有效。因此，这能够在几乎不产生金属间化合物的条件下沉积活性材料。实现电流聚集极上间歇沉积活性材料的一种方法，是将电流聚集极置于圆盘支架的外周，在旋转支架的同时沉积该活性材料薄膜。
通过提供其气相状态的材料来沉积薄膜的上述工艺较好是在下列条件下实际应用。
如上所述，基底温度最好低于300℃。若基底温度过高，就会在活性材料和电流聚集极成分之间偶有金属间化合物产生。
沉积速率最好为0.01nm/s(0.1/s)或以上。若沉积速率过低，表面扩散及重组的影响就会变得很明显，即使是低温情况下，使得该工艺与热平衡密切相关，造成形成金属间化合物的趋势有所增加。
气氛压力(真空度)最好在近10-2-102Pa范围内。若此气氛压力(真空度)超过规定范围，就会很可能使所提供的薄膜非常类似于粉末颗粒沉积所形成的薄膜，造成薄膜与电流聚集极的粘结度下降。而气氛压力(真空度)低于规定范围，沉积速率就会变得极低，而如上所述造成产生金属间化合物的趋势有所增加。
如前文所述，当活性材料薄膜通过溅射形成时，加到靶上的功率密度较好为50W/cm2或更低，最好为6W/cm2或更低。若加到靶上的功率密度过大，来自等离子体的辐射热影响就会变得很明显，而造成活性材料形成金属间化合物的趋势有所增加。
所希望的溅射气体是一种不能与诸如硅这种靶材料产生反应的气体。从此观点出发，最好是惰性气体，包括氦、氖、氩、氪、氙、氡等气体。这些气体当中最好是氩气，因为其能够容易地产生等离子体以及提供高溅射效率。
溅射中所用的靶较好是单晶或多晶结构的。而且，其纯度也较好是至少99％。这些是为了减小所形成的活性材料薄膜中的杂质含量。
薄膜沉积开始前，腔室内部较好是维持在不超过0.1Pa的压力下。这同样有效减小所形成的活性材料薄膜中的杂质含量。
薄膜溅射前，作为基底的电流聚集极较好是经过一诸如等离子体辐射这种预处理。这种等离子体辐射可以是氩气或氢气等离子体辐射。电流聚集极可通过这样一种预处理净化其表面。但这种预处理造成基底温度升高。因而，较好是将该基底温度控制为处于300℃以下。
作为基底的电流聚集极较好是在薄膜沉积前经过清洗，以洗净电流聚集极表面。适用的清洗剂例子可包括水、有机溶剂、酸、碱、中性清洗剂及其组合。
薄膜沉积后进行热处理的情况下，热处理较好是在650℃或以下温度进行，最好是在400℃或以下温度下进行。如前文所述，在较高温度下会产生金属间化合物。
活性材料薄膜较好是以间歇方式沉积到电流聚集极上。因而，最好将电流聚集极置于圆盘支架的外周，在旋转该支架的同时沉积活性材料薄膜，或者将电流聚集极置于往复运动的支架上，以间歇方式在电流聚集极上沉积薄膜。另一可行的替代方案，是配置多个靶并允许电流聚集极以顺序方式通过使各自靶相对的区域，以便间歇沉积薄膜。这种活性材料薄膜的间歇沉积可抑止基底的温度升高。间歇沉积每次所沉积的薄膜厚度较好是1μm或更小。
本发明第一方面的可充电锂电池电极的制造方法，包括下列步骤：通过提供气相材料和利用一薄膜沉积工艺，沉积一活性材料构成的薄膜，该薄膜能在电流聚集极上与锂产生合金，而电流聚集极则由不能与锂产生合金的金属制成，所述方法其特征在于，所述活性材料薄膜在能够通过电流聚集极成分在其两者之间界面附近扩散到薄膜中形成一混合层、但不引起混合层中活性材料和电流聚集极成分之间产生金属间化合物这一温度下沉积，其中，所述活性材料薄膜在低于300℃的温度下沉积。
附图说明
图1是本发明例中所用的包括旋转支架在内的溅射装置其结构的示意图；
图2是本发明例中所构成的可充电锂电池的透视图；
图3是本发明例中所构成的可充电锂电池的剖面图；
图4示出的是沿例1电极深度方向的铜元素浓度分布图；
图5示出的是沿例2电极深度方向的铜元素浓度分布图；
图6示出的是沿例3电极深度方向的铜元素浓度分布图；
图7示出的是沿对比例1电极深度方向的铜元素浓度分布图；以及
图8示出的是沿对比例2电极深度方向的铜元素浓度分布图。
具体实施方式
下面以举例方式更为详细地说明本发明。应理解，本发明并不受下列例子的限制，在不背离本发明保护范围的情况下可进行适当修改和改进。
(实施例1)
(负极的制造)
轧制的铜箔(约26μm厚)靠电解工艺通过铜的沉积使其表面粗糙来提供电流聚集极。利用平行板RF溅射装置在电流聚集极上形成硅薄膜。单独用氩气作为溅射气体。采用99.999％纯度的单晶硅作为靶。例1-7和对比例1-3的负极都是在表1和表2所示成膜条件下、同时调整氩气流速或排气阀开度制造的。所形成的硅薄膜厚度约为6μm。
例1-3和对比例1-2中，基底温度变化，以便在不同成膜温度(可达到的最高温度)下形成硅薄膜(活性材料薄膜)。例4和对比例3中，所沉积的薄膜进一步在表2所规定条件下经过一热处理。例5-7中，则使加到靶上的功率密度变化形成薄膜。
所形成的硅薄膜的可结晶性可用赖曼光谱仪来识别。当观察到480cm-1处实际出现峰值而520cm-1处未实际出现峰值，该硅薄膜便认定为“非晶”薄膜，当观察到480cm-1处未实际出现峰值而520cm-1处实际出现单一峰值，该硅薄膜便认定为“多晶”薄膜。
每一硅薄膜都通过采用掩模沉积于有限的2.5cm×2.5cm的铜箔表面区域。硅薄膜沉积后，将一负极接头装到留下来未被硅薄膜覆盖的铜箔表面部分上来完成一负极。
(正极的制造)
将90份重量的LiCoO2粉末和5份重量、作为导电材料的合成石墨粉末一起混合在含有5份重量、作为粘结剂的聚四氟乙烯的5wt％N-甲基吡咯烷酮水溶液中，以提供正极用混合浆。靠刮刀刀片法将该浆料涂覆到作为正电流聚集极的铝箔(约18μm厚)2.5cm×2.5cm表面区域上，随后干燥以提供一层正活性材料。将一正极接头装到留下来未被正活性材料覆盖的铝箔表面区域上来完成一正极。
(电解溶液的制备)
将1摩尔/立升的LiPF6溶解于含有等体积乙基碳酸盐和二甲基碳酸盐的混合溶液中，以制备下列电池结构所用的电解溶液。
(电池的结构)
图2是这类结构的可充电锂电池的透视图。图3是这类结构可充电锂电池的剖面示意图。如图3所示，正极和负极均插入壳体10的内部。负电流聚集极11上具有一层硅薄膜12形式的负活性材料。正电流聚集极13上提供一层正活性材料层14。隔离体15插入硅薄膜12和正活性材料层14之间。电解溶液导入壳体10内。壳体10在端口处焊接后形成一密封部分10a。装到负电流聚集极11上的负极接头17通过该密封部分10a延伸至外面。尽管图3中没有示出，但装到正电流聚集极13上的正极接头18也通过该密封部分10a延伸至外面。
(充电-放电循环测试)
具有上面所述方式构成的可充电锂电池经过一充电-放电循环测试。每一电池以9mA电流充电至9mAh的充电端容量，随后以9mA电流放电至2.75V的放电端电压。重复该单位充电-放电循环，测量第1循环、第5循环以及第20循环的放电容量和充电-放电效率。其结果示于表1和表2中。下列表中流速单位sccm表示液体在0℃、1个大气压下(101.33Kpa)下每分钟的体积流量(cm3/m)，为每分钟标准立方厘米的缩写。
表1
  例1   例2   例3   对比例1   对比例2
薄膜形成条件  氩气流速   50sccm   50sccm   50sccm   50sccm   50sccm
 溅射气压   0.1Pa   0.1Pa   0.1Pa   0.1Pa   0.1Pa
 溅射功率(功率密度W/cm2)   300W(3.70)   300W(3.70)   300W(3.70)   300W(3.70)   300W(3.70)
基底温度(初始)   室温(不加热) 200℃ 250℃ 300℃ 400℃
 可达到的最高温度   约290℃   约290℃   约290℃   约320℃   约400℃
热处理  温度，时间   无   无   无   无   无
         可结晶性   非晶   非晶   非晶   非晶   非晶
第1循环  放电容量(mAh/g)   2144   2085   2546   524   707
 充电-放电效率(％)   78   75   97   49   59
第5循环  放电容量(mAh/g)   2042   1963   2538   152   334
 充电-放电效率(％)   100   100   99   78   86
第20循环  放电容量(mAh/g)   1924   1827   2456   /   /
 充电-放电效率(％)   99   99   99   /   /
表2
  例4   对比例3     例5     例6     例7
薄膜形成条件  氩气流速   50sccm   50sccm     100sccm     100sccm     100sccm
 溅射气压   0.1Pa   0.1Pa     0.1Pa     0.1Pa     0.1Pa
 溅射功率(功率密度W/cm2)   300W(3.70)   300W(3.70)     50W(0.62)     100W(1.23)     400W(4.94)
基底温度(初始)   室温(不加热)   室温(不加热)     室温(不加热)     室温(不加热)     室温(不加热)
 可达到的最高温度   约290℃   约290℃     约70℃     约150℃     约270℃
热处理  温度，时间   400℃，1小时   650℃，1小时     无     无     无
         可结晶性   非晶   多晶     非晶     非晶     非晶
第1循环  放电容量(mAh/g)   2016   1976     2145     2419     2505
 充电-放电效率(％)   91   81     88     91     92
第5循环  放电容量(mAh/g)   1913   729     1827     2296     2399
 充电-放电效率(％)   99   73     96     99     99
第20循环  放电容量(mAh/g)   1816   348     1510     2182     2323
 充电-放电效率(％)   99   57     99     99     99
从表1给出的例1-3和对比例1-2结果当中可清楚地知道，当成膜温度(可达到的最高温度)低于300℃时，便获得高放电容量和令人满意的充电-放电效率。
从表1给出的例1和表2给出的例4和对比例3结果当中可清楚地知道，当薄膜沉积后进行650℃温度的热处理时，硅薄膜会蜕变成多晶形式，放电容量和充电-放电效率都下降。这就验证了热处理温度较好是低于650℃，最好是400℃或更低。
从表1给出的例1和表2给出的例5-7结果当中可清楚地知道，当薄膜形成期间加到靶上的功率密度为4.94W/cm2或更低时，便获得高放电容量和令人满意的充电-放电效率。
例1-3和对比例1-2中通过使基底温度变化来改变薄膜成膜温度(可达到的最高温度)所制造的负极，由SIMS(次级离子质谱仪)测量在负极深度方向的铜元素浓度分布。进行充电-放电测试前，每一负极都用O2 +作为溅射源来测量铜元素(63Cu+)浓度分布。
图4-8说明例1-3和对比例1-2中所制造的负极在深度方向上的铜浓度分布。横座标表示深度，纵座标表示原子密度(原子/cc：原子/cm3)。图4对应于例1，图5对应于例2，图6对应于例3，图7对应于对比例1，而图8对应于对比例2。
图4-8当中任一图中，薄膜在其上表面附近具有一厚度区域，该区域铜浓度基本上没有变化，而且相对较低。薄膜还有一铜浓度从薄膜上表面至薄膜和电流聚集极之间界面有所增加的厚度区域。这样一种铜浓度有所增加的厚度区域的存在，清楚地表明存在一与薄膜和电流聚集极之间界面相邻的、包括薄膜中活性材料和铜元素的混合层。可以相信，这类混合区域(混合层)的存在使得电流聚集极和薄膜之间的粘结度有明显改善。
例1-3(图4-6)中，活性材料薄膜是以相当低的基底温度条件沉积的，每一薄膜上表面附近的铜浓度为1020原子/cc(原子/cm3)(约1％)。另一方面，对比例1-2(图7-8)中，活性材料薄膜是以相当高的基底温度条件沉积的，每一薄膜上表面附近的铜浓度为1021原子/cc(原子/cm3)(约1％或更高)。由这些结果可以相信，若活性材料薄膜以较高基底温度形成，铜便扩散到该薄膜的整个区域，而活性材料其浓度相对降低便造成放电容量降低。而且相信，铜以较高浓度存在于薄膜中造成循环性能较差。这可能是由于薄膜中产生金属间化合物的缘故。
(实施例2)
(负极的制造)
具有旋转支架的RF溅射装置如图1所示，用于形成一硅薄膜。电流聚集极上溅射的硅薄膜类似于实例1中所用的类型。电流聚集极置于图1所示的旋转支架的外周。在旋转支架旋转的同时，向靶2提供RF电源3的射频(RF)功率来产生氩等离子体4，从而在电流聚集极上沉积硅薄膜。旋转支架1以大约10rpm的速度旋转。其他薄膜形成条件在表3中规定。就溅射气体而言仅仅用氩气。所用的靶类似于实例1中所规定的类型。硅薄膜溅射至约6μm厚度。
(电池的结构和充电-放电循环测试)
所用的正极类似于实例1中所制造的类型，可充电锂电池其结构也与实例1的结构相同。随后电池经过一实例1所规定的充电-放电循环测试。其结果示于表3。
表3
    例8
  薄膜形成条件   氩气流速     50sccm
  溅射气压     0.1Pa
  溅射功率(功率密度W/cm2)     350W(4.32)
  基底温度(初始)  室温(不加热)
  支架旋转速度     10rpm
  可达到的最高温度     约210℃
  热处理   温度，时间     无
            可结晶性     非晶
  第1循环   放电容量(mAh/g)     3045
  充电-放电效率(％)     95
  第5循环   放电容量(mAh/g)     3172
  充电-放电效率(％)     100
  第20循环   放电容量(mAh/g)     3016
  充电-放电效率(％)     100
由表3所示结果显然可知，虽然例8中加到靶上的功率密度稍微高于例1且其余形成条件相同，但例8中的沉积温度(可达到的最高温度)低于例1中温度。例8中，电流聚集极置于旋转支架上，在支架旋转的同时在其上沉积活性薄膜，以便以间歇方式实现电流聚集极上硅的沉积。可以相信，可达到的最高温度可成功维持在较低水准上。同样要理解的是，例8中所获得的放电容量和充电-放电效率稍好于例1。
(实施例3)
用与实施例1中所示的相同的平行板溅射装置。除了采用直流电力或脉冲电力来取代射频(RF)电力以表4规定的功率密度加到靶上以外，实例1的例1工序便随着在电流聚集极上沉积硅薄膜并制造一负极。
(电池的结构和充电-放电循环测试)
所用正极类似于实例1中所制造的正极的类型，可充电锂电池其结构也同于实例1结构。随后电池经过一实施例1所规定的充电-放电循环测试。其结果示于表4。
表4
    例9     例10
  薄膜形成条件   氩气流速     85sccm     85sccm
  溅射气压     0.4Pa     0.4Pa
  电源     直流  脉冲(100kHz)
  溅射功率(功率密度W/cm2)     210W(2.58)     420W(5.17)
  基底温度(初始)  室温(不加热)  室温(不加热)
  可达到的最高温度     约200℃     约100℃
  热处理   温度，时间     无     无
            可结晶性     非晶     非晶
  第1循环   放电容量(mAh/g)     2340     2706
  充电-放电效率(％)     97     96
  第5循环   放电容量(mAh/g)     2349     2743
  充电-放电效率(％)     100     100
  第20循环   放电容量(mAh/g)     2361     2739
  充电-放电效率(％)     99     99
由表4所示结果显然可知，对直流源或脉冲源的利用致使沉积温度(可达到的最高温度)低于例1中的沉积温度。而且，可充电锂电池给出的令人满意的放电容量以及充电-放电效率结果，几乎可与例1相比拟。
虽然上述例子中采用溅射技术来形成活性材料薄膜，但本发明并不限于此。也可用CVD或其他薄膜成膜工艺。
工业实用性
按照本发明，可稳定制造一种显示高充电-放电容量和优越充电-放电循环特性的可充电锂电池用电极。

Claims (32)

1.一种可充电锂电池电极的制造方法，包括下列步骤：通过提供气相材料和利用一薄膜沉积工艺，沉积一活性材料构成的薄膜，该薄膜能在电流聚集极上与锂产生合金，而电流聚集极则由不能与锂产生合金的金属制成，所述方法其特征在于，所述活性材料薄膜在能够通过电流聚集极成分在其两者之间界面附近扩散到薄膜中形成一混合层、但不引起混合层中活性材料和电流聚集极成分之间产生金属间化合物这一温度下沉积，其中，所述活性材料薄膜在低于300℃的温度下沉积。
2.如权利要求1所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜沉积到电流聚集极上后进行热处理。
3.如权利要求2所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述热处理在低于650℃的温度下进行。
4.如权利要求1-3中任一项所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料主要包括硅。
5.如权利要求1-3中任一项所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料主要包括锗。
6.如权利要求4所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜是非晶硅薄膜、微晶硅薄膜、非晶硅-锗合金薄膜、微晶硅-锗合金薄膜其中之一。
7.如权利要求5所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜是非晶锗薄膜、微晶锗薄膜、非晶硅-锗合金薄膜、微晶硅-锗合金薄膜其中之一。
8.如权利要求1-3中任一项所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述电流聚集极至少表面部分主要包括铜。
9.如权利要求1-3中任一项所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
10.如权利要求4所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述电流聚集极至少表面部分主要包括铜。
11.如权利要求5所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述电流聚集极至少表面部分主要包括铜。
12.如权利要求8所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
13.如权利要求10所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
14.如权利要求11所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
15.如权利要求9所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜以间歇方式沉积在电流聚集极上。
16.如权利要求13或14所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜以间歇方式沉积在电流聚集极上。
17.如权利要求15所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，通过将电流聚集极置于圆盘支架的外周，再在支架旋转的同时将活性材料薄膜沉积到电流聚集极上，以间歇方式将所述活性材料薄膜沉积在电流聚集极上。
18.如权利要求16所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，通过将电流聚集极置于圆盘支架的外周，再在支架旋转的同时将活性材料薄膜沉积到电流聚集极上，以间歇方式将所述活性材料薄膜沉积在电流聚集极上。
19.如权利要求6所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述电流聚集极至少表面部分主要包括铜。
20.如权利要求7所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述电流聚集极至少表面部分主要包括铜。
21.如权利要求6所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
22.如权利要求7所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
23.如权利要求19所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
24.如权利要求20所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜通过溅射沉积。
25.如权利要求21所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜以间歇方式沉积在电流聚集极上。
26.如权利要求22所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜以间歇方式沉积在电流聚集极上。
27.如权利要求23所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜以间歇方式沉积在电流聚集极上。
28.如权利要求24所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，所述活性材料薄膜以间歇方式沉积在电流聚集极上。
29.如权利要求25所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，通过将电流聚集极置于圆盘支架的外周，再在支架旋转的同时将活性材料薄膜沉积到电流聚集极上，以间歇方式将所述活性材料薄膜沉积在电流聚集极上。
30.如权利要求26所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，通过将电流聚集极置于圆盘支架的外周，再在支架旋转的同时将活性材料薄膜沉积到电流聚集极上，以间歇方式将所述活性材料薄膜沉积在电流聚集极上。
31.如权利要求27所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，通过将电流聚集极置于圆盘支架的外周，再在支架旋转的同时将活性材料薄膜沉积到电流聚集极上，以间歇方式将所述活性材料薄膜沉积在电流聚集极上。
32.如权利要求28所述的可充电锂电池电极的制造方法，其特征在于，通过将电流聚集极置于圆盘支架的外周，再在支架旋转的同时将活性材料薄膜沉积到电流聚集极上，以间歇方式将所述活性材料薄膜沉积在电流聚集极上。
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Families Citing this family (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6887511B1 (en) * 1999-10-22 2005-05-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for preparing electrode material for lithium battery
EP1267430A4 (en) * 2000-03-22 2008-02-27 Sanyo Electric Co RECHARGEABLE BATTERY USING NON-AQUEOUS ELECTROLYTE
JP2002170555A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 Sanyo Electric Co Ltd リチウム二次電池用電極の製造方法
JP4330290B2 (ja) 2001-06-20 2009-09-16 三洋電機株式会社 リチウム二次電池用電極の製造方法
JP4212458B2 (ja) * 2003-11-19 2009-01-21 三洋電機株式会社 リチウム二次電池
JP4497899B2 (ja) * 2003-11-19 2010-07-07 三洋電機株式会社 リチウム二次電池
JP4078338B2 (ja) 2004-04-20 2008-04-23 三洋電機株式会社 リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池
US7417266B1 (en) 2004-06-10 2008-08-26 Qspeed Semiconductor Inc. MOSFET having a JFET embedded as a body diode
JP4907857B2 (ja) * 2004-10-21 2012-04-04 パナソニック株式会社 非水電解質二次電池用負極およびその製造法
US7436039B2 (en) * 2005-01-06 2008-10-14 Velox Semiconductor Corporation Gallium nitride semiconductor device
JP2007123242A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 非水電解質二次電池
JP2007134272A (ja) * 2005-11-14 2007-05-31 Sony Corp 集電体、負極および電池
US8026568B2 (en) 2005-11-15 2011-09-27 Velox Semiconductor Corporation Second Schottky contact metal layer to improve GaN Schottky diode performance
JP4779633B2 (ja) * 2005-12-16 2011-09-28 ソニー株式会社 二次電池
JP4743020B2 (ja) * 2006-06-26 2011-08-10 ソニー株式会社 電極集電体及びその製造方法、電池用電極及びその製造方法、並びに二次電池
JP4470917B2 (ja) * 2006-06-29 2010-06-02 ソニー株式会社 電極集電体、電池用電極及び二次電池
US7964307B2 (en) 2006-07-24 2011-06-21 Panasonic Corporation Negative electrode for lithium ion secondary battery, method for producing the same, and lithium ion secondary battery
US9079762B2 (en) 2006-09-22 2015-07-14 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Micro-electromechanical device
US7561317B2 (en) * 2006-11-03 2009-07-14 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Resonant Fourier scanning
ATE516610T1 (de) * 2006-11-16 2011-07-15 Panasonic Corp Elektrizitätsspeichereinrichtung
JP4288621B2 (ja) * 2006-12-19 2009-07-01 ソニー株式会社 負極及びそれを用いた電池、並びに負極の製造方法
US20080146898A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Spectral windows for surgical treatment through intervening fluids
US7713265B2 (en) * 2006-12-22 2010-05-11 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Apparatus and method for medically treating a tattoo
US20080151343A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Apparatus including a scanned beam imager having an optical dome
US8273015B2 (en) * 2007-01-09 2012-09-25 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Methods for imaging the anatomy with an anatomically secured scanner assembly
US8801606B2 (en) 2007-01-09 2014-08-12 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Method of in vivo monitoring using an imaging system including scanned beam imaging unit
US7589316B2 (en) * 2007-01-18 2009-09-15 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Scanning beam imaging with adjustable detector sensitivity or gain
US8216214B2 (en) 2007-03-12 2012-07-10 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Power modulation of a scanning beam for imaging, therapy, and/or diagnosis
US20080226029A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Weir Michael P Medical device including scanned beam unit for imaging and therapy
US7939853B2 (en) * 2007-03-20 2011-05-10 Power Integrations, Inc. Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor
US8626271B2 (en) 2007-04-13 2014-01-07 Ethicon Endo-Surgery, Inc. System and method using fluorescence to examine within a patient's anatomy
US7995045B2 (en) 2007-04-13 2011-08-09 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Combined SBI and conventional image processor
US8160678B2 (en) 2007-06-18 2012-04-17 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Methods and devices for repairing damaged or diseased tissue using a scanning beam assembly
US7558455B2 (en) * 2007-06-29 2009-07-07 Ethicon Endo-Surgery, Inc Receiver aperture broadening for scanned beam imaging
US7982776B2 (en) * 2007-07-13 2011-07-19 Ethicon Endo-Surgery, Inc. SBI motion artifact removal apparatus and method
US20090021818A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-22 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Medical scanning assembly with variable image capture and display
US9125552B2 (en) * 2007-07-31 2015-09-08 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Optical scanning module and means for attaching the module to medical instruments for introducing the module into the anatomy
US7983739B2 (en) 2007-08-27 2011-07-19 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Position tracking and control for a scanning assembly
US7925333B2 (en) 2007-08-28 2011-04-12 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Medical device including scanned beam unit with operational control features
US20090068567A1 (en) * 2007-09-12 2009-03-12 Sony Corporation Anode for secondary battery, method of manufacturing it, and secondary battery
US8050520B2 (en) * 2008-03-27 2011-11-01 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Method for creating a pixel image from sampled data of a scanned beam imager
US8332014B2 (en) * 2008-04-25 2012-12-11 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Scanned beam device and method using same which measures the reflectance of patient tissue
JP4952746B2 (ja) * 2008-11-14 2012-06-13 ソニー株式会社 リチウムイオン二次電池およびリチウムイオン二次電池用負極
US9209464B2 (en) 2009-09-24 2015-12-08 Corning Incorporated Current collectors having textured coating
KR101740692B1 (ko) * 2009-09-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치용 전극의 제작 방법 및 축전 장치의 제작 방법
JP5711565B2 (ja) * 2010-02-26 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置
WO2011118369A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery and method for manufacturing electrode of the same
WO2011118420A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery and method for forming electrode of secondary battery
WO2011136028A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device and method for manufacturing the same
JP5666378B2 (ja) 2010-05-24 2015-02-12 信越化学工業株式会社 非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法及び非水電解質二次電池用負極活物質並びに非水電解質二次電池用負極材、非水電解質二次電池用負極、非水電解質二次電池
US8852294B2 (en) 2010-05-28 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device and method for manufacturing the same
KR101838627B1 (ko) 2010-05-28 2018-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치 및 그 제작 방법
JP5859746B2 (ja) 2010-05-28 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置およびその作製方法
WO2011152190A1 (en) 2010-06-02 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device and method for manufacturing the same
WO2011155397A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device
JP5711615B2 (ja) 2010-06-14 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置の作製方法
US8846530B2 (en) 2010-06-30 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming semiconductor region and method for manufacturing power storage device
US9112224B2 (en) 2010-06-30 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Energy storage device and method for manufacturing the same
WO2012002136A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of power storage device
US8669009B2 (en) 2010-07-01 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode active material of power storage device, positive electrode of power storage device, power storage device, manufacturing method of positive electrode active material of power storage device
KR101899374B1 (ko) 2010-11-26 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막, 반도체막의 형성 방법 및 축전 장치
KR101884040B1 (ko) 2010-12-07 2018-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치
US9543577B2 (en) 2010-12-16 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active material, electrode including the active material and manufacturing method thereof, and secondary battery
KR101912674B1 (ko) 2011-01-21 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 수소 발생체, 수소 발생 장치, 발전 장치 및 구동 장치
JP5751448B2 (ja) 2011-05-25 2015-07-22 日産自動車株式会社 リチウムイオン二次電池用負極活物質
US11296322B2 (en) 2011-06-03 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Single-layer and multilayer graphene, method of manufacturing the same, object including the same, and electric device including the same
TWI582041B (zh) 2011-06-03 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 單層和多層石墨烯，彼之製法，含彼之物件，以及含彼之電器裝置
JP6035054B2 (ja) 2011-06-24 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置の電極の作製方法
TWI496954B (zh) 2011-07-29 2015-08-21 Furukawa Electric Co Ltd An electrolytic copper alloy foil manufacturing method, an electrolytic solution for the production of the alloy foil, a negative electrode current collector for a secondary battery, a secondary battery and an electrode
WO2013027561A1 (en) 2011-08-19 2013-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing graphene-coated object, negative electrode of secondary battery including graphene-coated object, and secondary battery including the negative electrode
JP6025284B2 (ja) 2011-08-19 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置用の電極及び蓄電装置
KR20130024769A (ko) 2011-08-30 2013-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치
JP6035013B2 (ja) 2011-08-30 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 電極の作製方法
JP6000017B2 (ja) 2011-08-31 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置及びその作製方法
JP6034621B2 (ja) 2011-09-02 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置の電極および蓄電装置
JP2013054878A (ja) 2011-09-02 2013-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電極の作製方法および蓄電装置
US9401247B2 (en) 2011-09-21 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Negative electrode for power storage device and power storage device
JP5542780B2 (ja) 2011-11-01 2014-07-09 信越化学工業株式会社 非水電解質二次電池用負極活物質及びその製造方法
US8633094B2 (en) 2011-12-01 2014-01-21 Power Integrations, Inc. GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure
US8940620B2 (en) 2011-12-15 2015-01-27 Power Integrations, Inc. Composite wafer for fabrication of semiconductor devices
JP6050106B2 (ja) 2011-12-21 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 非水二次電池用シリコン負極の製造方法
US9384904B2 (en) 2012-04-06 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Negative electrode for power storage device, method for forming the same, and power storage device
JP6216154B2 (ja) 2012-06-01 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置用負極及び蓄電装置
JP5801775B2 (ja) 2012-08-03 2015-10-28 信越化学工業株式会社 珪素含有粒子、これを用いた非水電解質二次電池用負極材、非水電解質二次電池、及び珪素含有粒子の製造方法
DE112013005307T5 (de) 2012-11-07 2015-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Elektrode für Energiespeichervorrichtung, Energiespeichervorrichtung und Herstellungsverfahren der Elektrode für Energiespeichervorrichtung
JP6010429B2 (ja) 2012-11-08 2016-10-19 信越化学工業株式会社 非水電解質二次電池用負極活物質用の珪素含有粒子の製造方法、非水電解質二次電池用負極材の製造方法、及び非水電解質二次電池の製造方法
KR20180030265A (ko) 2012-11-22 2018-03-21 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 전기 디바이스용 부극, 및 이것을 사용한 전기 디바이스
KR20180031067A (ko) 2012-11-22 2018-03-27 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 전기 디바이스용 부극, 및 이것을 사용한 전기 디바이스
US8928037B2 (en) 2013-02-28 2015-01-06 Power Integrations, Inc. Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer
JP6006662B2 (ja) 2013-03-05 2016-10-12 信越化学工業株式会社 珪素含有粒子の製造方法、非水電解質二次電池の負極材の製造方法、および、非水電解質二次電池の製造方法
US8968669B2 (en) 2013-05-06 2015-03-03 Llang-Yuh Chen Multi-stage system for producing a material of a battery cell
JP5967024B2 (ja) 2013-06-20 2016-08-10 信越化学工業株式会社 非水電解質二次電池用活物質、負極成型体及び非水電解質二次電池
JP2015072809A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 信越化学工業株式会社 珪素含有材料並びに非水電解質二次電池用負極及び非水電解質二次電池並びにそれらの製造方法
JP6187602B2 (ja) 2014-01-24 2017-08-30 日産自動車株式会社 電気デバイス
WO2015111189A1 (ja) 2014-01-24 2015-07-30 日産自動車株式会社 電気デバイス
US10826065B2 (en) 2014-10-06 2020-11-03 University Of Maryland, College Park Protection layers for metal anodes
US11376559B2 (en) 2019-06-28 2022-07-05 eJoule, Inc. Processing system and method for producing a particulate material
US11121354B2 (en) 2019-06-28 2021-09-14 eJoule, Inc. System with power jet modules and method thereof
US11673112B2 (en) 2020-06-28 2023-06-13 eJoule, Inc. System and process with assisted gas flow inside a reaction chamber
US11749758B1 (en) 2019-11-05 2023-09-05 Semiq Incorporated Silicon carbide junction barrier schottky diode with wave-shaped regions
WO2021132238A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 株式会社アルバック 成膜装置
US11469333B1 (en) 2020-02-19 2022-10-11 Semiq Incorporated Counter-doped silicon carbide Schottky barrier diode
CN115668534A (zh) * 2020-05-29 2023-01-31 松下知识产权经营株式会社 电池及电池的制造方法
US20230187607A1 (en) * 2021-12-11 2023-06-15 GM Global Technology Operations LLC Surface treatment for lithium metal anodes
KR20240101470A (ko) * 2022-12-23 2024-07-02 주식회사 엘지에너지솔루션 리튬 이차전지 및 이의 제조방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
JPH06207866A (ja) 1993-01-12 1994-07-26 Unisia Jecs Corp 荷重検出装置
JPH07302588A (ja) 1994-05-10 1995-11-14 Mitsubishi Cable Ind Ltd リチウム二次電池用負極およびその製造方法
JPH07307152A (ja) 1994-05-12 1995-11-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd リチウム二次電池用負極およびその製造方法
JP3495814B2 (ja) 1994-05-30 2004-02-09 キヤノン株式会社 電池用電極及び該電極を有するリチウム二次電池
US5665492A (en) * 1995-02-08 1997-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composite Electrode including organic disulfide compound, method of producing the same, and lithium secondary battery utilizing the same
US5580686A (en) * 1995-10-13 1996-12-03 Arthur D. Little, Inc. Electrolytic cell and electrolytic process
JP2810013B2 (ja) 1996-03-14 1998-10-15 株式会社東芝 酸化物薄膜の形成方法および酸化物薄膜
JP3620559B2 (ja) 1997-01-17 2005-02-16 株式会社ユアサコーポレーション 非水電解質電池
US6432585B1 (en) * 1997-01-28 2002-08-13 Canon Kabushiki Kaisha Electrode structural body, rechargeable battery provided with said electrode structural body, and rechargeable battery
JP3619000B2 (ja) * 1997-01-28 2005-02-09 キヤノン株式会社 電極構造体、二次電池及びそれらの製造方法
JP3879197B2 (ja) 1997-09-12 2007-02-07 トヨタ自動車株式会社 リチウムイオン２次電池用電極の製造方法
JP4453111B2 (ja) 1997-10-27 2010-04-21 三菱化学株式会社 負極材料とその製造方法、負極活物質、および非水系二次電池
JP4355862B2 (ja) 1997-12-25 2009-11-04 株式会社ジーエス・ユアサコーポレーション 非水電解質電池
JPH11233116A (ja) 1998-02-16 1999-08-27 Canon Inc リチウム二次電池用電極構造体、その製造方法及びリチウム二次電池
JP4191281B2 (ja) * 1998-06-19 2008-12-03 三菱化学株式会社 負極活物質、負極とその製造方法、および非水系二次電池
JP2000100429A (ja) 1998-09-18 2000-04-07 Canon Inc 電極構造体及び二次電池
US6511516B1 (en) * 2000-02-23 2003-01-28 Johnson Research & Development Co., Inc. Method and apparatus for producing lithium based cathodes

Also Published As

Publication number Publication date
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