CN118732384A - 一种曝光罩的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种曝光罩的清洗方法，包括：将曝光罩放置在预先配制的清洗溶液中进行超声清洗；将曝光罩从所述清洗溶液中取出，并利用惰性气体将曝光罩吹干；将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；将曝光罩从所述去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；利用惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。采用本发明的技术方案能够对曝光罩进行彻底清洗，从而保证蒸镀的良品率不受曝光罩的影响。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种曝光罩的清洗方法。
背景技术
曝光罩是指在镀膜工艺中，具有一定开口图案，用来实现特定区域镀膜图案的结构。一旦所使用的曝光罩受到污染，就会对镀膜图案造成非常不利的影响，因此需要对蒸镀曝光罩进行彻底的清洗，以保证良品率。
传统的曝光罩清洗方法为：先将曝光罩放进纯净的能够溶解蒸镀有机材料的有机溶剂中浸泡，再放进纯水中浸泡。但是，由于曝光罩的表面残留有蒸镀有机材料，在纯净的有机溶剂中浸泡之后，蒸镀有机材料能够溶解在溶剂中，将曝光罩从溶剂中拿出来之后，表面会留有溶剂，之后再将曝光罩放进纯水中浸泡时，有机溶剂遇水会将溶解在其内部的有机材料析出，从而在曝光罩的表面形成微小颗粒，导致曝光罩清洗不彻底，影响蒸镀的良品率。
发明内容
本发明实施例的目的在于，提供一种曝光罩的清洗方法，能够对曝光罩进行彻底清洗，从而保证蒸镀的良品率不受曝光罩的影响。
为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种曝光罩的清洗方法，包括：
将曝光罩放置在预先配制的清洗溶液中进行超声清洗；
将曝光罩从所述清洗溶液中取出，并利用惰性气体将曝光罩吹干；
将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；
将曝光罩从所述去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；
利用惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。
进一步地，所述清洗溶液由氢氧化钠溶液和过氧化氢混合制成。
进一步地，所述氢氧化钠溶液和所述过氧化氢的体积比为50:1。
进一步地，所述氢氧化钠溶液中氢氧化钠的浓度为100g/L。
进一步地，所述超声清洗的清洗时间为20min。
进一步地，所述超声清洗的清洗温度为30℃～35℃。
进一步地，所述惰性气体为氮气。
进一步地，所述曝光罩在所述去离子水中的清洗时间为20min。
进一步地，所述曝光罩在所述去离子水中的清洗温度为24℃～30℃。
与现有技术相比，本发明实施例提供了一种曝光罩的清洗方法，首先，将曝光罩放置在预先配制的清洗溶液中进行超声清洗；接着，将曝光罩从清洗溶液中取出，并利用惰性气体将曝光罩吹干；然后，将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；接着，将曝光罩从去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；最后，利用惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止；本发明实施例能够对曝光罩进行彻底清洗，从而保证蒸镀的良品率不受曝光罩的影响。
附图说明
图1是本发明提供的一种曝光罩的清洗方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种曝光罩的清洗方法，参见图1所示，是本发明提供的一种曝光罩的清洗方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S15：
步骤S11、将曝光罩放置在预先配制的清洗溶液中进行超声清洗；
步骤S12、将曝光罩从所述清洗溶液中取出，并利用惰性气体将曝光罩吹干；
步骤S13、将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；
步骤S14、将曝光罩从所述去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；
步骤S15、利用惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。
在具体实施时，首先，将曝光罩放置在预先配制好的清洗溶液中进行超声清洗；接着，在超声清洗完成之后，将曝光罩从清洗溶液中取出，并利用惰性气体将曝光罩吹干；然后，将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；接着，在清洗完成之后，将曝光罩从去离子水中取出，并利用氮气(N2)枪将曝光罩吹干；最后，利用惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。
作为优选方案，所述清洗溶液由氢氧化钠溶液和过氧化氢混合制成。
作为优选方案，所述氢氧化钠溶液和所述过氧化氢的体积比为50:1。
作为优选方案，所述氢氧化钠溶液中氢氧化钠的浓度为100g/L。
具体的，结合上述实施例，在对曝光罩进行超声清洗时，所使用的清洗溶液由氢氧化钠(NaOH)溶液和过氧化氢(H2O2)按照50:1的体积比混合制成；其中，氢氧化钠溶液中的氢氧化钠的浓度为100g/L。
作为优选方案，所述超声清洗的清洗时间为20min。
具体的，结合上述实施例，在对曝光罩进行超声清洗时，超声清洗的清洗持续时间为20分钟。
作为优选方案，所述超声清洗的清洗温度为30℃～35℃。
具体的，结合上述实施例，在对曝光罩进行超声清洗时，超声清洗的清洗温度在30℃～35℃范围内。
示例性的，清洗温度的取值可以为30℃、31℃、32℃、33℃、34℃或35℃，也可以根据实际需求进行设置，本发明实施例不作具体限定。
作为优选方案，所述惰性气体为氮气。
具体的，结合上述实施例，在利用惰性气体将曝光罩吹干，以及，利用惰性气体继续吹扫曝光罩时，所使用的惰性气体可以为氮气(N2)或其他惰性气体，本发明实施例不作具体限定。
作为优选方案，所述曝光罩在所述去离子水中的清洗时间为20min。
具体的，结合上述实施例，在将曝光罩放置在去离子水中进行清洗时，清洗的持续时间为20分钟。
作为优选方案，所述曝光罩在所述去离子水中的清洗温度为24℃～30℃。
具体的，结合上述实施例，在将曝光罩放置在去离子水中进行清洗时，清洗温度在24℃～30℃范围内。
示例性的，清洗温度的取值可以为24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃或30℃，也可以根据实际需求进行设置，本发明实施例不作具体限定。
结合上述所有实施例，下面通过第一个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：(1)将曝光罩放置在预先配制好的清洗溶液中进行超声清洗；其中，清洗溶液由氢氧化钠溶液和过氧化氢按照50:1的体积比混合制成，氢氧化钠溶液中的氢氧化钠的浓度为100g/L，超声清洗的清洗时间为20min，清洗温度为30℃；(2)将曝光罩从清洗溶液中取出，并利用氮气或其他惰性气体将曝光罩吹干；(3)将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；其中，清洗时间为20min，清洗温度为24℃；(4)将曝光罩从去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；(5)利用氮气或其他惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。
结合上述所有实施例，下面通过第二个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：(1)将曝光罩放置在预先配制好的清洗溶液中进行超声清洗；其中，清洗溶液由氢氧化钠溶液和过氧化氢按照50:1的体积比混合制成，氢氧化钠溶液中的氢氧化钠的浓度为100g/L，超声清洗的清洗时间为20min，清洗温度为33℃；(2)将曝光罩从清洗溶液中取出，并利用氮气或其他惰性气体将曝光罩吹干；(3)将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；其中，清洗时间为20min，清洗温度为27℃；(4)将曝光罩从去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；(5)利用氮气或其他惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。
结合上述所有实施例，下面通过第三个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：(1)将曝光罩放置在预先配制好的清洗溶液中进行超声清洗；其中，清洗溶液由氢氧化钠溶液和过氧化氢按照50:1的体积比混合制成，氢氧化钠溶液中的氢氧化钠的浓度为100g/L，超声清洗的清洗时间为20min，清洗温度为35℃；(2)将曝光罩从清洗溶液中取出，并利用氮气或其他惰性气体将曝光罩吹干；(3)将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；其中，清洗时间为20min，清洗温度为30℃；(4)将曝光罩从去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；(5)利用氮气或其他惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。
综上，本发明实施例所提供的一种曝光罩的清洗方法，首先，将曝光罩放置在预先配制的清洗溶液中进行超声清洗；接着，将曝光罩从清洗溶液中取出，并利用惰性气体将曝光罩吹干；然后，将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；接着，将曝光罩从去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；最后，利用惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止；本发明实施例能够对曝光罩进行彻底清洗，从而保证蒸镀的良品率不受曝光罩的影响。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种曝光罩的清洗方法，其特征在于，包括：
将曝光罩放置在预先配制的清洗溶液中进行超声清洗；
将曝光罩从所述清洗溶液中取出，并利用惰性气体将曝光罩吹干；
将曝光罩放置在去离子水中进行清洗；
将曝光罩从所述去离子水中取出，并利用氮气枪将曝光罩吹干；
利用惰性气体继续吹扫曝光罩，直至没有水气被吹出时为止。
2.如权利要求1所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述清洗溶液由氢氧化钠溶液和过氧化氢混合制成。
3.如权利要求2所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液和所述过氧化氢的体积比为50:1。
4.如权利要求2所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液中氢氧化钠的浓度为100g/L。
5.如权利要求1所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗的清洗时间为20min。
6.如权利要求1所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗的清洗温度为30℃～35℃。
7.如权利要求1所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气。
8.如权利要求1所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述曝光罩在所述去离子水中的清洗时间为20min。
9.如权利要求1所述的曝光罩的清洗方法，其特征在于，所述曝光罩在所述去离子水中的清洗温度为24℃～30℃。
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