CN116313982A - 一种晶圆片翻膜装置 - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 67
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 42
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 30
- 230000007306 turnover Effects 0.000 claims description 20
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 15
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000009471 action Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种晶圆片翻膜装置,包括固定架,所述固定架的侧壁上安装有双向驱动机构,双向驱动机构的中部从上往下依次设置有翻转定位机构、气吸机构,固定架的上端通过支架与揭膜机构连接,本发明可以解决现有的按压方式的定位难以控制力度,力度较小容易造成撕膜时晶圆片出现滑动的情况,力度较大又容易对晶圆片的本体直接造成破损,且在撕膜过程中,撕膜的力度难以控制,容易造成撕膜时膜产生褶皱变形,产生的褶皱导致晶粒排列歪斜、旋转等排列异常的情况,从而影响了翻膜的质量以及效率等情况。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆片翻膜相关技术领域,特别涉及一种晶圆片翻膜装置。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。晶圆片加工过程包括若干工艺步骤,包括划片、翻膜、背检、扩膜、裂片、测试、分拣等工艺步骤。翻膜则是在划片之后的步骤,现有的翻膜过程中,通常将晶圆片的背面翻过来后将其按压随后进行撕膜处理。
但是,通过按压方式的定位难以控制力度,力度较小容易造成撕膜时晶圆片出现滑动的情况,力度较大又容易对晶圆片的本体直接造成破损,且在撕膜过程中,撕膜的力度难以控制,容易造成撕膜时膜产生褶皱变形,产生的褶皱导致晶粒排列歪斜、旋转等排列异常的情况,从而影响了翻膜的质量以及效率。
本申请设计了一种晶圆片翻膜装置来解决以上存在的缺陷。
发明内容
为了能够实现对晶圆片翻转过程中进行气吸定位以及快速揭反面膜,以防皱晶粒排列歪斜、旋转等排列异常的情况,本申请提供一种晶圆片翻膜装置。
本申请提供的一种晶圆片翻膜装置采用如下的技术方案:
一种晶圆片翻膜装置,包括固定架,所述固定架的侧壁上安装有双向驱动机构,双向驱动机构的中部从上往下依次设置有翻转定位机构、气吸机构,固定架的上端通过支架与揭膜机构连接。
所述翻转定位机构包括翻转组件、连接环、气囊组件、连接座、转动组件、气吸板和气吸组件,翻转组件的前端安装有连接环,连接环的内腔设置有气囊组件,连接环的左右两端对称安装有连接座,连接座内部设置有转动组件,转动组件的外端安装有气吸板,气吸板的内部设置有气吸组件。
所述揭膜机构包括回型框、电动滑块、连接块、调节块、导引槽、吸气组件、贴合组件,回型框与固定架之间连接有支架,回型框的内部前后对称设置有电动滑块,电动滑块之间设置有连接块,连接块的下端上下滑动设置有调节块,调节块的侧壁设置有圆柱滑件,圆柱滑件滑动设置在回型框侧壁开设的导引槽中,在连接块的水平移动过程中,调节块根据导引槽的轨迹进行上下、左右的同步调整,调节块的下端设置有可角度调节的贴合组件,调节块内部设置的吸气组件与贴合组件通气连接。
具体的,将半导体晶圆片放置在气吸机构上进行气吸定位(此时晶圆片的正面朝上,贴有保护膜的一面朝下),随后在晶圆片的正面贴上保护膜,随后,通过转动组件带动气吸板转动一百八十度,且在挤压作用下气吸板贴合在晶圆片的上端面(已贴膜的正面),此时吸气组件通电从而将晶圆片吸在气吸板上,与此同时,气囊组件处于充溢状态从而对晶圆片的边缘进一步气囊式包裹定位,随后气吸机构停止气吸(此时通过吸气组件以及气囊组件对晶圆片的当前上端面以及边缘进行定位),随后通过双向驱动机构带动翻转定位机构、气吸机构反向运动,直到翻转定位机构移动到最高位置,气吸机构下降到最低位置,此时翻转定位机构中的翻转组件形成通路从而带动连接环转动一百八十度,晶圆片同步转动,此时原背面的保护膜翻转至上方,随后通过电动滑块带动连接块向右移动,在导引槽以及吸气组件的作用下,贴合组件将原背面的保护膜接触式吸住后远距离水平输送,从而进行揭膜处理,随后对揭膜后的晶圆片进行下一步骤处理(背检处理),本申请对于晶圆片的定位均采用气吸定位的设置,并根据实际情况进行针对性的位置调节,且在调节过程中晶圆片始终处于稳定定位的状态,在位置调整后,再通过气吸揭膜的方式将背面的保护膜揭开,整体的翻模过程效率提高。
作为本发明的一种优选技术方案,所述双向驱动机构包括双向丝杠、驱动电机、滑块,双向丝杠的上下两端通过轴承与固定架连接,双向丝杠与安装在固定架的驱动电机的输出轴连接,双向丝杠上对称设置有滑块,滑块与双向丝杠为螺纹配合连接,滑块上下滑动设置在固定架开设的滑动槽中,且上下布置的滑块分别与翻转组件、气吸机构对应连接。
作为本发明的一种优选技术方案,所述翻转组件由壳体、转动电机、电源、开关键组成,壳体与上侧布置的滑块连接,壳体的内部设置的转动电机、电源、开关键之间为电连接,转动电机的输出轴与连接环连接,与开关键位置对应的启动件安装在回型框的下端,与启动件接触后的开关键处于闭合的状态。
作为本发明的一种优选技术方案,所述气囊组件包括边缘膜、活塞块、下压件和内置弹簧,连接环内腔的内侧开口位置通过边缘膜环形密封连接,连接环的内腔上端滑动设置有活塞块,活塞块与下压件连接,下压件与连接环上端开设的隐藏槽之间连接有内置弹簧,内置弹簧对下压件始终保持向上推动的趋势。
作为本发明的一种优选技术方案,所述转动组件包括连接电机、转动件、套设块、挤压件和挤压辊,安装在连接座内的连接电机的输出轴与转动件连接,转动件转动设置在连接座上,转动件的中部上下滑动设置有套设块,套设块与气吸板固定连接,套设块的下端外侧安装有挤压件,与挤压件位置对应的挤压辊转动设置在连接环的侧壁上。
作为本发明的一种优选技术方案,所述转动件、套设块之间连接有复位弹簧,复位弹簧起到弹性复位的作用,挤压件横向部分的截面为等腰梯形结构,在挤压件与挤压辊接触过程中,挤压辊会先与挤压件横向部分侧斜面接触,随着气吸板的继续转动,挤压辊逐渐与挤压件横向部分的中部挤压,由于挤压件横向部分的截面为等腰梯形结构,挤压件逐渐下压,从而带动气吸板小幅度下沉,挤压件、挤压辊之间的设置主要是保证了气吸板并不是直接水平转动至与晶圆片上端面接触,直接接触容易造成磨损,而是在近距离水平转动中(气吸板大范围转动时与晶圆片之间存在间隙)受压挤压后放下下沉从而与晶圆片接触,大大降低了磨损程度。
作为本发明的一种优选技术方案,所述气吸组件包括气吸泵、电池、启动键和按压件,气吸板内侧开设有放置槽,放置槽中设置的气吸泵、电池、启动键之间为电连接,气吸板下端开设的气腔与气吸泵连通,气腔的下端均匀开设有气孔,气吸板的内侧下端设置有按压件,按压件与下压件之间的位置相对应。
作为本发明的一种优选技术方案,所述气吸机构包括气吸座和吸气泵,气吸座与下侧布置的滑块连接,气吸座内部开设的气吸腔与安装在气吸座下端的吸气泵之间相连通。
作为本发明的一种优选技术方案,所述调节块包括中间块和滑动柱,安装在中间块上端的滑动柱上下滑动设置在连接块的下端,中间块的侧壁设置有圆柱滑件。
作为本发明的一种优选技术方案,所述导引槽由直行槽和U型结构的弯曲槽连通组成,在圆柱滑件滑动至U型结构的弯曲槽时,调节块跟随圆柱滑件先向下移动再向上高度复位,在调节块下降到最低位置时,此时贴合组件与晶圆片原背面的保护膜接触,并在吸气组件的作用下将原背面的保护膜吸在贴合组件上,随着调节块的回升,使得贴合组件将原背面的保护膜揭开,随着调节块在后续直线槽中的行驶使得贴合组件处于近距离直线水平运动,直至将保护膜完全揭开。
作为本发明的一种优选技术方案,所述吸气组件包括泵体、电池组、两个启动开关、连接管,中间块的内部开设有绝缘腔,绝缘腔内部设置的泵体、电池组、两个启动开关之间为串联连接,泵体的输出位置与连接管接通。
作为本发明的一种优选技术方案,所述回型框的左右两端对称设置有触发件,触发件与启动开关的位置对应,且启动开关与触发件接触时启动开关处于断开状态。
作为本发明的一种优选技术方案,所述贴合组件包括滑动板、连接弹簧、角度块和柔性管,滑动板水平滑动设置在调节块的下端,且调节块与U型结构的滑动板之间连接有连接弹簧,滑动板的下端通过销轴与角度块连接,角度块的下端开设有输出腔,输出腔与连接管之间连接有柔性管,输出腔的下端开设有通孔,由于弯曲槽的中部有一部分直线结构,在贴合组件下降到最低位置与保护膜接触并吸住后,存在短距离的水平运动,此时滑动板水平滑动设置在调节块的下端,可保证调节块正常向右滑动时,滑动板可短暂停止在当前位置(滑动板的临时停止,使得角度块同步停止,避免了最低位置的角度块在保护膜上移动导致的保护膜褶皱的情况,褶皱容易导致晶粒排列歪斜、旋转等排列异常的情况),在调节块逐渐倾斜向上移动时,滑动板高度升高,在连接弹簧的作用下复位,且在揭膜动作下,角度块适应性角度调节,从而开始揭膜处理。
综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
1、本发明所述的一种晶圆片翻膜装置,本申请对于晶圆片的定位均采用气吸定位的设置,并根据实际情况进行针对性的位置调节,且在调节过程中晶圆片始终处于稳定定位的状态,不会出现因定位导致的损坏或者偏移的情况,在位置翻转调整后,通过针对性气吸揭膜的方式将背面的保护膜柔性揭开,相比于人工撕开,撕开的力度控制降低,同时也不会出现褶皱等情况;
2、本发明所述的一种晶圆片翻膜装置,对于晶圆片的定位情况,先通过气吸机构对正面朝上的晶圆片进行底部气吸定位,随后在翻转前,通过翻转定位机构中气吸板的下沉式转动,使得气吸板与晶圆片上端面气吸定位,并在充溢状态下的气囊组件对晶圆片的边缘进行气囊式包裹定位,此时晶圆片的位置定位稳定,随着翻转定位机构的上升以及转动,使得晶圆片同步翻转使其背面朝上;
3、本发明所述的一种晶圆片翻膜装置,对于揭膜情况,揭膜机构主要通过在连接块右移过程中,调节块在导引槽的导引下使得贴合组件短暂与原背面的保护膜接触并吸住,随着连接块继续右移,贴合组件得以升高后继续水平右移,从而模拟出揭膜的动作,但将气吸揭膜代替原本的人工揭膜避免了力度等原因导致的揭膜时产生褶皱的现象;
4、本发明所述的一种晶圆片翻膜装置,贴合组件的结构设计主要是模拟了与保护膜初步接触、揭膜的动作,做到了与保护膜接触后立即远离式揭膜,避免了揭膜过程中出现的褶皱情况,本申请设计的导引槽(贴合组件整体短暂下降后整体上升复位,随后进行直线运动)也是保证了与保护膜气吸后立即分离揭膜,本申请中的角度块的转动连接以及滑动板滑动设置在调节块的下端的连接方式也是为了保证贴合组件能够顺利将保护膜吸住并进行初步撕开,随后进行分离式撕膜。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的第一结构示意图;
图2是本发明的第二结构示意图;
图3是本发明的整体剖视图;
图4是本发明翻转定位机构与滑块之间的结构示意图;
图5是本发明图3的X处局部放大图;
图6是本发明图3的Y处局部放大图。
具体实施方式
下面参考附图对本发明的实施例进行说明。在此过程中,为确保说明的明确性和便利性,我们可能对图示中线条的宽度或构成要素的大小进行夸张的标示。
另外,下文中的用语基于本发明中的功能而定义,可以根据使用者、运用者的意图或惯例而不同。因此,这些用语基于本说明书的全部内容进行定义。
如图1至图6所示,一种晶圆片翻膜装置,包括固定架1,所述固定架1的侧壁上安装有双向驱动机构2,双向驱动机构2的中部从上往下依次设置有翻转定位机构3、气吸机构4,固定架1的上端通过支架与揭膜机构5连接。
所述翻转定位机构3包括翻转组件31、连接环32、气囊组件33、连接座34、转动组件35、气吸板36和气吸组件37,翻转组件31的前端安装有连接环32,连接环32的内腔设置有气囊组件33,连接环32的左右两端对称安装有连接座34,连接座34内部设置有转动组件35,转动组件35的外端安装有气吸板36,气吸板36的内部设置有气吸组件37。
所述揭膜机构5包括回型框51、电动滑块52、连接块53、调节块54、导引槽55、吸气组件56、贴合组件57,回型框51与固定架1之间连接有支架,回型框51的内部前后对称设置有电动滑块52,电动滑块52之间设置有连接块53,连接块53的下端上下滑动设置有调节块54,调节块54的侧壁设置有圆柱滑件,圆柱滑件滑动设置在回型框51侧壁开设的导引槽55中,在连接块53的水平移动过程中,调节块54根据导引槽55的轨迹进行上下、左右的同步调整,调节块54的下端设置有可角度调节的贴合组件57,调节块54内部设置的吸气组件56与贴合组件57通气连接。
具体的,将半导体晶圆片放置在气吸机构4上进行气吸定位(此时晶圆片的正面朝上,贴有保护膜的一面朝下),随后在晶圆片的正面贴上保护膜,随后,通过转动组件35带动气吸板36转动一百八十度,且在挤压作用下气吸板36贴合在晶圆片的上端面(已贴膜的正面),此时吸气组件56通电从而将晶圆片吸在气吸板36上,与此同时,气囊组件33处于充溢状态从而对晶圆片的边缘进一步气囊式包裹定位,随后气吸机构4停止气吸(此时通过吸气组件56以及气囊组件33对晶圆片的当前上端面以及边缘进行定位),随后通过双向驱动机构2带动翻转定位机构3、气吸机构4反向运动,直到翻转定位机构3移动到最高位置,气吸机构4下降到最低位置,此时翻转定位机构3中的翻转组件31形成通路从而带动连接环32转动一百八十度,晶圆片同步转动,此时原背面的保护膜翻转至上方,随后通过电动滑块52带动连接块53向右移动,在导引槽55以及吸气组件56的作用下,贴合组件57将原背面的保护膜接触式吸住后远距离水平输送,从而进行揭膜处理,随后对揭膜后的晶圆片进行下一步骤处理(背检处理),本申请对于晶圆片的定位均采用气吸定位的设置,并根据实际情况进行针对性的位置调节,且在调节过程中晶圆片始终处于稳定定位的状态,在位置调整后,再通过气吸揭膜的方式将背面的保护膜揭开,整体的翻模过程效率提高。
本发明提供的另一个实施例中,进一步的,所述双向驱动机构2包括双向丝杠21、驱动电机22、滑块23,双向丝杠21的上下两端通过轴承与固定架1连接,双向丝杠21与安装在固定架1的驱动电机22的输出轴连接,双向丝杠21上对称设置有滑块23,滑块23与双向丝杠21为螺纹配合连接,滑块23上下滑动设置在固定架1开设的滑动槽中,且上下布置的滑块23分别与翻转组件31、气吸机构4对应连接。
具体的,通过驱动电机22带动双向丝杠21转动,从而带动上下布置的滑块23相向运动或者相反运动,翻转定位机构3、气吸机构4同步调节。
进一步的,所述翻转组件31由壳体、转动电机、电源、开关键组成,壳体与上侧布置的滑块23连接,壳体的内部设置的转动电机、电源、开关键之间为电连接,转动电机的输出轴与连接环32连接,与开关键位置对应的启动件6安装在回型框51的下端,与启动件6接触后的开关键处于闭合的状态。
具体的,在上侧布置的滑块23带动翻转定位机构3上升到最高位置时,开关键与启动件6接触,此时转动电机、电源、开关键形成通路,转动电机通电后带动连接环32、晶圆片转动一百八十度,从而对晶圆片进行翻面调整。
进一步的,所述气囊组件33包括边缘膜331、活塞块332、下压件333和内置弹簧334,连接环32内腔的内侧开口位置通过边缘膜331环形密封连接,连接环32的内腔上端滑动设置有活塞块332,活塞块332与下压件333连接,下压件333与连接环32上端开设的隐藏槽之间连接有内置弹簧334,内置弹簧334对下压件333始终保持向上推动的趋势。
具体的,在气吸板36即将转动到一百八十度时,按压件374会与下压件333接触,随着气吸板36的继续转动,气吸板36会下沉,使得按压件374对下压件333下压,在气吸板36转动到一百八十度后,下降的活塞块332对连接环32内腔注射,使得边缘膜331成充溢状态,从而对晶圆片的边缘进行包裹式限位。
进一步的,所述转动组件35包括连接电机351、转动件352、套设块353、挤压件354和挤压辊355,安装在连接座34内的连接电机351的输出轴与转动件352连接,转动件352转动设置在连接座34上,转动件352的中部上下滑动设置有套设块353,套设块353与气吸板36固定连接,套设块353的下端外侧安装有挤压件354,与挤压件354位置对应的挤压辊355转动设置在连接环32的侧壁上,进一步的,所述转动件352、套设块353之间连接有复位弹簧,复位弹簧起到弹性复位的作用,挤压件354横向部分的截面为等腰梯形结构,在挤压件354与挤压辊355接触过程中,挤压辊355会先与挤压件354横向部分侧斜面接触,随着气吸板36的继续转动,挤压辊355逐渐与挤压件354横向部分的中部挤压,由于挤压件354横向部分的截面为等腰梯形结构,挤压件354逐渐下压,从而带动气吸板36小幅度下沉,挤压件354、挤压辊355之间的设置主要是保证了气吸板36并不是直接水平转动至与晶圆片上端面接触,直接接触容易造成磨损,而是在近距离水平转动中(气吸板36大范围转动时与晶圆片之间存在间隙)受压挤压后放下下沉从而与晶圆片接触,大大降低了磨损程度。
具体的,通过连接电机351带动转动件352转动一百八十度,气吸板36同步转动,在即将转动到一百八十度时,挤压件354与挤压辊355接触,并在挤压辊355的挤压下,挤压件354向下移动,使得气吸板36转动的同时下沉,在转动到一百八十度时,气吸板36紧贴在连接环32、晶圆片的上端面。
进一步的,所述气吸组件37包括气吸泵371、电池372、启动键373和按压件374,气吸板36内侧开设有放置槽,放置槽中设置的气吸泵371、电池372、启动键373之间为电连接,气吸板36下端开设的气腔与气吸泵371连通,气腔的下端均匀开设有气孔,气吸板36的内侧下端设置有按压件374,按压件374与下压件333之间的位置相对应。
具体的,在气吸板36转动到一百八十度后,小幅度下沉的气吸板36使得跟随下沉的启动键373与连接环32上端面接触,此时启动键373处于接通状态,气吸泵371、电池372、启动键373之间形成通路,气吸泵371通电从而将上端贴膜的晶圆片吸在气吸板36的下端。
进一步的,所述气吸机构4包括气吸座41和吸气泵42,气吸座41与下侧布置的滑块23连接,气吸座41内部开设的气吸腔与安装在气吸座41下端的吸气泵42之间相连通。
具体的,通过吸气泵42将晶圆片的下端面吸在气吸座41上。
进一步的,所述调节块54包括中间块541和滑动柱542,安装在中间块541上端的滑动柱542上下滑动设置在连接块53的下端,中间块541的侧壁设置有圆柱滑件,所述导引槽55由直行槽和U型结构的弯曲槽连通组成,在圆柱滑件滑动至U型结构的弯曲槽时,调节块54跟随圆柱滑件先向下移动再向上高度复位,在调节块54下降到最低位置时,此时贴合组件57与晶圆片原背面的保护膜接触,并在吸气组件56的作用下将原背面的保护膜吸在贴合组件57上,随着调节块54的回升,使得贴合组件57将原背面的保护膜揭开,随着调节块54在后续直线槽中的行驶使得贴合组件57处于近距离直线水平运动,直至将保护膜完全揭开。
进一步的,所述吸气组件56包括泵体561、电池组562、两个启动开关563、连接管564,中间块541的内部开设有绝缘腔,绝缘腔内部设置的泵体561、电池组562、两个启动开关563之间为串联连接,泵体561的输出位置与连接管564接通,所述回型框51的左右两端对称设置有触发件,触发件与启动开关563的位置对应,且启动开关563与触发件接触时启动开关563处于断开状态。
具体的,在吸气组件56处于最右侧或者最左侧时,由于其中一个启动开关563与对应位置的触发件的接触,使得当前的启动开关563处于断开状态,吸气组件56整体为断路连接,只有在电动滑块52带动连接块53移动过程中,启动开关563与触发件分离时,泵体561才会通电,从而对贴合组件57的下端面进行吸气处理。
进一步的,所述贴合组件57包括滑动板571、连接弹簧572、角度块573和柔性管574,滑动板571水平滑动设置在调节块54的下端,且调节块54与U型结构的滑动板571之间连接有连接弹簧572,滑动板571的下端通过销轴与角度块573连接,角度块573的下端开设有输出腔,输出腔与连接管564之间连接有柔性管574,输出腔的下端开设有通孔,由于弯曲槽的中部有一部分直线结构,在贴合组件57下降到最低位置与保护膜接触并吸住后,存在短距离的水平运动,此时滑动板571水平滑动设置在调节块54的下端,可保证调节块54正常向右滑动时,滑动板571可短暂停止在当前位置(滑动板571的临时停止,使得角度块573同步停止,避免了最低位置的角度块573在保护膜上移动导致的保护膜褶皱的情况,褶皱容易导致晶粒排列歪斜、旋转等排列异常的情况),在调节块54逐渐倾斜向上移动时,滑动板571高度升高,在连接弹簧572的作用下复位,且在揭膜动作下,角度块573适应性角度调节,从而开始揭膜处理。
具体的,在角度块573下端面与保护膜接触并吸住后,随着调节块54带动贴合组件57的整体右移,此时通过本申请中的角度块573的转动连接以及滑动板571滑动设置在调节块54的下端的连接方式使得贴合组件57能够顺利将保护膜吸住并进行初步撕开,从而更加适应当前的揭膜状态。
工作过程:
S1、将划片后的半导体晶圆片放置在气吸机构4上进行气吸定位,随后在晶圆片的正面贴上保护膜;
S2、通过转动组件35带动气吸板36转动一百八十度,且在挤压作用下气吸板36贴合在晶圆片的上端面,于此同时吸气组件56通电从而将晶圆片吸在气吸板36上,且气囊组件33处于充溢状态从而对晶圆片的边缘进一步气囊式包裹定位;
S3、关停气吸机构4;
S4、通过双向驱动机构2带动翻转定位机构3、气吸机构4反向运动,直到二者的间距处于最大值,此时翻转定位机构3中的翻转组件31形成通路从而带动连接环32以及气吸的晶圆片转动一百八十度,此时原背面的保护膜翻转至上方;
S5、通过电动滑块52带动连接块53向右移动,在导引槽55以及吸气组件56的作用下,贴合组件57将原背面的保护膜接触式吸住后升高进行水平输送,从而进行揭膜处理;
S6、最后对揭膜后的晶圆片进行后续的背检处理。
以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例,毋庸置疑,对于本领域的普通技术人员,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此,上述附图和描述在本质上是说明性的,不应理解为对本发明权利要求保护范围的限制。
Claims (10)
1.一种晶圆片翻膜装置,包括固定架(1),其特征在于:所述固定架(1)的侧壁上安装有双向驱动机构(2),双向驱动机构(2)的中部从上往下依次设置有翻转定位机构(3)、气吸机构(4),固定架(1)的上端通过支架与揭膜机构(5)连接;
所述翻转定位机构(3)包括翻转组件(31)、连接环(32)、气囊组件(33)、连接座(34)、转动组件(35)、气吸板(36)和气吸组件(37),翻转组件(31)的前端安装有连接环(32),连接环(32)的内腔设置有气囊组件(33),连接环(32)的左右两端对称安装有连接座(34),连接座(34)内部设置有转动组件(35),转动组件(35)的外端安装有气吸板(36),气吸板(36)的内部设置有气吸组件(37);
所述揭膜机构(5)包括回型框(51)、电动滑块(52)、连接块(53)、调节块(54)、导引槽(55)、吸气组件(56)、贴合组件(57),回型框(51)与固定架(1)之间连接有支架,回型框(51)的内部前后对称设置有电动滑块(52),电动滑块(52)之间设置有连接块(53),连接块(53)的下端上下滑动设置有调节块(54),调节块(54)的侧壁设置有圆柱滑件,圆柱滑件滑动设置在回型框(51)侧壁开设的导引槽(55)中,调节块(54)的下端设置有可角度调节的贴合组件(57),调节块(54)内部设置的吸气组件(56)与贴合组件(57)通气连接。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述双向驱动机构(2)包括双向丝杠(21)、驱动电机(22)、滑块(23),双向丝杠(21)的上下两端通过轴承与固定架(1)连接,双向丝杠(21)与安装在固定架(1)的驱动电机(22)的输出轴连接,双向丝杠(21)上对称设置有滑块(23),滑块(23)与双向丝杠(21)为螺纹配合连接,滑块(23)上下滑动设置在固定架(1)开设的滑动槽中,且上下布置的滑块(23)分别与翻转组件(31)、气吸机构(4)对应连接。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述翻转组件(31)由壳体、转动电机、电源、开关键组成,壳体与上侧布置的滑块(23)连接,壳体的内部设置的转动电机、电源、开关键之间为电连接,转动电机的输出轴与连接环(32)连接,与开关键位置对应的启动件(6)安装在回型框(51)的下端。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述气囊组件(33)包括边缘膜(331)、活塞块(332)、下压件(333)和内置弹簧(334),连接环(32)内腔的内侧开口位置通过边缘膜(331)环形密封连接,连接环(32)的内腔上端滑动设置有活塞块(332),活塞块(332)与下压件(333)连接,下压件(333)与连接环(32)上端开设的隐藏槽之间连接有内置弹簧(334)。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述转动组件(35)包括连接电机(351)、转动件(352)、套设块(353)、挤压件(354)和挤压辊(355),安装在连接座(34)内的连接电机(351)的输出轴与转动件(352)连接,转动件(352)转动设置在连接座(34)上,转动件(352)的中部上下滑动设置有套设块(353),套设块(353)与气吸板(36)固定连接,套设块(353)的下端外侧安装有挤压件(354),与挤压件(354)位置对应的挤压辊(355)转动设置在连接环(32)的侧壁上;
所述转动件(352)、套设块(353)之间连接有复位弹簧,挤压件(354)横向部分的截面为等腰梯形结构。
6.根据权利要求4所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述气吸组件(37)包括气吸泵(371)、电池(372)、启动键(373)和按压件(374),气吸板(36)内侧开设有放置槽,放置槽中设置的气吸泵(371)、电池(372)、启动键(373)之间为电连接,气吸板(36)下端开设的气腔与气吸泵(371)连通,气腔的下端均匀开设有气孔,气吸板(36)的内侧下端设置有按压件(374),按压件(374)与下压件(333)之间的位置相对应。
7.根据权利要求2所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述气吸机构(4)包括气吸座(41)和吸气泵(42),气吸座(41)与下侧布置的滑块(23)连接,气吸座(41)内部开设的气吸腔与安装在气吸座(41)下端的吸气泵(42)之间相连通。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述调节块(54)包括中间块(541)和滑动柱(542),安装在中间块(541)上端的滑动柱(542)上下滑动设置在连接块(53)的下端;
所述导引槽(55)由直行槽和U型结构的弯曲槽连通组成。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述吸气组件(56)包括泵体(561)、电池组(562)、两个启动开关(563)、连接管(564),中间块(541)的内部开设有绝缘腔,绝缘腔内部设置的泵体(561)、电池组(562)、两个启动开关(563)之间为串联连接,泵体(561)的输出位置与连接管(564)接通;
所述回型框(51)的左右两端对称设置有触发件,触发件与启动开关(563)的位置对应,且启动开关(563)与触发件接触时启动开关(563)处于断开状态。
10.根据权利要求9所述的一种晶圆片翻膜装置,其特征在于:所述贴合组件(57)包括滑动板(571)、连接弹簧(572)、角度块(573)和柔性管(574),滑动板(571)水平滑动设置在调节块(54)的下端,且调节块(54)与U型结构的滑动板(571)之间连接有连接弹簧(572),滑动板(571)的下端通过销轴与角度块(573)连接,角度块(573)的下端开设有输出腔,输出腔与连接管(564)之间连接有柔性管(574),输出腔的下端开设有通孔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310367712.6A CN116313982B (zh) | 2023-04-07 | 2023-04-07 | 一种晶圆片翻膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310367712.6A CN116313982B (zh) | 2023-04-07 | 2023-04-07 | 一种晶圆片翻膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116313982A true CN116313982A (zh) | 2023-06-23 |
CN116313982B CN116313982B (zh) | 2024-06-11 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310367712.6A Active CN116313982B (zh) | 2023-04-07 | 2023-04-07 | 一种晶圆片翻膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116313982B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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