CN117821896A - 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 208
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 208
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 32
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 25
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- -1 iron ion Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021585 Nickel(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ROPGXTOGNYGGRA-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Ni].[Ni] Chemical compound [Fe].[Ni].[Ni] ROPGXTOGNYGGRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SURQXAFEQWPFPV-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate heptahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.[Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O SURQXAFEQWPFPV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L iron(2+);disulfamate Chemical compound [Fe+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);dibromide Chemical compound [Ni+2].[Br-].[Br-] IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
本发明提供能够将通过蒸镀形成的图案的构造上的精度的提高以及蒸镀用金属掩模的操作性的提高这两者兼顾的蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法。具备：掩模部(32)，具备用于与蒸镀对象接触的接触面以及与上述接触面相反侧的非接触面，形成为片形状，而且，该掩模部具有分别从位于上述接触面的第一开口贯通到位于上述非接触面的第二开口的多个掩模孔，上述第一开口的大小小于上述第二开口的大小；以及掩模框架(31)，具有比上述掩模部高的刚性，并且形成为将上述多个掩模孔包围的框状。上述掩模部(32)在上述非接触面中具有将上述多个掩模孔包围的部分，在该部分通过接合部与掩模框架接合。
Description
本申请是申请日为2016年7月15日、申请号为201610561108.7、发明名称为“蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法。
背景技术
在通过蒸镀物质对基板等蒸镀对象进行蒸镀时，有时使用金属掩模。该蒸镀用金属掩模具备接触面和非接触面。接触面是与蒸镀对象进行接触的面。非接触面是与接触面相反侧的面。从非接触面贯通到接触面的掩模孔具备非接触侧开口和接触侧开口。非接触侧开口是位于非接触面而供蒸镀物质进入的开口。接触侧开口位于接触面而与蒸镀对象对置。从非接触侧开口进入并通过接触侧开口的蒸镀物质向蒸镀对象进行堆积。由此，形成依据于接触侧开口的位置、形状的图案(例如，参照日本特开2015-055007号公报)。
为了提高图案上的位置等的精度，蒸镀用金属掩模的掩模孔的通路截面积，从非接触侧开口朝向接触侧开口单调地减少。近年，为了提高图案的膜厚的均匀性等的精度，还希望使非接触侧开口与接触侧开口之间的距离、即蒸镀用金属掩模的厚度变薄。
另一方面，在厚度较薄的蒸镀用金属掩模中，不能够得到足够的蒸镀用金属掩模的机械耐受性，因此蒸镀用金属掩模的操作性显著低。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够将通过蒸镀形成的图案的位置或膜厚等构造上的精度的提高、以及蒸镀用金属掩模的操作性的提高这两者兼顾的蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模，具备掩模部，该掩模部具备用于与蒸镀对象接触的接触面以及与上述接触面相反侧的非接触面，形成为片形状，而且，该掩模部具有分别从位于上述接触面的第一开口贯通到位于上述非接触面的第二开口的多个掩模孔，上述第一开口的大小小于上述第二开口的大小。并且，该蒸镀用金属掩模还具备掩模框架，该掩模框架具有比上述掩模部高的刚性，并且形成为将上述多个掩模孔包围的框状。上述掩模部在上述非接触面中具有将上述多个掩模孔包围的部分，在该部分通过接合部与上述掩模框架接合。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模的制造方法为，包括：形成掩模部的工序，该掩模部具备用于与蒸镀对象接触的接触面以及与上述接触面相反侧的非接触面，形成为片形状，而且，该掩模部具有分别从位于上述接触面的第一开口贯通到位于上述非接触面的第二开口的多个掩模孔，上述第一开口的大小小于上述第二开口的大小；和
将上述掩模部与掩模框架接合的工序，该掩模框架具有比上述掩模部高的刚性，且形成为将上述多个掩模孔包围的框状，而且，上述掩模部在上述非接触面中具有将上述多个掩模孔包围的部分，该掩模部与掩模框架接合的工序中，上述掩模部在该部分通过接合部与上述掩模框架接合。
根据上述各构成，从第二开口向掩模孔内进入的蒸镀物质，通过具有比第二开口小的大小的第一开口向蒸镀对象进行堆积。因此，能够提高由蒸镀物质构成的图案的构造上的精度。并且，第二开口所位于的非接触面与具有比掩模部高的刚性的掩模框架接合。因此，容易使接触面与蒸镀对象接触，并且能够提高蒸镀用金属掩模本身的刚性，进而能够提高蒸镀用金属掩模的操作性。
在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，具备与共用的一个上述掩模框架接合的多个上述掩模部。
在上述蒸镀用金属掩模的制造方法中，也可以是，将上述掩模框架与上述非接触面接合的工序为，将多个上述掩模部与一个上述掩模框架接合。
根据上述各构成，能够将一个掩模框架所需要的掩模孔的数量，分割给多个掩模部。并且，与一个掩模部具备一个掩模框架所需要的全部掩模孔的构成相比，上述蒸镀用金属掩模在以下方面更优良。即，即使在一个掩模部的一部分产生变形的情况下，也能够将与变形的掩模部进行更换的新掩模部的大小抑制为多个掩模部中的一个。进而，还能够抑制蒸镀用金属掩模的修补所需要的各种材料的消耗量。
在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述掩模部为金属片，上述接触面以及上述非接触面中的至少一方包括平滑面，上述平滑面设为向该平滑面入射的光的镜面反射的反射率为45.2％以上，上述金属片的厚度为50μm以下。
在上述蒸镀用金属掩模的制造方法中，也可以是，上述掩模部为金属片，上述接触面以及上述非接触面中的至少一方包括平滑面，上述平滑面设为向该平滑面入射的光的镜面反射的反射率为45.2％以上，上述金属片的厚度为50μm以下。
掩模部所具有的厚度越薄，与上述掩模框架接合的效果越显著。根据上述各构成，对于具有50μm以下的厚度的较薄的掩模部，能够得到上述效果。
在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述掩模部为金属片，上述接触面以及上述非接触面中的至少一方包括平滑面，上述平滑面设为向该平滑面入射的光的镜面反射的反射率为53.0％以上，上述金属片的厚度为40μm以下。
在上述蒸镀用金属掩模的制造方法中，也可以是，上述掩模部为金属片，上述接触面以及上述非接触面中的至少一方包括平滑面，上述平滑面设为向该平滑面入射的光的镜面反射的反射率为53.0％以上，上述金属片的厚度为40μm以下。
根据上述各构成，对于具有40μm以下的厚度的较薄的掩模部，能够得到上述效果。
在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述掩模框架具备上述接合部所位于的平面，上述平面具有朝向上述掩模部的外侧延展的大小。
根据上述蒸镀用金属掩模，与非接触面接合的平面朝向掩模部的外侧延展。即，掩模框架具备具有片形状的掩模部的非接触面虚拟地扩展的面构造。因此，在掩模框架的平面扩展的范围中，与掩模部的厚度相当的空间容易地形成在掩模部的周围。作为结果，能够抑制与接触面接触的蒸镀对象与掩模框架物理地干涉。
附图说明
图1是表示一个实施方式的掩模装置的平面构造的平面图。
图2是局部地表示掩模部所具有的截面构造的一个例子的截面图。
图3是局部地表示掩模部所具有的截面构造的其他例子的截面图。
图4是局部地表示掩模部的边缘与掩模框架之间的接合构造的一个例子的截面图。
图5是局部地表示掩模部的边缘与掩模框架之间的接合构造的其他例子的截面图。
图6是表示蒸镀用金属掩模所具有的掩模孔的数量与各掩模部所具备的掩模孔的数量之间的关系的一个例子的图，(a)是表示蒸镀用金属掩模的平面构造的平面图，(b)是表示蒸镀用金属掩模的截面构造的截面图。
图7是表示蒸镀用金属掩模所具有的掩模孔的数量与掩模部所具备的掩模孔的数量之间的关系的其他例子的图，(a)是表示蒸镀用金属掩模的平面构造的平面图，(b)是表示蒸镀用金属掩模的截面构造的截面图。
图8是对于蒸镀用金属掩模基材的一个例子表示截面构造的截面图。
图9是对于蒸镀用金属掩模基材的其他例子表示截面构造的截面图。
图10是表示各制造方法、蒸镀用金属掩模基材的片对象面的表面粗糙度、以及蒸镀用金属掩模基材的片对象面的反射率之间的关系的图。
图11是表示各蒸镀用金属掩模基材的片对象面的反射率的图表。
图12是对一个实施方式的蒸镀用金属掩模的制造方法的一个例子进行说明的图，(a)至(h)分别是表示工序的流程的工序图。
图13是对一个实施方式的蒸镀用金属掩模的制造方法的其他例子进行说明的图，(a)至(e)分别是表示工序的流程的工序图。
图14是对一个实施方式的蒸镀用金属掩模的制造方法的其他例子进行说明的图，(a)至(f)分别是表示工序的流程的工序图。
符号的说明
F…应力，S…蒸镀对象，V…空间，EPS…电极表面，H1…背面开口，H2…表面开口，PR…抗蚀剂层，RM…抗蚀掩模，SH…阶梯高度，T1、T32…厚度，TM…中间转印基材，10…掩模装置，20…主框架，21…主框架孔，30…蒸镀用金属掩模，31…掩模框架，31E…框架内侧边缘部，32、32A、32B、32C…掩模部，32BN…接合部，32E…外周边缘部，32H…掩模孔，32K…基材，32LH…掩模大孔，32SH…掩模小孔，33、33A、33B、33C…掩模框架孔，311…框架背面，312…框架表面，321…掩模背面，322…掩模表面，323…掩模片。
具体实施方式
参照图1至图14，对蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法的一个实施方式进行说明。
[掩模装置]
如图1所示那样，掩模装置10具备主框架20和多个蒸镀用金属掩模30。主框架20具有对多个蒸镀用金属掩模30进行支撑的矩形框状。主框架20安装于用于进行蒸镀的蒸镀装置。主框架20具有多个主框架孔21。各主框架孔21遍及各蒸镀用金属掩模30所处范围的几乎整体，贯通主框架20。
蒸镀用金属掩模30具备掩模框架31和多个掩模部32。掩模框架31具有对掩模部32进行支撑的短条板状。掩模框架31安装于主框架20。掩模框架31具有多个掩模框架孔33。各掩模框架孔33遍及对应的掩模部32所处范围的几乎整体，贯通掩模框架31。掩模框架31具有比掩模部32高的刚性，并且具有将各掩模框架孔33包围的框状。各掩模部32通过熔敷、粘合而被固定于划分出对应的掩模框架孔33的、掩模框架31的框架内侧边缘部。
接下来，参照图2对掩模部32所具有的截面构造的一个例子进行说明，参照图3对掩模部32所具有的截面构造的其他例子进行说明。
如图2所示的例子那样，掩模部32的一个例子为由掩模片323构成。掩模片323为单一的金属片、多层的金属片、以及金属片与树脂片的层叠体中的任一个。构成掩模片323的金属片的材料为镍或铁镍合金。构成掩模片323的金属片的材料，例如为含有30质量％以上的镍的铁镍合金，为这其中的以36质量％镍和64质量％铁的合金为主成分的因瓦铁镍合金(invar)。在将36质量％镍和64质量％铁的合金为主成分的情况下，残余成分包括铬、锰、碳、钴等添加物。在构成掩模片323的金属片为因瓦铁镍合金片的情况下，金属片的热膨胀系数例如为1.2×10-6/℃程度。如果是具有这样的热膨胀系数的掩模片323，则掩模部32的热膨胀的程度与玻璃基板的热膨胀的程度相匹配。因此，将玻璃基板用作为蒸镀对象的一个例子较好。
掩模片323具有接触面的一个例子即掩模背面321。掩模片323具备非接触面的一个例子即掩模表面322，该掩模表面322为与掩模背面321相反侧的面。掩模表面322是在蒸镀装置中用于与蒸镀源对置的面。掩模背面321是在蒸镀装置中用于与玻璃基板等蒸镀对象接触的面。
掩模片323所具有的厚度、即掩模表面322与掩模背面321之间的距离为1μm以上100μm以下，优选为1μm以上50μm以下，更优选为2μm以上40μm以下。如果掩模片323所具有的厚度为40μm以下，则形成于掩模片323的掩模孔32H的深度为40μm以下。这种较薄的掩模片323在以下方面较优良。即，在从朝向掩模片323飞行的蒸镀物质的粒子(蒸镀粒子)观察蒸镀对象时，与较厚的掩模片323相比，能够使由于蒸镀用金属掩模30而不能够附着的部分(成为遮挡的部分)减少。换言之，能够抑制阴影效应。
各掩模部32具有贯通掩模片323的多个掩模孔32H。划分出掩模孔32H的孔侧面，在截面视图中相对于掩模片323的厚度方向具有倾斜。划分出掩模孔32H的孔侧面的形状，在截面视图中可以为直线状，可以为朝向掩模孔32H的外侧伸出的半圆弧状，也可以为具有多个弯折点的复杂的曲线状。
掩模表面322包括各掩模孔32H的第二开口即表面开口H2。掩模背面321包括各掩模孔32H的第一开口即背面开口H1。在俯视时，表面开口H2的大小大于背面开口H1的大小。各掩模孔32H是供从蒸镀源升华的蒸镀粒子通过的通路。从蒸镀源升华的蒸镀粒子从表面开口H2朝向背面开口H1进入。只要是表面开口H2大于背面开口H1的掩模孔32H，则能够对于从表面开口H2进入的蒸镀粒子抑制阴影效应。此外，与掩模背面321平行的截面中的掩模孔32H的面积也可以为，随着该截面从背面开口H1朝向表面开口H2移动，从背面开口H1到表面开口H2，该面积单调地增大。换言之，掩模孔32H的截面积也可以为，从表面开口H2朝向背面开口H1，截面积单调地减少。如果是这样的掩模孔32H，则能够进一步抑制上述阴影效应。
在图3所示的其他例子中，各掩模部32具有分别贯通掩模片323的多个掩模孔32H。在图3所示的例子中，在俯视时，表面开口H2的大小大于背面开口H1的大小。各掩模孔32H由具有表面开口H2的掩模大孔32LH和具有背面开口H1的掩模小孔32SH构成。掩模大孔32LH是从表面开口H2朝向掩模背面321而其截面积单调地减少的孔。掩模小孔32SH是从背面开口H1朝向掩模表面322而其截面积单调地减少的孔。划分出各掩模孔32H的孔侧面，在截面视图中，具有掩模大孔32LH与掩模小孔32SH连接的部分。掩模大孔32LH与掩模小孔32SH连接的部分，位于掩模片323的厚度方向的中间。掩模大孔32LH和与掩模小孔32SH连接的部分具有朝向掩模孔32H的内侧突出的形状。在掩模孔32H的孔侧面朝向内侧最突出的部位与掩模背面321之间的距离为阶梯高度SH。之前在图2中说明了的截面构造，是使阶梯高度SH成为零的例子。从抑制上述阴影效应的观点，优选阶梯高度SH为零。此外，为了得到阶梯高度SH为零的掩模部32，例如优选使掩模片323的厚度为40μm以下，以便通过从掩模表面322向掩模背面321的湿式蚀刻来形成掩模孔32H，而不需要从掩模背面321进行湿式蚀刻。
[掩模部的接合]
接下来，参照图4对掩模部32与掩模框架31之间的接合构造所具有的截面构造的一个例子进行说明。参照图5对掩模部32与掩模框架31之间的接合构造所具有的截面构造的其他例子进行说明。
如图4所示的例子那样，在掩模片323的外周边缘部32E连续有未形成掩模孔32H的区域。在掩模片323所具有的掩模表面322上，掩模片323的外周边缘部32E所包含的部分与掩模框架31接合。掩模框架31具备划分出各掩模框架孔33的框架内侧边缘部31E。框架内侧边缘部31E具备与掩模片323对置的框架背面311。框架内侧边缘部31E具有与框架背面311相反侧的面即框架表面312。框架内侧边缘部31E的厚度T31、即框架背面311与框架表面312之间的距离，比掩模片323所具有的厚度T32厚，由此，掩模框架31具有比掩模片323高的刚性。特别是，针对框架内侧边缘部31E由于自重而垂下的情况、框架内侧边缘部31E朝向掩模部32的中央位移的情况，掩模框架31具有比掩模片323高的刚性。与掩模表面322接合的接合部32BN位于框架内侧边缘部31E的框架背面311。
接合部32BN遍及框架内侧边缘部31E的几乎整周，连续地或者间歇地地配设。接合部32BN是通过框架背面311与掩模表面322的熔敷而形成的熔敷痕。熔敷痕是构成掩模框架31的材料与构成掩模部32的材料的混合物。或者，接合部32BN是将框架背面311与掩模表面322进行接合的接合层。接合层包含与构成掩模框架31的材料、构成掩模部32的材料不同的材料。在掩模框架31中，框架内侧边缘部31E的框架背面311与掩模片323的掩模表面322接合。掩模表面322与掩模框架31被接合，因此与不具备掩模框架31的蒸镀用金属掩模相比，能够提高蒸镀用金属掩模30本身的刚性。
掩模框架31对掩模片323施加各掩模片323被朝向该掩模片323的外侧拉动那样的应力F。此外，对于掩模框架31，也通过主框架20而施加掩模框架31被朝向掩模框架31的外侧拉动那样的应力。该应力的大小与掩模片323的应力F为相同程度。因此，在从主框架20拆卸的蒸镀用金属掩模30中，基于主框架20与掩模框架31的接合的应力被解除，对掩模片323施加的应力F也得到缓和。框架背面311上的接合部32BN的位置，优选为使应力F在掩模片323中各向同性地作用的位置。框架背面311上的接合部32BN的位置，基于掩模片323所具有的形状以及掩模框架孔33所具有的形状来适当地选择。
构成掩模部32的掩模片323的厚度例如为1μm以上50μm以下。掩模表面322以及掩模背面321的至少一方，在包围掩模孔32H的区域中包括平滑面。平滑面例如设为，向平滑面入射的光的镜面反射的反射率为45.2％以上。或者，平滑面例如设为，三维表面粗糙度Sa为0.11μm以下，且三维表面粗糙度Sz为3.17μm以下。
构成掩模片323的金属片通过如下任一种方法来制造：(A)基于电解的金属材料的析出；(B)金属材料的轧制以及研磨；(C)基于电解的金属材料的析出以及研磨；(D)仅金属材料的轧制。掩模部32所具有的厚度越薄，则掩模框架31与掩模部32的接合所带来的效果越显著。根据上述例示的掩模部32，对于具有50μm以下厚度的较薄的掩模部32，能够得到上述效果。
此外，在金属片中，具有金属片的厚度越薄则金属片的表面的反射率越高的趋势。此外，在金属片中，具有金属片的厚度越薄则金属片的表面的三维表面粗糙度Sa、三维表面粗糙度Sz越小的趋势。此外，在从掩模片323的表面开始进行用于形成掩模孔32H的湿式蚀刻的情况下，通过掩模片323的表面包含上述平滑面，还能够提高与形成于表面的抗蚀掩模的紧贴性。
构成掩模部32的掩模片323的厚度例如为2μm以上40μm以下。在该构成中也是，掩模表面322以及掩模背面321的至少一方，在将掩模孔32H包围的区域包含平滑面。平滑面例如设为，向平滑面入射的光的镜面反射的反射率为53.0％以上。或者，平滑面例如设为，三维表面粗糙度Sa为0.019μm以下，且三维表面粗糙度Sz为0.308μm以下。根据此处例示的掩模部32，对于具有40μm以下厚度的极薄的掩模部32，能够得到特别优良的效果。此外，在从掩模片323的表面开始进行用于形成掩模孔32H的湿式蚀刻的情况下，通过掩模片323的表面包含上述平滑面，还能够减小形成于表面的抗蚀掩模的最小分辨率的尺寸。
此外，通过测定从卤素灯射出的光入射到对象面时的镜面反射的反射光，根据下述式(1)来计算反射率R。从卤素灯射出的光相对于对象面的法线方向以45°±0.2°的入射角度向对象面的14mm2的区域入射。对反射光进行受光的元件的面积为11.4mm2。
反射率R＝[镜面反射的反射光的光量/入射光的光量]×100…(1)
此外，三维表面粗糙度Sa以及Sz是通过依据ISO 25178的方法来测定的值。三维表面粗糙度Sa是具有规定面积的定义区域中的算术平均高度。三维表面粗糙度Sz是具有规定面积的定义区域中的最大高度。
框架背面311是接合部32BN所处的平面。框架背面311从掩模表面322的外周边缘部32E朝向掩模片323的外侧延展。换言之，框架内侧边缘部31E具有掩模表面322向掩模表面322的外侧虚拟地扩展的面构造。框架内侧边缘部31E从掩模表面322的外周边缘部32E朝向掩模片323的外侧延展。在框架背面311延展的范围中，与掩模片323的厚度相当的空间V容易地形成在掩模片323的周围。作为结果，在掩模片323的周围，能够抑制蒸镀对象S与掩模框架31物理地干涉。
在图5所示的例子中，在掩模片323的外周边缘部32E也连续有未形成掩模孔32H的区域。掩模表面322的外周边缘部32E通过基于接合部32BN的接合，而与掩模框架31所具备的框架背面311接合。掩模框架31对掩模片323施加各掩模片323被朝向该掩模片323的外侧拉动那样的应力F。掩模框架31在框架背面311延展的范围中，形成与掩模片323的厚度相当的空间V。
[掩模部的数量]
接下来，参照图6对蒸镀用金属掩模30所具备的掩模孔32H的数量、与各掩模部32所具备的掩模孔32H的数量之间的关系的一个例子进行说明。此外，参照图7对蒸镀用金属掩模30所具备的掩模孔32H的数量、与掩模部32所具备的掩模孔32H的数量之间的关系的其他例子进行说明。
如图6(a)的例子所示那样，掩模框架31例如具有3个掩模框架孔33，作为多个掩模框架孔33。如图6(b)的例子所示那样，蒸镀用金属掩模30在各掩模框架孔33中各具备一个掩模部32。即，划分出掩模框架孔33A的框架内侧边缘部31E与一个掩模部32A接合。划分出掩模框架孔33B的另一个框架内侧边缘部31E与另一个掩模部32B接合。划分出掩模框架孔33C的剩余的一个框架内侧边缘部31E与剩余的一个掩模部32C接合。
蒸镀用金属掩模30能够对多个蒸镀对象反复使用。因此，蒸镀用金属掩模30所具备的多个掩模孔32H分别被要求掩模孔32H的位置、掩模孔32H的构造等的较高精度。如图6所示的构成那样，与将一个掩模框架31所需要的掩模孔32H的数量通过一个掩模部32来承担的构成相比，将一个掩模框架31所需要的掩模孔32H的数量通过3个掩模部32来承担的构成在以下方面更优良。例如，在一个掩模部32的一部分产生了变形的情况下，能够减小与所变形的掩模部32更换的新的掩模部32的大小。并且，还能够抑制蒸镀用金属掩模30的制造、修补所需要的各种材料的消耗量。此外，与掩模孔32H的构造相关的检查，优选在掩模框架31与掩模部32已接合的状态下进行。从该观点出发，上述接合部32BN优选为能够将变形的掩模部32更换为新的掩模部32的构成。并且，构成掩模部32的掩模片323的厚度越薄，掩模孔32H的尺寸越小，则掩模部32的成品率越容易降低。因此，各掩模框架孔33各具备一个掩模部32的构成，对于要求高精细的蒸镀用金属掩模30也较适合。
如图7(a)的例子所示那样，掩模框架31例如具有3个掩模框架孔33，作为多个掩模框架孔33。如图7(b)的例子所示那样，蒸镀用金属掩模30具备多个掩模框架孔33所共用的一个掩模部32。即，划分出掩模框架孔33A的框架内侧边缘部31E、划分出掩模框架孔33B的框架内侧边缘部31E、以及划分出掩模框架孔33C的框架内侧边缘部31E，与它们所共用的一个掩模部32接合。
此外，如果是一个掩模框架31所需要的掩模孔32H的数量通过一个掩模部32来承担的构成，则能够使与掩模框架31接合的掩模部32的数量成为一个。因此，能够减轻掩模框架31与掩模部32的接合所需的负荷。并且，构成掩模部32的掩模片323的厚度越厚，掩模孔32H的尺寸越大，则掩模部32的成品率越容易提高。因此，具备各掩模框架孔33所共用的掩模部32的构成，对于要求低分辨率的蒸镀用金属掩模30较适合。
[蒸镀用金属掩模的制造方法]
接下来，对蒸镀用金属掩模的制造方法的各例进行说明。此外，图8以及图9分别表示使用了湿式蚀刻的制造方法中所利用的蒸镀用金属掩模基材的一个例子。图10表示蒸镀用金属掩模基材所具备的金属片32S的片对象面的特性。图11表示金属片32S所具备的片对象面的反射率。片对象面的一部分包含掩模片323的平滑面。片对象面遍及片对象面的整体具有与平滑面相同的表面特性。
此外，参照图12对通过湿式蚀刻形成掩模孔的方法的一个例子进行说明。此外，参照图13对通过电解形成掩模孔的方法的一个例子进行说明。参照图14对通过电解形成掩模孔的方法的其他例子进行说明。
此外，制造图2中说明的蒸镀用金属掩模30的方法与制造图3中说明的蒸镀用金属掩模30的方法相比，对掩模片323的基材即蒸镀用金属掩模基材32K进行的蚀刻的方式不同，但其以外的工序几乎同样。在以下，主要对图2中说明的蒸镀用金属掩模30的制造方法进行说明，关于图3中说明的蒸镀用金属掩模30的制造方法，省略其重复的说明。
金属片32S具备掩模表面322和掩模背面321。
在掩模表面322上形成抗蚀掩模、通过从掩模表面322开始进行的蚀刻来形成掩模片323的方法中，掩模表面322为片对象面。在掩模表面322和掩模背面321上形成各自的抗蚀掩模、通过从掩模表面322开始进行的蚀刻和从掩模背面321开始进行的蚀刻来形成掩模片323的方法中，掩模表面322和掩模背面321为片对象面。片对象面是在蒸镀用金属掩模形成的过程中被形成抗蚀掩模的面。
构成金属片32S的材料为镍或铁镍合金，例如为含有30质量％以上的镍的铁镍合金，为这其中的以36质量％的镍和64质量％的铁的合金为主成分的因瓦铁镍合金。在金属片32S为因瓦铁镍合金片的情况下，金属片32S的热膨胀系数例如为1.2×10-6/℃程度。如果是具有这样的热膨胀系数的金属片32S，则使用金属片32S而制造的掩模部32的热膨胀的程度、与玻璃基板的热膨胀的程度相匹配，因此作为蒸镀对象的一个例子适合使用玻璃基板。
金属片32S具有的厚度T1例如为1μm以上100μm以下，优选为1μm以上50μm以下，更优选为2μm以上40μm以下。如果金属片32S所具有的厚度T1为40μm以下，则能够使形成于金属片32S的孔的深度为40μm以下。具有这样的厚度T1的金属片32S，在使用金属片32S而制造的蒸镀用金属掩模中在以下方面较优良。即，在从朝向蒸镀用金属掩模飞行的蒸镀粒子观察成膜对象时，能够减小由于蒸镀用金属掩模而成为不希望的遮挡的部分。换言之，能够抑制阴影效应。
金属片32S所具有的片对象面的表面特性优选满足下述[条件1]以及[条件2]的至少一方。
[条件1]三维表面粗糙度Sa≦0.019μm以下且三维表面粗糙度Sz≦0.308μm以下。
[条件2]53.0％≦对象面的反射率R≦97.0％。
三维表面粗糙度Sa以及Sz是通过依据ISO 25178的方法来测定的值。通过测定从卤素灯射出的光入射到对象面时的镜面反射的反射光，根据下述式(2)来计算反射率R。从卤素灯射出的光相对于对象面的法线方向以45°±0.2°的入射角度向对象面的14mm2的区域入射。对反射光进行受光的元件的面积为11.4mm2。
反射率R＝[镜面反射的反射光的光量/入射光的光量]×100…(2)
如果是满足[条件1]以及[条件2]的至少一方的表面特性，则能够抑制向对象面照射的光由于对象面而散射。并且，在向位于抗蚀剂对象面的抗蚀剂层照射光时，能够抑制光的一部分由于对象面而散射，且所散射的光对抗蚀剂层中的曝光对象区域以外的区域进行照射。结果，能够抑制通过曝光以及显影而形成的抗蚀掩模的构造与所设计的抗蚀掩模的构造之间产生差异，并能够抑制通过湿式蚀刻法而形成的掩模孔32H的构造与所设计的掩模孔32H的构造之间产生差异。
此外，如图9所示，蒸镀用金属掩模基材除了金属片32S以外，还能够在掩模背面321和掩模表面322的至少一方还具备树脂体PB。即，蒸镀用金属掩模基材能够作为金属片32S与树脂体PB的层叠体而具体化。构成位于掩模表面322的树脂体PB的材料为抗蚀剂。构成位于掩模背面321的树脂体PB的材料例如为抗蚀剂、聚酰亚胺。
在构成树脂体PB的材料为抗蚀剂的情况下，树脂体PB为抗蚀剂层。作为树脂体PB的抗蚀剂层在被形成为片形状之后，被粘贴到掩模表面322。或者，作为树脂体PB的抗蚀剂层通过将用于形成抗蚀剂层的涂液涂敷到掩模表面322来形成。
在构成树脂体PB的材料为聚酰亚胺的情况下，树脂体PB紧贴于掩模背面321。聚酰亚胺具有的热膨胀系数以及其温度的依存性，与因瓦铁镍合金的热膨胀系数以及其温度的依存性为相同程度，因此通过由树脂体PB的温度变化而产生的树脂体PB的膨胀、收缩，抑制金属片32S产生翘曲。
树脂体PB的厚度T2例如为5μm以上50μm以下。从提高树脂体PB与金属片32S的层叠体的机械强度的观点出发，树脂体PB的厚度T2优选为5μm以上。此外，在形成掩模部32的过程中，有时通过向碱性溶液等浸渍来从金属片32S除去树脂体PB。从抑制这种除去所需要的时间变得过长的观点出发，树脂体PB的厚度优选为50μm以下。
金属片的制造方法使用如下方法中的任一种：(A)电解；(B)轧制以及研磨；(C)电解以及研磨；(D)仅轧制。
此外，在形成用于制造金属片32S的轧制用的母材时，通常，将在用于形成轧制用的母材的材料中混入的氧除去。在将混入材料中的氧除去时，例如，将粒状的铝、镁等脱氧剂混合到用于形成母材的材料中。作为结果，铝、镁作为氧化铝、氧化镁等金属氧化物而包含于母材。在母材被轧制之前，金属氧化物的大部分被从母材除去。另一方面，金属氧化物的一部分残留于成为轧制的对象的母材。在这一点，根据使用电解的制造方法，能够抑制金属氧化物混入金属片32S。
(A)电解
在作为金属片32S的制造方法而使用电解的情况下，在电解所使用的电极的表面形成金属片32S。然后，从电极的表面分离金属片32S。由此，制造出具有成为片对象面的掩模表面322、以及之前与电极的表面接触的面即掩模背面321的金属片32S。在电极的表面具有与片对象面为相同程度的表面特性的情况下，金属片32S的掩模表面322和掩模背面321的双方具有与片对象面相当的表面特性。在电极的表面具有比片对象面大的表面粗糙度、比片对象面低的反射率的情况下，金属片32S的掩模表面322具有与片对象面相当的表面特性。此外，在掩模表面322和掩模背面321的双方具有与片对象面相当的表面特性的构成中，在片对象面上形成抗蚀剂层时，能够减轻掩模表面322与掩模背面321的区别所需要的负荷。此外，所分离的金属片32S也可以在被分离之后被实施退火处理。
电解所使用的电解浴例如包含铁离子供给剂、镍离子供给剂以及pH缓冲剂。此外，电解所使用的电解浴也可以是含有应力缓和剂、Fe3+离子掩模剂、苹果酸、柠檬酸等络合剂等，而被调整为适合于电解的pH的弱酸性的溶液。铁离子供给剂例如为硫酸亚铁七水合物、氯化亚铁、氨基磺酸铁等。镍离子供给剂例如为硫酸镍(II)、氯化镍(II)、氨基磺酸酸镍、溴化镍。pH缓冲剂例如为硼酸、丙二酸。丙二酸还作为Fe3+离子掩模剂起作用。应力缓和剂例如为糖精钠。电解所使用的电解浴例如是含有上述添加剂的水溶液，并通过5％硫酸或者碳酸镍等pH调整剂将pH调整为例如2以上3以下。
电解所使用的电解条件是片对象面所具有的表面特性以及金属片32S中的镍的组成比等根据电解浴的温度、电流密度以及电解时间而被调整的条件。使用了上述电解浴的电解条件下的阳极例如为纯铁和镍。电解条件下的阴极例如为SUS304等不锈钢板。电解浴的温度例如为40℃以上60℃以下。电流密度例如为1A/dm2以上4A/dm2以下。
(B)研磨
研磨前的金属片32S可以通过电解来制造，也可以通过轧制来制造。通过轧制来制造研磨前的金属片32S的方法中，首先对金属制的母材进行轧制，然后对轧制后的母材进行退火。此时，研磨前的金属片32S的表面的阶梯差比母材的表面的阶梯差小。此外，研磨前的金属片32S的背面的阶梯差比母材的背面的阶梯差小。然后，对研磨前的金属片32S的表面，实施化学的或者电气的研磨加工。由此，制造出具有研磨面即片对象面的金属片32S。
化学研磨所使用的研磨液例如是以过氧化氢为主成分的铁系合金用的化学研磨液。电研磨所使用的电解液是高氯酸系的电解研磨液、硫酸系的电解研磨液。此外，研磨前的金属片32S例如能够具体化为，轧制后的金属制片通过基于酸性蚀刻液的湿式蚀刻而加工得较薄的片。
参照图10以及图11，对金属片32S的三维表面粗糙度Sa、三维表面粗糙度Sz、反射率R以及抗蚀掩模的加工精度的一个例子进行说明。图10表示从试验例1到试验例9的各水准的三维表面粗糙度Sa、三维表面粗糙度Sz以及反射率R。图11表示在从试验例1到试验例9的各水准中、成为代表性的例子的试验例1、试验例2、试验例3、试验例9各自的反射率。
如图10所示那样，试验例1、试验例2、试验例3、试验例6、试验例7分别是利用上述(A)电解来制造的厚度为20μm的金属片32S。试验例4、试验例5分别是通过对利用(B)轧制来制造的金属片32S进行研磨而制造的、厚度为20μm的金属片32S。此外，通过(A)电解而制造的金属片32S具有与电极接触的面。此时，SUS制的电极的三维表面粗糙度Sa为0.018μm，三维表面粗糙度Sz为0.170μm。试验例8、试验例9分别是通过轧制而制造的金属片32S，且是未施加研磨的金属片32S。试验例8、试验例9各自的厚度比试验例4、试验例5各自的厚度，厚了试验例4和试验例5的研磨量即10μm。
试验例1、试验例2、试验例3、试验例6、试验例7分别通过使用添加了下述添加物的水溶液、且被调整为pH2.3的电解浴，并将电流密度在1(A/dm2)以上4(A/dm2)以下的范围中进行变更而得到。试验例1、试验例2、试验例3、试验例6、试验例7各自的铁与镍的组成比相互不同。
(试验例用电解液)
试验例4、试验例5分别对通过轧制得到的研磨前的金属片32S实施使用了过氧化氢系的化学研磨液的化学研磨而得到。
试验例8、试验例9分别是在试验例4、5中通过轧制得到的金属片32S，且是未实施化学研磨的水准。
在从试验例1到试验例7的各水准中，能够确认到片对象面的三维表面粗糙度Sa为0.019μm以下，且片对象面的三维表面粗糙度Sz为0.308μm以下。与此相对，在试验例8、试验例9的各水准，片对象面的三维表面粗糙度Sa大致为0.04μm。由此，能够确认到：在通过上述(A)电解、(B)轧制以及研磨而制造的金属片32S中，随着得到厚度较薄的金属片32S，三维表面粗糙度Sa被大幅度降低。此外，在试验例8、试验例9的各水准中，片对象面的三维表面粗糙度Sz为0.35μm以上。由此，能够确认到：在通过上述(A)电解、(B)轧制以及研磨而制造的金属片32S中，随着得到厚度较薄的金属片32S，三维表面粗糙度Sz被降低。
如图10以及图11所示那样，在从试验例1到试验例3的各水准中，能够确认到：上述反射率R为53.0％以上97.0％以下。与此相对，在试验例8、试验例9的各水准中，能够确认到：反射率R比53.0％小，并且具有比其他试验例大的半值宽度。由此，能够确认到：如果是通过上述(A)电解、(B)轧制以及研磨而制造的金属片32S，则能够得到53.0％以上的较大的反射率R。
能够确认到：在从试验例1到试验例7各自的片对象面上形成的抗蚀掩模的最小分辨率的尺寸为，在通过紫外光的曝光在抗蚀剂层形成圆形孔时，分散在4μm以上5μm以下的范围内。另一方面，在试验例8、试验例9各自的片对象面上通过同样的制法形成的抗蚀掩模的最小分辨率尺寸为，在通过紫外光的曝光而在抗蚀剂层形成圆形孔时，为7μm以上。
如图12(a)～(h)所示的例子那样，在蒸镀用金属掩模的制造方法的一个例子中，首先，准备掩模片323的基材即蒸镀用金属掩模基材32K(参照图12(a))。此外，蒸镀用金属掩模基材32K除了被加工为掩模片323的金属片32S之外，优选还具备用于对金属片32S进行支撑的支撑体SP。接着，在蒸镀用金属掩模基材32K所具有的掩模表面322上形成抗蚀剂层PR(参照图12(b))，进行对于抗蚀剂层PR的曝光以及显影。由此，在掩模表面322上形成抗蚀掩模RM(参照图12(c))。接下来，通过使用了抗蚀掩模RM的从掩模表面322开始的湿式蚀刻，在蒸镀用金属掩模基材32K形成掩模孔32H(参照图12(d))。此时，在开始了从掩模表面322朝向掩模背面321的湿式蚀刻的掩模表面322，形成表面开口H2，在比其更延迟地进行蚀刻的掩模背面321，形成比表面开口H2小的背面开口H1。接着，从掩模表面322除去抗蚀掩模RM，由此制造出上述掩模部32(参照图12(e))。最后，将掩模表面322的外周边缘部32E与掩模框架31的框架内侧边缘部31E接合，并将支撑体SP从掩模部32脱模，由此制造出蒸镀用金属掩模30(参照图12(f)至(h))。
此外，在图3中说明的蒸镀用金属掩模30的制造方法中，对不具有支撑体SP的蒸镀用金属掩模基材32K，对与掩模背面321对应的蒸镀用金属掩模基材32K的面，实施上述工序。由此，形成掩模小孔32SH。接着，将用于保护掩模小孔32SH的抗蚀剂等填充于掩模小孔32SH。接着，对与掩模表面322对应的蒸镀用金属掩模基材32K的面，实施上述工序，由此制造出掩模部32。
例如，在掩模片323由铁镍合金制的金属片构成的情况下，在准备蒸镀用金属掩模基材32K的工序中，使用电解、轧制。作为蒸镀用金属掩模基材32K的后处理，适当地使用研磨、退火等。
在使用支撑体SP的情况下，例如，支撑体SP与形成于电极表面的金属片32S接合。接着，作为金属片32S与支撑体SP的层叠体，蒸镀用金属掩模基材32K从电极表面分离。
在使用轧制的情况下，对用于制造金属片32S的母材进行轧制，然后，对通过轧制而制造的金属片32S退火，由此得到蒸镀用金属掩模基材32K。此时，在使用支撑体SP的情况下，支撑体SP与通过轧制而制造的金属片32S接合。
此外，通过电解而得到的金属片32S、通过轧制而得到的金属片32S，可以通过基于酸性蚀刻液的湿式蚀刻而加工得更薄，也可以通过化学机械研磨而加工得更薄。
在图12(f)所示的例子中，作为将掩模表面322的外周边缘部32E与掩模框架31的框架内侧边缘部31E接合的方法，使用电阻焊接。此时，在具有绝缘性的支撑体SP形成多个贯通孔SPH。各贯通孔SPH形成于支撑体SP中的、与成为接合部32BN的部位对置的部位。然后，在对掩模部32施加了朝向掩模部32的外侧的应力的状态下，利用经由贯通孔SPH的通电，形成间歇的接合部32BN。由此，对外周边缘部32E与框架内侧边缘部31E进行熔敷。
在图12(g)所示的例子中，作为将掩模表面322的外周边缘部32E与掩模框架31的框架内侧边缘部31E接合的方法，使用激光焊接。此时，使用具有透光性的支撑体SP，经由支撑体SP向成为接合部32BN的部位照射激光L。然后，通过间歇地照射激光L，由此形成间歇的接合部32BN，或者通过连续地持续照射激光L，由此形成连续的接合部32BN。由此，将外周边缘部32E与框架内侧边缘部31E进行熔敷。此外，在对掩模部32施加了朝向掩模部32的外侧的应力的状态下支撑体SP对掩模部32进行支撑的情况下，在该焊接中也能够省略对掩模部32的应力施加。
在图12(h)所示的例子中，作为将掩模表面322的外周边缘部32E与掩模框架31的框架内侧边缘部31E接合的方法，使用超声波焊接。此时，外周边缘部32E与框架内侧边缘部31E被夹具CP等夹持，对成为接合部32BN的部位施加超声波。被直接施加超声波的部件可以是掩模框架31，也可以是掩模部32。此外，在使用超声波焊接的情况下，在掩模框架31、支撑体SP形成有基于夹具CP的按压痕。
如图13(a)～(e)所示的例子那样，在蒸镀用金属掩模的制造方法的其他例子中，首先，在电解所使用的电极EP的表面即电极表面EPS上形成抗蚀剂层PR(参照图13(a))。接着，通过对抗蚀剂层PR进行曝光以及显影，由此在电极表面EPS上形成图案的一个例子即抗蚀掩模RM(参照图13(b))。抗蚀掩模RM为，在与电极表面EPS正交的截面中，具有顶部位于电极表面EPS的倒锥台状，并具有离电极表面EPS的距离越大则与电极表面EPS平行的截面的面积越大的形状。接下来，进行使用了具有抗蚀掩模RM的电极表面EPS的电解。由此，以向电极表面EPS中的抗蚀掩模RM以外的区域延展的方式，金属片32S形成为掩模部32(参照图12(c))。
此时，在抗蚀掩模RM所占有的空间以外堆积有金属片32S，因此在金属片32S上形成具有对抗蚀掩模RM的形状进行追随的形状的孔。然后，掩模部32的掩模孔32H自我匹配地形成。即，与电极表面EPS接触的面作为具有背面开口H1的掩模背面321起作用。此外，具有比背面开口H1大的开口即表面开口H2的最表面作为掩模表面322起作用。
接下来，仅抗蚀掩模RM被从电极表面EPS除去，由此，形成使从背面开口H1到表面开口H2成为中空的掩模孔32H(参照图13(d))。最后，在具有表面开口H2的掩模表面322的外周边缘部32E接合框架内侧边缘部31E的框架背面311，接着，对掩模框架31施加用于将掩模部32从电极表面EPS剥离的应力。或者，与支撑体等接合的掩模部32被从电极表面EPS剥离，并在掩模表面322的外周边缘部32E接合框架内侧边缘部31E的框架背面311。由此，制造出在掩模框架31接合了掩模部32的状态下的蒸镀用金属掩模30(参照图12(e))。
如图14(a)～(f)所示的例子那样，在蒸镀用金属掩模的制造方法的其他例子中，首先，在电解所使用的电极表面EPS形成抗蚀剂层PR(参照图14(a))。接着，对抗蚀剂层PR进行曝光以及显影，由此在电极表面EPS上形成图案的一个例子即抗蚀掩模RM(参照图14(b))。抗蚀掩模RM为，在与电极表面EPS正交的截面中，具有底部位于电极表面EPS的锥台状，并具有离电极表面EPS的距离越大则与电极表面EPS平行的截面的面积越小的形状。接下来，进行使用了具有抗蚀掩模RM的电极表面EPS的电解，以向电极表面EPS中的抗蚀掩模RM以外的区域延展的方式，金属片32S形成为掩模部32(参照图14(c))。
在此也是，在抗蚀掩模RM所占有的空间以外堆积有金属片32S，因此在金属片32S上形成具有对抗蚀掩模RM的形状进行追随的形状的孔。然后，掩模部32的掩模孔32H自我匹配地形成。即，与电极表面EPS接触的面，作为具有表面开口H2的掩模表面322起作用，具有比表面开口H2小的开口即背面开口H1的最表面，作为掩模背面321起作用。
接下来，仅将抗蚀掩模RM从电极表面EPS除去，由此，形成使从背面开口H1到表面开口H2成为中空的掩模孔32H(参照图14(d))。然后，在具有背面开口H1的掩模背面321上接合中间转印基材TM，接着，对中间转印基材TM施加用于将掩模部32从电极表面EPS剥离的应力。由此，在中间转印基材TM上接合了掩模部32的状态下，掩模表面322从电极表面EPS剥离(参照图14(e))。最后，在具有表面开口H2的掩模表面322的外周边缘部32E接合框架内侧边缘部31E的框架背面311，接着，将中间转印基材TM从掩模部32剥离。由此，制造出在掩模框架31上接合了掩模部32的状态下的蒸镀用金属掩模30(参照图14(f))。
根据上述实施方式，能够得到以下列举的效果。
(1)从表面开口H2向掩模孔32H内进入的蒸镀物质，通过大小比表面开口H2小的背面开口H1向蒸镀对象进行堆积。因此，能够提高由蒸镀物质构成的图案的构造上的精度。
(2)由于掩模表面322与掩模框架31被接合，因此能够使掩模背面321与蒸镀对象的接触变得容易，并且能够提高蒸镀用金属掩模30本身的刚性。
(3)一个掩模框架31所需要的掩模孔32H的数量例如被分割给3个掩模部32。因此，即使在一个掩模部32的一部分产生变形的情况下，也能够减小与所变形的掩模部32进行更换的新的掩模部32的大小。
(4)如果是从表面开口H2到背面开口H1为止掩模孔32H的截面积单调地减少的例子，则对于从表面开口H2进入的蒸镀粒子，能够更良好地抑制阴影效应。
(5)通过电解来形成具有对抗蚀掩模RM的形状进行追随的形状的掩模孔32H，因此减轻了对金属片另外地进行用于形成掩模孔32H的蚀刻这种负荷。
Claims (7)
1.一种蒸镀用金属掩模，其中，具备：
掩模部，具备用于与蒸镀对象接触的接触面以及与上述接触面相反侧的非接触面，形成为片形状，而且，该掩模部具有分别从位于上述接触面的第一开口贯通到位于上述非接触面的第二开口的多个掩模孔，上述第一开口的大小小于上述第二开口的大小；
掩模框架，具有比上述掩模部高的刚性，并且形成为将上述多个掩模孔包围的框状；以及
主框架，对上述掩模框架进行支撑，
上述掩模部在上述非接触面中具有将上述多个掩模孔包围的部分，在上述部分通过接合部与上述掩模框架接合，
上述掩模框架形成为具有长边方向和与上述长边方向正交的短边方向的短条板状，在上述掩模框架的上述长边方向上接合有多个上述掩模部，在上述掩模框架的上述短边方向上仅接合有一个上述掩模部，
在上述主框架的主框架孔，多个上述掩模部与上述短条板状的上述掩模框架的一部分一起露出，
上述掩模部为金属片，
上述接触面以及上述非接触面中的至少一方包括平滑面，上述平滑面设为向该平滑面入射的光的镜面反射的反射率为45.2％以上，
上述金属片的厚度为50μm以下，
上述掩模框架对上述掩模部施加将该掩模部朝向外侧拉动的应力，
上述接合部的位置是使上述应力在上述掩模部中各向同性地作用的位置。
2.如权利要求1所述的蒸镀用金属掩模，其中，
具有与共用的一个上述掩模框架接合的多个上述掩模部。
3.如权利要求1或2所述的蒸镀用金属掩模，其中，
向上述平滑面入射的光的镜面反射的反射率为53.0％以上，
上述金属片的厚度为40μm以下。
4.如权利要求1或2所述的蒸镀用金属掩模，其中，
上述掩模框架具备上述接合部所位于的平面，
上述平面具有朝向上述掩模部的外侧延展的大小。
5.一种蒸镀用金属掩模的制造方法，其中，包括：
形成掩模部的工序，该掩模部具备用于与蒸镀对象接触的接触面以及与上述接触面相反侧的非接触面，形成为片形状，而且，该掩模部具有分别从位于上述接触面的第一开口贯通到位于上述非接触面的第二开口的多个掩模孔，上述第一开口的大小小于上述第二开口的大小；
将上述掩模部与掩模框架接合的工序，该掩模框架具有比上述掩模部高的刚性，且形成为将上述多个掩模孔包围的框状，而且，上述掩模部在上述非接触面中具有将上述多个掩模孔包围的部分，该掩模部与掩模框架接合的工序中，上述掩模部在该部分通过接合部与上述掩模框架接合；和
通过主框架对上述掩模框架进行支撑的工序，
上述掩模框架形成为具有长边方向和与上述长边方向正交的短边方向的短条板状，在上述掩模框架的上述长边方向上接合多个上述掩模部，在上述掩模框架的上述短边方向上仅接合一个上述掩模部，
在上述主框架的主框架孔，多个上述掩模部与上述短条板状的上述掩模框架的一部分一起露出，
上述掩模部为金属片，
上述接触面以及上述非接触面中的至少一方包括平滑面，上述平滑面设为向该平滑面入射的光的镜面反射的反射率为45.2％以上，
形成上述掩模部的工序中，将上述金属片的厚度设为50μm以下，
在通过上述接合部将上述掩模部与上述掩模框架接合时，
上述掩模框架对上述掩模部施加将该掩模部朝向外侧拉动的应力，上述接合部的位置是使上述应力在上述掩模部中各向同性地作用的位置。
6.如权利要求5所述的蒸镀用金属掩模的制造方法，其中，
将上述掩模框架与上述非接触面接合的工序为，将多个上述掩模部与一个上述掩模框架接合。
7.如权利要求5或6所述的蒸镀用金属掩模的制造方法，其中，
向上述平滑面入射的光的镜面反射的反射率为53.0％以上，
将上述金属片的厚度设为40μm以下。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015143509 | 2015-07-17 | ||
| JP2015-143509 | 2015-07-17 | ||
| JP2015171440 | 2015-08-31 | ||
| JP2015-171440 | 2015-08-31 | ||
| JP2016-079099 | 2016-04-11 | ||
| JP2016079099 | 2016-04-11 | ||
| JP2016-081362 | 2016-04-14 | ||
| JP2016081362 | 2016-04-14 | ||
| CN201610561108.7A CN106350768A (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610561108.7A Division CN106350768A (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117821896A true CN117821896A (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=57843290
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311802064.9A Pending CN117821896A (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 |
| CN201620749297.6U Active CN205974646U (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸镀用金属掩模 |
| CN201610561108.7A Pending CN106350768A (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620749297.6U Active CN205974646U (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸镀用金属掩模 |
| CN201610561108.7A Pending CN106350768A (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6120038B1 (zh) |
| CN (3) | CN117821896A (zh) |
| TW (1) | TWI665319B (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110144547B (zh) | 2016-04-14 | 2021-06-01 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法 |
| JP6904718B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2021-07-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置 |
| CN110382731B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-06-17 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法 |
| KR101792667B1 (ko) * | 2017-04-07 | 2017-11-02 | 크레아퓨쳐 주식회사 | 파인 메탈 마스크 제조방법 |
| JP6319505B1 (ja) | 2017-09-08 | 2018-05-09 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法 |
| CN112981319B (zh) | 2017-09-15 | 2022-12-20 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模、带玻璃基板的蒸镀掩模及带玻璃基板的掩模片材 |
| JP6299921B1 (ja) * | 2017-10-13 | 2018-03-28 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
| JP6981302B2 (ja) * | 2017-10-13 | 2021-12-15 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
| JP6988565B2 (ja) * | 2017-10-13 | 2022-01-05 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
| JP6299922B1 (ja) * | 2017-10-13 | 2018-03-28 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
| KR102399595B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2022-05-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 금속판 및 이를 이용한 증착용 마스크 |
| CN110997970A (zh) * | 2018-04-11 | 2020-04-10 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法以及显示装置的制造方法 |
| JP7169534B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2022-11-11 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、及び蒸着マスクを作製するための給電板 |
| WO2020036360A1 (ko) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 프레임 |
| CN108940750B (zh) * | 2018-09-27 | 2020-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种玻璃胶涂布掩膜板及涂胶机 |
| KR101918551B1 (ko) * | 2018-10-17 | 2019-02-08 | 주식회사 핌스 | 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조방법 |
| KR102202529B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2021-01-13 | 주식회사 오럼머티리얼 | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 마스크 분리/교체 방법 |
| CN110777328A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 一种掩膜版、蒸镀系统及掩膜版的制备方法 |
| CN111826608A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-27 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162328A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-05 | Yamaha Corp | シャドウマスクの製造方法 |
| JPH11140667A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品 |
| JP3988391B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2007-10-10 | 凸版印刷株式会社 | エッチング部品の製造方法 |
| CN100355104C (zh) * | 2001-08-24 | 2007-12-12 | 大日本印刷株式会社 | 真空蒸镀用多面成形掩模装置 |
| JP2003213401A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-30 | Sony Corp | 蒸着マスクおよび成膜装置 |
| JP2003272839A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸着処理用のマスキング部材の製造方法 |
| KR100534580B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2005-12-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법 |
| JP2005076068A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Canon Components Inc | 電鋳法による薄膜部材の製造方法 |
| JP2005179742A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 |
| KR100708654B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 조립체 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 |
| KR100700839B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 수직증착용 섀도우마스크 패턴 제조방법 |
| JP2009052073A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸着マスク付シート、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク付シートの製造方法 |
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| KR101759347B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법 |
| CN103205680A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 用镍铁合金制备的蒸镀用金属掩模板 |
| JP6210355B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-10-11 | 大日本印刷株式会社 | 積層マスクおよび積層マスクの製造方法 |
| JP5455099B1 (ja) * | 2013-09-13 | 2014-03-26 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法 |
| CN103668056B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-04-06 | 信利半导体有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
| JP2015129334A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 大日本印刷株式会社 | 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク |
| JP5641462B1 (ja) * | 2014-05-13 | 2014-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法 |
-
2016
- 2016-07-15 CN CN202311802064.9A patent/CN117821896A/zh active Pending
- 2016-07-15 CN CN201620749297.6U patent/CN205974646U/zh active Active
- 2016-07-15 TW TW105122409A patent/TWI665319B/zh active
- 2016-07-15 CN CN201610561108.7A patent/CN106350768A/zh active Pending
- 2016-12-08 JP JP2016238664A patent/JP6120038B1/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201708576A (zh) | 2017-03-01 |
| JP6120038B1 (ja) | 2017-04-26 |
| JP2017193775A (ja) | 2017-10-26 |
| CN106350768A (zh) | 2017-01-25 |
| TWI665319B (zh) | 2019-07-11 |
| CN205974646U (zh) | 2017-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |