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CN116885042A - 太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

太阳能电池及其制备方法 Download PDF

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CN116885042A
CN116885042A CN202310939847.5A CN202310939847A CN116885042A CN 116885042 A CN116885042 A CN 116885042A CN 202310939847 A CN202310939847 A CN 202310939847A CN 116885042 A CN116885042 A CN 116885042A
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transparent conductive
silicon substrate
layer
conductive layer
solar cell
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高纪凡
王尧
王子港
陈达明
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Trina Solar Changzhou Technology Co ltd
Trina Solar Co Ltd
Original Assignee
Trina Solar Changzhou Technology Co ltd
Trina Solar Co Ltd
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Abstract

本公开实施例太能电池及其制备方法，在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得带掺杂的透明导电层。在本公开实施例中，通过交替沉积和掺杂制得的透明导电层为叠层结构，每次沉积透明导电膜之后紧接着进行掺杂，使得掺杂元素在透明导电层中的深度方向分布更加均衡，避免了掺杂元素局部集中而降低薄膜透光率，进而提升透光率，同时又保证了透明导电层内的掺杂量，以使得透明导电层能带宽度在最优范围内，这有效提升太阳能电池的光电转换效率。

Description

太阳能电池及其制备方法
技术领域
本公开涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳能电池(solar cell)是一种将太阳光通过光生伏打效应转成电能的装置。目前常见的太阳能电池为硅太阳能电池，以硅半导体材料制成的PN结构成光电转换单元，光电转换单元将光能转换成电信号。
如何提升太阳能电池的光电转换效率，是业界普遍考虑的课题。
发明内容
鉴于以上相关技术的缺点，本公开的目的在于提供太阳能电池及其制备方法，以解决相关技术中太阳能电池光电转换效率低的技术问题。
本公开第一方面提供一种一种太阳能电池的制备方法，其包括：
在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得带掺杂的透明导电层；
在透明导电层与硅基底的掺杂类型不同时，透明导电层与硅基底构成光电转换单元；
在透明导电层与硅基底的掺杂类型相同时，太阳能电池的制备方法还包括：
在硅基底背离透明导电层的一侧形成掺杂层，掺杂层与硅基底的掺杂类型不同，掺杂层与硅基底构成光电转化单元。
在一些实施例中，透明导电基膜为氧化锌基膜；采用如下方法沉积氧化锌基膜：
采用原子层沉积法，使用气相含锌化合物沉积氧化锌基膜；
其中，沉积温度为100-500℃，厚度为0.2-100nm。
在一些实施例中，采用如下方法对透明导电基膜进行掺杂：
采用原子层沉积法，使用气相掺杂源进行沉积，使得掺杂源中的掺杂元素扩散到透明导电基膜内，沉积温度为100-500℃，厚度为0.1-50nm。
在一些实施例中，气相掺杂源为气相含铝化合物、气相含钛化合物、气相含镓化合物、气相含铟化合物、气相含氟化合物中的一种或至少两种。
在一些实施例中，太阳能电池的制备方法还包括：
退火，使掺杂元素在透明导电基膜内扩散。
在一些实施例中，在退火过程中，退火气氛为含氧气氛，其中氧含量不小于15％。
在一些实施例中，在退火之前，太阳能电池的制备方法还包括：
在透明导电层背离硅基底的一侧形成扩散阻挡层。
在一些实施例中，在透明导电层背离硅基底的一侧形成扩散阻挡层，包括：
在透明导电层背离硅基底的一侧沉积形成扩散阻挡层，其中沉积温度为100-500℃，扩散阻挡层的厚度为0.1-200nm。
在一些实施例中，在退火过程中，退火温度为200-500℃，退火时间为10-120min。
在一些实施例中，太阳能电池的制备方法还包括：
在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂之前，在硅基底的正面和背面的至少一面形成隧穿传输层，透明导电层位于隧穿传输层背离硅基底的一侧。
在一些实施例中，在硅基底的正面和背面的至少一面形成隧穿传输层，包括：
在硅基底的正面和背面的至少一面沉积形成隧穿传输层，沉积温度为350-1000℃，隧穿传输层的厚度为0.2-100nm。
本公开实施例还提供一种太阳能电池，其包括：
硅基底；
位于硅基底的正面和背面中的至少一面的透明导电层，透明导电层包含多层带掺杂的氧化锌基膜；
在透明导电层与硅基底的掺杂类型不同时，透明导电层与硅基底构成光电转换单元；或者，
在透明导电层与硅基底的掺杂类型相同时，太阳能电池还包括：
位于硅基底背离透明导电层的一侧的掺杂层，掺杂层与硅基底的掺杂类型不同，掺杂层与硅基底构成光电转化单元。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：
位于透明导电层背离硅基底一侧的扩散阻挡层。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：
位于硅基底与透明导电层之间的隧穿传输层。
在一些实施例中，透明导电层中的掺杂元素为铝、钛、镓、铟和氟中的至少一种。
如上，本公开实施例中提供太能电池及其制备方法，在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得带掺杂的透明导电层。在本公开实施例中，通过交替沉积和掺杂制得的透明导电层为叠层结构，每次沉积透明导电膜之后紧接着进行掺杂，使得掺杂元素在透明导电层中的深度方向分布更加均衡，避免了掺杂元素局部集中而降低薄膜透光率，进而提升透光率，同时又保证了透明导电层内的掺杂量，以使得透明导电层能带宽度在最优范围内，这有效提升太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本公开实施例提供的一种太阳能电池的制备方法的流程图。
图2为本公开实施例提供的一种太阳能电池的剖视图。
图3为现有技术使用真空退火的透明导电层的扫描电镜图。
图4为本公开实施例基于含氧气氛的退火制备的透明导电层的扫描电镜图。
图5展示本公开实施例提供的另一种太阳能电池的制备方法的流程图。
图6展示本公开实施例提供的另一种太阳能电池的剖视图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本公开所揭露的消息轻易地了解本公开的其他优点与功效。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用系统，本公开中的各项细节也可以根据不同观点与应用系统，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面以附图为参考，针对本公开的实施例进行详细说明，以便本公开所属技术领域的技术人员能够容易地实施。本公开可以以多种不同形态体现，并不限定于此处说明的实施例。
在本公开的表示中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的表示意指结合该实施例或示例表示的具体特征、结构、材料或者特点包括于本公开的至少一个实施例或示例中。而且，表示的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本公开中表示的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于表示目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本公开的表示中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
虽然未不同地定义，但包括此处使用的技术术语及科学术语，所有术语均具有与本公开所属技术领域的技术人员一般理解的意义相同的意义。普通使用的字典中定义的术语追加解释为具有与相关技术文献和当前提示的消息相符的意义，只要未进行定义，不得过度解释为理想的或非常公式性的意义。
在现有的一些太阳能电池中，使用透明导电层进行电信号传输，其兼具透光特性和导电性。因此，透明导电层会影响到太阳能电池的光电转换效率。
图1展示本公开实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图，如图1所示，本方法可以包括但不限于如下步骤：
步骤110：在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得带掺杂的透明导电层；
在透明导电层与硅基底的掺杂类型相同时，太阳能电池的制备方法还包括：
步骤120：在硅基底背离透明导电层的一侧形成掺杂层，掺杂层与硅基底的掺杂类型不同，掺杂层与硅基底构成光电转化单元。
在透明导电层与硅基底的掺杂类型不同时，透明导电层与硅基底构成光电转换单元，如图2所示，此时制得的太阳能电池包括：
硅基底1；
位于硅基底1的正面的透明导电层2，透明导电层2包含多层带掺杂的透明导电基膜，分别为第一透明导电基膜21、第二透明导电基膜22和第三透明导电基膜23。
在本公开实施例中，通过交替沉积和掺杂制得的透明导电层为叠层结构，每次沉积透明导电膜之后紧接着进行掺杂，使得掺杂元素在透明导电层中的深度方向分布更加均衡，避免了掺杂元素局部集中而降低薄膜透光率，进而提升透光率，同时又保证了透明导电层2内的掺杂量，以使得透明导电层2能带宽度在最优范围内，这有效提升太阳能电池的光电转换效率。
在图2所示太阳能电池中，透明导电层2形成于硅基底1的正面，此为示例。在一些实施例中，可以使用本方法在硅基底背面形成透明导电层，或者同时在硅基底正面及背面均形成透明导电层。
在相应实施例中，在硅基底背离透明导电层的一侧形成掺杂层，该掺杂层的基膜可以是非晶硅或晶硅，在此不做限定。
本公开实施例可用于制备多种太阳能电池，例如钝化发射极和背面电池(Passivated Emitter and Rear Cell，缩写：PERC)。具体地，透明导电层形成于硅基底的正面以作为发射极，并与硅基底构成光电转换单元，此时进一步地，可在硅基底背面形成钝化层及背电极。此时，硅基底为P型掺杂，则透明导电层为N型掺杂，两者之间形成PN结。
再例如，使用该方法的太阳能电池也可以是普通太阳能电池。
因此，本实施例的太阳能电池的制备方法可用于制备包含透明导电层的任意太阳能电池，在此不作限定。
在本公开实施例中，透明导电基膜选择氧化锌(ZnO)基膜或氧化铟(In2O3)基膜等氧化物透明导电膜，在此不作限定。氧化物透明导电膜中的掺杂元素提供载流子，载流子具有反射或吸收红外线的特性。
本实施例选择氧化锌基膜，其成本更低。
在本公开实施例中，透明导电层2中的掺杂类型取决于掺杂元素。例如，可以选择Al、Ti、Ga、In、F元素中的一种或多种。其中，Al、Ti、Ga、In提供的载流子为空穴，则此时透明导电层2为P型掺杂。而F提供的载流子为电子，则此时透明导电层2为N型掺杂。
在本公开实施例中，以氧化锌基膜为例，采用如下方法沉积透明导电基膜：
采用原子层沉积(英文：Atomic layer deposition；缩写：ALD)法，使用气相含锌化合物沉积氧化锌基膜；
其中，沉积温度为100-500℃，厚度为0.2-100nm。
原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。在该沉积参数范围内，可以很好地控制每层氧化锌基膜的沉积厚度，每一层厚度控制在0.2-100nm范围内，能够使接下来的掺杂元素扩散到较深厚度或整个厚度，有利于掺杂元素分布均衡。
在本公开实施例中，采用如下方法对透明导电基膜进行掺杂：
采用原子层沉积法，使用气相掺杂源进行沉积，使掺杂源中的掺杂元素扩散到透明导电基膜内，沉积温度为100-500℃，厚度为0.1-50nm。
在该实施例中，也使用ALD进行沉积，在沉积时，掺杂源在氧化锌基膜上形成掺杂源膜层，还有一部分扩散到氧化锌基膜内。其中，0.1-50nm的厚度可以是指在每层氧化锌基膜上覆盖的掺杂源膜层的厚度。
在相应实施例中，气相掺杂源为气相含铝化合物、气相含钛化合物、气相含镓化合物、气相含铟化合物、气相含氟化合物中的一种或至少两种。
在本公开实施例中，在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得透明导电层之后，紧接着进行退火，利用退火过程中的温度使掺杂元素继续在透明导电基膜中扩散，形成更均衡掺杂，提升透光率和电信号传输效率。
在本公开实施例中，退火过程中的退火气氛为含氧气氛，其中氧含量不小于15％。这能够解决现有技术存在的如下问题，真空退火中的真空使得更多的氧原子获得能量解离，造成薄膜缺陷增多进而产生氧空位，导致了间隙的存在，间隙的存在导致薄膜钝化质量较差，如图3所示。
本实施例提出基于含氧气氛的退火，部分氧原子能修复透明导电层中的氧空位缺陷，提升钝化性能，如图4所示。
如图5所示本公开另一实施例的太阳能电池的制备方法，其包括但不限于如下步骤：
步骤510：在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得带掺杂的透明导电层；
步骤520：在透明导电层背离硅基底的一侧形成扩散阻挡层；
步骤530：基于扩散阻挡层进行退火，使透明导电层中的掺杂在氧化锌基膜内扩散。
在该实施例中，扩散阻挡层可以阻挡透明导电层中的掺杂源向外扩散，例如，阻挡透明导电层内的氢原子向外溢出，使得氢原子能够在温度和时间的作用下在透明导电层和硅基底内再分布，以钝化对应位置缺陷。其中，氢原子来自于ALD过程中的水蒸气。
在本公开实施例中，扩散阻挡层可以是Si3N4、SiOxNy、AlOx中的一种或至少两种的叠层。
在本公开实施例中，在透明导电层背离硅基底的一侧形成扩散阻挡层，包括：
在透明导电层背离硅基底的一侧沉积形成扩散阻挡层，其中沉积温度为100-500℃，扩散阻挡层的厚度为0.1-200nm。可选地，厚度为5-100nm。
本实施例采用沉积工艺生成扩散阻挡层，具体如低压化学气相沉积(LowPressure Chemical Vapor Deposition，简称为LPCVD)、常压化学气相沉积(AtmosphericPressure Chemical Vapor Deposition，简称为APCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、ALD和磁控溅射的一种或多种沉积工艺。
在本公开实施例中，在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂之前，还可以在硅基底的正面和背面的至少一面形成隧穿传输层。
如图6所示，透明导电层61位于隧穿传输层62背离硅基底63的一侧。可选地，扩散阻挡层64位于透明导电层61背离隧穿传输层62的一侧。
该隧穿传输层62通过量子隧穿效应使得载流子被选择性通过。隧穿传输层62对透明导电层61的导电性进行补偿，可以增强太阳能电池的整体光电传输效率。
在相应实施例中，隧穿传输层62由隧穿氧化层(SiO2)组成，并可通过LPCVD、热氧化、PECVD、ALD和磁控溅射的一种或多种方式沉积制备。
在本公开实施例中，在硅基底的正面和背面的至少一面形成隧穿传输层，包括：
在硅基底的正面和背面的至少一面沉积形成隧穿传输层，沉积温度为350-1000℃，隧穿传输层的厚度为0.2-100nm。
结合图6所示，下面结合具体实施例详细介绍太阳能电池的制备方法，制备方法包括如下步骤：
(1)硅基底63采用单晶硅片，通过RCA标准清洗法清洗硅基底63后，使用LPCVD，低温沉积隧穿传输层62，优选地，沉积温度为350-1000℃，隧穿传输层62的厚度为0.2-100nm；
(2)将步骤(1)的样品放置于ALD腔室内，然后抽真空，并通入气相含锌化合物，优选地，含锌化合物包括其卤化物、烷基化合物、烷氧基化合物、含锌无机盐中的一种或多种组合；
(3)步骤(2)ALD腔室内的样品，吹扫腔内气体残留后，并通入含铝化合物，优选地，含铝化合物包括其卤化物、烷基化合物、烷氧基化合物、含铝无机盐中的一种或多种组合；
(4)步骤(3)ALD腔室内的样品，吹扫腔内气体残留后，并通入含锌化合物，优选地，含锌化合物包括其卤化物、烷基化合物、烷氧基化合物、含锌无机盐中的一种或多种组合；
(5)步骤(4)ALD腔室内的样品，吹扫腔内气体残留后，并通入含铝化合物，优选地，含铝化合物包括其卤化物、烷基化合物、烷氧基化合物、含铝无机盐中的一种或多种组合；
(6)步骤(5)ALD腔室内的样品，吹扫腔内气体残留后，并通入含锌化合物，优选地，含锌化合物包括其卤化物、烷基化合物、烷氧基化合物、含锌无机盐中的一种或多种组合，最后得到透明到层61；
(7)将步骤(6)的样品置于ALD或PECVD中，沉积扩散阻挡层64；
(8)将步骤(7)的样品置于加热台、退火台、链式烧结炉或轨道烧结炉上，退火处理。
通过本公开实施例所制备的透明导电层61，相较于传统钝化层提高了导电性外，透光率也显著提高，有助于推进其在太阳能电池等领域的应用。
实施例1：
(1)选用单晶硅片衬底，预先使用氢氧化钠碱溶液抛光，通过RCA标准清洗法清洗后，使用LPCVD，在500℃，0.3torr的压力下，沉积隧穿传输层，优选地，隧穿传输层的厚度为5nm；
(2)将上述样品放置于ALD腔室内，抽真空后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为3nm；
(3)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入三甲基铝，沉积AlOx层，优选地，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为1nm；
(4)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为7nm；
(5)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入三甲基铝，沉积AlOx层，优选地，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为1nm；
(6)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为3nm；
(7)将上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入三甲基铝，沉积扩散阻挡层，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为60nm；
(8)将上述所制备样品置于加热台上，在200℃下，退火10min。
实施例2：
(1)选用单晶硅片基底，预先使用氢氧化钠碱溶液抛光，通过RCA标准清洗法清洗后，使用LPCVD，在500℃，0.3torr的压力下，沉积隧穿传输层，优选地，隧穿传输层的厚度为5nm；
(2)将上述样品放置于ALD腔室内，抽真空后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为3nm；
(3)将上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，并通入三甲基铝，沉积AlOx层，优选地，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为1nm；
(4)将上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为7nm；
(5)将上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，并通入三甲基铝，沉积AlOx层，优选地，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为1nm；
(7)将上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为3nm；
(8)将上述样品置于PECVD中，并通入氨气和硅烷，沉积扩散阻挡膜，优选地，沉积温度为550℃，厚度为80nm；
实施例3：
(1)选用单晶硅片基底，预先使用氢氧化钠碱溶液抛光，通过RCA标准清洗法清洗后，使用LPCVD，在500℃，0.3torr的压力下，沉积隧穿传输层，优选地，隧穿传输层的厚度为5nm；
(2)将上述样品放置于ALD腔室内，抽真空后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为3nm；
(3)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，并通入三甲基铝，沉积AlOx层，优选地，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为1nm；
(4)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为7nm；
(5)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，并通入三甲基铝，沉积AlOx层，优选地，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为1nm；
(6)将步骤(4)和步骤(5)工艺重复10次；
(7)在上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，通入二甲基锌，沉积ZnO层，优选地，源流量为200sccm，沉积温度为400℃，厚度为3nm；
(8)将上述ALD腔室内，氮气吹扫腔内气体残留后，并通入三甲基铝，沉积扩散阻挡层，优选地，源流量为300sccm，沉积温度为500℃，厚度为100nm；
(9)将上述所制备样品置于加热台上，在200℃下，退火10min。
上述实施例仅例示性说明本公开的原理及其功效，而非用于限制本公开。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本公开的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本公开所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本公开的权利要求所涵盖。

Claims (15)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得带掺杂的透明导电层；
在所述透明导电层与所述硅基底的掺杂类型不同时，所述透明导电层与所述硅基底构成光电转换单元；
在所述透明导电层与所述硅基底的掺杂类型相同时，所述太阳能电池的制备方法还包括：
在所述硅基底背离所述透明导电层的一侧形成掺杂层，所述掺杂层与所述硅基底的掺杂类型不同，所述掺杂层与所述硅基底构成光电转化单元。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电基膜为氧化锌基膜；采用如下方法沉积氧化锌基膜：
采用原子层沉积法，使用气相含锌化合物沉积所述氧化锌基膜；
其中，沉积温度为100-500℃，厚度为0.2-100nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用如下方法对所述透明导电基膜进行掺杂：
采用原子层沉积法，使用气相掺杂源进行沉积，使得所述掺杂源中的掺杂元素扩散到所述透明导电基膜内，沉积温度为100-500℃，厚度为0.1-50nm。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述气相掺杂源为气相含铝化合物、气相含钛化合物、气相含镓化合物、气相含铟化合物、气相含氟化合物中的一种或至少两种。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的制备方法还包括：
退火，使掺杂元素在所述透明导电基膜内扩散。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在退火过程中，退火气氛为含氧气氛，其中氧含量不小于15％。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在退火之前，所述太阳能电池的制备方法还包括：
在所述透明导电层背离所述硅基底的一侧形成扩散阻挡层。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述透明导电层背离所述硅基底的一侧形成扩散阻挡层，包括：
在所述透明导电层背离所述硅基底的一侧沉积形成扩散阻挡层，其中沉积温度为100-500℃，所述扩散阻挡层的厚度为0.1-200nm。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在退火过程中，退火温度为200-500℃，退火时间为10-120min。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的制备方法还包括：
在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂之前，在所述硅基底的正面和背面的至少一面形成隧穿传输层，所述透明导电层位于所述隧穿传输层背离所述硅基底的一侧。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述硅基底的正面和背面的至少一面形成隧穿传输层，包括：
在所述硅基底的正面和背面的至少一面沉积形成隧穿传输层，沉积温度为350-1000℃，所述隧穿传输层的厚度为0.2-100nm。
12.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
硅基底；
位于所述硅基底的正面和背面中的至少一面的透明导电层，所述透明导电层包含多层带掺杂的氧化锌基膜；
在所述透明导电层与所述硅基底的掺杂类型不同时，所述透明导电层与所述硅基底构成光电转换单元；或者，
在所述透明导电层与所述硅基底的掺杂类型相同时，所述太阳能电池还包括：
位于所述硅基底背离所述透明导电层的一侧的掺杂层，所述掺杂层与所述硅基底的掺杂类型不同，所述掺杂层与所述硅基底构成光电转化单元。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
位于所述透明导电层背离所述硅基底一侧的扩散阻挡层。
14.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
位于所述硅基底与所述透明导电层之间的隧穿传输层。
15.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层中的掺杂元素为铝、钛、镓、铟和氟中的至少一种。
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