CN116741621A - 基板处理方法和基板处理系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统，在进行超临界干燥处理时防止或者至少抑制形成于基板的表面的图案的损坏。基板处理方法包括：脱气工序，去除处理液中的溶解气体；液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使所述处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。
Description
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。
背景技术
在用于在作为基板的半导体晶圆(下面，称作晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用液体对晶圆表面进行处理的处理工序，例如通过药液等清洗液来去除晶圆表面的微小灰尘、自然氧化膜等。
已知一种在通过这样的处理工序来去除残留于晶圆的表面的液体时使用超临界状态的处理流体的方法。例如在专利文献1中公开了一种利用超临界流体从基板上溶解有机溶剂并使晶圆干燥的基板处理装置。
在专利文献1的基板处理装置中，在处理装置内通过药液等清洗液来进行晶圆的表面的清洗。在清洗后的晶圆的表面盛放有作为处理液的有机溶剂。将盛放有机溶剂的晶圆从清洗装置搬送到超临界处理装置，在超临界处理装置内，使用超临界状态的处理流体来进行晶圆的干燥处理。通过像这样在晶圆的表面盛放有机溶剂，来防止清洗后的晶圆的表面在被在超临界处理装置内进行干燥处理之前干燥，从而防止微粒的产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-33246号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种在进行超临界干燥处理时能够防止或者至少抑制形成于基板的表面的图案的损坏的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个实施方式所涉及的基板处理方法包括：脱气工序，去除处理液中的溶解气体；液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使所述处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体来置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。
发明的效果
根据本公开的上述实施方式，在进行超临界干燥处理时能够防止或者至少抑制形成于基板的表面的图案的损坏。
附图说明
图1是基板处理装置的一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要横剖截面图。
图2是示出图1的基板处理系统中包括的单片式液处理单元的一个结构例的概要截面图。
图3是示出图1的基板处理系统中包括的超临界干燥单元的一个结构例的概要截面图。
图4是对用于供给在图2的单片式液处理单元中使用的IPA的IPA供给机构以及设置于该IPA供给机构的用于脱气的结构进行说明的配管结构图。
图5是示出由于气泡的生成导致的图案的损坏的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的基板处理装置的一个实施方式所涉及的基板处理系统1。为了简化与方向有关的说明，设定XYZ正交坐标系，并在图1的左下部示出。Z方向是上下方向，Z正方向是上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备控制装置100。控制装置100由计算机构成，具备运算处理部101和存储部102。在存储部102保存有用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序(也包括处理制程)。运算处理部101通过读出并执行存储部102中存储的程序，来控制后述的基板处理系统1的各构成要素的动作，执行后述的一系列处理。控制装置100可以具备键盘、触摸面板、显示器等用户接口。上述的程序可以记录于可由计算机读取的存储介质，并从该存储介质安装于控制装置100的存储部102。作为可由计算机读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
基板处理系统1具备搬入搬出部(搬出搬入站)2和处理部(处理站)6。
搬入搬出部2具备容器载置部21和第一搬送部22。能够在容器载置部21载置多个基板搬送容器C(例如FOUP)。在各基板搬送容器C内，在铅垂方向上隔开间隔地以水平姿势收容多张基板W(例如半导体晶圆)。
第一搬送部22与容器载置部21相邻地设置。在第一搬送部22的内部设置有第一基板搬送机器人(第一基板搬送机构)23和交接单元(交接部)24。第一基板搬送机器人23具备用于保持基板W的、作为末端执行器的基板保持机构。第一基板搬送机器人23能够沿水平方向及铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴线为中心转动。第一基板搬送机器人23在容器载置部21上的基板搬送容器C与交接单元24之间进行基板W的搬送。
处理部6与第一搬送部22相邻地设置。在处理部6设置有一个以上的单片式液处理单元61、进行被单片式液处理单元61处理后的基板W的超临界干燥的一个以上的超临界干燥单元62、以及第二基板搬送机器人(第二基板搬送机构)63。在一个实施方式中，可以将多个单片式液处理单元61以及多个超临界干燥单元62上下层叠地设置于图1所示的位置。
第二基板搬送机器人63具备能够通过多轴驱动机构631进行移动的末端执行器，所述多轴驱动机构631能够沿X方向及Y方向移动、沿Z方向进行升降，并且能够绕垂直轴转动。末端执行器是能够将一张基板以水平姿势保持的、例如叉形状的基板保持器具632。第二基板搬送机器人63(尤其是其末端执行器)通过在搬送空间64内移动，能够在交接单元24、单片式液处理单元61以及超临界干燥单元62之间进行基板的搬送。在利用第二基板搬送机器人63进行搬送的期间，基板W始终被维持为水平姿势。
在搬送空间64内设置有用于喷出氮气的氮气供给部65。从例如作为场务设施而提供的氮气供给源向氮气供给部65供给氮气。可以设置排出搬送空间64内的气氛以促进搬送空间64内的氮气吹扫的排气部66。从提高吹扫效率的观点出发，优选将氮气供给部65与排气部66设置于彼此分离的位置。在图1中概要性地示出的氮气供给部65可以设置于长方体形状的搬送空间64的顶壁，在该情况下，氮气供给部65在搬送空间64中形成氮气的下降流。或者，氮气供给部65可以设置于搬送空间64的侧壁，在该情况下，氮气供给部65在搬送空间64中形成氮气的测流。
在处理部6的搬送空间64与交接单元24之间设置有隔壁67，在该隔壁67设置有具有适度的气密性的门(未图示)。该未图示的门仅在基板W通过该门时打开。通过该结构，能够防止由于从搬送空间64向第一搬送部22漏出氮气而使氮气被无谓地消耗，另外，还能够防止从搬送空间64向基板处理系统1的周围环境漏出氮气。
作为单片式液处理单元61，能够使用在半导体制造装置的技术领域中公知的任意的单片式液处理单元。参照图2在下面简单地说明在本实施方式中能够使用的单片式液处理单元61的结构例。单片式液处理单元61具备能够将基板W以水平姿势保持并使基板W绕铅垂轴旋转的旋转保持盘(spin chuck)611、以及向由旋转保持盘611保持并旋转的基板W喷出处理液的一个以上的喷嘴612。喷嘴612被支承于用于使喷嘴612移动的臂613。单片式液处理单元61具有回收从旋转的基板W飞散出的处理液的液体接收杯614。液体接收杯614具有用于将所回收的处理液排出到液处理单元61外的排液口615、以及用于排出液体接收杯614内的气氛气体的排气口616。从设置于单片式液处理单元61的腔室617的顶部的风机过滤单元618向下吹出洁净气体，该洁净气体被引入到液体接收杯614内，并被排出到排气口616。
作为风机过滤单元618，能够使用具有选择清洁空气(洁净空气)和非活性气体、此处例如为氮气(N2气体)中的一方来喷出的功能的风机过滤单元。在该情况下，作为清洁空气，使用通过风机过滤单元618内的过滤器(例如ULPA过滤器)对设置有基板处理系统1的清洁室内的空气进行过滤所得到的清洁空气，作为氮气，使用从作为半导体制造工厂的场务设施而提供的氮气供给源供给的氮气。具有这样的功能的风机过滤单元618在半导体制造装置的技术领域中是周知的，省略对结构的详细说明。
作为超临界干燥单元62，能够使用在半导体制造装置的技术领域中公知的任意的超临界干燥单元。关于本实施方式中能够使用的超临界干燥单元62的结构例和作用，参照图1和图3在下面简单地进行说明。超临界干燥单元62具有超临界腔室621、以及相对于超临界腔室621能够进退的基板支承托盘622。在图1中描绘出从超临界腔室621退出的基板支承托盘622，在该状态下第二基板搬送机器人63能够针对基板支承托盘622进行基板W的交接。
图3示出基板支承托盘622收容于超临界腔室621的状态。基板支承托盘622具有盖625，盖625经由未图示的将构件超临界腔室621的开口部封闭，由此在超临界腔室621内形成密闭的处理空间。标记623为处理流体(例如CO2(二氧化碳))的供给端口623，标记624为流体(CO2、IPA等)的排气端口。
能够在超临界干燥单元62设置氮气喷出部626，以将超临界干燥单元62内的用于针对基板支承托盘622进行基板W的交接的区域628(在图1中为存在基板支承托盘622的区域)设为氮气气氛。也可以设置对区域628的气氛进行排气的排气部627，以促进区域628的氮气吹扫。从提高吹扫效率的观点出发，优选将氮气供给部626与排气部627设置于彼此分离的位置。
接着，参照图4对用于供给在单片式液处理单元61中使用的IPA(异丙醇)的IPA供给机构700以及设置于该IPA供给机构700的用于脱气的结构进行说明。
IPA供给机构700具有用于贮存IPA的罐702、以及与罐702连接的循环线路704。在循环线路704，从上游侧起依次设置有泵706、调温器708、过滤器710、流量计712以及恒压阀714。泵706将IPA加压后送出，由此在循环线路704中形成IPA的循环流。调温器708将IPA的温度调整为适于在作为IPA的供给目的地的单片式液处理单元61中使用的温度。过滤器710从IPA去除微粒等污染物质。恒压阀714能够使IPA以适当的压力流入作为IPA的供给目的地的单片式液处理单元61。
在循环线路704设定有多个分支点715，在各分支点715处从循环线路704分支出分支供给线路716。各分支供给线路716的下游端连接于对应的单片式液处理单元61的IPA供给用的喷嘴612。在分支供给线路716，从上游侧起依次设置有溶解气体监视器718、恒压阀720、开闭阀722、溶解气体过滤器(例如中空纤维膜过滤器)724。在设定于分支供给线路716的分支点728处从分支供给线路716分支出分支返回线路730。在分支返回线路730设置有开闭阀732。多个分支返回线路730合流而成为一个返回线路734，返回线路734的下游端与罐702连接。
从设定于循环线路704的分支点740分支出脱气线路742。在脱气线路742，从上游侧起依次设置有在线兆声波装置744、在线溶解气体监视器(溶解气体传感器)746、恒压阀748以及中空纤维膜过滤器750。脱气线路742的下游端与罐702连接。
在线兆声波装置744通过向在脱气线路742中流动的IPA施加高输出超声波来产生气穴气泡。在线溶解气体监视器(溶解气体传感器)746测定在脱气线路742中流动的IPA中包含的气体、尤其是对于后述的处理而言有害的气体即氧、二氧化碳等的浓度。恒压阀748调节在脱气线路742中流动的IPA的流量。
将中空纤维膜过滤器750的中空纤维膜的外侧设为减压状态，当在中空纤维膜中流过IPA时，IPA中含有的气泡(其为通过在线兆声波装置744生成的气穴气泡)以及IPA中包含的溶解气体穿过中空纤维膜的壁面并来到中空纤维膜的外侧。由此，能够减少IPA中的气泡和溶解气体。仅通过中空纤维膜过滤器750也能够进行脱气。然而，在该脱气线路742中，由于在中空纤维膜过滤器750的上游侧通过在线兆声波装置744已使IPA中的气体气泡化，因此相比于仅通过中空纤维膜过滤器750进行了脱气的情况，能够进一步提高溶解气体的去除效率。被去除了溶解气体的IPA返回到罐702。
在图4所示的实施方式中，在线脱气机构由在线兆声波装置744和中空纤维膜过滤器750这两个在线设备构成。另外，如上述那样，由于仅通过中空纤维膜过滤器750也能够进行脱气，因此也能够仅通过中空纤维膜过滤器750来构成在线脱气机构。此外，在线脱气机构是指设置于线路(配管等液体的流路)并能够在使液体在该机构中流通的状态下(不停止液体的流动地)进行液体的脱气的机构。
从IPA供给源760经由IPA供给线路762向罐702供给IPA。在IPA供给线路762设置有开闭阀764。多数情况下，IPA供给源760作为设置有基板处理系统1的半导体制造工厂的场务设施被提供。罐702与排出线路766连接，在排出线路766设置有开闭阀768。
在IPA供给机构700的第一结构例中，罐702经由气体供给线路782而与非活性气体(在此为氮气)的供给源780连接。在气体供给线路782中接入有开闭阀784。多数情况下，氮气供给源780也作为场务设施被提供。另外，在罐702设置有加热器790。并且，在分支供给线路716的过滤器724的下游侧设置有冷却器726。用虚线或点划线描绘出该段落中说明的构成要素。
在IPA供给机构700的第二结构例中，罐702经由减压线路772而与真空泵(减压装置)770连接。在减压线路772设置有开闭阀774和真空用过滤器776。在减压线路772连接有排出线路778。
第一结构例与第二结构例的差异仅为上述部分，其它结构在两者间是共同的。
接着，对上述第一结构例中的IPA供给机构700的动作进行说明。从氮气供给源780向罐702供给氮气，并将罐702的内部设为氮气气氛。由此，能够抑制氧气和二氧化碳气体溶入IPA中。另外，从IPA供给源760向罐702进行供给，在罐702中贮存了预先决定的量的IPA后，泵706工作，另外，附设于罐702的加热器790工作。由此，将罐702内的IPA加热到沸点以下的适当的温度(例如约为70℃)，另外，加热后的IPA在循环线路704中循环。另外，调温器708也将在循环线路704中流动的IPA进行加热，来将IPA维持为适当的温度。通过将IPA进行加热，气体在IPA中的溶解度减少，在罐内气体难以溶入IPA，另外，已经溶入IPA的气体的一部分从IPA脱离。
在循环线路704中流动的IPA的一部分流入脱气线路742，通过在线兆声波装置744和中空纤维膜过滤器750而按照前述的机制进行脱气，并返回到罐702。此时也将IPA进行加热，因此脱气效率提高。
在循环线路704中流动的IPA流入多个分支供给线路716中的至少几个分支供给线路716(例如，处理预计开始时刻接近的单片式液处理单元61所对应的分支供给线路)，不去向喷嘴612，流入对应的分支返回线路730，进一步地，经由返回线路734返回罐702。
在上述的状态持续一段时间且至少满足以下的条件的情况下，控制装置100判断为单片式液处理单元61中处于可以向基板W供给IPA的状态(IPA可供状态)。
-通过脱气线路742的溶解气体监视器746，IPA中的气体浓度(例如氧气浓度和/或二氧化碳气体浓度)低于预先决定的阈值。
-通过处理预计开始时刻接近的单片式液处理单元61所对应的溶解气体监视器718，IPA中的气体浓度(例如氧气浓度和/或二氧化碳气体浓度)低于预先决定的阈值。
作为其它条件，能够举出在循环线路704中循环的IPA的温度处于规定温度范围。为了确认IPA的温度，能够在罐702或者与罐连接的适当的线路设置温度传感器。
优选的是，在确认到成为了IPA可供给状态之后，在单片式液处理单元61中开始一张基板W的处理。在向基板W供给IPA时，冷却器726工作，将开闭阀732关闭并将开闭阀722打开。由此，从IPA喷出用的喷嘴612向基板W供给通过冷却器726而使温度下降到了规定的温度(例如常温～30℃左右)的IPA。
接着，对上述第二结构例中的IPA供给机构700的动作进行说明。与第一结构例同样地，从IPA供给源760向罐702进行供给，在罐702中贮存了预先决定的量的IPA后，通过真空泵770对罐702的内部进行减压，以满足“罐702的内部的压力(不是表压，是绝对压力)比IPA的蒸汽压大”这一条件。并且，泵706工作。由于罐702内已被减压，因此溶入IPA的气体的一部分从IPA脱离。与第一结构例同样地，IPA在循环线路704中循环，在循环线路704中流动的IPA的一部分流入脱气线路742，通过设置于脱气线路742的在线兆声波装置744和中空纤维膜过滤器750来进行脱气。
另外，与第一结构例同样地，在循环线路704中流动的IPA流入多个分支供给线路716中的至少几个分支供给线路716(例如，处理预计开始时刻接近的单片式液处理单元61所对应的分支供给线路)，不去向喷嘴612，流入对应的分支返回线路730，进一步地，经由返回线路734返回罐702。此时，与第一结构例同样地进行利用脱气线路742的溶解气体监视器746和分支供给线路716的溶解气体监视器718进行的溶解气体浓度的监视，在确认到成为了IPA可供给状态之后，在单片式液处理单元61中允许开始进行一张基板W的处理。在第二结构例中，与第一结构例不同地，不进行罐702内的IPA的加热和分支供给线路716中的IPA的冷却。
接着，对基板处理系统1中的基板W的处理的流程进行说明。搬入搬出部2的第一基板搬送机器人23从载置于容器载置部21的基板搬送容器C取出基板W，并将取出的基板W载置于交接单元24。接着，通过处理部6的第二基板搬送机器人63从交接单元24取出基板W，并搬入到单片式液处理单元61。
被搬入到单片式液处理单元61的基板W通过旋转保持盘611被保持为水平姿势。接着，通过旋转保持盘611使基板W绕铅垂轴旋转。在该状态下，从针对处理所需的各种处理液分配的一个以上的喷嘴612依次向基板W供给各种处理液，由此对基板W实施液处理。下面叙述液处理的一例。首先，通过向基板W供给预湿液来进行预湿工序，接着，通过将药液供给到基板W来进行药液处理工序(湿蚀刻或药液清洗)，接着，通过将冲洗液(例如DIW(纯水))供给到基板W来进行冲洗处理。药液处理工序和冲洗处理可以每次进行多次。
在一个实施方式中，例如对一张基板W进行以下工序。
工序1：利用DIW的预湿工序
工序2：DHF蚀刻工序
工序3：DIW冲洗工序
工序4：SC1清洗工序
工序5：DIW冲洗工序
在上述工序1～5中，从互不相同的喷嘴612供给DHF(稀氟酸)、SC1。可以从设为专用于供给DIW的喷嘴612供给DIW，也可以从DHF供给用的喷嘴612供给DIW。
在上述工序2中，通过DHF蚀刻来削除SiO2(硅氧化物)，大致等间距地形成由Si(硅)构成的、沿铅垂方向延伸的柱状体。在图5中也示出同样的柱状体。在例示性的一个实施方式中，防止由Si构成的柱状体的损坏并且通过后述的超临界干燥处理来使基板W干燥。
在最后进行的冲洗工序(例如上述的工序5)之后，一边继续使基板W旋转，一边从IPA喷出用的喷嘴612向基板W供给IPA，来将处于基板W的表面(包括图案的凹部的表面)的冲洗液置换为IPA(IPA置换工序)。之后，在仍从喷嘴供给IPA的状态下使基板的旋转速度下降到极低速来调整IPA的膜厚，之后，停止IPA的供给，并停止基板W的旋转。由此，成为基板W的表面被期望的膜厚的IPA液膜(IPA浆液(日语：パドル))覆盖的状态(IPA浆液形成工序)。在该单片式液处理单元61中，作为在上述的IPA置换工序和IPA浆液形成工序中向基板W供给的IPA，使用被实施了前述脱气处理的IPA。
优选将单片式液处理单元61的腔室内的气氛设为非活性气体气氛、例如氮气体气氛，以防止空气中的氧和二氧化碳再次溶入脱气处理完毕的IPA。因此，从具备氮气喷出功能的风机过滤单元618供给氮气。氮气相比于氧气及二氧化碳气体而言，相对于IPA的溶解度低，因此，通过将附着有IPA的基板W的周围的气氛设为氮气气氛，能够抑制气体溶入IPA中。
优选的是，单片式液处理单元61的腔室内的气氛至少在表面存在IPA的基板W处于腔室内的期间为氮气气氛。因而，例如优选最晚在开始喷出IPA的时间点使腔室内的气氛成为氮气气氛。在基板W不存在于腔室内时、以及IPA未附着于处于腔室内的基板的表面时，腔室内可以为具有通常的大气成分的清洁空气气氛。
在单片式液处理单元61中的处理结束后，第二基板搬送机器人63的末端执行器(基板保持器具)进入单片式液处理单元61内，将表面形成有IPA浆液的基板W从旋转保持盘611取出并搬送到超临界干燥单元62。在从单片式液处理单元61向超临界干燥单元62的搬送过程中基板W所通过的搬送空间64内已被调整为非活性气体(在此为氮气)气氛。因而，在基板W通过搬送空间64内时也能够防止空气中的氧和二氧化碳再次溶入基板W上的IPA中。
第二基板搬送机器人63将搬入到超临界干燥单元62的基板W载置于超临界干燥单元62的基板支承托盘622。接着，将基板支承托盘622收容于超临界腔室621内，与基板支承托盘622一体的盖625密封超临界腔室621。超临界干燥单元62的壳体内(区域628内)也为非活性气体(在此为氮气)气氛。因此，在直到基板W被搬入到超临界干燥单元62之后以载置于基板支承托盘622的状态收容于超临界腔室621内为止的期间，能够防止空气中的氧和二氧化碳再次溶入基板W上的IPA中。
当将基板W收容到超临界腔室621内时，进行超临界干燥处理。首先，从未图示的超临界流体供给源经由供给端口623向超临界腔室621内供给处理流体(例如CO2)，由此，一边将超临界腔室621内升压一边向超临界腔室621填充CO2(升压工序)。此外，在使超临界腔室621内升压之前的期间，也有时经由朝向基板支承托盘622的下表面开口的其它供给端口(未图示)供给CO2。
在超临界腔室621内的压力达到了超临界状态保证压力(保证CO2单独流体、以及CO2与IPA的混合流体维持超临界状态的压力)后，实施流通工序。在流通工序中，从供给端口623供给的CO2在IPA浆液的上方沿基板W的表面流动，并从排气端口624排出(参照图中箭头)。通过持续该状态，处于基板W的表面的IPA被置换为CO2。在IPA被超临界CO2置换后，将排气端口624侧连接于常压空间，使超临界腔室621内恢复为常压。由此，基板W的表面的超临界CO2气化，基板W的表面干燥(排出工序)。通过这样，能够防止形成于基板W的表面的图案的损坏并且使基板W干燥。
在载置有基板W的基板支承托盘622刚进入超临界腔室621(维持为比较高的温度(例如80℃左右))后，处于基板W上的IPA的温度上升，伴随于此，IPA中的溶解气体气化，在IPA中产生气泡。在基板W的表面形成有精细且高深宽比的图案的情况下，特别是在沿铅垂方向延伸的细高的柱状部隔开间隔地排列并且在柱状部间形成有槽的情况下，当在处于槽中的IPA中产生大气泡(例如参照图5的标记B)时，存在柱状部通过由于气泡的膨胀产生的力而破损从而产生图案的损坏的风险。在本实施方式中，由于使用实施了脱气处理的IPA，因此不易产生气泡，因而不易产生基于上述机制的图案损坏。
另外，由于将形成有IPA浆液的基板W能够存在的空间设为氮气气氛，因此还能够抑制在搬送过程中IPA的溶解气体量增加。因此，不易产生基于上述机制的图案损坏。
在此，上述的“氮气气氛”无需是氮气浓度为100％的气氛，该气氛中的氮气浓度可以为比空气中的氮气浓度高的适当的值。
在超临界干燥处理结束后，通过第二基板搬送机器人63将干燥后的基板W从超临界干燥单元62取出，并搬送到交接单元24。接着，第一基板搬送机器人23将该基板W从交接单元24取出，并收容于处于容器载置部21上的原来的基板搬送容器C内。
根据上述实施方式，作为在进行超临界干燥处理时置换为超临界状态的处理流体的处理液，使用脱气后的IPA，由此能够防止或者大幅地抑制图案的损坏。另外，通过将用于搬送带IPA浆液的基板的空间的气氛设为氮气气氛，能够更可靠地防止或者大幅地抑制图案的损坏。
应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
基板并不限定于半导体晶圆，也可以是玻璃基板、陶瓷基板等在半导体装置的制造中使用的其它种类的基板。另外，在上述实施方式中，进行脱气时的罐(702)内的气氛、以及存在或者搬送形成有IPA浆液的基板W的空间的气氛为氮气气氛，但并不限定于此，也可以是其它非活性气体(例如氩气)气氛。
Claims (13)
1.一种基板处理方法，包括：
脱气工序，去除处理液中的溶解气体；
液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；
搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及
超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体来置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述脱气工序包括将所述处理液加热到低于沸点的温度。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述脱气工序包括：将贮存有所述处理液的容器的内部设为非活性气体气氛，并且将所述容器内贮存的所述处理液加热到低于该处理液的沸点的温度。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
所述非活性气体为氮气或氩气。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述脱气工序包括：对贮存有所述处理液的容器进行减压排气。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述脱气工序包括：对所述处理液施加超声波振动来使所述处理液中产生气泡；以及从所述处理液中去除所述气泡。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
一边使所述处理液在与贮存所述处理液的容器连接的循环路径内流动一边使用设置于所述循环路径的在线脱气机构来进行以下处理：使所述处理液中产生所述气泡；以及从所述处理液中去除所述气泡。
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
在从所述液膜形成工序结束起到所述搬入工序结束为止的期间，将形成有所述处理液的液膜的基板所通过的空间的气氛设为非活性气体气氛。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
所述非活性气体为氮气或氩气。
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
在所述液膜形成工序之前对所述基板实施药液处理的药液处理工序。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
所述药液处理为蚀刻处理。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
通过所述蚀刻处理在所述基板形成具有多个槽的图案。
13.一种基板处理系统，具备：
液处理单元，其对基板实施液膜形成工序；
处理液供给机构，其供给在所述液处理单元中使用的处理液，并且所述处理液供给机构包括从所述处理液去除溶解气体的脱气装置；
超临界干燥单元，其对所述基板实施超临界干燥处理；
搬送装置，其从所述液处理单元向所述超临界干燥单元搬送所述基板；以及
控制部，其控制所述基板处理系统的动作，以执行根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法。
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