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CN117344377B - 一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法 - Google Patents

一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法 Download PDF

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CN117344377B
CN117344377B CN202311434747.3A CN202311434747A CN117344377B CN 117344377 B CN117344377 B CN 117344377B CN 202311434747 A CN202311434747 A CN 202311434747A CN 117344377 B CN117344377 B CN 117344377B
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Granular Core Technology Xiamen Co ltd
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Abstract

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法。所述定标方法包括：进行定标结构1和定标结构2的生长并分别进行X射线双晶衍射的测量和摇摆曲线模拟，得到各外延层的实际组分配比以及生长速率，由此确定式(1)和式(2)，再结合组分匹配条件计算获得In(1‑x0)Gax0As和In(1‑y0)Aly0As的生长速率GR(Gax0)和GR(Aly0)以及与衬底InP晶格匹配的In(1‑x‑y)GaxAlyAs的生长速率GR(Gax)和GR(Aly)，通过式(1)和式(2)确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件。本发明通过定标结构1和定标结构2的设计，计算得到晶格匹配的InGaAs、InAlAs、InGaAlAs所需的生长条件标定，同时也可对高失配度薄层InGaAs和/或InAlAs的生长条件进行标定。

Description

一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs 的定标方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法。
背景技术
随着越来越多的高性能半导体芯片采用磷化铟(InP)衬底上生长含有InGaAs、InAlAs、InGaAlAs层的复杂多层结构，出于不同材料层晶格匹配和厚度准确性的要求，用分子束外延技术在InP衬底上生长上述各材料层时，晶格匹配和生长速率的校准定标成为最基本的要求。然而，现有技术中的定标方法一般需要多个样品的生长或生长较厚的单层材料，存在生产效率低、成本高、高失配组分较难定标等问题。因此，亟需开发一种准确有效的定标方法，能够快速确定多层半导体结构的生长条件，提高生产效率，降低生产成本。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中的定标方法一般需要多个样品的生长或生长较厚的单层材料，存在生产效率低、成本高、高失配组分较难定标等缺陷，而提出一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法，通过特殊的定标结构设计，能够快速有效地确定生长条件，进而提高生产效率，降低生产成本。
具体地，本发明所提供的在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法包括使用定标结构1和/或定标结构2来完成所需的生长条件标定；所述定标结构1包括依次层叠的InP衬底(101)、In(1-x1)Gax1As外延层(102)、In(1-y1)Aly1As外延层(103)、In(1-x1)Gax1As外延层(104)和In(1-y1)Aly1As外延层(105)；所述定标结构2包括依次层叠的InP衬底(201)、In(1-y2)Aly2As外延层(202)、In(1-x2)Gax2As外延层(203)、In(1-y2)Aly2As外延层(204)和In(1-x2)Gax2As外延层(205)；
所述定标方法包括以下步骤：
S1、采用分子束外延法进行定标结构1和定标结构2的生长；
S2、对定标结构1和定标结构2分别进行X射线双晶衍射的测量，通过模拟摇摆曲线获得In的生长速率GR(In)、Ga的组分x1(Ga)和x2(Ga)、Ga的生长速率GR(Gax1)和GR(Gax2)、Al的组分y1(Al)和y2(Al)以及Al的生长速率GR(Aly1)和GR(Aly2)，由步骤S1中定标结构1和定标结构2生长时的Ga和Al的炉温以及步骤S2中Ga和Al的生长速率计算得到式(1)中的常数A1、E1以及式(2)中的常数A2、E2；
其中，GR为生长速率，T为源炉温度，e为自然常数，A1、E1、A2、E2为与源炉和源材料相关的常数，其数值会随着源材料数量的变化而变化；
S3、对于In(1-x0)Gax0As和In(1-y0)Aly0As的生长，由步骤S2所得In生长速率GR(In)结合组分匹配条件计算得到Ga的生长速率GR(Gax0)和Al的生长速率GR(Aly0)，通过式(1)和式(2)计算确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件；
对于与衬底InP晶格匹配的In(1-x-y)GaxAlyAs的生长，使用与步骤S2相同的In生长速率GR(In)，同时按照式(3)GR(Gax)＝GR(Gax0)*x/x0和式(4)GR(Aly)＝GR(Aly0)*y/y0计算得到Ga的生长速率GR(Gax)和Al的生长速率GR(Aly)，通过式(1)和式(2)计算确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件。
在一种优选的实施方式中，在步骤S1中，所述定标结构的分子束外延生长方法包括：根据前期机台内检或其它结构生长时In、Ga、Al的生长速率与In炉、Ga炉、Al炉温度的对应关系表，按所需的In生长速率设定一个In炉温度，并根据定标结构各外延层的组分配比要求，估算出所要使用的Ga炉和Al炉温度，然后进行定标结构1和定标结构2的生长。
在一种优选的实施方式中，在定标结构1和定标结构2的生长过程中所述In的生长条件保持不变。
在一种优选的实施方式中，所述0<y1<0.48，所述0<x2<0.47，所述x+y＝0.47～0.48。
在一种优选的实施方式中，所述0<x0≦0.47，所述0<y0≦0.48。
在一种优选的实施方式中，在定标结构1中，所述In(1-x1)Gax1As外延层(102)的厚度为150～500nm；所述In(1-y1)Aly1As外延层(103)的厚度为5～10nm；所述In(1-x1)Gax1As外延层(104)的厚度为50～150nm；所述In(1-y1)Aly1As外延层(105)的厚度为5～10nm。
在一种优选的实施方式中，在定标结构2中，所述In(1-y2)Aly2As外延层(202)的厚度为150～500nm；所述In(1-x2)Gax2As外延层(203)的厚度为5～10nm；所述In(1-y2)Aly2As外延层(204)的厚度为50～150nm；所述In(1-x2)Gax2As外延层(205)的厚度为5～10nm。
在一种优选的实施方式中，所述In(1-x1)Gax1As外延层(102)和In(1-x1)Gax1As外延层(104)设定同样的生长条件进行生长，按照预设厚度设定生长时间。
在一种优选的实施方式中，所述In(1-y1)Aly1As外延层(103)和In(1-y1)Aly1As外延层(105)设定同样的生长条件进行生长，按照相同的厚度设定生长时间。
在一种优选的实施方式中，所述In(1-y2)Aly2As外延层(202)和In(1-y2)Aly2As外延层(204)设定同样的生长条件进行生长，按照预设厚度设定生长时间。
在一种优选的实施方式中，所述In(1-x2)Gax2As外延层(203)和In(1-x2)Gax2As外延层(205)设定同样的生长条件进行生长，按照相同的厚度设定生长时间。
本发明的关键在于通过定标结构1和定标结构2的设计，在定标结构中加入高失配度薄层从而将低失配度层材料分成两部分，然后通过两个定标结构的生长和X射线双晶衍射测量，可计算得到晶格匹配的InGaAs、InAlAs、InGaAlAs所需要的生长条件标定，同时也可对高失配度薄层InGaAs和InAlAs的生长条件进行标定。本发明所提供的定标方法通过两个定标结构的生长和测量，即可完成对InGaAs和InAlAs三元材料甚至是InGaAlAs四元材料所需生长条件的准确标定，提高了生产效率且降低生产成本，还解决了高失配组分难标定的问题。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的定标结构1的结构示意图。
图2是本发明实施例1提供的定标结构2的结构示意图。
图3是本发明实施例3的X射线双晶衍射图。
具体实施方式
本发明提供的在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法包括使用定标结构1和/或定标结构2来完成所需的生长条件标定。
在本发明中，所述定标结构1如图1所示，定标结构1包括依次层叠的InP衬底101、In(1-x1)Gax1As外延层102、In(1-y1)Aly1As外延层103、In(1-x1)Gax1As外延层104和In(1-y1)Aly1As外延层105。其中，所述InP衬底101为半绝缘的InP(001)单晶衬底或者N型InP(001)单晶衬底；所述In(1-x1)Gax1As外延层102的厚度为150～500nm，如150nm、180nm、200nm、220nm、250nm、280nm、300nm、320nm、350nm、380nm、400nm、420nm、450nm、480nm、500nm或它们之间的任意值；所述In(1-y1)Aly1As外延层103的厚度为5～10nm，如5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm或它们之间的任意值；所述In(1-x1)Gax1As外延层104的厚度为50～150nm，如50nm、80nm、100nm、120nm、150nm或它们之间的任意值；所述In(1-y1)Aly1As外延层105的厚度为5～10nm，如5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm或它们之间的任意值。此外，通过具有高失配度的In(1-y1)Aly1As外延层103将In(1-x1)Gax1As层分为厚度不同的外延层102和104，一方面是因为外延层102紧邻InP衬底101，需要生长较厚的外延层，使X射线双晶衍射测量得到的衍射峰位置准确；另一方面因为XRD无法得到外延层102的准确厚度，因而需要分出外延层104做厚度确定。
在本发明中，所述定标结构2如图2所示，定标结构2包括依次层叠的InP衬底201、In(1-y2)Aly2As外延层202、In(1-x2)Gax2As外延层203、In(1-y2)Aly2As外延层204和In(1-x2)Gax2As外延层205。其中所述InP衬底101为半绝缘的InP(001)单晶衬底或者N型InP(001)单晶衬底；所述In(1-y2)Aly2As外延层202的厚度为150～500nm，如150nm、180nm、200nm、220nm、250nm、280nm、300nm、320nm、350nm、380nm、400nm、420nm、450nm、480nm、500nm或它们之间的任意值；所述In(1-x2)Gax2As外延层203的厚度为5～10nm，如5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm或它们之间的任意值；所述In(1-y2)Aly2As外延层204的厚度为50～150nm，如50nm、80nm、100nm、120nm、150nm或它们之间的任意值；所述In(1-x2)Gax2As外延层205的厚度为5～10nm，如5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm或它们之间的任意值。
在本发明中，所述定标方法包括以下步骤：
S1、采用分子束外延法进行定标结构1和定标结构2的生长；
S2、对定标结构1和定标结构2分别进行X射线双晶衍射的测量，通过模拟摇摆曲线可以获得In的生长速率GR(In)、Ga的组分x1(Ga)和x2(Ga)、Ga的生长速率GR(Gax1)和GR(Gax2)、Al的组分y1(Al)和y2(Al)以及Al的生长速率GR(Aly1)和GR(Aly2)，由步骤S1中定标结构1和定标结构2生长时的Ga和Al的炉温以及步骤S2中Ga和Al的生长速率计算得到式(1)中的常数A1、E1以及式(2)中的常数A2、E2；
其中，GR为生长速率，T为源炉温度，e为自然常数，A1、E1、A2、E2为与源炉和源材料相关的常数，其数值会随着源材料数量的变化而变化；
S3、对于In(1-x0)Gax0As和In(1-y0)Aly0As的生长，由步骤S2所得In生长速率GR(In)结合组分匹配条件计算得到Ga的生长速率GR(Gax0)和Al的生长速率GR(Aly0)，通过式(1)和式(2)计算确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件；
对于与衬底InP晶格匹配的In(1-x-y)GaxAlyAs的生长，使用与步骤S2相同的In生长速率GR(In)，同时按照式(3)GR(Gax)＝GR(Gax0)*x/x0和式(4)GR(Aly)＝GR(Aly0)*y/y0计算得到Ga的生长速率GR(Gax)和Al的生长速率GR(Aly)，通过式(1)和式(2)计算确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件。
在上述定标方法实施过程中，在步骤S1中，所述定标结构的分子束外延生长方法的具体实施方法可以为：进行标定结构生长时，根据前期机台内检或其它结构生长时In、Ga、Al的生长速率与In炉、Ga炉、Al炉温度的对应关系表，可先预设一个In的生长速率GR(In)′并确定In炉温度，并根据定标结构各外延层的组分配比要求估算出Ga炉温度和Al炉温度，例如，针对定标结构1的生长条件设定，由In的生长速率GR(In)′和In(1-x1)Gax1As、In(1-y1)Aly1As的组分配比可计算得到Ga和Al的大致生长速率，再根据前期生长其他结构时Ga、Al的生长速率与Ga炉、Al炉温度的对应关系表估算获得Ga炉温度和Al炉温度，定标结构2的生长条件可同理获得，然后进行定标结构1和定标结构2的生长。此外，在本发明中As元素过量提供，这是分子束外延的常规做法，按经验确定As过量提供的条件，优选地，As的束流可设定为In束流的20～40倍，二者的束流可由束流计测量。
优选地，针对定标结构1的生长，将InP衬底进行脱气预处理后传送进入生长室，进行表面氧化层脱附处理后，将衬底温度调整为420～500℃，依次进行In(1-x1)Gax1As外延层102、In(1-y1)Aly1As外延层103、In(1-x1)Gax1As外延层104和In(1-y1)Aly1As外延层105的生长。其中，In(1-x1)Gax1As外延层102和In(1-x1)Gax1As外延层104设置同样的生长条件进行生长，即In炉温度和Ga炉温度相同，生长时间则按照预设厚度设置；所述In(1-y1)Aly1As外延层103和In(1-y1)Aly1As外延层105设定同样的生长条件进行生长，即In炉温度和Al炉温度相同，生长时间按照相同的预设厚度设置。此外，各外延层的生长时间可通过生长速率和生长厚度计算获得，例如，要生长厚度为300nm的In(1-x1)Gax1As外延层，根据预设In的生长速率GR(In)′约为0.5μm/h，则In0.53Ga0.47As外延层的生长速率为0.94μm/h，生长时间为19min9s，同理可计算获得各外延层的生长时间。
优选地，针对定标结构2的生长，将InP衬底在200～400℃下进行脱气预处理20～40min后传送进入生长室，在540～560℃下进行表面氧化层脱附处理1～10min后，将衬底温度调整为420～500℃，依次进行In(1-y2)Aly2As外延层202、In(1-x2)Gax2As外延层203、In(1-y2)Aly2As外延层204和In(1-x2)Gax2As外延层205的生长。其中，In(1-y2)Aly2As外延层202和In(1-y2)Aly2As外延层204设置同样的生长条件进行生长，即In炉温度和Al炉温度相同，生长时间则按照预设厚度设置；所述In(1-x2)Gax2As外延层203和In(1-x2)Gax2As外延层205设定同样的生长条件进行生长，即In炉温度和Ga炉温度相同，生长时间按照相同的预设厚度设置。
在上述定标方法实施过程中，在步骤S2中，对完成外延生长的定标结构1和定标结构2进行X射线双晶衍射的测量并通过理论拟合X射线衍射摇摆曲线可以获得各外延层的厚度和对应组分的配比，结合各外延层的生长时间，可得各组分的生长速率。
具体地，由定标结构1的X射线双晶衍射模拟结果可知In(1-y1)Aly1As外延层103、In(1-x1)Gax1As外延层104和In(1-y1)Aly1As外延层105的实际厚度，以及In(1-x1)Gax1As外延层中Ga的组分x1(Ga)和In的组分1-x1(In)、In(1-y1)Aly1As外延层中Al的组分y1(Al)和In的组分1-y1(In)，再结合各层的生长时间可得In的生长速率GR(In)、Ga的生长速率GR(Gax1)和Al的生长速率GR(Aly1)。此外，通过计算所得的Ga的生长速率GR(Gax1)是与在In的生长速率GR(In)条件下生长晶格匹配In(1-x0)Gax0As外延层(如In0.53Ga0.47As)的生长速率GR(Gax0)相接近的。而在Al的生长速率GR(Aly1)与In的生长速率GR(In)条件下生长对应生长得到的In(1-y1)Aly1As外延层则有较大的晶格失配度，这里的y1值可根据想要生长的目标四元材料In(1-x-y)GaxAlyAs中Al的组分配比来选择，通常选择比晶格匹配要求(In0.52Al0.48As)组分低的Al组分数值，即0<y1<0.48，如y1可为0.1、0.2、0.3、0.4或者它们之间的任意数值，这样做的目的是使定标结构的生长更接近目标四元材料In(1-x-y)GaxAlyAs的生长要求。
具体地，由定标结构2的X射线双晶衍射模拟结果可知In(1-x2)Gax2As外延层203、In(1-y2)Aly2As外延层204和In(1-x2)Gax2As外延层205的实际厚度，以及In(1-y2)Aly1As外延层中Al的组分y2(Al)和In的组分1-y2(In)、In(1-x2)Gax2As外延层中Ga的组分x2(Ga)和In的组分1-x2(In)，再结合各层的生长时间可得In的生长速率GR(In)、Al的生长速率GR(Aly2)和Ga的生长速率GR(Gax2)。此外，通过计算所得的Al的生长速率GR(Aly2)是与在In的生长速率GR(In)条件下生长晶格匹配In(1-y0)Aly0As外延层(如In0.52Al0.48As)的生长速率GR(Aly0)相接近的。而在Ga的生长速率GR(Gax2)与In的生长速率GR(In)条件下生长对应生长得到的In(1-x2)Gax2As则有较大的晶格失配度，这里的x2值可根据想要生长的目标四元材料In(1-x-y)GaxAlyAs中Ga的组分配比来选择，通常选择比晶格匹配要求(In0.53Ga0.47As)组分低的Ga组分数值，即0<x2<0.47，如x2可为0.1、0.2、0.3、0.4或者它们之间的任意数值，这样做的目的是使定标结构的生长更接近目标四元材料In(1-x-y)GaxAlyAs的生长要求。
对于源炉温度与生长速率的关系式确定，主要是通过测定两个不同温度下的材料生长以及对应的生长速率，即可确定各III族材料(In、Ga、Al)的生长速率和源炉温度的关系式中的常数A和E。在一种具体的实施方式中，由步骤S1中Ga炉温度和Al炉温度结合步骤S2中相应的Ga的生长速率GR(Gax1)和GR(Gax2)、Al的生长速率GR(Aly1)和GR(Aly2)可以计算得到常数A1、E1、A2、E2的数值，从而确定Ga的生长速率和Ga炉温度的关系式(1)以及Al的生长速率和Al炉温度的关系式(2)。此外，也可以在机台内检的过程中进行两个不同温度下的材料生长来确定式(1)和式(2)。在后续的生长中，随着材料的缓慢消耗，常数A和E也会随之发生变化，此时生长速率和源炉温度的关系，仍然可用式(1)和式(2)经过一个温度平移大致得出。但是在精度要求较高或者机台使用时间较长的情况下源炉和生长速率之间的关系式需要进行重新校准。
在上述定标方法实施过程中，在步骤S3中，由步骤S2所得In生长速率GR(In)通过组分匹配条件计算可得In(1-x0)Gax0As、In(1-y0)Aly0As所需的Ga的生长速率GR(Gax0)和Al的生长速率GR(Aly0)，再分别通过式(1)和式(2)确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件。其中，所述0<x0≦0.47，所述0<y0≦0.48。在一种具体的实施方式中，生长晶格匹配的In(1-x0)Gax0As、In(1-y0)Aly0As是In0.53Ga0.47As、In0.52Al0.48As。
在上述定标方法实施过程中，在步骤S4中，对于与InP晶格匹配的In(1-x-y)GaxAlyAs的生长，所述x+y＝0.47～0.48，其中，0<x<0.47，0<y<0.48。
在本发明中，定标结构1和定标结构2可根据所需生长的目标材料为三元材料或四元材料来灵活使用。具体地，当生长目标为InGaAs时，只需要进行定标结构1的生长定标即可获得所需生长条件；当生长目标为InAlAs时，相应地，只需要进行定标结构2的生长定标即可获得所需生长条件；而当生长目标还包括InGaAlAs这种四元结构层的时候，就需要同时进行定标结构1和定标结构2的生长定标，具体实施过程如上述步骤S1～S4所述。
以下将通过具体实施例对本发明进行详细描述。
实施例1
对在InP衬底上分子束外延生长晶格匹配层In0.52Ga0.3Al0.18As的生长条件进行定标，定标过程如下：
S1、先预设一个大致的In生长速率～0.5μm/h，确定In炉温度为860℃，对于定标结构1：按照In～0.53Ga～0.47As和In～0.8Al～0.2As估算Ga炉温度为870℃、Al炉温度为1095℃，对于定标结构2：按照In～0.52Al～0.48As和In～0.7Ga～0.3As估算Al炉温度为1158℃、Ga炉温度为830℃，在整个生长过程中保持In炉温度为860℃，设定As的束流为In束流的30倍。
对于定标结构1：将InP衬底在300℃下进行脱气预处理30min，传送进生长室在560℃下进行表面氧化层脱附处理10min后，将衬底温度调整为450℃，依次生长300nm的In～0.53Ga～0.47As外延层102、8nm的In～0.8Al～0.2As外延层103、100nm的In～0.53Ga～0.47As外延层104和8nm的In～0.8Al～0.2As外延层105；
对于定标结构2：将InP衬底在300℃下进行脱气预处理30min，传送进生长室在560℃下进行表面氧化层脱附处理10min后，将衬底温度调整为450℃，依次生长300nm的In～0.52Al～0.48As外延层202、8nm的In～0.7Ga～0.3As外延层203、100nm的In～0.52Al～0.48As外延层204和8nm的In～0.7Ga～0.3As外延层205。
S2、对步骤S1中所生长的定标结构1和定标结构2进行X射线双晶衍射的测量和模拟摇摆曲线，根据拟合结果可知各外延层的实际厚度和组分配比；
对于定标结构1：可知In～0.53Ga～0.47As外延层的准确组分配比为In0.51Ga0.49As，In～0.8Al～0.2As外延层的准确组分配比为In0.78Al0.22As，再结合各层的实际厚度和生长时间，可计算得出In的生长速率GR(In)为0.49μm/h、Ga的生长速率GR(Ga0.49)为0.47μm/h和Al的生长速率GR(Al0.22)为0.14μm/h；
对于定标结构2：可知In～0.52Al～0.48As外延层的准确组分配比为In0.51Al0.49As，In～0.7Ga～0.3As外延层的准确组分配比为In0.72Ga0.28As，再结合各层的实际厚度和生长时间，可计算得出In的生长速率GR(In)为0.49μm/h、Al的生长速率GR(Al0.49)为0.47μm/h和Ga的生长速率GR(Ga0.28)为0.19μm/h。
根据步骤S1和S2所得的Ga和Al的生长速率以及Ga炉和Al炉的温度，可得式(1-1)和式(1-2)：
S3、对于与衬底InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As和In0.52Al0.48As的生长，由GR(In)为0.49μm/h结合组分匹配条件可计算得Ga的生长速率GR(Ga0.47)为0.44μm/h、Al的生长速率GR(Al0.48)为0.45μm/h，再通过式(1-1)和式(1-2)计算得到Ga炉温度为867℃、Al炉温度为1157℃；
对于与衬底InP晶格匹配的In0.52Ga0.3Al0.18As的生长，In的生长速率GR(In)为0.49μm/h，与步骤S2中的相同，Ga的生长速率GR(Ga0.3)＝GR(Ga0.47)*0.3/0.47＝0.28μm/h，Al的生长速率GR(Al0.18)＝GR(Al0.48)*0.18/0.48＝0.17μm/h，再通过式(1-1)和式(1-2)计算得到Ga炉温度为847℃、Al炉温度为1105℃。
综上所述，可以设定In0.52Ga0.3Al0.18As的生长条件：生长速率GR(In)为0.49μm/h、GR(Ga0.3)为0.28μm/h、GR(Al0.18)为0.17μm/h以及对应的In炉温度为860℃、Ga炉温度为847℃、Al炉温度为1105℃。此外，也可设定In0.53Ga0.47As的生长条件：生长速率GR(In)为0.49μm/h、GR(Ga0.47)为0.44μm/h以及对应的In炉温度为860℃、Ga炉温度为867℃，设定In0.52Al0.48As的生长条件：生长速率GR(In)为0.49μm/h、GR(Al0.48)为0.46μm/h以及对应的In炉温度为860℃、Al炉温度为1157℃。
实施例2
对在InP衬底上分子束外延生长晶格匹配层In0.52Ga0.15Al0.33As的生长条件进行定标，定标过程如下：
S1、先预设一个大致的In生长速率～0.5μm/h，确定In炉温度为820℃，对于定标结构1：按照In～0.53Ga～0.47As和In～0.68Al～0.32As估算Ga炉温度为888℃、Al炉温度为1082℃，对于定标结构2：按照In～0.52Al～0.48As和In～0.85Ga～0.15估算Al炉温度为1120℃、Ga炉温度为802℃，在整个生长过程中保持In炉温度为860℃，设定As的束流为In束流的30倍。
对于定标结构1：将InP衬底在300℃下进行脱气预处理0.5h，传送进生长室在560℃下进行表面氧化层脱附处理10min后，将衬底温度调整为450℃，依次生长500nm的In～0.53Ga～0.47As外延层102、10nm的In～0.68Al～0.32As外延层103、50nm的In～0.53Ga～0.47As外延层104和10nm的In～0.68Al～0.32As外延层105；
对于定标结构2：将InP衬底在300℃下进行脱气预处理0.5h，传送进生长室在560℃下进行表面氧化层脱附处理10min后，将衬底温度调整为450℃，依次生长500nm的In～0.52Al～0.48As外延层202、6nm的In～0.85Ga～0.15As外延层203、50nm的In～0.52Al～0.48As外延层204和6nm的In～0.85Ga～0.15As外延层205。
根据步骤S1和S2所得的Ga和Al的生长速率以及Ga炉和Al炉的温度，可得式(2-1)和式(2-2)：
S2、对步骤S1中所生长的定标结构1和定标结构2进行X射线双晶衍射的测量和模拟摇摆曲线，根据拟合结果可知各外延层的实际厚度和组分配比；
对于定标结构1：可知In～0.53Ga～0.47As外延层的准确组分配比为In0.55Ga0.45As，In～0.68Al～0.32As外延层的准确组分配比为In0.70Al0.30As，再结合各层的实际厚度和生长时间，可计算得出In的生长速率GR(In)为0.52μm/h、Ga的生长速率GR(Ga0.45)为0.425μm/h和Al的生长速率GR(Al0.30)为0.22μm/h；
对于定标结构2：可知In～0.52Al～0.48As外延层的准确组分配比为In0.54Al0.46As，In～0.85Ga～0.15As外延层的准确组分配比为In0.88Ga0.12As，再结合各层的实际厚度和生长时间，可计算得出In的生长速率GR(In)为0.52μm/h、Al的生长速率GR(Al0.46)为0.44μm/h和Ga的生长速率GR(Ga0.12)为0.07μm/h。
S3、对于与衬底InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As、In0.52Al0.48As，通过GR(In)为0.52μm/h结合组分匹配条件可计算得Ga的生长速率GR(Ga0.47)为0.46μm/h、Al的生长速率GR(Al0.48)为0.48μm/h，再通过式(2-1)和式(2-2)计算得到Ga炉温度为893℃、Al炉温度为1125℃；
对于与衬底InP晶格匹配的In0.52Ga0.15Al0.33As的生长，In的生长速率GR(In)为0.52μm/h，与步骤S2中的相同，Ga的生长速率GR(Ga0.15)＝GR(Ga0.47)*0.15/0.47＝0.147μm/h，Al的生长速率GR(Al0.33)＝GR(Al0.48)*0.33/0.48＝0.33μm/h，再通过式(2-1)和式(2-2)计算得到Ga炉温度为835℃、Al炉温度为1104℃。
综上所述，可以设定In0.52Ga0.15Al0.33As的生长条件：生长速率GR(In)为0.52μm/h、GR(Ga0.15)为0.147μm/h、GR(Al0.33)为0.33μm/h以及对应的In炉温度为820℃、Ga炉温度为835℃、Al炉温度为1104℃。此外，也可设定In0.53Ga0.47As的生长条件：生长速率GR(In)为0.52μm/h、GR(Ga0.47)为0.46μm/h以及对应的In炉温度为820℃、Ga炉温度为893℃，设定In0.52Al0.48As的生长条件：生长速率GR(In)为0.52μm/h、GR(Al0.48)为0.48μm/h以及对应的In炉温度为820℃、Al炉温度为1125℃。
实施例3
对在InP衬底上分子束外延生长晶格匹配层In0.53Ga0.47As和高失配层In0.7Al0.3As的生长条件进行定标，定标过程如下：
S1、先预设一个大致的In生长速率～0.5μm/h，确定In炉温度为865℃，对于定标结构1：按照In～0.53Ga～0.47As和In～0.7Al～0.3As估算Ga炉温度为880℃、Al炉温度为1126℃，在整个生长过程中保持In炉温度为865℃，设定As的束流为In束流的30倍；
对于定标结构1：将InP衬底在300℃下进行脱气预处理0.5h，传送进生长室在560℃下进行表面氧化层脱附处理10min后，将衬底温度调整为450℃，依次生长300nm的In～0.53Ga～0.47As外延层102、8nm的In～0.7Al～0.3As外延层103、100nm的In～0.53Ga～0.47As外延层104和8nm的In～0.7Al～0.3As外延层105。
S2、对步骤S1中所生长的定标结构1进行X射线双晶衍射的测量和模拟摇摆曲线，根据拟合结果可知各外延层的实际厚度和组分配比，其X射线双晶衍射的测量曲线如图3所示，从图3可以看出，图中具有峰型明显的InP衬底峰和InGaAs峰(主要与102、104外延层相关)，InP衬底峰左侧峰型主要是与InAlAs(103、105外延层)相关的包络以及与InGaAs(104外延层)厚度有关的振荡；
对于定标结构1：可知In～0.53Ga～0.47As外延层的准确组分配比为In0.51Ga0.49As，In～0.7Al～0.3As外延层的准确组分配比为In0.69Al0.31As，再结合各层的实际厚度和生长时间，可计算得出In的生长速率GR(In)为0.49μm/h、Ga的生长速率GR(Ga0.49)为0.47μm/h和Al的生长速率GR(Al0.31)为0.22μm/h。
S3、由In的生长速率GR(In)为0.49μm/h结合In0.53Ga0.47As和In0.7Al0.3As的组分匹配条件可计算Ga的生长速率GR(Ga0.47)为0.435μm/h、Al的生长速率GR(Al0.3)为0.21μm/h，根据生长速率和炉温的关系式(1-1)和(1-2)，可知将Ga的生长速率从0.47μm/h降至0.435μm/h，炉温降低3.5℃，将Al的生长速率从0.22μm/h降至0.21μm/h，炉温降低2.5℃，由此确定Ga炉温度为876.5℃、Al炉温度为1123.5℃。
综上所述，可以设定In0.53Ga0.47As的生长条件：生长速率GR(In)为0.49μm/h、GR(Ga0.47)为0.435μm/h以及对应的In炉温度为865℃、Ga炉温度为876.5℃；设定In0.7Al0.3As的生长条件：生长速率GR(In)为0.49μm/h、GR(Al0.3)为0.21μm/h以及对应的In炉温度为865℃、Al炉温度为1123.5℃。
实施例4
对在InP衬底上分子束外延生长晶格匹配层In0.52Al0.48As和高失配层In0.8Ga0.2As的生长条件进行定标，定标过程如下：
S1、先预设一个大致的In生长速率～0.5μm/h，确定In炉温度为863℃，对于定标结构2：按照In～0.52Al～0.48As和In～0.8Al～0.2As估算Al炉温度为1155℃、Ga炉温度为820℃，在整个生长过程中保持In炉温度为863℃，设定As的束流为In束流的30倍；
对于定标结构2：将InP衬底在300℃下进行脱气预处理0.5h，传送进生长室在560℃下进行表面氧化层脱附处理10min后，将衬底温度调整为450℃，依次生长300nm的In～0.52Al～0.48As外延层202、8nm的In～0.8Ga～0.2As外延层203、100nm的In～0.52Al～0.48As外延层204和8nm的In～0.8Ga～0.2As外延层205。
S2、对步骤S1中所生长的定标结构2进行X射线双晶衍射的测量和模拟摇摆曲线，根据拟合结果可知各外延层的实际厚度和组分配比；
对于定标结构2：可知In～0.52Al～0.48As外延层的准确组分配比为In0.539Al0.461As，In～0.8Ga～0.2As外延层的准确组分配比为In0.863Ga0.137As，再结合各层的实际厚度和生长时间，可计算得出In的生长速率GR(In)为0.52μm/h、Al的生长速率GR(Al0.461)为0.45μm/h和Ga的生长速率GR(Ga0.137)为0.083nm/s。
S3、由In的生长速率GR(In)为0.52μm/h结合In0.52Al0.48As和In0.8Ga0.2As组分匹配条件可计算可得Al的生长速率GR(Al0.48)为0.48μm/h、Ga的生长速率GR(Ga0.2)为0.13μm/h，根据生长速率和炉温的关系式(1-1)和(1-2)，可知将Ga的生长速率从0.083μm/h升至0.13μm/h，炉温升高17℃；将Al的生长速率从0.45μm/h升至0.48μm/h，炉温升高3.5℃，由此确定Ga炉温度为837℃、Al炉温度为1158.5℃。
综上所述，可以设定In0.52Al0.48As的生长条件：生长速率GR(In0.52)为0.52μm/h、GR(Al0.48)为0.48μm/h以及对应的In炉温度为863℃、Al炉温度为1158.5℃；设定In0.8Ga0.2As的生长条件：生长速率GR(In0.8)为0.52μm/h、GR(Ga0.2)为0.13μm/h以及对应的In炉温度为863℃、Ga炉温度为837℃。
测试例
按照上述实施例所得的生长条件分别在InP衬底上进行目标外延层生长，再通过X射线双晶衍射得到验证数据，与预期数据进行比较验证得到验证结果。通过该验证过程可确保采用本发明所提供的定标方法所确定的生长条件的准确性，从而确保了所生长的材料结构的正确性。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法，其特征在于，所述定标方法包括使用定标结构1和定标结构2来完成在InP衬底上生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs所需的生长条件标定；所述定标结构1包括依次层叠的InP衬底（101）、In(1-x1)Gax1As外延层（102）、In(1-y1)Aly1As外延层（103）、In(1-x1)Gax1As外延层（104）和In(1-y1)Aly1As外延层（105）；所述定标结构2包括依次层叠的InP衬底（201）、In(1-y2)Aly2As外延层（202）、In(1-x2)Gax2As外延层（203）、In(1-y2)Aly2As外延层（204）和In(1-x2)Gax2As外延层（205）；所述定标方法包括以下步骤：
S1、采用分子束外延法进行定标结构1和定标结构2的生长；
S2、对定标结构1和定标结构2分别进行X射线双晶衍射的测量，通过模拟摇摆曲线获得In的生长速率GR(In)、Ga的组分x1(Ga)和x2(Ga)、Ga的生长速率GR(Gax1)和GR(Gax2)、Al的组分y1(Al)和y2(Al)以及Al的生长速率GR(Aly1)和GR(Aly2)，由步骤S1中定标结构1和定标结构2生长时的Ga和Al的炉温以及步骤S2中Ga和Al的生长速率计算得到式（1）中的常数A1、E1以及式（2）中的常数A2、E2；
式（1）,/>式（2）
其中，GR为生长速率，T为源炉温度，e为自然常数，A1、E1、A2、E2为与源炉和源材料相关的常数，其数值会随着源材料数量的变化而变化；
S3、对于In(1-x0)Gax0As和In(1-y0)Aly0As的生长，由步骤S2所得In生长速率GR(In)结合组分匹配条件计算得到Ga的生长速率GR(Gax0)和Al的生长速率GR(Aly0)，通过式（1）和式（2）计算确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件；
对于与衬底InP晶格匹配的In(1-x-y)GaxAlyAs的生长，使用与步骤S2相同的In生长速率GR(In)，同时按照式（3）GR(Gax)=GR(Ga0.47)*x/0.47和式（4）GR(Aly)=GR(Al0.48)*y/0.48计算得到Ga的生长速率GR(Gax)和Al的生长速率GR(Aly)，通过式（1）和式（2）计算确定Ga炉和Al炉的温度，从而设定生长条件。
2.根据权利要求1所述的定标方法，其特征在于，在步骤S1中，所述定标结构的分子束外延生长方法包括：根据前期机台内检或其它结构生长时In、Ga、Al的生长速率与In炉、Ga炉、Al炉温度的对应关系表，按所需的In生长速率设定一个In炉温度，并根据定标结构各外延层的组分配比要求，估算出所要使用的Ga炉和Al炉温度，然后进行定标结构1和定标结构2的生长。
3.根据权利要求2所述的定标方法，其特征在于，在定标结构1和定标结构2的生长过程中所述In的生长条件保持不变。
4.根据权利要求1所述的定标方法，其特征在于，0<y1<0.48，0<x2<0.47，x+y=0.47~0.48。
5.根据权利要求1所述的定标方法，其特征在于，0<x0≦0.47，0<y0≦0.48。
6.根据权利要求1所述的定标方法，其特征在于，在定标结构1中，所述In(1-x1)Gax1As外延层（102）的厚度为150~500nm；所述In(1-y1)Aly1As外延层（103）的厚度为5~10nm；所述In(1-x1)Gax1As外延层（104）的厚度为50~150nm；所述In(1-y1)Aly1As外延层（105）的厚度为5~10nm。
7.根据权利要求1所述的定标方法，其特征在于，在定标结构2中，所述In(1-y2)Aly2As外延层（202）的厚度为150~500nm；所述In(1-x2)Gax2As外延层（203）的厚度为5~10nm；所述In(1-y2)Aly2As外延层（204）的厚度为50~150nm；所述In(1-x2)Gax2As外延层（205）的厚度为5~10nm。
8.根据权利要求1所述的定标方法，其特征在于，所述In(1-x1)Gax1As外延层（102）和In(1-x1)Gax1As外延层（104）设定同样的生长条件进行生长，按照预设厚度设定生长时间；所述In(1-y1)Aly1As外延层（103）和In(1-y1)Aly1As外延层（105）设定同样的生长条件进行生长，按照相同的厚度设定生长时间。
9.根据权利要求1所述的定标方法，其特征在于，所述In(1-y2)Aly2As外延层（202）和In(1-y2)Aly2As外延层（204）设定同样的生长条件进行生长，按照预设厚度设定生长时间；所述In(1-x2)Gax2As外延层（203）和In(1-x2)Gax2As外延层（205）设定同样的生长条件进行生长，按照相同的厚度设定生长时间。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5997595A (ja) * 1982-11-22 1984-06-05 Fujitsu Ltd 液相エピタキシヤル成長方法
CN1741330A (zh) * 2004-08-27 2006-03-01 中国科学院半导体研究所 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法
CN208368512U (zh) * 2018-04-10 2019-01-11 新磊半导体科技（苏州）有限公司 InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构
CN208422859U (zh) * 2018-04-10 2019-01-22 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种InGaAsP四元系材料外延生长中III族元素的定标结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5997595A (ja) * 1982-11-22 1984-06-05 Fujitsu Ltd 液相エピタキシヤル成長方法
CN1741330A (zh) * 2004-08-27 2006-03-01 中国科学院半导体研究所 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法
CN208368512U (zh) * 2018-04-10 2019-01-11 新磊半导体科技（苏州）有限公司 InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构
CN208422859U (zh) * 2018-04-10 2019-01-22 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种InGaAsP四元系材料外延生长中III族元素的定标结构

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