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CN117480868A - 靶供应装置 - Google Patents

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CN117480868A
CN117480868A CN202280041058.3A CN202280041058A CN117480868A CN 117480868 A CN117480868 A CN 117480868A CN 202280041058 A CN202280041058 A CN 202280041058A CN 117480868 A CN117480868 A CN 117480868A
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CN
China
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actuator
actuation signal
zone
frequency
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Application number
CN202280041058.3A
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English (en)
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T·W·德赖森
B·罗林格
D·U·H·特雷斯
J·M·卢肯斯
G·O·瓦斯琴科
E·J·比伊斯
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ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
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Publication date
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Abstract

一种系统包括：包括孔口的导管，该孔口被配置为流体地联接到贮存器并且发射熔融的靶材料；致动器，其至少包括第一区和在第一区与孔口之间的第二区，其中第一区和第二区的运动被传递到该导管的内部；以及控制器，其被配置为将第一致动信号施加到第一区并且将第二致动信号施加到第二区。第二致动信号具有比第一致动信号更高的频率。

Description

靶供应装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年6月10日提交的题为“TARGET SUPPLY APPARATUS”的美国申请号63/209，201的优先权，该申请通过整体引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种靶材供应装置。靶供应装置可用于在极紫外(EUV)光源中产生靶。
背景技术
靶装置可用于产生流体材料的流或射流。例如，喷嘴装置可用于产生被转换成发射极紫外(EUV)光的等离子体的靶。
EUV光可以是例如具有100纳米(nm)或更小的波长的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括例如20nm或更小，在5nm和20nm之间，或在13nm和14nm之间的波长的光，可以用于光刻工艺中，以通过在抗蚀剂层中引发聚合而在例如硅晶片的衬底中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括，但不必限于，将包括例如氙、锂或锡的元素的材料转换为等离子体状态下的EUV范围内的发射线。在一种这样的方法中，通常称为激光产生的等离子体(LPP)，所需的等离子体可以通过用被称为驱动激光的放大光束照射靶材料(例如，以材料的液滴、板、带、流或簇的形式)来产生。对于该方法，等离子体通常在密封容器(例如真空室)中产生，并使用各种类型的计量设备进行监测。
发明内容
在一个方面，一种系统包括：包括孔口的导管，该孔口被配置为流体地联接到贮存器并且发射熔融的靶材料；致动器，该致动器至少包括第一区和在该第一区与该孔口之间的第二区，其中该第一区和该第二区的运动被传递到该导管的内部；以及控制器，其被配置为将第一致动信号施加到第一区并且将第二致动信号施加到第二区。第二致动信号具有比第一致动信号更高的频率。
实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。
第二区可以小于第一区。
该系统还可以包括多个致动器电极。在这些实现方式中，至少一个致动器电极可以与该第一区和该第二区中的每一个区相关联；第一致动信号和第二致动信号中的每一个致动信号可以包括具有频谱的电信号；并且，为了向致动器的特定区施加特定的致动信号，控制器可以被配置为向与特定区相关联的致动器电极施加电信号。至少一个电信号的频谱可以包括多于一个的频率。
该致动器可以包括安装到该导管外部的单个材料件；致动器电极可以在致动器的外部，并且致动器电极可以在空间上彼此分离。在一些实现方式中，该致动器包括管，该管包括：第一端；第二端；内壁，该内壁从第一端延伸至第二端并且机械地联接至该导管的外部；第二端比第一端更靠近孔口；该致动器的第一区是该管的第一部分，并且该致动器的第二区是该管的第二部分；以及至少一个表面特征被形成在第一区和第二区之间的致动器的外部上，并且每个表面特征被配置为在第一区和第二区之间提供部分机械隔离。该至少一个表面特征可以包括凹入到该外表面中的至少一个凹槽。该至少一个表面特征可以包括多个凹槽；每个凹槽可以围绕管；并且每个凹槽可以具有凹槽形状。
该系统还可以包括在管的第一端和内壁上的接地电极。多个凹槽中的一个凹槽位于接地电极和第一区之间。在一些实现方式中，该多个凹槽中的至少一个凹槽具有与至少其他凹槽不同的形状。管的外壁在第二端处的直径可以小于在第一端处的直径。在一些实现方式中，每个致动器电极围绕相关联的区。此外，在一些实现中，第二致动信号的频谱中的最小频率大于第一致动信号的频谱中的最大频率。第二频谱中的最大频率可以大于第一频谱中的最大频率。
被配置为施加第一致动信号和第二致动信号的控制器可以包括被配置为控制电信号生成器的控制器，使得第一致动信号和第二致动信号被生成并被施加到相应的第一区和第二区。第一致动信号和第二致动信号中的每一个致动信号可以包括至少一个正弦波。
该系统还可以包括电信号生成器。
当处于等离子体状态时，熔融的靶材料可以发射极紫外光。
致动器的第一区可以包括第一致动器，并且第二致动器可以与第一致动器不同。系统还可以包括与导管的内部机械连通的膜；并且该第二致动器可以机械地联接到该膜。该系统可以包括在第一致动器和第二致动器之间的运动传递块。第一致动器可以包括致动元件的叠层。
在另一方面，一种方法包括：将导管的孔口流体联接到容纳熔融的靶材料的贮存器；向所贮存器施加压力，使得熔融的靶材料在导管中流动；将第一致动信号施加到致动器的机械地联接到导管的第一区，第一致动信号具有第一频谱；以及向致动器的第二区施加第二致动信号。第二致动信号具有第二频谱，并且第二频谱包括比第一频谱更高的频率。
实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。
可以将第三致动信号施加到致动器的第三区，该第三致动信号具有第三频谱。
在另一方面，一种系统包括：包括孔口的导管，该孔口被配置为流体地联接到贮存器并且发射熔融的靶材料；机械地联接到该导管的单件式致动器，该单件式致动器包括多个单独可控的区；以及控制器，其被配置为向至少第一区和第二区中的每一个区施加单独的致动信号。
在一些实现方式中，在该单件式致动器的外表面中在第一区与第二区之间形成凹槽，并且该凹槽被配置为用于使第一区与第二区部分地机械解耦。
在另一方面，一种系统包括：包括孔口的导管，该孔口被配置为流体地联接到贮存器并且发射熔融的靶材料；致动器，该致动器机械地联接到该导管，该致动器包括多个单独可控的区，该多个单独可控的区至少包括第一区和第二区，该第二区位于第一区与孔口之间第二区小于第一区；以及控制器，其被配置为将第一致动信号施加到第一区并且将第二致动信号施加到第二区。
第二致动信号包括至少一个大于第一致动信号中所有频率的频率。
在另一方面中，一种致动器包括：致动器本体，该致动器本体包括：接地区，该接地区被配置为电连接至参考电位；以及多个可控区。每个可控区被配置为接收控制信号，并且在操作使用中，可控区被配置为机械地联接到导管，使得可控区的运动在导管的内部区域中产生压力波。
实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。该致动器本体可以包括单个材料件；接地区多个可控区可以是单个材料件的一部分；并且单个材料件可以是多个空间特征；并且接地区可以通过多个空间特征中的一个空间特征与多个可控区分开，并且每个可控区可以通过多个空间特征中的一个空间特征与最近的可控区分开。
至少一个可控区可以是不直接接触任何其它可控区或接地区的单独的材料件。
该致动器本体可以包括被配置为围绕导管的基本上圆柱形的侧壁。
上述任何技术的实施可以包括EUV光源、靶供应系统、方法、工艺、作用于致动器或靶供应装置的控制器或控制系统、装置或设备。在附图和以下描述中阐述了一个或多个实现的细节。根据说明书和附图以及权利要求书，其它特征将是显而易见的。
附图说明
图1是EUV光源的一个示例的框图。
图2A是在X-Z平面中的靶形成装置的一个示例的侧面横截面框图。
图2B是图2A的靶成形装置在沿线2B'-2B'截取的Y-Z平面中的横截面图。
图3是在X-Z平面中的靶形成装置的另一示例的侧面横截面框图。
图4是在X-Z平面中的靶形成装置的另一示例的侧面横截面框图。
图5是在X-Z平面中的靶形成装置的另一示例的侧面横截面框图。
图6是致动器组件的一个示例的侧面截面框图。
图7是在X-Z平面中的靶形成装置的另一示例的侧面横截面框图。
图8是EUV光源的一个示例的框图。
具体实施方式
参考图1，示出了包括供应系统110的EUV光源100的框图。供应系统110发射靶流121，使得靶121p被输送到真空室109中的等离子体形成位置123。靶121p包括靶材料，该靶材料是在处于等离子体状态时发射EUV光197的任何材料。例如，靶材料可以包括水、锡、锂和/或氙。等离子体形成位置123接收光束106。光束106由光源105生成并经由光路107输送到真空室109。光束106和靶121p中的靶材料之间的相互作用产生发射EUV光197的等离子体196。
供应系统110包括限定孔口119的导管114。导管114利用喷嘴座或壳体117安装到供应系统110。导管114的内部和孔口119流体联接到在压力P下保持靶材料的贮存器112。当压力P超过真空室109中的压力时，靶材料流入导管114并作为靶材料的射流或连续流124通过孔口119离开。靶材料的射流124分裂成个体液滴，这些液滴聚结成到达等离子体形成位置123的较大液滴的流121。导管114联接到由控制器190控制的致动器193。致动器193的运动传递到导管114以在导管114内产生声波。
控制器190可以包括例如电子处理模块、电子存储装置和/或产生控制信号的功能或信号生成器。在一些实施方式中，控制器190控制诸如电压或电流源的单独的设备，以生成施加到致动器192的控制信号。例如，控制器190可以控制电压源以生成具有特定振幅、频率和/或相位值的电压和/或电流信号形式的控制信号。
控制器190控制致动器193的运动的特性(例如，振幅和/或频率)，并且因此还控制导管114内的声波的特性。较大的聚结液滴到达等离子体形成位置123的速率由导管114内的声波的特性确定。因此，通过控制导管114的致动，控制器190还被配置为控制流121中的液滴的特性。最终靶可以以例如在40kHz至300kHz之间的频率被生成，并且可以以例如40米每秒(m/s)至120米每秒(m/s)或高达500m/s的速度朝向等离子体形成位置123行进。靶流121中两个相邻靶之间的空间间距可以为例如在1毫米(mm)-3mm之间。50至300个初始液滴(也称为瑞利液滴)可以聚结以形成单个更大的靶。
致动器193具有由控制器190单独控制的两个或多个区。如下所述，具有两个或多个单独可控的区改善了致动器193和供应系统110的性能。
在图1的示例中，致动器193包括第一区194a和第二区194b。第二区194b位于孔口119和第一区194a之间。在图1的例子中，第二区194a相对靠近孔口119，而第一区194a远离孔口119。每个区194a和194b从控制器190接收相应的控制信号192a和192b。
控制信号192a和192b具有不同的特性。例如，每个控制信号192a和192b可以是具有不同频带的电压信号。在一些实现方式中，控制信号192a包括具有在50千赫兹(kHz)和1兆赫兹(MHz)之间的频率的多个正弦波电压信号，并且控制信号192b包括具有在1MHz和20MHz之间的频率的多个正弦波电压信号。其他实现方式也是可能的。例如，每个控制信号192a和192b可以是方波或三角波。控制信号192a和192b是周期性的，具有聚结的靶到达等离子体形成位置123处的频率。也就是说，控制信号192a和192b具有等于聚结靶到达等离子体形成位置123处的频率的周期。例如，每个控制信号192a和192b可以是具有仅包括基频(靶到达位置12处的频率)和基频谐波的频谱的电信号。控制器190可以实现为多于一个的单独控制器，或者可以控制单独的功能或信号生成器。在这些实现中，信号192a和192b与同一时钟同步，以避免信号192a和192b之间的相位漂移。
使用两个或多个可控区(在该示例中为区194a和194b)提高了供应系统110的性能和可用性。例如，与用单个控制信号驱动致动器193相比，用不同的控制信号驱动致动器193的各个区增加了可以驱动致动器193的频率带宽。在致动器193缺少两个或多个单独可控的区的方法中，致动器193用具有相对大的频率带宽(例如，50kHz到20MHz)的单个控制信号驱动。单个控制信号可以被放大，然而，放大器具有有限的增益带宽特性，放大器的增益随着要放大的信号的带宽的增加而减小。因此，充分放大单个控制信号中的所有频率相对具有挑战性。另一方面，控制信号192a和192b中的每一个控制信号可以由单独的放大器放大。因此，控制信号192a和192b的更大放大是可能的。
此外，为了增加产生的EUV光197的量，压力P增加，流121中的液滴彼此间隔更远，并且通过增加驱动致动器193的频率带宽来增加射流124的速度。例如，压力P为275巴，控制信号的带宽为50kHz到5MHz。然而，在1400巴的压力P下，控制信号的带宽是100kHz到20MHz。在供应系统110中，针对1400巴的压力P的相对较大的频率带宽在区194a和194b之间分开，而不是用单个控制信号施加到管道114。用相应的控制信号192a和192b驱动每个区194a和194b允许致动器193以更宽的频率范围被有效地和高效地驱动，并且允许用更简单的电子器件驱动。
附加地，尽管区194a和194b可以机械地联接，但是区194a和194b在空间上是不同的。这种布置允许将某些频带传送到致动器193的特定部分，并且允许对流122的形成进行更大的控制，并且还允许更有效地使用致动器193。
此外，在一些实施方式中，区194a和194b是不同的形状和/或尺寸。例如，致动器193可以是陶瓷材料，诸如锆钛酸铅(PZT)。当以高频(例如，10MHz)或更高的频率驱动这种材料时，在PZT上实现相同电荷所需的电流增加。如果压电驱动电子器件不能提供较大的电流，则较大的电流要求可能成为问题。驱动PZT所需的电流由I＝C*dV/dt给出，dV/dt随频率增加。因此，驱动PZT所需的电流随频率增加。PZT的电容量取决于其厚度和面积。以法拉为单位的PZT的电容(C)由C＝(1500×自由空间的介电常数×宽度×长度)/厚度给出。
另一方面，在低频下，需要较少的电流。通过使用分离的区194a和194b，致动器193可以被配置为使得区194a和194b具有不同的尺寸以解决由致动器193材料的频率特性所提出的挑战。例如，区194a可以是相对大的PZT，而区194b可以是相对小的PZT。较大区194a以相对低的频率被驱动，并在导管114内的靶材料中产生大的体积波动。
因此，通过使区194b为相对小的PZT，PZT的电容更小，并且以高频驱动PZT所需的电流量减少。这样，致动器193可以以宽范围的频率被有效地驱动。例如，以与区194a不同的频率驱动区194b可以导致在控制信号192a中的频率处的致动量的两倍(因为相对容易放大低频信号的能力)和在控制信号192b中的频率处的致动量的10倍(因为所引起的电容的减小)。
图1中所示的配置是一个示例，并且其他实现方式是可能的。例如，导管114可以是毛细管，例如图2、图3和图4中所示的毛细管214。在这些实现方式中，喷嘴壳体或安装件117将毛细管附接到真空室109上并且将毛细管流体地联接到贮存器112。在这些实现方式中，导管114从喷嘴安装件或壳体117延伸并且不必被容纳在安装件或壳体117内。在图1所示的示例中，导管基本上沿X方向延伸。然而，在一些实现方式中，导管114具有更复杂的路径并且在多于一个方向上延伸。图1示出了具有更复杂路径的导管514。
图2A是在X-Z平面中的靶形成装置216的侧面横截面图。图2B是沿图2A的线2B'-2B'截取的Y-Z平面中的靶形成装置216的横截面图。靶形成装置216可用于EUV光源100(图1)中。靶形成装置216包括毛细管214。毛细管214包括沿X方向从第一端231延伸到第二端232的侧壁230。侧壁230是基本上圆柱形的三维物体。侧壁230可以由例如玻璃或石英制成。
侧壁230包括内表面233和外表面239。内表面233限定与第一端231处的喷嘴235流体连通的内部区238。喷嘴235沿-X方向变窄以限定孔口219。在操作使用中，内部区238流体联接到靶材料的贮存器(诸如图1的贮存器112)，并且熔融的靶材料在内部区238中流动并沿-X方向通过孔口219。
外表面239与致动器组件293机械联接。外表面239可以用例如粘合剂(诸如苯并恶嗪树脂、包含苯并恶嗪的树脂、双马来酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、或包含氰酸酯的树脂)、用机械紧固件、或通过外表面239与致动器组件293之间的直接接触(例如，过盈配合)而机械地联接到致动器组件293。
致动器组件293包括致动本体291和电极295a、295b和295g。还参照图2B，致动本体291大致为圆柱形，并包括内壁285和外表面286。内壁285限定围绕毛细管214的外表面239的一部分的孔。
致动本体291由能够使侧壁230移动的材料制成。例如，致动体291可以是压电陶瓷材料，诸如锆钛酸铅(PZT)，其响应于电压的施加而改变形状。致动本体291的运动通过径向收缩和扩张引起侧壁230的对应位移。径向收缩和扩张在内部区域238中产生声波或压力波。
致动本体291具有第一区294a、第二区294b和接地区294g。第一区294a和第二区294b是单独可控的区。第一区294a位于第二区294b和接地区294g之间。第二区294b是最靠近孔口219的区。第一区294a、第二区294b和接地区294g的径向厚度基本上相同。然而，第二区294b沿X方向比第一区294a延伸更短的距离。因此，第二区294b具有比第一区294a更小体积的材料(例如，PZT)。
电极295g位于与接地区294g相邻的外表面286的一部分上。电极295g还沿着致动器本体291的边缘284和内壁285延伸。在靶形成装置216的操作使用期间，电极295g电连接到地或参考电压。
电极295a位于与第一区294a相邻的外表面296的一部分上。电极295b位于与第二区294b相邻的外表面296的一部分上。电极295a、295b、295g可以涂覆在外表面296、用机械紧固件附接到外表面296、和/或用导电粘合剂附接到外表面296。
致动体291包括在外表面286上的空间特征288a和288b。空间特征288a提供电极295g和295a之间的间隔，空间特征288b提供电极295a和295b之间的间隔。致动体291是在使用期间接合的单个材料件或材料件的集合。因此，接地区294g、第一区294a和第二区294b机械地联接。然而，空间特征288a提供接地区294g与第一区294a之间的部分机械解耦或部分机械隔离，并且空间特征288b提供第一区294a与第二区294b之间的部分机械解耦或部分机械隔离。
在所示的示例中，空间特征288a和288b是形成在外表面286上的凹槽。凹槽288a和288b具有半圆形横截面并围绕外表面286。换言之，在图2A的示例中，凹槽288a和288b是环绕致动本体291的凹入环。然而，空间特征288a和288b可以采取在相邻区之间提供部分机械隔离的任何形式。例如，空间特征288a和288b可以是具有三角形、矩形、正方形或不规则横截面而不是半圆形横截面的凹槽。此外，空间特征288a和288b可以从外表面296突出，而不是凹入到外表面296中。此外，空间特征288a和299b可以延伸小于致动本体291的整个圆周。在一些实施方式中(如图3所示)，空间特征288a和288b不具有相同的尺寸并且不具有相同的空间特性。
在操作使用中，控制器190(图1)向第一电极295a提供第一控制信号192a，使得第一区294a根据第一控制信号192a移动。例如，第一控制信号192a可以包括频率在50kHz和1MHz之间的正弦波电压信号，并且第一控制信号192a的施加使得第一区294a以这些频率振动。控制器190向第二电极295b提供第二控制信号192b，使得第二区294b根据第二控制信号192b移动。例如，第二控制信号192b可以包括频率在1MHz和20MHz之间的正弦波电压信号，并且第二控制信号192b的施加使得第二区294b以这些频率振动。
因为第一区294a和第二区294b不是完全机械隔离的，所以施加到第一区294a的一些频率传播到第二区294b，反之亦然。然而，空间特征288b减少了这种串扰，使得第一区294a主要由于施加第一控制信号192a而振动，而第二区294b主要由于施加第二控制信号192b而振动。因此，靶成形装置216包括两个单独可控的区(区294a和294b)，并且施加到每个区的控制信号的特性可以变化，使得致动器本体291的运动是更精细可控的。区294a和294b的振动在内部区238中的靶材料中产生对应的压力波或声波，以促进液滴以适于应用的频率和尺寸形成。
图3是在X-Z平面中的靶形成装置316的侧面横截面框图。靶形成装置316可用于EUV光源100中以生成流122(图1)。靶形成装置316包括毛细管214和致动器组件393。致动器组件393包括具有接地区394g、第一区394a和第二区394b的致动器本体391。第一区394a位于接地区394g和第二区394b之间。致动器本体391包括外表面386和内壁385。致动器本体391还包括在外表面386上的空间特征388a和388b。
致动器组件393类似于致动器组件293，除了空间特征388a和388b的尺寸和形状不同。空间特征388a是外表面386中的凹槽。空间特征388a具有半圆形横截面并围绕致动器本体391。空间特征388b也是外表面386中的凹槽，但是空间特征388b进一步延伸到外表面386中，并且与空间特征388a相比具有不同的横截面形状。空间特征388b具有不对称的弧形横截面、具有第一侧381a和第二侧381b。第一侧381a和第二侧381a是形成限定空间特征388b的较大弧的曲线或弧。
第一侧381a比第二侧381b从内壁385延伸得更远。结果，第一区394a具有比第二区394b更厚的径向尺寸。第二区394b在X方向上具有较小的范围，因此具有比第一区394b小的体积。因为空间特征388b更深地延伸到外表面386中，所以第一区394a和第二区394b由致动器本体291的相对较薄的部分连接。与空间特征288b(图2A)和空间特征388a相比，空间特征388b在相邻区之间提供更多的机械分离。因此，尽管第一区394a和第二区394b是物理连接的，但是空间特征388b提供了附加的机械隔离和机械分离，使得第一区394a和第二区394b比第一区294a和第二区294b更加机械分离。
在操作使用中，在邻近接地区394g、边缘384和内壁385的外表面386的一部分上的接地电极395g电连接到地或参考电位。电极395a位于与第一区394a相邻的外表面386的一部分上。电极395b位于与第二区394b相邻的外表面386的一部分上。电极395a和395b分别从控制器190(图1)接收控制信号191a和192b。第二区394b的相对小的体积允许以更高的频率(例如，1MHz至20MHz)有效地驱动第二区394b。
致动器组件293和393的其它实施方式也是可能的。例如，致动器组件292和/或392可以包括两个以上单独可控的区。例如，致动器本体291和/或391可以包括与从控制器190接收控制信号的电极相关联的三个区、四个区或多于四个区。换言之，致动器组件293和/或393可以被配置为用三个、四个或更多个单独的频带来控制。
致动器组件293和393包括作为单件材料的相应致动器本体291和391。然而，在其他实现方式中，该致动器组件包括多个分立的或不同的致动器本体。图4、图5和图7示出了这种致动器组件的示例。
图4是在X-Z平面中的靶形成装置416的侧面横截面框图。靶形成装置416可用于EUV光源100中以生成流122(图1)。
靶形成装置416包括毛细管214和致动器组件493。致动器组件493包括接地区494g、第一区494a和第二区494b。第一区494a位于接地区494g和第二区494b之间。接地区494g、第一区494a和第二区494b中的每一者是致动材料的离散体。例如，这些区中的每一个区可以是围绕毛细管214的外壁239并与其机械联接的PZT材料环。接地区494g、第一区494a和第二区494b沿着侧壁230定位，使得它们彼此不直接接触。
在操作使用中，在接地区494g上并沿侧壁230的外表面239延伸的接地电极495g电连接到地或参考电位。电极495a在第一区494a上。电极495b在第二区494b上。电极495a和495b分别从控制器190(图1)接收控制信号191a和191b。在图4所示的示例中，第二区494b具有比第一区494a小的体积。第二区494b的相对小的体积允许以更高的频率(例如，1MHz至20MHz)有效地驱动第二区494b。
其他实现方式也是可能的。例如，靶形成装置416可以在单个材料件上用接地区494g和第一区494a实现，并且通过诸如空间特征388a的空间特征部分地机械隔离。在这些实现方式中，第二区494b是单独的材料件并且不直接接触第一区494a或接地区494g。此外，尽管所示的靶成形装置416具有从控制器190接收控制信号的两个区(第一区494a和第二区494b)，但是靶成形装置416也可用被配置为从控制器190(或另一控制器)接收控制信号的附加区来实现。
图5是在X-Z平面中的靶形成装置516的侧面横截面框图。靶形成装置516可用于EUV光源100中以生成流122(图1)。靶成形装置516包括保持在安装组件或壳体511中的致动器组件593和导管514。壳体511保持致动器组件593和导管514，并可用于将靶形成装置516安装到真空室，诸如图1的室109。
导管514包括内部区538，该内部区538被配置为流体地联接到贮存器(诸如贮存器112(图1))上。内部区538可以由通过钻通壳体511或以其它方式形成在壳体511中的通道(未示出)来流体连接到贮存器。导管514具有大致T形形状，其包括在Z方向上延伸(并且可以在Y-Z平面中延伸)的区514a和在X方向上延伸的区514b。区514b变窄为靶材料可以通过的孔口519。区514a与膜512流体接触。膜512是柔性的和可移动的，并且膜512的运动在内部区域538中产生压力波。膜512可以是壳体511的一部分，或者膜512可以是附接到壳体511的单独元件。壳体511和膜512可以由例如钼、钽或钨制成。
致动器组件593包括第一区594a和第二区594b。第一区594a和第二区594b用对角线阴影示出。第一区594a和第二区594b由诸如PZT的致动材料制成。第一区594a和第二区594b是分离的区并且彼此不直接接触。第一区594a和第二区594b是三维物体，并且在Y-Z平面中可以具有例如圆形、矩形或正方形形状。第一区594a和第二区594b可以是连续的物体，并且不一定包括开口、孔或可用于围绕另一物体定位区594a或区594b的其它特征。第一区594a和第二区594b在Y-Z平面中可以具有不同的形状。在图5所示的示例中，第二区594b具有比第一区594a小的空间体积。
致动器组件593包括定位机构571，其被配置为定位和保持第一区594a。定位机构571可以包括例如预张紧楔和/或间隔件，其将第一区594a保持在适当位置，同时还允许第一区594a改变形状。
致动器组件593还包括位于第二区594b和第一区594a之间的块572。块572具有面572a和尖端572b。尖端572b在-X方向上远离面572a延伸，并且在Z方向上比面572a窄。面572a与第一区594a接触。第二区594b安装在尖端572b上。尖端572b与膜512接触。尖端572b被成形为将振动从第一区594a的运动引导到膜512。
在操作使用中，来自控制器190(图1)的控制信号191a和191b分别提供给第一区494a和第二区494b以控制这些区的运动。第一区594a和第二区594b的振动从尖端572b传递到膜512。因此，膜512基于第一区594a和第二区594b振动的频率振动。膜512的振动在内部区域538中产生相应的声波。
致动器组件593可以包括附加元件。例如，致动器组件593可以在每个区594a和594b上包括一个或多个电极。致动器组件593可以包括多于一个的可控区，因此可以包括比图5所示的更多的PZT。
图6是致动器组件693的侧面横截面框图，致动器组件693是致动器组件593的示例性实现方式，其中第一区594a被实现为PZT盘的叠层694。叠层694可以包括10、50、100或更多个薄的PZT盘。盘可以在Y-Z平面中具有圆形横截面。叠层694在X方向上可具有约2毫米(mm)至10mm的范围。叠层694可以通过由定位机构571提供的沿X方向的压缩力而被保持在一起。
图7是在X-Z平面中的靶形成装置716的侧面横截面框图。靶形成装置716可用于EUV光源100中以生成流122(图1)。靶形成装置716包括限定内部区域738和孔口719的导管714。导管714通常是锥形的并且在-X方向上缩窄到孔口719。靶成形装置716还包括各种安装元件或壳体711。安装元件或壳体711用于容纳靶成形装置716的部件并将靶成形装置516安装到真空室，诸如真空室109。
靶形成装置716还包括区794a和794b，每个区是安装到导管714的外表面733的PZT材料环。区794a具有比区794b更大的半径和更大的纵向厚度。因此，区794b具有比区794b小的空间体积。在区794a和区794b中，区794b更靠近孔口719。
在操作使用中，来自控制器190(图1)的控制信号191a和191b分别提供给引线777和778。引线777和778可以是电线或电缆。引线777电连接到第一区794a上的电极(未示出)，引线778电连接到第二区794b上的电极(未示出)。控制信号191a和191b分别控制区794a和794b的运动。第一区794a和第二区794b的振动被传递到内部空间738并在内部区域538中产生声波。
上述任何靶形成装置216、316、416、516和716可用于EUV光源中。参考图8，示出了LPP EUV光源800的一个实现方式。上面讨论的任何喷嘴组件都可以用在光源800中作为供应系统825的一部分。
LPP EUV光源800通过在等离子体形成位置805处用沿着光束路径朝向靶混合物814行进的放大光束810照射靶混合物814而形成。关于图1讨论的靶材料和关于图1讨论的流121中的靶可以是或包括靶混合物814。等离子体形成位置805在真空室830的内部807内。当放大光束810撞击靶混合物814时，靶混合物814内的靶材料被转换成等离子体状态，该等离子体状态具有发射线在EUV范围内的元素。所产生的等离子体具有取决于靶混合物814内的靶材料的成分的某些特性。这些特性可以包括由等离子体产生的EUV光的波长以及从等离子体释放的碎片的类型和量。
光源800还包括供应系统825，其输送、控制和引导以液滴、液流、固体颗粒或团簇、包含在液滴内的固体颗粒或包含在液流内的固体颗粒的形式的靶混合物814。靶混合物814包括靶材料，诸如例如水、锡、锂、氙、或任何在转换成等离子态时具有EUV范围内的发射线的材料。例如，元素锡可以用作纯锡(Sn)；用作锡化合物，例如SnBr4、SnBr2，SnH4；用作锡合金，例如锡-镓合金、锡-铟合金、锡-铟-镓合金或这些合金的任何组合。靶混合物814还可以包括杂质，诸如非靶颗粒。因此，在没有杂质的情况下，靶混合物814仅由靶材料构成。靶混合物814由供应系统825输送到室830的内部807和等离子体形成位置805。
光源800包括驱动激光系统815，其由于激光系统815的一种或多种增益介质内的粒子数反转而产生放大光束810。光源800包括在激光系统815和等离子体形成位置805之间的光束递送系统，该光束递送系统包括光束传输系统820和聚焦组件822。光束传输系统820从激光系统815接收放大光束810，并根据需要操纵和修改放大光束810，并将放大光束810输出到聚焦组件822。聚焦组件822接收放大光束810并将光束810聚焦到等离子体形成位置805。
在一些实现方式中，激光系统815可以包括一个或多个光学放大器、激光器和/或灯，用于提供一个或多个主脉冲，并且在一些情况下提供一个或多个预脉冲。每个光放大器包括能够以高增益光学放大所需波长的增益介质、激励源和内部光学器件。光放大器可以具有或不具有形成激光腔的激光反射镜或其它反馈器件。因此，即使没有激光腔，由于激光放大器的增益介质中的粒子数反转，激光系统815产生放大光束810。此外，如果有激光腔向激光系统815提供足够的反馈，则激光系统815可以产生放大光束810，该光束是相干激光束。术语“放大光束”包括以下中的一项或多项：来自激光系统815的光仅被放大但不一定是相干激光振荡，以及来自激光系统815的光被放大并且也是相干激光振荡。
激光系统815中的光放大器可以包括作为增益介质的填充气体，该填充气体包括CO2，并且可以以大于或等于800倍的增益放大波长在大约9100nm和大约11000nm之间的光，特别是大约10600nm的光。在激光系统815中使用的合适的放大器和激光器可以包括脉冲激光器设备，例如，产生大约9300nm或大约10600nm辐射的脉冲气体放电CO2激光器设备，例如，具有DC或RF激励，以相对高的功率(例如，10kW或更高)和高脉冲重复率(例如，40kHz或更高)工作。脉冲重复率可以是例如50kHz。激光系统815中的光放大器还可以包括诸如水的冷却系统，当以较高功率操作激光系统815时可以使用该冷却系统。
光源800包括具有孔径840的收集器反射镜835，以允许放大光束810通过并到达等离子体形成位置805。收集器反射镜835可以是例如具有在等离子体形成位置805处的主焦点和在中间位置845(也称为中间焦点)处的次焦点的椭球面反射镜，其中EUV光可以从光源800输出并可以输入到例如集成电路光刻工具(未示出)。光源800还可以包括端部开口的中空圆锥形护罩850(例如，气体锥体)，其从收集器反射镜835朝向等离子体形成位置805逐渐变细，以减少进入聚焦组件822和/或光束传输系统820的等离子体生成的碎片的量，同时允许放大光束810到达等离子体形成位置805。为此，可以在护罩中提供朝向等离子体形成位置805的气流。
光源800还可以包括连接到液滴位置检测反馈系统856、激光控制系统857和光束控制系统858的主控制器855。光源800可以包括一个或多个靶或液滴成像器860，靶或液滴成像器860提供指示例如相对于等离子体形成位置805的液滴位置的输出，并将该输出提供给液滴位置检测反馈系统856，液滴位置检测反馈系统856可以例如计算液滴位置和轨迹，根据液滴位置和轨迹可以逐个液滴地或平均地计算液滴位置误差。因此，微滴位置检测反馈系统856将液滴位置误差作为输入提供给主控制器855。因此，主控制器855可以例如向激光控制系统857提供激光位置、方向和定时校正信号，该激光控制系统857可以用于例如控制激光定时电路和/或向光束控制系统858提供激光位置、方向和定时校正信号，以控制光束传输系统820的放大光束位置和成形，从而改变室830内的光束焦点的位置和/或焦度。
供应系统825包括靶材料递送控制系统826，其是可操作的，例如响应于来自主控制器855的信号，以修改由靶材料供应装置827释放的液滴的释放点，以校正液滴到达期望等离子体形成位置805的误差。靶材供应装置827可以是或包括上述任何靶材形成装置和/或任何致动器。
附加地，光源800可以包括测量一个或多个EUV光参数的光源检测器865和870，EUV光参数包括但不限于脉冲能量、作为波长函数的能量分布、特定波长带内的能量、特定波长带外的能量以及EUV强度和/或平均功率的角分布。光源检测器865生成由主控制器855使用的反馈信号。反馈信号可以例如指示诸如激光脉冲的定时和聚焦的参数中的误差，以在正确的位置和时间适当地截获液滴，以用于有效和高效的EUV光产生。
光源800还可以包括引导激光器875，该引导激光器875可用于对准光源800的各个部分或有助于将放大光束810导向等离子体形成位置805。关于引导激光器875，光源800包括放置在聚焦组件822内的量测系统824，以对来自引导激光器875的一部分光和放大光束810进行采样。在其它实施方式中，量测系统824被放置于光束传输系统820内。量测系统824可以包括对光的子集进行采样或重定向的光学元件，这种光学元件由可以承受引导激光束和放大光束810的功率的任何材料制成。光束分析系统由量测系统824和主控制器855构成，因为主控制器855分析来自引导激光器875的采样光并使用该信息通过光束控制系统858调节聚焦组件822内的部件。
因此，总之，光源800产生放大光束810，其沿着光束路径被引导以在等离子体形成位置805处照射靶混合物814，以将混合物814内的靶材料转换成发射EUV范围内的光的等离子体。放大光束810工作在基于激光系统815的设计和特性确定的特定波长(也称为驱动激光波长)处。附加地，当靶材料向激光系统815提供足够的反馈以产生相干激光时，或者如果驱动激光系统815包括适当的光学反馈以形成激光腔时，放大光束810可以是激光束。
可以使用以下条款进一步描述这些实施例：
1.一种系统，包括：
导管，所述导管包括孔口，所述孔口被配置为流体地联接到贮存器上并且发射熔融的靶材料；
致动器，所述致动器至少包括第一区和在所述第一区与所述孔口之间的第二区，其中所述第一区和所述第二区的运动被传递到所述导管的内部；以及
控制器，所述控制器被配置为向所述第一区施加第一致动信号并且向所述第二区施加第二致动信号，其中所述第二致动信号具有比所述第一致动信号更高的频率。
2.根据条款1所述的系统，其中所述第二区小于所述第一区。
3.根据条款1的系统，还包括多个致动器电极；并且其中至少一个致动器电极与所述第一区和所述第二区中的每一个区相关联；所述第一致动信号和所述第二致动信号中的每一个致动信号包括具有频谱的电信号；并且，为了向所述致动器的特定区施加特定致动信号，所述控制器被配置为向与所述特定区相关联的所述致动器电极施加电信号。
4.根据条款3所述的系统，其中至少一个电信号的所述频谱包括多于一个的频率。
5.根据条款3所述的系统，其中所述致动器包括安装到所述导管的外部的单个材料件；所述致动器电极位于所述致动器的外部，并且所述致动器电极在空间上彼此分离。
6.根据条款5的系统，其中所述致动器包括管，所述管包括：第一端；第二端；内壁，所述内壁从所述第一端延伸到所述第二端并且机械地联接到所述导管的所述外部；
所述第二端比所述第一端更靠近所述孔口；
所述致动器的所述第一区是所述管的第一部分，并且所述致动器的所述第二区是所述管的第二部分；以及
在所述第一区和所述第二区之间的所述致动器的所述外部上形成至少一个表面特征，其中每个表面特征被配置为在所述第一区和所述第二区之间提供部分机械隔离。
7.根据条款6所述的系统，其中所述至少一个表面特征包括凹入外表面的至少一个凹槽。
8.根据条款7所述的系统，其中所述至少一个表面特征包括多个凹槽；每个凹槽围绕所述管；并且每个凹槽具有凹槽形状。
9.根据条款8所述的系统，还包括在所述管的所述第一端和所述内壁上的接地电极；并且其中
所述多个凹槽中的一个凹槽位于所述接地电极和所述第一区之间。
10.根据条款9所述的系统，其中所述多个凹槽中的至少一个凹槽具有与至少其它凹槽不同的形状。
11.根据条款10所述的系统，其中所述管的所述外壁在所述第二端处的直径小于在所述第一端处的直径。
12.根据条款3所述的系统，其中每个致动器电极围绕所述相关联的区。
13.根据条款3所述的系统，其中所述第二致动信号的所述频谱中的最小频率大于所述第一致动信号的所述频谱中的最大频率。
14.根据条款1所述的系统，其中所述控制器被配置为施加所述第一致动信号和所述第二致动信号，所述施加包括：所述控制器被配置为控制电信号生成器，使得所述第一致动信号和所述第二致动信号被生成并被施加到相应的所述第一区和所述第二区。
15.根据条款14所述的系统，还包括所述电信号生成器。
16.根据条款14所述的系统，其中所述第一致动信号和所述第二致动信号中的每一个致动信号包括至少一个正弦波。
17.根据条款1所述的系统，其中所述熔融的靶材料在处于等离子态时发射极紫外光。
18.根据条款1所述的系统，其中所述致动器的所述第一区包括第一致动器，并且所述第二致动器包括不同于所述第一致动器的第二致动器。
19.根据条款18所述的系统，其中所述系统还包括与所述导管的内部机械连通的膜；并且
所述第二致动器机械地联接到所述膜。
20.根据条款19所述的系统，还包括在所述第一致动器和所述第二致动器之间的运动传递装置。
21.根据条款20所述的系统，其中所述第一致动器包括致动元件的叠层。
22.根据条款3所述的系统，其中所述第二频谱中的最大频率大于所述第一频谱中的最大频率。
23.一种方法，包括：
将导管的孔口流体地联接到容纳熔融的靶材料的贮存器；
向所述贮存器施加压力，使得所述熔融的靶材料在所述导管中流动；
将第一致动信号施加到致动器的机械地联接到所述导管的第一区，所述第一致动信号具有第一频谱；以及
将第二致动信号施加到所述致动器的第二区，其中
所述第二致动信号具有第二频谱，并且
所述第二频谱包括比所述第一频谱更高的频率。
24.根据条款23的方法，还包括：
将第三致动信号施加到所述致动器的第三区，其中所述第三致动信号具有第三频谱。
25.一种系统，包括：
导管，所述导管包括孔口，所述孔口被配置为流体地联接到贮存器上并且发射熔融的靶材料；
单件式致动器，所述单件式致动器机械地联接到所述导管，所述单件式致动器包括多个单独可控的区；以及
控制器，被配置为向至少第一区和第二区中的每一个区施加单独的致动信号。
26.根据条款25所述的系统，其中在所述单件式致动器的外表面中在所述第一区与所述第二区之间形成凹槽，并且所述凹槽被配置为使所述第一区与所述第二区部分地机械解耦。
27.一种系统，包括：
导管，所述导管包括孔口，所述孔口被配置为流体地联接到贮存器并且发射熔融的靶材料；
致动器，所述致动器机械地联接到所述导管上，所述致动器包括多个单独可控的区，其中
所述多个单独可控的区至少包括第一区和第二区，
所述第二区位于所述第一区和所述孔口之间；以及
所述第二区小于所述第一区；以及
控制器，所述控制器被配置为向所述第一区施加第一致动信号并且向所述第二区施加第二致动信号。
28.根据条款27所述的系统，其中所述第二致动信号包括至少一个频率，所述至少一个频率大于所述第一致动信号中的所有频率。
29.一种致动器，包括：
致动器本体，包括：
接地区，所述接地区被配置为电连接到参考电位；以及多个可控区，其中每个可控区被配置为接收控制信号，并且其中，在操作使用中，所述可控区被配置为机械地联接到导管，使得所述可控区的运动在所述导管的内部区域中产生压力波。
30.根据条款29的致动器，其中所述致动器本体包括单个材料件；所述接地区和所述多个可控区是所述单个材料件的一部分；并且所述单个材料件包括多个空间特征部；并且
所述接地区通过所述多个空间特征部中的一个空间特征部与所述多个可控区分开，并且每个可控区通过所述多个空间特征部中的一个空间特征部与最近的可控区分开。
31.根据条款29所述的致动器，其中所述可控区中的至少一个可控区是不直接接触任何其它可控区或所述接地区的单独的材料件。
32.根据条款29所述的致动器，其中所述致动器本体包括被配置为围绕所述导管的基本上圆柱形的侧壁。
上述实现方式和其它实现方式在所附权利要求的范围内。

Claims (32)

1.一种系统，包括：
导管，所述导管包括孔口，所述孔口被配置为流体地联接到贮存器上并且发射熔融的靶材料；
致动器，所述致动器至少包括第一区和在所述第一区与所述孔口之间的第二区，其中所述第一区和所述第二区的运动被传递到所述导管的内部；以及
控制器，所述控制器被配置为向所述第一区施加第一致动信号并且向所述第二区施加第二致动信号，其中所述第二致动信号具有比所述第一致动信号更高的频率。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二区小于所述第一区。
3.根据权利要求1的系统，还包括多个致动器电极；并且其中至少一个致动器电极与所述第一区和所述第二区中的每一个区相关联；所述第一致动信号和所述第二致动信号中的每一个致动信号包括具有频谱的电信号；并且，为了向所述致动器的特定区施加特定致动信号，所述控制器被配置为向与所述特定区相关联的所述致动器电极施加电信号。
4.根据权利要求3所述的系统，其中至少一个电信号的所述频谱包括多于一个的频率。
5.根据权利要求3所述的系统，其中所述致动器包括安装到所述导管的外部的单个材料件；所述致动器电极位于所述致动器的外部，并且所述致动器电极在空间上彼此分离。
6.根据权利要求5的系统，其中所述致动器包括管，所述管包括：第一端；第二端；内壁，所述内壁从所述第一端延伸到所述第二端并且机械地联接到所述导管的所述外部；
所述第二端比所述第一端更靠近所述孔口；
所述致动器的所述第一区是所述管的第一部分，并且所述致动器的所述第二区是所述管的第二部分；以及
在所述第一区和所述第二区之间的所述致动器的所述外部上形成至少一个表面特征，其中每个表面特征被配置为在所述第一区和所述第二区之间提供部分机械隔离。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述至少一个表面特征包括凹入外表面的至少一个凹槽。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述至少一个表面特征包括多个凹槽；每个凹槽围绕所述管；并且每个凹槽具有凹槽形状。
9.根据权利要求8所述的系统，还包括在所述管的所述第一端和所述内壁上的接地电极；并且其中
所述多个凹槽中的一个凹槽位于所述接地电极和所述第一区之间。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个凹槽中的至少一个凹槽具有与至少其它凹槽不同的形状。
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述管的所述外壁在所述第二端处的直径小于在所述第一端处的直径。
12.根据权利要求3所述的系统，其中每个致动器电极围绕所述相关联的区。
13.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二致动信号的所述频谱中的最小频率大于所述第一致动信号的所述频谱中的最大频率。
14.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为施加所述第一致动信号和所述第二致动信号，所述施加包括：所述控制器被配置为控制电信号生成器，使得所述第一致动信号和所述第二致动信号被生成并被施加到相应的所述第一区和所述第二区。
15.根据权利要求14所述的系统，还包括所述电信号生成器。
16.根据权利要求14所述的系统，其中所述第一致动信号和所述第二致动信号中的每一个致动信号包括至少一个正弦波。
17.根据权利要求1所述的系统，其中所述熔融的靶材料在处于等离子态时发射极紫外光。
18.根据权利要求1所述的系统，其中所述致动器的所述第一区包括第一致动器，并且所述第二致动器包括不同于所述第一致动器的第二致动器。
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述系统还包括与所述导管的内部机械连通的膜；并且
所述第二致动器机械地联接到所述膜。
20.根据权利要求19所述的系统，还包括在所述第一致动器和所述第二致动器之间的运动传递装置。
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述第一致动器包括致动元件的叠层。
22.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二频谱中的最大频率大于所述第一频谱中的最大频率。
23.一种方法，包括：
将导管的孔口流体地联接到容纳熔融的靶材料的贮存器；
向所述贮存器施加压力，使得所述熔融的靶材料在所述导管中流动；
将第一致动信号施加到致动器的机械地联接到所述导管的第一区，所述第一致动信号具有第一频谱；以及
将第二致动信号施加到所述致动器的第二区，其中
所述第二致动信号具有第二频谱，并且
所述第二频谱包括比所述第一频谱高的频率。
24.根据权利要求23的方法，还包括：
将第三致动信号施加到所述致动器的第三区，其中所述第三致动信号具有第三频谱。
25.一种系统，包括：
导管，所述导管包括孔口，所述孔口被配置为流体地联接到贮存器上并且发射熔融的靶材料；
单件式致动器，所述单件式致动器机械地联接到所述导管，所述单件式致动器包括多个单独可控的区；以及
控制器，被配置为向至少第一区和第二区中的每一个区施加单独的致动信号。
26.根据权利要求25所述的系统，其中在所述单件式致动器的外表面中在所述第一区与所述第二区之间形成凹槽，并且所述凹槽被配置为使所述第一区与所述第二区部分地机械解耦。
27.一种系统，包括：
导管，所述导管包括孔口，所述孔口被配置为流体地联接到贮存器并且发射熔融的靶材料；
致动器，所述致动器机械地联接到所述导管上，所述致动器包括多个单独可控的区，其中
所述多个单独可控的区至少包括第一区和第二区，
所述第二区位于所述第一区和所述孔口之间；以及
所述第二区小于所述第一区；以及
控制器，所述控制器被配置为向所述第一区施加第一致动信号并且向所述第二区施加第二致动信号。
28.根据权利要求27所述的系统，其中所述第二致动信号包括至少一个频率，所述至少一个频率大于所述第一致动信号中的所有频率。
29.一种致动器，包括：
致动器本体，包括：
接地区，所述接地区被配置为电连接到参考电位；以及
多个可控区，其中每个可控区被配置为接收控制信号，并且其中，在操作使用中，所述可控区被配置为机械地联接到导管，使得所述可控区的运动在所述导管的内部区域中产生压力波。
30.根据权利要求29的致动器，其中所述致动器本体包括单个材料件；所述接地区和所述多个可控区是所述单个材料件的一部分；并且所述单个材料件包括多个空间特征部；并且
所述接地区通过所述多个空间特征部中的一个空间特征部与所述多个可控区分开，并且每个可控区通过所述多个空间特征部中的一个空间特征部与最近的可控区分开。
31.根据权利要求29所述的致动器，其中所述可控区中的至少一个可控区是不直接接触任何其它可控区或所述接地区的单独的材料件。
32.根据权利要求29所述的致动器，其中所述致动器本体包括被配置为围绕所述导管的基本上圆柱形的侧壁。
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