CN117276377A - 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。通过在目标重掺杂区域上形成掺杂程度不同的目标子区域，进而在提高掺杂的有效性的同时降低重掺杂过程对于基底的损伤，改善了太阳能电池的表面缺陷。由于与目标重掺杂区域对应的第一栅线，与该目标重掺杂区域的第一目标子区域欧姆接触，能够在实现第一栅线与掺杂层欧姆接触的同时改善第一栅线对应于其他结深的目标子区域内的部分与掺杂层之间的接触复合，减少了第一栅线和掺杂层的接触面积，增加了钝化面积。由此，在改善栅线的接触复合的同时改善重掺杂效果、降低太阳能电池的表面缺陷以及漏电风险，提高太阳能电池的开路电压和光电转换效率。

Description

太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。

背景技术

选择性发射极(Selective Emitter，SE)激光掺杂技术，是在基底的表面的接触区域扩散而形成重掺杂区域，在非接触区域轻掺杂的技术。选择性发射电极能够降低接触区域的接触电阻，降低太阳能电池的串阻，同时轻掺杂区域能有效减少载流子复合，提高基底表面的钝化。

在上述重掺杂的过程中，若重掺杂效果不佳，则会导致栅线与基底的接触复合变大。若采用高能激光形成重掺杂区域来改善重掺杂效果，则容易导致基底上对应于重掺杂区域的部分破坏严重，使得表面缺陷增加，同时也会导致部分脏污颗粒通过激光扩散至太阳能电池更深的位置，在制作栅线后，带来更大的漏电风险。

发明内容

基于此，有必要提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件和光伏系统，以在改善栅线的接触复合的同时改善重掺杂效果、降低太阳能电池的表面缺陷以及漏电风险。

根据本申请的一个方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括：

基底，具有沿第一方向设置的第一表面；

掺杂层，设于基底的第一表面的一侧；掺杂层包括多个轻掺杂区域和多个重掺杂区域，多个轻掺杂区域和多个重掺杂区域沿第二方向依次交替布置；及

多条第一栅线，设于基底的第一表面的一侧，多条第一栅线沿第三方向延伸设置，且沿第二方向间隔布置；每一第一栅线对应一重掺杂区域；第一栅线在基底的正投影，位于掺杂层上对应的重掺杂区域在基底的正投影范围内；

其中，定义多个重掺杂区域中至少一个重掺杂区域为目标重掺杂区域，每一目标重掺杂区域包括沿第三方向依次布设的多个目标子区域，多个目标子区域的结深具有至少两种结深；

同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中结深最大的区域为第一目标子区域；与目标重掺杂区域对应的第一栅线，与该目标重掺杂区域的第一目标子区域欧姆接触；

第一方向为基底的厚度方向；第二方向和第三方向彼此相交，且均与第一方向垂直。

在其中一个实施例中，太阳能电池还包括连接结构；

连接结构在基底的正投影，位于第一目标子区域在基底的正投影范围内；连接结构沿第一方向的一端连接掺杂层，另一端连接对应的第一栅线。

在其中一个实施例中，沿第二方向，连接结构的最大尺寸为15μm-25μm；和/或

沿第二方向，第一栅线的尺寸为15μm-20μm。

在其中一个实施例中，连接结构在参考面上的正投影的形状为圆形；

参考面为与第一方向垂直的平面。

在其中一个实施例中，太阳能电池还包括依次层叠设于掺杂层背离于基底的一侧表面的第一钝化膜层；

连接结构贯穿第一钝化膜层，并与掺杂层和对应的第一栅线之间形成欧姆接触。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中，沿第三方向，至少一组相邻的相同结深的目标子区域之间布设有至少一个不同结深的目标子区域。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域包括至少一个第一目标子区域和多个第二目标子区域；

第二目标子区域为同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中结深最小的目标子区域；

其中，沿第三方向，至少一组相邻的两个第二目标子区域之间布设有至少一个第一目标子区域。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中，第一目标子区域和第二目标子区域沿第三方向依次交替布置。

在其中一个实施例中，第一目标子区域的结深为1.9μm-2.5μm；和/或

同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中结深最小的区域为第二目标子区域，第二目标子区域的结深为1μm-1.8μm。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中结深最小的区域为第二目标子区域；

第二目标子区域的方阻与第一目标子区域的方阻比值为1.5-2。

在其中一个实施例中，第一目标子区域的方阻为60Ω/□-80Ω/□，第二目标子区域的方阻为90Ω/□-160Ω/□。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域包括多个第一目标子区域；

沿第三方向，相邻的两个第一目标子区域的尺寸与第一目标子区域的尺寸的比值为0.22-2。

在其中一个实施例中，沿第三方向，第一目标子区域的尺寸为17.5μm-45μm；和/或

同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中结深最小的区域为第二目标子区域；沿第三方向，第二目标子区域的尺寸为10μm-35μm。

在其中一个实施例中，太阳能电池还包括多条第二栅线；

多条第二栅线沿第三方向间隔布置，每一第二栅线与多条第一栅线中的任一者相连。

根据本申请的另一个方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：

提供基底；基底具有沿第一方向设置的第一表面，基底的第一表面的一侧设有掺杂层；

在掺杂层的多个目标区域进行掺杂，形成多个重掺杂区域；掺杂层上除多个目标区域以外的多个区域均为轻掺杂区域，多个轻掺杂区域和多个重掺杂区域沿第二方向依次交替布置；

在基底的第一表面的一侧形成多条第一栅线；多条第一栅线沿第三方向延伸设置，且沿第二方向间隔布置；每一第一栅线对应一重掺杂区域；第一栅线在基底的正投影，位于掺杂层上对应的重掺杂区域在基底的正投影范围内；

其中，定义多个重掺杂区域中至少一个重掺杂区域为目标重掺杂区域，每一目标重掺杂区域包括沿第三方向依次布设的多个目标子区域，多个目标子区域的结深具有至少两种结深；

同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中结深最大的区域为第一目标子区域；与目标重掺杂区域对应的第一栅线，与该目标重掺杂区域的第一目标子区域欧姆接触；

第一方向为基底的厚度方向；第二方向和第三方向彼此相交，且均与第一方向垂直。

在其中一个实施例中，在基底的第一表面的一侧形成多条第一栅线，之前包括：

在基底的第一表面的一侧印刷连接结构，以使连接结构在基底的正投影，位于第一目标子区域在基底的正投影范围内，且连接结构沿第一方向的一端连接掺杂层；连接结构沿第一方向的另一端用于连接对应的第一栅线。

在其中一个实施例中，在基底的第一表面的一侧印刷连接结构，以使连接结构在基底的正投影，位于第一目标子区域在基底的正投影范围内，且连接结构沿第一方向的一端连接掺杂层，之前包括：

在掺杂层背离于基底的一侧表面形成第一钝化膜层；

其中，连接结构贯穿第一钝化膜层，并与掺杂层和对应的第一栅线之间形成欧姆接触。

在其中一个实施例中，在掺杂层的多个目标区域进行掺杂，形成多个重掺杂区域，包括：

针对每一目标区域，沿第三方向，按照预设步长控制激光对目标区域进行移动照射，形成重掺杂区域；其中，针对激光在移动照射过程中对目标区域进行掺杂所形成的照射区域序列，任一目标重掺杂区域对应的照射区域序列中的照射区域形成有至少两种结深的多个目标子区域。

在其中一个实施例中，对于任一目标重掺杂区域，通过激光对目标重掺杂区域进行移动照射的执行次数为一次。

在其中一个实施例中，对于任一目标重掺杂区域，通过激光对目标重掺杂区域进行移动照射的执行次数为多次。

在其中一个实施例中，每次移动照射过程的移动方向为第三方向或者为第三方向的相反方向。

在其中一个实施例中，每次移动照射过程所形成的照射区域序列相同；或者

每次移动照射过程所形成的照射区域序列不同。

在其中一个实施例中，针对目标重掺杂区域的当前次移动照射过程，激光在当前次移动照射过程中对目标重掺杂区域进行掺杂时，相邻两次掺杂过程间所使用的预设步长均相同；或者

针对目标重掺杂区域的当前次移动照射过程，激光在当前次移动照射过程中对目标重掺杂区域进行掺杂时，相邻两次掺杂过程间所使用的预设步长存在不同。

在其中一个实施例中，执行次数为两次或三次。

在其中一个实施例中，不同的目标重掺杂区域各自对应的照射区域序列相同；或者

不同的目标重掺杂区域各自形成的照射区域序列不同。

在其中一个实施例中，对于任一目标重掺杂区域，沿第三方向，至少一组相邻的两个照射区域部分重叠。

在其中一个实施例中，对于任一目标重掺杂区域，该相邻的两个照射区域的重叠率为25％-45％。

在其中一个实施例中，对于任一目标重掺杂区域对应的照射区域序列中，至少两个照射区域彼此重叠。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中，沿第三方向，至少一组相邻的相同结深的目标子区域之间布设有至少一个不同结深的目标子区域。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域包括至少一个第一目标子区域和多个第二目标子区域；

第二目标子区域为同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中结深最小的目标子区域；

其中，沿第三方向，至少一组相邻的两个第二目标子区域之间布设有至少一个第一目标子区域。

在其中一个实施例中，同一目标重掺杂区域的多个目标子区域中，第一目标子区域和第二目标子区域沿第三方向依次交替布置。

在其中一个实施例中，激光产生的光斑的形状为矩形；和/或

激光产生的光斑沿第二方向的最大尺寸为70μm-100μm。

在其中一个实施例中，激光配置为通过激光器所产生，激光器的能量释放度配置为60%-80%；和/或

激光的打标速度为20000mm/s-50000mm/s。

在其中一个实施例中，在基底的第一表面的一侧形成多条第一栅线，之后包括：

在基底的第一表面的一侧，沿第三方向形成间隔布置的多条第二栅线；每一第二栅线与多条第一栅线中的任一者相连。

根据本申请的又一个方面，本申请实施例提供了一种光伏组件，包括以上任一实施例中的太阳能电池；或者

包括以上任一实施例中的太阳能电池的制作方法制作得到的太阳能电池。

根据本申请的再一个方面，本申请实施例提供了一种光伏系统，包括以上任一实施例中的光伏组件。

在上述太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统中，掺杂层上设置多个重掺杂区域，将多个重掺杂区域中至少一个重掺杂区域设置为目标重掺杂区域，目标重掺杂区域包括具有至少两种结深的多个目标子区域，使得在目标重掺杂区域上形成了掺杂程度不同的目标子区域，进而在提高了掺杂的有效性的同时降低了重掺杂过程对于基底的损伤，改善了太阳能电池的表面缺陷。由于与目标重掺杂区域对应的第一栅线，与该目标重掺杂区域的第一目标子区域欧姆接触，进而能够在实现第一栅线与掺杂层欧姆接触的同时改善第一栅线对应于其他结深的目标子区域内的部分与掺杂层之间的接触复合，减少了第一栅线和掺杂层的接触面积，增加了钝化面积。由此，本申请实施例提供的太阳能电池在改善了栅线的接触复合的同时改善了重掺杂效果、降低了太阳能电池的表面缺陷以及漏电风险，提高了太阳能电池的开路电压和光电转换效率。

本申请实施例的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请实施例的实践了解到。

附图说明

通过阅读对下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在全部附图中，用相同的附图标号表示相同的部件。在附图中：

图1为本申请一实施例中在一个视角下太阳能电池的剖视结构示意图；

图2为本申请一实施例中在另一个视角下第一栅线和掺杂层相配合的结构示意图之一；

图3为本申请一实施例中在另一个视角下第一栅线和掺杂层相配合的结构示意图之二；

图4为本申请一实施例中在又一个视角下太阳能电池的剖视结构示意图；

图5为本申请一实施例中在另一个视角下目标掺杂区域的结构示意图；

图6为本申请一实施例中在另一个视角下第一栅线、第二栅线和掺杂层相配合的结构示意图；

图7为本申请一实施例中太阳能电池的制作方法的流程示意图；

图8为本申请一实施例中光斑的结构示意图；

图9为本申请一实施例中通过照射区域形成的目标重掺杂区域的示意图；

图10为本申请另一实施例中形成的照射区域序列的示意图；

图11为本申请又一实施例中形成的照射区域序列的示意图；

图12为本申请再一实施例中形成的照射区域序列的示意图；

图13为本申请一对比例再又一个视角下太阳能电池的剖视结构示意图；

图14为图13示意出的太阳能电池中在另一个视角下第一栅线、第二栅线和掺杂层相配合的结构示意图。

附图标记说明：

基底100，第一表面m1，第二表面m2；

掺杂层200，轻掺杂区域q，重掺杂区域z，目标重掺杂区域m，目标子区域z1，第一目标子区域z11，第三尺寸h3，第四尺寸h4，第二目标子区域z12，照射区域i、i₁、i₂，预设步长L、L₁、L₂；

第一钝化膜层300，第一钝化层310，第一减反层320；

钝化接触层400，隧穿氧化层410，掺杂多晶硅层420；

第二钝化膜层500；

连接结构c，第一尺寸h1；

第一栅线e1，第二尺寸h2，第二栅线e2，第三栅线e3；

光斑s，第五尺寸h5，第六尺寸h6；

正面副栅线e1’，正面主栅线e2’，对比基底100’，对比掺杂层200’，正面钝化膜层300’，正面钝化层310’，正面减反层320’；

第一方向F1，第二方向F2，第三方向F3；

步骤S110、S120、S130。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。值得说明的是，在下面的描述中和所附的权利要求中，一个特征与另一个特征“电性连接”不仅包括一个特征与另一个特征直接接触而形成电能传输或电流传送通道，还包括在一个特征和另一个特征之间的中间特征，该一个特征、另一个特征以及它们之间的中间特征形成电能传输通道或电流传送通道，以实现电能传输或传送。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

相关技术中，通常采用硼扩散方式和选择性发射极激光掺杂方式来在基底的正面制作轻掺杂区域和重掺杂区域。同时，为了便于生产，通常采用一次扩散方式，对基底的掺杂层进行激光能量轰击，来实现较深的PN结区，进而获得所需要的重掺杂区域。由于硼在硅中的固溶度远远小于磷，为实现中掺杂区的有效掺杂，多采用高能激光能量重复多次的方式，对掺杂层进行轰击。因此，在形成重掺杂区域的过程中，容易导致基底上对应于重掺杂区域的部分破坏严重，使得表面缺陷增加，同时也会导致部分脏污颗粒通过激光扩散至太阳能电池更深的位置，在制作栅线后，带来更大的漏电风险。

基于此，为解决上述至少部分问题，本申请实施例通过改变掺杂方式以及重掺杂区域的结构，并配合于改变对应栅线与掺杂层形成欧姆接触的方式，以在改善栅线的接触复合的同时改善重掺杂效果、降低太阳能电池的表面缺陷以及漏电风险。

图1示出了本申请一实施例中在一个视角下太阳能电池的剖视结构示意图；图2示出了本申请一实施例中在另一个视角下第一栅线e1和掺杂层200相配合的结构示意图之一；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

请参照图1和图2，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括基底100、掺杂层200及多条第一栅线e1。

为便于说明，先对本申请实施例中涉及的方向作示例性说明。第一方向F1为太阳能电池的厚度方向，也即，基底100的厚度方向、掺杂层200的厚度方向以及第一栅线e1的厚度方向均为第一方向F1，后文中示意出的太阳能电池中的其他层的厚度方向也为第一方向F1。第二方向F2为第一栅线e1的宽度方向，亦为后文示意出的掺杂层200的重掺杂区域z的宽度方向。第三方向F3为第一栅线e1的纵长延伸方向，亦为后文示意出的掺杂层200的重掺杂区域z的纵长延伸方向。第二方向F2和第三方向F3彼此相交，且均与第一方向F1垂直。在本申请实施例中，第一方向F1、第二方向F2和第三方向F3可以彼此相互垂直。后文不再赘述。

需要说明的是，在其他实施例中，第一栅线e1的纵长延伸方向、掺杂层200的重掺杂区域z的纵长延伸方向可以是大致为同一方向。

基底100用于接收入射光线并产生光生载流子。示例地，太阳能电池可以为TOPCon电池（Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触）。基底100可以根据实际需要选择。示例性的，基底100可以是硅基底。对基底100的掺杂类型不作具体限定。例如，该基底100可以为N型掺杂的硅基底，或者，可以为P型掺杂的硅基底。在本申请实施例中，对此不作具体限定。在本申请实施例中，基底100可以是N型单晶硅片。

基底100具有沿第一方向F1设置的第一表面m1。当然，基底100还具有沿第一方向F1设置的第二表面m2，第一表面m1与第二表面m2相对设置。第一表面m1和第二表面m2均可以用于接收入射光线。在本申请实施例中，第一表面m1为受光面，第二表面m2为背光面。可以理解，受光面和背光面是相对而言的，受光面具体是在太阳能电池中或者在光伏组件中基底100上太阳光主要照射的表面。随着太阳能电池技术的发展，背光面也会接收太阳光的能量，主要来自于周围环境中的反射光或者散射光。第一表面m1通常设有绒面结构，该绒面结构可以增加光照吸收面积，提高光生电流，有助于提高太阳能电池的效率。

掺杂层200设于基底100的第一表面m1的一侧。掺杂层200用于和基底100形成PN结，掺杂层200可为N型掺杂半导体层，也可为P型掺杂半导体层。在本申请实施例中，掺杂层200为P型掺杂半导体层，可以是P型非晶硅层、P型微晶硅层或P型纳米晶硅层中的一种。可以根据具体使用情况进行灵活设置，本申请实施例对此不作具体限制。

掺杂层200包括多个轻掺杂区域q和多个重掺杂区域z。掺杂层200包括多个轻掺杂区域q和多个重掺杂区域z，多个轻掺杂区域q和多个重掺杂区域z沿第二方向F2依次交替布置。

可以理解，轻掺杂区域q和重掺杂区域z是相对而言的。根据掺杂后半导体中掺杂元素的浓度，可以将对半导体的掺杂分为轻掺杂和重掺杂，对应掺杂后的半导体为轻掺杂半导体和重掺杂半导体。轻掺杂指示比重掺杂低的掺杂浓度，在所描述的示例中，掺杂浓度的定性指示是相对的。与定性的掺杂浓度相关联的具体定量掺杂浓度可以基于具体实施方式而变化。例如，在掺杂层200中轻掺杂P型掺杂元素可以表示为P+型掺杂，得到P+型半导体，相应的，在掺杂层200中重掺杂P型掺杂元素可以表示为P++型掺杂，得到P++型半导体。P++型掺杂所产生的空穴多于P+型掺杂所产生的空穴。

该多个第一栅线e1设于基底100的第一表面m1的一侧。在第一表面m1为受光面的情况下，第一电极为正面电极。结合参照图2，该多个第一栅线e1沿第三方向F3延伸设置，且沿第二方向F2间隔布置。每一第一栅线e1对应一重掺杂区域z。第一栅线e1在基底100的正投影，位于掺杂层200上对应的重掺杂区域z在基底100的正投影范围内。可以理解，图2示意出的是第一栅线e1与掺杂层200的相对位置关系。

定义该多个重掺杂区域z中至少一个重掺杂区域z为目标重掺杂区域m，每一目标重掺杂区域m包括沿第三方向F3依次布设的多个目标子区域z1，该多个目标子区域z1的结深具有至少两种结深。以图2为例，示意出该多个重掺杂区域z均为目标重掺杂区域m的情形。其中，结深指的是掺杂层200沿第一方向F1的深度，也即，掺杂层200背离于基底100的一侧表面至掺杂层200与基底100之间交界面的距离。可以理解，掺杂层200中对应的区域的结深越大，该区域与基底100的接触面积也会越大。在存在不同的结深的情形下，可以降低第一栅线e1与基底100的接触电阻。

由于目标重掺杂区域m中存在至少两种结深，使得在目标重掺杂区域m上形成了掺杂程度不同的目标子区域z1，进而在提高了掺杂的有效性的同时降低了重掺杂过程对于基底100的损伤，改善了太阳能电池的表面缺陷。

同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中结深最大的区域为第一目标子区域z11。与目标重掺杂区域m对应的第一栅线e1，与该目标重掺杂区域m的第一目标子区域z11欧姆接触。也即，该目标重掺杂区域m中除第一目标子区域z11外的区域与对应的第一栅线e1未形成欧姆接触。

可以理解，结深较大的区域和第一栅线e1的接触复合较小，结深较小的区域和第一栅线e1的接触复合较大。通过与目标重掺杂区域m对应的第一栅线e1，与该目标重掺杂区域m的第一目标子区域z11欧姆接触，进而能够在实现第一栅线e1与掺杂层200欧姆接触的同时改善第一栅线e1对应于其他结深的目标子区域z1内的部分与掺杂层200之间的接触复合，减少了第一栅线e1和掺杂层200的接触面积，增加了钝化面积。

由此，本申请实施例提供的太阳能电池在改善了栅线的接触复合的同时改善了重掺杂效果、降低了太阳能电池的表面缺陷以及漏电风险，提高了太阳能电池的开路电压和光电转换效率。

图3示出了本申请一实施例中在另一个视角下第一栅线e1和掺杂层200相配合的结构示意图之二；图4示出了本申请一实施例中在又一个视角下太阳能电池的剖视结构示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。其中，图3中为便于示出连接结构c，仅示出了部分第一栅线e1，其余示出有关栅线的图示亦可参照此进行理解。图4中示意出基底100的第一表面m1侧的结构情况。

在一些实施例中，请继续参照图1和图2，并结合参照图3和图4，太阳能电池还包括连接结构c。连接结构c在基底100的正投影，位于第一目标子区域z11在基底100的正投影范围内。连接结构c沿第一方向F1的一端连接掺杂层200，另一端连接对应的第一栅线e1。也即，掺杂层200的第一目标子区域z11是借助连接结构c与第一栅线e1实现欧姆接触的。

示例性的，连接结构c可以通过在对应于第一目标子区域z11的位置印刷点浆料并进行高温烘干和烧结而形成，使得对应于第一目标子区域z11的部分被烧穿，连接结构c和掺杂层200的第一目标子区域z11形成合金状态，实现欧姆接触。

如此，通过设置连接结构c，便于第一栅线e1与掺杂层200的第一目标子区域z11实现欧姆接触。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，沿第二方向F2，连接结构c的最大尺寸为第一尺寸h1，第一尺寸h1为15μm-25μm。示例性的，第一尺寸h1可以是15μm、16μm、18μm、20μm、22μm、23μm、25μm。可以对应使用需求，灵活进行设置，在此不作具体限制。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，沿第二方向F2，第一栅线e1的尺寸为第二尺寸h2，第二尺寸h2为15μm-20μm。示例性的，第二尺寸h2可以是15μm、16μm、18μm、20μm、22μm、23μm、25μm。可以对应使用需求，灵活进行设置，在此不作具体限制。

需要说明的是，连接结构c在基底100的正投影可以位于第一栅线e1在基底100的正投影范围内，也即第一尺寸h1小于等于第二尺寸h2。连接结构c在基底100的正投影也可以一部分位于第一栅线e1在基底100的正投影范围内，另一部分位于第一栅线e1在基底100的正投影范围外，也即第一尺寸h1大于第二尺寸h2。以图2和图3为例，示意出第一尺寸h1略大于第二尺寸h2的情形。只要能够实现连接结构c与第一栅线e1之间的连接即可，在此不作具体限制。

在一些实施例中，请继续参照图3，连接结构c在参考面上的正投影的形状为圆形。参考面为与第一方向F1垂直的平面。当然，连接结构c在参考面上的正投影的形状还可以为矩形或梯形等其他规则图形，也可以为不规则图形。可以根据具体使用情况进行设置，本申请实施例对此不作具体限制。

在一些实施例中，请继续参照图1和图4，太阳能电池还包括依次层叠设于掺杂层200背离于基底100的一侧表面的第一钝化膜层300。第一钝化膜层300在太阳能电池中起到表面钝化作用以及减反射作用，可以对基底100表面的悬挂键进行较好的化学钝化，并且在太阳能电池的正面起到减反射效果。

示例性地，以图1和图4为例，第一钝化膜层300包括依次层叠在掺杂层200上的第一钝化层310和第一减反层320。第一栅线e1位于第一减反层320背离于第一钝化层310的一侧。连接结构c贯穿第一钝化层310和第一减反层320，并与掺杂层200和对应的第一栅线e1之间形成欧姆接触。第一钝化层310可以采用单层结构或者多层结构，第一钝化层310的材料可以为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一者。另外，第一钝化层310可以通过化学沉积的方式形成。第一减反层320可以采用多层结构。多层结构的第一减反层320中，各层的材料可以为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中，沿第三方向F3，至少一组相邻的相同结深的目标子区域z1之间布设有至少一个不同结深的目标子区域z1。当然，在其他一些实施例中，一组相邻的相同结深的目标子区域z1之间布设有多个不同结深的目标子区域z1时，该多个不同结深的目标子区域z1的结深可以相同，也可以不同。也即，布置于相邻的相同结深的目标子区域z1之间的目标子区域z1的结深相对于该相邻的相同结深的目标子区域z1的结深来说是不同的。

如此，通过布置不同结深的目标子区域z1，可以进一步在有效掺杂的同时改善第一栅线e1与基底100的接触电阻。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1包括至少一个第一目标子区域z11和第二目标子区域z12。第二目标子区域z12为同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中结深最小的目标子区域z1。其中，沿第三方向F3，至少一组相邻的两个第二目标子区域z12之间布设有至少一个第一目标子区域z11。

由于第一目标子区域z11是目标重掺杂区域m中结深最大的目标子区域z1，第二目标子区域z12是目标重掺杂区域m中结深最小的目标子区域z1，将至少部分的第一目标子区域z11和第二目标子区域z12按照上述布设方式进行布置，可以更进一步在有效掺杂的同时改善第一栅线e1与基底100的接触电阻。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中，第一目标子区域z11和第二目标子区域z12沿第三方向F3依次交替布置。以图2和图3为例，示意出同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1具有两种结深的情形，也即，同一目标重掺杂区域m包括多个第一目标子区域z11和多个第二目标子区域z12。

如此，不仅更有利于第一栅线e1与掺杂层200的欧姆接触，提高掺杂的有效性，而且还能够更进一步改善第一栅线e1与基底100的接触电阻。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，第一目标子区域z11的结深为1.9μm-2.5μm；和/或，同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中结深最小的区域为第二目标子区域z12，第二目标子区域z12的结深为1μm-1.8μm。示例性的，第一目标子区域z11的结深可以是1.9μm、2.1μm、2.2μm、2.3μm、2.4μm或2.5μm，第二目标子区域z12的结深可以是1μm、1.2μm、1.3μm、1.5μm、1.6μm或1.8μm。可以根据使用需求，进行灵活选择，在此不作具体限制。

如此，通过配置第一目标子区域z11的结深范围，能够在改善对基底100的损伤的同时改善第一目标子区域z11与基底100的接触。通过配置第二目标子区域z12的结深范围，能够在改善基底100的钝化的同时便于掺杂形成该第二目标子区域z12。由此，通过使掺杂层200各区域的结深在一个合适的范围，能够在进行有效掺杂的同时进一步降低第一栅线e1与基底100的接触电阻，增加太阳能电池的转换效率。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中结深最小的区域为第二目标子区域z12，第二目标子区域z12的方阻与第一目标子区域z11的方阻比值为1.5-2。示例性的，该比值可以是1.5、1.6、1.7、1.9或2。

如此，通过使第一目标子区域z11的结深和第二目标子区域z12的结深的比值在一个合适的范围，不仅能够改善第一目标子区域z11与第二目标子区域z12之间差异过大而导致基底100损伤，增加漏电风险的情形，还能够改善第一目标子区域z11与第二目标子区域z12之间差异过小而导致掺杂效果较弱，接触复合变大的情形。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，第一目标子区域z11的方阻为60Ω/□-80Ω/□，第二目标子区域z12的方阻为90Ω/□-160Ω/□。示例性的，第一目标子区域z11的方阻可以为60Ω/□、62Ω/□、65Ω/□、66Ω/□、68Ω/□、70Ω/□、72Ω/□、74Ω/□、77Ω/□或80Ω/□，第二目标子区域z12的方阻可以为90Ω/□、95Ω/□、100Ω/□、110Ω/□、115Ω/□、120Ω/□、130Ω/□、140Ω/□或160Ω/□。可以根据使用需求，进行灵活选择，在此不作具体限制。

图5示出了本申请一实施例中在另一个视角下目标掺杂区域的结构示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，并结合参照图5，同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1包括多个第一目标子区域z11。沿第三方向F3，相邻的两个第一目标子区域z11的尺寸为第三尺寸h3，第一目标子区域z11的尺寸为第四尺寸h4，第三尺寸h3与第四尺寸h4的比值为0.22-2。示例性的，该比值可以是0.22、0.25、0.3、0.5、0.6、0.7、0.9、1.1、1.3、1.5、1.7、1.9或2。

可以理解的是，在同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1具有两种结深，且沿第三方向F3，第一目标子区域z11和第二目标子区域z12交替布设的情形下，相邻的两个第一目标子区域z11沿第三方向F3的尺寸（即第三尺寸h3）为第二目标子区域z12沿第三方向F3的尺寸。

如此，通过控制第一尺寸h1的大小，能够提供具有一定大小的第一目标子区域z11，以利于连接结构c的制作，通过控制第二尺寸h2的大小，有利于提高钝化效果。通过控制第一尺寸h1和第二尺寸h2的比值处于合理的范围内，能够有利于平衡连接结构c的制作以及钝化效果的提高。

在一些实施例中，请继续参照图2和图3，并结合参照图5，沿第三方向F3，第一目标子区域z11的尺寸（即第四尺寸h4）为17.5μm-45μm；和/或，同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中结深最小的区域为第二目标子区域z12，沿第三方向F3，第二目标子区域z12的尺寸（即第三尺寸h3）为10μm-35μm。示例性的，第三尺寸h3可以为10μm、12μm、15μm、20μm、22μm、25μm、28μm、29μm、31μm、33μm或35μm，第四尺寸h4可以为17.5μm、18μm、19μm、20μm、25μm、28μm、30μm、32μm、35μm、37μm、39μm、40μm、44μm或45μm。可以根据具体使用情况进行设置，在此不作具体限制，只有有利于改善掺杂效果、钝化效果以及便于制作连接结构c即可。

图6示出了本申请一实施例中在另一个视角下第一栅线e1、第二栅线e2和掺杂层200相配合的结构示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的部分。

在一些实施例中，请参照图6，太阳能电池还包括多条第二栅线e2。该多条第二栅线e2沿第三方向F3间隔布置，每一第二栅线e2与该多条第一栅线e1中的任一者相连。

其中，第一栅线e1是副栅线，第二栅线e2是主栅线。第一栅线e1和第二栅线e2均是导电体。第二栅线e2的功能是传导太阳能电池因入射光子产生的电流。第二栅线e2用于传导来自与之相连的第一栅线e1、相邻的太阳能电池和/或外部电路的电流。以图6为例，第二栅线e2可以是沿第三方向F3延伸设置的结构，即第三栅线e3呈直线状设置，各第二栅线e2彼此平行设置。

如此，可以通过相配合的第一栅线e1和第二栅线e2，能够实现对应的电流传递过程。

在一些实施例中，请继续参照图1，太阳能电池还包括依次层叠设于基底100的第二表面m2的钝化接触层400和第二钝化膜层500。例如，钝化接触层400可以直接层叠于基底100的第二表面m2上，第二钝化膜层500可以直接层叠设置于钝化接触层400上。

示例性的，以图1为例，钝化接触层400可以包括依次层叠在基底100的第二表面m2上的隧穿氧化层410和掺杂多晶硅层420。隧穿氧化层410用于实现基底100的第二表面m2的界面钝化，起到化学钝化的效果。具体地，通过饱和基底100表面的悬挂键，降低基底100的第二表面m2的界面缺陷态密度，从而减少基底100的第二表面m2的复合中心来降低载流子复合速率。其中，隧穿氧化层410的材料可以为电介质材料，例如为氧化硅、氟化镁、氧化硅、非晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛中的至少一种。

钝化接触层400可以降低载流子在基底100表面的复合，从而增加太阳能电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转化效率。

第二钝化膜层500同样可以采用单层或多层结构，第二钝化膜层500的材料可以为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。第二钝化膜层500包括层叠在钝化接触层400上的至少一层第二减反层（未图示）。如此，可以减少基底100的第二表面m2侧对太阳光的反射率，提高基底100的第二表面m2侧对太阳光的吸收率，第二钝化膜层500同时起到了钝化和减反射的作用。

在一些实施例中，请继续参照图1，太阳能电池还包括位于第二钝化膜层500背离于钝化接触层400一侧的第三栅线e3。第三栅线e3与掺杂多晶硅层420欧姆接触。当然，还包括多条第四栅线（未图示）。该多条第四栅线沿第三方向F3间隔布置，每一第四栅线与该多条第三栅线e3中的任一者相连。其中，第三栅线e3是副栅线，第四栅线是主栅线。可参照前述一些实施例中示意出的主栅线和副栅线的情形，在此不再赘述。

如此，可以通过相配合的第三栅线e3和第四栅线，能够实现对应的电流传递过程。

在一些实施例中，请继续参照图1和图2，基底100包括P型基底，掺杂层200为磷掺杂层；或者，基底100包括N型基底，掺杂层200为硼掺杂层。也即，在基底100为P型基底的情况下，可以采用磷扩散的方式，形成的掺杂层200为磷掺杂层；在基底100为N型基底的情况下，可以采用硼扩散的方式，形成的掺杂层200为硼掺杂层。本申请实施例中，以基底100是N型基底为例进行说明，此时，掺杂层200可以是P型掺杂，例如可以是硼元素掺杂的掺杂层（也称为P+型发射极）。

可以根据实际使用情况，对应选择所需要的类型的基底100和对应的扩散方式，在此不作具体限制。

需要说明的是，在上述各实施例示意出的一个膜层层叠于另一结构层包括直接层叠于该另一结构层上的情况，或者隔着其他结构层设置在该另一结构层上的情况，层叠仅用于限定出该一个膜层的设置范围。

图7示出了为本申请一实施例中太阳能电池的制作方法的流程示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

基于同一发明构思，请参照图7，并结合参照图1至图6，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：

步骤S110、提供基底100；基底100具有沿第一方向F1设置的第一表面m1，基底100的第一表面m1的一侧设有掺杂层200；

步骤S120、在掺杂层200的多个目标区域进行掺杂，形成多个重掺杂区域z；掺杂层200上除多个目标区域以外的多个区域均为轻掺杂区域q，多个轻掺杂区域q和多个重掺杂区域z沿第二方向F2依次交替布置；定义多个重掺杂区域z中至少一个重掺杂区域z为目标重掺杂区域m，每一目标重掺杂区域m包括沿第三方向F3依次布设的多个目标子区域z1，多个目标子区域z1的结深具有至少两种结深；

步骤S130、在基底100的第一表面m1的一侧形成多条第一栅线e1；多条第一栅线e1沿第三方向F3延伸设置，且沿第二方向F2间隔布置；每一第一栅线e1对应一重掺杂区域z；第一栅线e1在基底100的正投影，位于掺杂层200上对应的重掺杂区域z在基底100的正投影范围内；同一目标重掺杂区域m的多个目标子区域z1中结深最大的区域为第一目标子区域z11；与目标重掺杂区域m对应的第一栅线e1，与该目标重掺杂区域m的第一目标子区域z11欧姆接触。

可以理解，关于基底100、掺杂层200、第一栅线e1的实施方式和各种参数范围已经在前述一些实施例中进行过详细描述，此处不再赘述。同理，关于通过上述示意出的制作方法制作得到的太阳能电池所具备的优势，也可以参照前述一些实施例中示意出的内容，在此不再赘述。

在一些实施例中，执行步骤S110时，可以通过抛光工艺、制绒工艺以及清洗工艺对初始基底100进行相关处理，以在对应的表面形成绒面结构，并去除表面的机械损伤和污染物。抛光工艺可以是化学抛光工艺，也可以是物理抛光工艺。例如，可以是碱抛光，碱抛光的溶液可以是KOH、NaOH或者TMAH等碱溶液。制绒工艺可以是碱制绒。可以根据具体使用情况进行选择，本申请实施例对此不作具体限制。

对于掺杂层200而言，可以根据基底100的类型选择对应的扩散方式。以基底100为N型基底100为例，可以进行高温硼扩散制作得到掺杂层200。示例性的，高温硼扩散通的硼源可以为溴化硼、氯化硼或液态源三氯化硼等。以液态源三氯化硼为例，液态源三氯化硼的流量可以为150sccm-250sccm，氧气的流量可以为500sccm-1000sccm，温度可以为600℃-960℃，形成的掺杂层200的厚度可以为20nm-50nm，方阻可以为90-140Ω/□。

在一些实施例中，请继续参照图1至图4，执行步骤S130之前，该制作方法还包括：在基底100的第一表面m1的一侧印刷连接结构c，以使连接结构c在基底100的正投影，位于第一目标子区域z11在基底100的正投影范围内，且连接结构c沿第一方向F1的一端连接掺杂层200；连接结构c沿第一方向F1的另一端用于连接对应的第一栅线e1。

如此，可以通过连接结构c实现第一目标子区域z11与对应的第一栅线e1的连接。连接结构c的相关实施方式以及所具备的优势可以参照前述一些实施例中示意出的内容，在此不再赘述。

在一些实施例中，请继续参照图1至图4，在印刷连接结构c之前，该制作方法还包括：在掺杂层200背离于基底100的一侧表面形成第一钝化膜层300。其中，连接结构c贯穿第一钝化膜层300，并与掺杂层200和对应的第一栅线e1之间形成欧姆接触。第一钝化膜层300的相关实施方式以及所具备的优势可以参照前述一些实施例中示意出的内容，在此不再赘述。

图8示出了本申请一实施例中光斑s的结构示意图；图9示出了本申请一实施例中通过照射区域i形成的目标重掺杂区域m的示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在一些实施例中，请继续参照图1至图4，并结合参照图8和图9，步骤S120包括：针对每一目标区域，沿第三方向F3，按照预设步长L控制激光对目标区域进行移动照射，形成重掺杂区域z；其中，针对激光在移动照射过程中对目标区域进行掺杂所形成的照射区域序列，任一目标重掺杂区域m对应的照射区域序列中的照射区域i形成有至少两种结深的多个目标子区域z1。

需要说明的是，以图8和图9为例，激光照射至对应的位置会形成光斑s，在激光照射至目标区域时，所形成的光斑s所占的区域为照射区域i。在激光沿第三方向F3移动的过程中，会沿第三方向F3依次形成不同的光斑s，进而形成了不同的照射区域i。前一产生的光斑s与后一产生的光斑s之间界定出该预设步长L。沿对应的方向依次形成的多个照射区域i所构成的具有沿对应的方向排列的序列为照射区域序列。在沿第三方向F3依次形成多个照射区域i时，所形成的照射区域序列是沿第三方向F3依次布置的。也即，照射区域序列中的序列顺序依据激光的移动方向所决定。照射区域序列是用以表征形成的照射区域i的先后顺序的，而非对形成的照射区域i的位置的限定。在同一照射区域序列的任一相邻的两个照射区域i中，前一照射区域i先于后一照射区域i形成。

可以理解，可以通过控制激光掺杂工艺中激光的相关参数来对应调整目标子区域z1的布置以及结深。该相关参数可以是激光的能量、预设步长L等参数。在激光掺杂的过程中，预设步长L可以具有多个不同的大小，以对应调整所形成的目标子区域z1。以图9为例，示意出预设步长L是相同的情形。

如此，通过激光掺杂工艺形成所需要的目标子区域z1。

在一些实施例中，请继续参照图9，对于任一目标重掺杂区域m，通过激光对目标重掺杂区域m进行移动照射的执行次数为一次。在此情形下，所形成的照射区域序列为一个。所形成的目标重掺杂区域m具有沿第三方向F3相对设置的起始端和终止端，激光的移动照射路径的起始端为目标重掺杂区域m的起始端，激光的移动照射路径的终止端为目标重掺杂区域m的终止端，激光的移动照射过程大致上可看作在移动照射路径的起始端和移动照射路径的终止端之间移动照射一遍。

在对于任一目标重掺杂区域m，通过激光对目标重掺杂区域m进行移动照射的执行次数为一次的情况下，以图9为例，在图9示意出的目标重掺杂区域m中，第一目标子区域z11由对应的前一照射区域i和后一照射区域i的重叠区域形成，任一第一目标子区域z11的重叠次数为一次，第二目标子区域z12由前一照射区域i和后一照射区域i的未重叠区域形成，任一第二目标子区域z12的重叠次数为0次。

当然，在其他一些实施例中，请继续参照图9，对于任一目标重掺杂区域m，通过激光对目标重掺杂区域m进行移动照射的执行次数为多次。在此情形下，所形成的照射区域序列为多个。也即，激光的移动照射路径的起始端为目标重掺杂区域m的起始端，激光的移动照射路径的终止端为目标重掺杂区域m的的终止端。当然，也可以是激光的移动照射路径的起始端和激光的移动照射路径的终止端为均目标重掺杂区域m的终止端，还可以是激光的移动照射路径的起始端和激光的移动照射路径的终止端均为目标重掺杂区域m的起始端。激光的移动照射过程大致上可看作在移动照射路径的起始端和移动照射路径的终止端之间移动照射多遍。

示例性的，该执行次数可以是两次或三次。如此，可以通过更为合理的控制执行次数，在改善激光对基底100造成损伤的情形的同时提高第一目标子区域z11的掺杂效果，进而在降低了漏电风险的同时改善了接触复合，提升了太阳能电池的效率。

在对于任一目标重掺杂区域m，通过激光对目标重掺杂区域m进行移动照射的执行次数为两次的情况下，所形成的照射区域序列为两个。以图9为例，在图9示意出的目标重掺杂区域m中，第一目标子区域z11由对应的前一照射区域i和后一照射区域i的重叠区域形成，任一第一目标子区域z11对应的照射区域i的重叠次数为三次，第二目标子区域z12由前一照射区域i和后一照射区域i的未重叠区域形成，任一第二目标子区域z12对应的照射区域i的重叠次数为一次。

如此，可以根据激光进行移动照射的执行次数来形成所需要的目标重掺杂区域m，在此不作具体限制。

在一些实施例中，请继续参照图9，在对于任一目标重掺杂区域m，通过激光对目标重掺杂区域m进行移动照射的执行次数为多次的情况下，每次移动照射过程的移动方向为第三方向F3或者为第三方向F3的相反方向。也即，每次移动照射过程的移动方向可以相同，也可以不同。可以根据实际使用情况进行选择，在此不作具体限制。

在一些实施例中，请继续参照图9，每次移动照射过程所形成的照射区域序列相同；或者，每次移动照射过程所形成的照射区域序列不同。

如此，在每次移动照射过程的移动方向相同的情况下，可以通过控制预设步长L来对应形成相同的照射区域序列或者不同的照射区域序列，进而可以根据使用需求得到具有更多种结深的目标重掺杂区域m，从而形成不同布置形式的目标区域。在每次移动照射过程的移动方向不同的情况下，可以参照上述情形进行理解，不再赘述。

图10示出了本申请另一实施例中形成的照射区域序列的示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在一些实施例中，请继续参照图9，针对目标重掺杂区域m的当前次移动照射过程，激光在当前次移动照射过程中对目标重掺杂区域m进行掺杂时，相邻两次掺杂过程间所使用的预设步长L均相同。也即，在当前次移动照射过程中的所使用的预设步长L仅有一种。以图9和图10为例，预设步长L以及预设步长L₁均分别只有一种，以使用产生同样大小的光斑s的激光为例，图9中的预设步长L小于图10中的预设步长L₁。图10中的预设步长L₁大致上可看作为光斑s沿第三方向F3的尺寸。

当然，在另一些实施例中，针对目标重掺杂区域m的当前次移动照射过程，激光在当前次移动照射过程中对目标重掺杂区域m进行掺杂时，相邻两次掺杂过程间所使用的预设步长L存在不同。也即，在当前次移动照射过程中的所使用的预设步长具有多种。

如此，可以通过控制预设步长L来对应得到所需要的照射区域序列，进行形成对应的目标重掺杂区域m。

在一些实施例中，请继续参照图9和图10，不同的目标重掺杂区域m各自对应的照射区域序列相同；或者，不同的目标重掺杂区域m各自形成的照射区域序列不同。以图2为例，示意出不同的目标重掺杂区域m各自对应的照射区域序列相同的情形。如此，可以根据使用情况进行选择，在此不作具体限制。

在一些实施例中，请继续参照图9，对于任一目标重掺杂区域m，沿第三方向F3，至少一组相邻的两个照射区域i部分重叠。图9示意出任一组相邻的两个照射区域i部分重叠的情形。

图11示出了本申请又一实施例中形成的照射区域序列的示意图；图12示出了本申请再一实施例中形成的照射区域序列的示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在另一些实施例中，以图10为例，图10示意出当前次移动照射过程所形成的一个照射区域序列的情形，任一组相邻的两个照射区域i₁均不重叠。在图10示意出的情形的基础上，可以再次执行通过所述激光对所述目标重掺杂区域m进行移动照射的过程来获得所需要的目标重掺杂区域m。以图11为例，在第二次执行移动照射过程时，预设步长L₂为图10中示意出的预设步长L₁的两倍，在第二次执行移动照射过程中形成的每一个照射区域i₂均重叠于一个在第一次执行移动照射过程中形成的照射区域i₁中的一个照射区域i₁。也即，图11中沿第三方向F3，所形成的目标区域对应的照射区域的重叠次数分别为两次、一次、两次、一次、两次。以图12为例，在第二次执行移动照射过程时，预设步长L₂为图10中示意出的预设步长L₁的三倍，在第二次执行移动照射过程中形成的每一个照射区域i₂均重叠于一个在第一次执行移动照射过程中形成的照射区域i₁中的一个照射区域i₁。也即，图12中沿第三方向F3，所形成的目标区域对应的照射区域的重叠次数分别为一次、两次、一次、一次、两次。

如此，根据上述示意出的移动照射过程，可以通过不同的重叠方式获得所需要的目标区域，进行形成目标重掺杂区域m。

在一些实施例中，请继续参照图9，对于任一目标重掺杂区域m，该相邻的两个照射区域i的重叠率为25％-45％。重叠率可以是25％、26％、30％、35％、38％、40％、42％或45％。重叠率可以用于对应表征预设步长L。以图8为例，光斑s沿第三方向F3的尺寸为第五尺寸h5，结合参照图9，照射区域i沿第三方向F3的尺寸为第五尺寸h5，预设步长L由相邻的两个照射区域i的未重叠区域的部分沿第三方向F3的尺寸来界定。在重叠率为25%的情况下，照射区域i上未重叠区域沿第三方向F3的尺寸为第五尺寸h5的75%。

可以理解，在重叠率为25％-45％的情况下，能够在便于制作连接结构c的同时，改善钝化效果。

在一些实施例中，请继续参照图10至图12，并结合前述一些实施例中示意出的图10至图12所示意出的情形，对于任一目标重掺杂区域m对应的照射区域序列中，至少两个照射区域彼此重叠。相应的，两个照射区域彼此重叠，即是该两个照射区域的重叠率为100%。也即，一个照射区域i₁和一个照射区域i₂彼此重叠。

如此，根据上述示意出的移动照射过程，可以通过不同的重叠率获得所需要的目标区域，进行形成目标重掺杂区域m。

由此，通过上述示意出的所形成的照射区域i、照射区域i₁、照射区域i₂的各种实施方式，可以获得不同布设顺序的目标区域，以及不同布设顺序的第一目标子区域z11和第二目标子区域z12，所能够获得的目标区域的构成形式和所具备的优势可以参照前述一些实施例中示意出的内容，在此不再赘述。在前述一些实施例示意出的第一目标子区域z11和第二目标子区域z12沿第三方向F3依次交替布置的情况下，便于激光的控制，可以采用如图9所示意出的情形来控制激光的移动，来提高生产效率。

在一些实施例中，请继续参照图8，激光产生的光斑s的形状为矩形。当然，在其他一些实施例中，光斑s的形状也可以为圆形等其他形状。在激光产生的光斑s的形状为矩形的情况下，便于制作得到所需要的目标重掺杂区域m。

在一些实施例中，请继续参照图8，激光产生的光斑s沿第二方向F2的最大尺寸为第六尺寸h6，第六尺寸h6为70μm-100μm。示例性的，第六尺寸h6可以为70μm、75μm、80μm、85μm、88μm、90μm、95μm、97μm或100μm。

如此，通过合理控制光斑s的大小，能够在降低损伤面积的同时便于连接结构c的制作。

在一些实施例中，激光配置为通过激光器所产生，激光器的能量释放度配置为60%-80%。如此，通过将能量释放度控制在合理的范围，能够在改善损伤的同时提高掺杂效果。

在一些实施例中，激光的打标速度为20000mm/s-50000mm/s。如此，可以通过打标速度来控制前述所言的重叠情况，控制获得不同的预设步长L。

在一些实施例中，请继续参照图6，在步骤S130之后，该制作方法还包括：在基底100的第一表面m1的一侧，沿第三方向F3形成间隔布置的多条第二栅线e2；每一第二栅线e2与多条第一栅线e1中的任一者相连。相关的实施方式和所具备的优势可参照前述一些实施例中示意出的内容，在此不再赘述。

在一些实施例中，在步骤S120之后以及步骤S130之前，该制作方法还包括高温退火步骤。具体地，可以在管式高温扩散炉中进行高温退火。其中，温度为850℃-1050℃，氧气量为10slm-20slm。从而使得轻掺杂区域q的方阻为160Ω/□-250Ω/□，第一目标子区域z11的方阻为60Ω/□-80Ω/□，第二目标子区域z12的方阻为90Ω/□-160Ω/□，掺杂层200的厚度为60nm-150nm。

在一些实施例中，请继续参照图1，在上述高温退后步骤之后以及步骤S130之前，该制作方法还包括在基底100的第二表面m2形成钝化接触层400。具体地，可以先通过氢氟酸溶液去除基底100的第二表面m2的BSG层，随后用碱溶液在基底100的第二表面m2形成8um-15um大小的塔基形貌，然后在基底100的第二表面m2通过等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)工艺形成钝化接触层400，并在温度为600℃-950℃，氮气量为7slm-20slm的条件下完成退火。其中，钝化接触层400包括依次层叠设于基底100的第二表面m2的隧穿氧化层410和掺杂多晶硅层420，隧穿氧化层410的厚度可以为1.5nm-2.0nm，掺杂多晶硅层420的厚度可以为90nm-140nm。

在一些实施例中，请继续参照图1，在上述形成钝化接触层400步骤之后以及步骤S130之前，可以执行前述一些实施例中示意出的形成第一钝化膜层300的步骤。具体地，先用氢氟酸去除基底100的第一表面m1侧的磷硅玻璃层，随后用碱溶液去除基底100的第一表面m1侧绕镀的掺杂多晶硅层420，再将三甲基铝氮气和水氮气作为前驱气体，通过原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD)在掺杂层200背离于基底100的一侧表面形成第一钝化层310，然后通过PECVD工艺在第一钝化层310背离于掺杂层200的一侧表面形成第一减反层320。其中，三甲基铝氮气的体积流量为1500 sccm -2500sccm，水氮气的体积流量为1500sccm-2500sccm，第一钝化层310的厚度为5nm-15nm，第一减反层320的厚度为70nm-90nm。进一步地，在通过PECVD工艺在第一钝化层310背离于掺杂层200的一侧表面形成第一减反层320的同时，也可以在基底100的第二表面m2侧形成第二钝化膜层500，第二钝化膜层500的厚度为80nm-100nm。

在一些实施例中，请继续参照图1，在通过丝网印刷工艺制作完成对应的栅线并形成太阳能电池后，可以对太阳能电池进行光注入，可以提高太阳能电池的转换效率。

由此，通过上述各实施例中示意出的制作太阳能电池中各层结构的情形，可以制作得到对应的太阳能电池。

需要说明的是，上述示意出的一些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。可以根据具体使用需求进行选择，在此不作具体限制。

下面结合上述一些实施例中示意出的太阳能电池的结构以及太阳能电池的制作方法以及相关对比例，对本申请实施例中的太阳能电池作示例性说明。

图13示出了本申请一对比例再又一个视角下太阳能电池的剖视结构示意图；图14示出了图13示意出的太阳能电池中在另一个视角下正面副栅线e1’、正面主栅线e2’和对比掺杂层200’相配合的结构示意图；为了便于说明，仅示出了与本申请对比例相关的内容，也即，正面副栅线e1’与对比掺杂层200’相配合的示意图。

请参照图13和图14，在对比例1提供的太阳能电池中，提供对比基底100’，对比基底100’的正面设有对比掺杂层200’，通过丝网印刷工艺制作对应的栅线，形成正面副栅线e1’的浆料依次贯穿正面钝化膜层300’（也即依次贯穿正面减反层320’、正面钝化层310’）至太阳能电池的对比掺杂层200’，使得正面副栅线e1’的各处均与对比掺杂层200’欧姆接触。其中，正面副栅线e1’的宽度为20μm，数量为168根。正面主栅线e2’的宽度为30μm，数量为18根。背面副栅线的宽度为22μm，数量为168根。背面主栅线的宽度为30μm，数量为18根。正面和背面均是先制作对应的副栅线，后制作对应的主栅线。正面栅线的烧结温度为760℃，背面栅线的烧结温度为710℃。

采用激光掺杂工艺对对比掺杂层200’进行重掺杂，其中，结合参照图8，激光的光斑s为矩形光斑，第五尺寸h5和第六尺寸h6均为85μm，激光的光斑s的重叠率为5%，打标速度为25000mm/s，激光进行移动照射的执行次数为5次，激光器的能量释放度配置为60%。激光进行移动照射的区域的结深大致为2.0μm，方阻为80Ω/□。对比掺杂层200’上未被激光照射的区域，即轻掺杂区域的结深为0.8μm，方阻为220Ω/□。

请参照图1、图2和图4，在本申请的实施例1中，通过丝网印刷工艺制作对应的栅线。第一栅线e1通过连接结构c与第一目标子区域z11欧姆接触。连接结构c采用点浆料的结构形式，烧穿至掺杂层200，第一栅线e1印刷于第一减反层320背离于第一钝化层310的一侧表面。其中，连接结构c的第一尺寸h1为16μm，第一栅线e1（即正面副栅线）的宽度为18μm，数量为168根。第二栅线e2（即正面主栅线）的宽度为30μm，数量为18根。背面副栅线的宽度为22μm，数量为168根。背面主栅线的宽度为30μm，数量为18根。正面和背面均是先制作对应的副栅线，后制作对应的主栅线。正面栅线的烧结温度为760℃，正面副栅线的烘干温度为380℃，背面栅线的烧结温度为710℃。

采用激光掺杂工艺对掺杂层200进行重掺杂。其中，结合参照图8，激光的光斑s为矩形光斑，第五尺寸h5和第六尺寸h6均为85μm，激光的光斑s的重叠率为30%，打标速度为25000mm/s，通过激光对目标重掺杂区域m进行移动照射的执行次数为2次，激光器的能量释放度配置为75%，形成如图9所示的第一目标子区域z11和第二目标子区域z12沿第三方向F3交替布置的结构。第一目标子区域z11的结深为2.2μm，方阻为70Ω/□。第二目标子区域z12的结深为1.2μm，方阻为120Ω/□。轻掺杂区域q的结深为0.8μm，方阻为220Ω/□。

需要说明的是，实施例1和对比例1其余的参数均一致。可参照前述一些实施例中示意出的情形进行实施。其中，以本申请一实施例作说明，结合参照图1，基底采用N型基底，第一减反层320为氮化硅层，厚度为75nm；第一钝化层310为氧化铝层，厚度为8nm；第二钝化膜层500为氮化硅层，厚度为85nm；掺杂多晶硅层420为n+poly层，厚度为110nm；隧穿氧化层410为二氧化硅层，厚度为1.8nm。对比例1涉及的前述参数与实施例1相同，不再赘述。

对实施例1和对比例1提供的太阳能电池作相关电性测试，测试数据如表一所示。

表一

从表一可以看到，相较于本申请一对比例而言，本申请一实施例的短路电流和填充因子下降，开路电压、串联电阻、并联电阻和转换效率均得以提升。由此可见，本申请实施例提供的太阳能电池更具优势。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种光伏组件，包括以上任一实施例中的太阳能电池；或者，包括以上任一实施例中的太阳能电池的制作方法制作得到的太阳能电池。

进一步地，太阳能电池可以设置多个，太阳能电池可以以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。光伏组件还可以包括封装层和盖板，封装层用于覆盖电池串的表面，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带电连接。封装层覆盖太阳能电池的表面。示例地，封装层可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯胶膜等有机封装胶膜。盖板可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。

以上任一实施例中的太阳能电池所具备的优势，或者以上任一实施例中的太阳能电池的制作方法制作得到的太阳能电池所具备的优势，该光伏组件同样具备，在此不再赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种光伏系统，包括以上任一实施例中的光伏组件。上述光伏组件所具备的优势，该光伏系统同样具备，在此不再赘述。

可以理解，光伏系统可应用在光伏电站中，例如，地面电站、屋顶电站、水面电站等，也可应用在利用太阳能进行发电的设备或者装置上，例如，用户太阳能电源、太阳能路灯、太阳能汽车、太阳能建筑等等。当然，可以理解的是，光伏系统的应用场景不限于此，也即是说，光伏系统可应用在需要采用太阳能进行发电的所有领域中。以光伏发电系统网为例，光伏系统可包括光伏阵列、汇流箱和逆变器，光伏阵列可为多个光伏组件的阵列组合，例如，多个光伏组件可组成多个光伏阵列，光伏阵列连接汇流箱，汇流箱可对光伏阵列所产生的电流进行汇流，汇流后的电流流经逆变器转换成市电电网要求的交流电之后接入市电网络以实现太阳能供电。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (36)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

基底，具有沿第一方向设置的第一表面；

掺杂层，设于所述基底的第一表面的一侧；所述掺杂层包括多个轻掺杂区域和多个重掺杂区域，所述多个轻掺杂区域和所述多个重掺杂区域沿第二方向依次交替布置；及

多条第一栅线，设于所述基底的第一表面的一侧，所述多条第一栅线沿第三方向延伸设置，且沿所述第二方向间隔布置；每一所述第一栅线对应一所述重掺杂区域；所述第一栅线在所述基底的正投影，位于所述掺杂层上对应的所述重掺杂区域在所述基底的正投影范围内；

其中，定义所述多个重掺杂区域中至少一个所述重掺杂区域为目标重掺杂区域，每一所述目标重掺杂区域包括沿所述第三方向依次布设的多个目标子区域，所述多个目标子区域的结深具有至少两种结深；

同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中结深最大的区域为第一目标子区域；与所述目标重掺杂区域对应的所述第一栅线，与该所述目标重掺杂区域的所述第一目标子区域欧姆接触；

所述第一方向为所述基底的厚度方向；所述第二方向和所述第三方向彼此相交，且均与所述第一方向垂直。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括连接结构；

所述连接结构在所述基底的正投影，位于所述第一目标子区域在所述基底的正投影范围内；所述连接结构沿所述第一方向的一端连接所述掺杂层，另一端连接对应的所述第一栅线。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第二方向，所述连接结构的最大尺寸为15μm-25μm；和/或

沿所述第二方向，所述第一栅线的尺寸为15μm-20μm。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述连接结构在参考面上的正投影的形状为圆形；

所述参考面为与所述第一方向垂直的平面。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括依次层叠设于所述掺杂层背离于所述基底的一侧表面的第一钝化膜层；

所述连接结构贯穿所述第一钝化膜层，并与所述掺杂层和对应的所述第一栅线之间形成欧姆接触。

6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中，沿所述第三方向，至少一组相邻的相同结深的所述目标子区域之间布设有至少一个不同结深的目标子区域。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域包括至少一个所述第一目标子区域和多个第二目标子区域；

所述第二目标子区域为同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中结深最小的目标子区域；

其中，沿所述第三方向，至少一组相邻的两个所述第二目标子区域之间布设有至少一个所述第一目标子区域。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中，所述第一目标子区域和所述第二目标子区域沿所述第三方向依次交替布置。

9.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一目标子区域的结深为1.9μm-2.5μm；和/或

同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中结深最小的区域为第二目标子区域，所述第二目标子区域的结深为1μm-1.8μm。

10.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中结深最小的区域为第二目标子区域；

所述第二目标子区域的方阻与所述第一目标子区域的方阻比值为1.5-2。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一目标子区域的方阻为60Ω/□-80Ω/□，所述第二目标子区域的方阻为90Ω/□-160Ω/□。

12.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域包括多个所述第一目标子区域；

沿所述第三方向，相邻的两个所述第一目标子区域的尺寸与所述第一目标子区域的尺寸的比值为0.22-2。

13.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第三方向，所述第一目标子区域的尺寸为17.5μm-45μm；和/或

同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中结深最小的区域为第二目标子区域；沿所述第三方向，所述第二目标子区域的尺寸为10μm-35μm。

14.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括多条第二栅线；

所述多条第二栅线沿所述第三方向间隔布置，每一所述第二栅线与所述多条第一栅线中的任一者相连。

15.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；所述基底具有沿第一方向设置的第一表面，所述基底的第一表面的一侧设有掺杂层；

在所述掺杂层的多个目标区域进行掺杂，形成多个重掺杂区域；所述掺杂层上除所述多个目标区域以外的多个区域均为轻掺杂区域，所述多个轻掺杂区域和所述多个重掺杂区域沿第二方向依次交替布置；

在所述基底的第一表面的一侧形成多条第一栅线；所述多条第一栅线沿第三方向延伸设置，且沿所述第二方向间隔布置；每一所述第一栅线对应一所述重掺杂区域；所述第一栅线在所述基底的正投影，位于所述掺杂层上对应的所述重掺杂区域在所述基底的正投影范围内；

其中，定义所述多个重掺杂区域中至少一个所述重掺杂区域为目标重掺杂区域，每一所述目标重掺杂区域包括沿所述第三方向依次布设的多个目标子区域，所述多个目标子区域的结深具有至少两种结深；

同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中结深最大的区域为第一目标子区域；与所述目标重掺杂区域对应的所述第一栅线，与该所述目标重掺杂区域的所述第一目标子区域欧姆接触；

所述第一方向为所述基底的厚度方向；所述第二方向和所述第三方向彼此相交，且均与所述第一方向垂直。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述基底的第一表面的一侧形成多条第一栅线，之前包括：

在所述基底的第一表面的一侧印刷连接结构，以使所述连接结构在所述基底的正投影，位于所述第一目标子区域在所述基底的正投影范围内，且所述连接结构沿所述第一方向的一端连接所述掺杂层；所述连接结构沿所述第一方向的另一端用于连接对应的所述第一栅线。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述基底的第一表面的一侧印刷连接结构，以使所述连接结构在所述基底的正投影，位于所述第一目标子区域在所述基底的正投影范围内，且所述连接结构沿所述第一方向的一端连接所述掺杂层，之前包括：

在所述掺杂层背离于所述基底的一侧表面形成第一钝化膜层；

其中，所述连接结构贯穿所述第一钝化膜层，并与所述掺杂层和对应的所述第一栅线之间形成欧姆接触。

18.根据权利要求15-17任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述掺杂层的多个目标区域进行掺杂，形成多个重掺杂区域，包括：

针对每一所述目标区域，沿所述第三方向，按照预设步长控制激光对所述目标区域进行移动照射，形成所述重掺杂区域；其中，针对所述激光在移动照射过程中对所述目标区域进行掺杂所形成的照射区域序列，任一所述目标重掺杂区域对应的所述照射区域序列中的照射区域形成有至少两种结深的所述多个目标子区域。

19.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对于任一所述目标重掺杂区域，通过所述激光对所述目标重掺杂区域进行移动照射的执行次数为一次。

20.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对于任一所述目标重掺杂区域，通过所述激光对所述目标重掺杂区域进行移动照射的执行次数为多次。

21.根据权利要求20所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，每次移动照射过程的移动方向为所述第三方向或者为所述第三方向的相反方向。

22.根据权利要求20所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，每次移动照射过程所形成的照射区域序列相同；或者

每次移动照射过程所形成的照射区域序列不同。

23.根据权利要求20所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，针对所述目标重掺杂区域的当前次移动照射过程，所述激光在当前次移动照射过程中对所述目标重掺杂区域进行掺杂时，相邻两次掺杂过程间所使用的预设步长均相同；或者

针对所述目标重掺杂区域的当前次移动照射过程，所述激光在当前次移动照射过程中对所述目标重掺杂区域进行掺杂时，相邻两次掺杂过程间所使用的预设步长存在不同。

24.根据权利要求20所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述执行次数为两次或三次。

25.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，不同的所述目标重掺杂区域各自对应的照射区域序列相同；或者

不同的所述目标重掺杂区域各自形成的照射区域序列不同。

26.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对于任一所述目标重掺杂区域，沿所述第三方向，至少一组相邻的两个所述照射区域部分重叠。

27.根据权利要求26所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对于任一所述目标重掺杂区域，该相邻的两个所述照射区域的重叠率为25％-45％。

28.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对于任一所述目标重掺杂区域对应的照射区域序列中，至少两个所述照射区域彼此重叠。

29.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中，沿所述第三方向，至少一组相邻的相同结深的所述目标子区域之间布设有至少一个不同结深的目标子区域。

30.根据权利要求29所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域包括至少一个所述第一目标子区域和多个第二目标子区域；

所述第二目标子区域为同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中结深最小的目标子区域；

其中，沿所述第三方向，至少一组相邻的两个所述第二目标子区域之间布设有至少一个所述第一目标子区域。

31.根据权利要求30所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，同一所述目标重掺杂区域的多个所述目标子区域中，所述第一目标子区域和所述第二目标子区域沿所述第三方向依次交替布置。

32.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述激光产生的光斑的形状为矩形；和/或

所述激光产生的光斑沿所述第二方向的最大尺寸为70μm-100μm。

33.根据权利要求18所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述激光配置为通过激光器所产生，所述激光器的能量释放度配置为60%-80%；和/或

所述激光的打标速度为20000mm/s-50000mm/s。

34.根据权利要求15-17任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述基底的第一表面的一侧形成多条第一栅线，之后包括：

在所述基底的第一表面的一侧，沿所述第三方向形成间隔布置的多条第二栅线；每一所述第二栅线与所述多条第一栅线中的任一者相连。

35.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的太阳能电池；或者

包括如权利要求15-34任一项所述的太阳能电池的制作方法制作得到的太阳能电池。

36.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求35所述的光伏组件。