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CN116169233A - 一种背光模组及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种背光模组及其制作方法、显示装置 Download PDF

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CN116169233A
CN116169233A CN202310277394.4A CN202310277394A CN116169233A CN 116169233 A CN116169233 A CN 116169233A CN 202310277394 A CN202310277394 A CN 202310277394A CN 116169233 A CN116169233 A CN 116169233A
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light
packaging
emitting chip
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井杨坤
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd
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Abstract

本申请实施例提供了一种背光模组及其制作方法、显示装置，背光模组包括：衬底基板；多个发光芯片，阵列排布于所述衬底基板的一侧；围绕各所述发光芯片的隔断结构；封装结构，从所述发光芯片远离所述衬底基板的一侧，密封各所述发光芯片；其中，所述封装结构远离所述衬底基板一侧的表面为弧面，所述发光芯片发出的光穿过所述封装结构从所述弧面出射。本申请实施例旨在对发光芯片进行独立的封装，并由封装结构形成透镜，以具有弧形的出光面对发光芯片发出的光进行折射整合，可以提高背光模组出光的均匀度，增大出射角度，进而有助于提升显示装置的色域和可视角度。

Description

一种背光模组及其制作方法、显示装置
技术领域
本申请实施例涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种背光模组、一种背光模组的制作方法以及一种显示装置。
背景技术
发光二极管显示设备(light emitting diode,LED)通过控制点阵排列的发光半导体的亮灭，可以实现屏幕的画面显示。相比较于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)或者有机发光半导体显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED)，LED显示可以做到亮得更亮，暗得更暗，以更低的功耗实现更高对比度的显示。相关技术还提出mini LED和micro LED，通过巨量转移点阵排列的发光芯片的方式，提高LED点阵光源的密度，以更小的背光区块实现更高分辨率的LED显示，使得画面更加精致。然而，LED背光模组中的发光芯片发出的光线如果直射形成显示面，则会因为光线散漫和串扰问题导致色域较窄，并且其可视角度也有待提高。由于LED光源独立显示的特性，LED显示装置的厚度相较于LCD或者有机发光半导体(Organic Light-Emitting Diode,OLED)已经存在天然的劣势。因此，目前很难在不增加LED显示装置的厚度的情况下，提升LED显示装置的显示效果。
需要说明的是，在上述背景技术区分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请实施例提供了一种背光模组、一种背光模组的制作方法以及一种显示装置，旨在对发光芯片进行独立的封装，并由封装结构形成透镜，以具有弧形的出光面对发光芯片发出的光进行折射整合，可以提高背光模组出光的均匀度，拓宽光线的出射角度，进而有助于显示装置提升色域和拓宽可视角度。
在一方面，本申请实施例提供了一种背光模组，包括：
衬底基板；
多个发光芯片，阵列排布于所述衬底基板的一侧；
围绕各所述发光芯片的隔断结构；
封装结构，从所述发光芯片远离所述衬底基板的一侧，与所述隔断结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触，以密封各所述发光芯片；
其中，所述封装结构远离所述衬底基板一侧的表面为弧面，所述发光芯片发出的光穿过所述封装结构从所述弧面出射。
可选地，所述封装结构包括填充层，以及分布于所述填充层中的色转换结构和/或者散射粒子；
其中，所述填充层的材料包括：树脂类材料，所述色转换结构的材料包括：量子点材料，所述散射粒子的材料包括：金属氧化物材料。
可选地，所述隔断结构包括：第一隔断子结构；
所述封装结构包括：第一封装子结构，与所述第一隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
所述第一隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能低于第一预设表面能阈值，并且，所述第一封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面。
可选地，所述隔断结构还包括：位于所述第一隔断子结构远离所述衬底基板一侧的第二隔断子结构；
所述封装结构还包括：第二封装子结构，位于所述第一封装子结构远离所述衬底基板的一侧，与所述第二隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第二隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能低于第二预设表面能阈值，并且，所述第二封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面。
可选地，所述隔断结构包括：第三隔断子结构；
所述封装结构包括：第三封装子结构，与所述第三隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第三隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能高于第三预设表面能阈值，并且，所述第三封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凹面。
可选地，所述隔断结构还包括：位于所述第三隔断子结构远离所述衬底基板一侧的第四隔断子结构；
所述封装结构还包括：第四封装子结构，位于所述第三封装子结构远离所述衬底基板的一侧，与所述第四隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第四隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能低于第四预设表面能阈值，并且，所述第四封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面。
所述第四预设表面能阈值小于所述第三预设表面能阈值。
可选地，所述隔断结构还包括：位于所述第三隔断子结构远离所述衬底基板一侧的第五隔断子结构；所述第五隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能高于第五预设表面能阈值；
所述封装结构还包括：位于所述第三封装子结构远离所述衬底基板一侧的第五封装子结构，以及位于所述第五封装子结构远离所述第三封装子结构一侧的第六封装子结构；所述第五封装子结构与所述第四隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第五封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凹面，并且，所述第五封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面。
可选地，还包括：位于所述隔断结构远离所述衬底基板一侧的遮光矩阵结构；
所述封装结构与所述遮光矩阵结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触。
可选地，所述发光芯片包括：第一发光芯片，用于发出第一预设波长范围内的第一颜色光；
所述封装结构包括：第一子封装单元，阵列排布于所述发光芯片远离所述衬底基板的一侧；
所述第一子封装单元，用于将所述第一颜色光转换为第二预设波长范围内的第二颜色光；
其中，所述第二预设波长范围位于所述第一预设波长范围内。
可选地，所述封装结构还包括：第二子封装单元，与所述第一子封装单元交替阵列排布；
所述第二子封装单元，还用于将所述第一颜色光转换为第三预设波长范围内的第三颜色光；
其中，所述第三预设波长范围与所述第一预设波长范围不重叠。
可选地，所述发光芯片还包括：第二发光芯片，用于发出第四预设波长范围内的第四颜色光；
所述第一封装子结构还包括：第三子封装单元，与所述第一子封装单元交替排布；
所述第三子封装单元，还用于将所述第四颜色光转换为第三预设波长范围内的第三颜色光；
其中，所述第三预设波长范围位于所述第四预设波长范围内。
可选地，所述隔断结构朝向所述发光芯片一侧的表面材料包括：氟。
可选地，所述隔断结构包括：位于朝向所述发光芯片一侧表面的反射层，用于将所述发光芯片发出的光反射到所述封装结构中。
与现有技术相比，本申请实施例提供的背光模组具有以下优点：
(1)本申请实施例对背光模组中的发光芯片进行独立的封装，并由封装结构形成透镜，以具有弧形的出光面对发光芯片发出的光进行折射整合，可以提高背光模组出光的均匀度和光线的取出效率，进而提高背光模组的发光效率和最高亮度。
(2)本申请实施例中的封装结构的出光面为弧面，使得发光芯片发出的光可以穿过封装结构，基于弧面的折射向四周发散，从而增大背光模组的出光角度。
(3)本申请实施例中的背光模组可以应用于显示装置，由于背光模组出光的均匀度和出光效率有所提高，出光角度也可以得到增大，出光效果得到提升，因此还有助于提升显示装置的亮度、可视角度和能效，继而提升显示装置的显示效果和能效。
在又一方面，本申请实施例还提供了一种背光模组的制作方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧，获得阵列排布的多个发光芯片；
围绕各所述发光芯片，获得隔断结构；
在所述发光芯片远离所述衬底基板的一侧，获得密封各所述发光芯片的封装结构；
其中，所述封装结构远离所述衬底基板一侧的表面为弧面，所述发光芯片发出的光穿过所述封装结构从所述弧面出射。
与现有技术相比，本申请实施例提供的背光模组的制作方法具有以下优点：
(1)该制作方法得到的背光模组具有上述任一项实施例中的背光模组所具有的全部优点。
(2)该制作方法在获得发光芯片和隔断结构的基础上，获得密封各发光芯片的封装结构，有助于实现发光芯片的独立封装，还有助于依靠隔断结构的表面材料特性，使得封装结构远离衬底基板一侧的弧面易于成型且使得弧面的弧度可控。
在又一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项实施例中的背光模组或者利用上述任一实施例中的方法制作得到的背光模组。
本申请实施例提供的显示装置，包括上述实施例中的背光模组，也具有上述背光模组的全部优点。
附图说明
附图仅为参考与说明之用，并非用以限制本申请的保护范围。下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1示出了本申请提供的一个实施例中的一种背光模组的截面结构示意图；
图2示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图；
图3示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图；
图4示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图；
图5示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图；
图6示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图；
图7示出了本申请提供的一个实施例中的一种封装结构的排列示意图；
图8示出了本申请提供的一个实施例中的一种又封装结构的排列示意图；
图9示出了本申请提供的一个实施例中的一种背光模组的制作方法的步骤流程图。
附图标记说明：
100、衬底基板；200、发光芯片；300、隔断结构；301、第一隔断子结构；302、第二隔断子结构；303、第三隔断子结构；304、第四隔断子结构；305、第五隔断子结构；400、封装结构；401、第一封装子结构；402、第二封装子结构；403、第三封装子结构；404、第四封装子结构；405、第五封装子结构；406、第六封装子结构；410、第一子封装单元；420、第二子封装单元；430、第三子封装单元；500、遮光矩阵结构。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
下面结合附图对本申请实施例进行说明。
参照图1，图1示出了本申请提供的一个实施例中的一种背光模组的截面结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供了一种背光模组，包括：衬底基板100。
其中，衬底基板100可以是刚性基板。
具体地，衬底基板100可以根据发光芯片200的类型选择材料。以蓝光LED或白色LED等GaN类半导体材料的LED芯片为例,可以使用蓝宝石、SiC和Si等作为衬底基板100的材料。
进一步地，衬底基板100的材料，还可以是聚酯、玻璃纤维或陶瓷材料的有机复合材料。
具体地，衬底基板100上可以设置多个用于连接多个发光芯片200的电路，以对发光芯片200提供驱动信号。
背光模组还包括：多个发光芯片200，阵列排布于衬底基板100的一侧。
在一种可选的实施方式中，背光模组还可以包括发光芯片200与衬底基板100之间的电极，用于分别连接衬底基板100上的电路和发光芯片200，并在通电的情况下驱动发光芯片200发光。
其中，发光芯片200可以是LED芯片，具体地，发光芯片200可以是mini LED芯片或者micro LED芯片，以提升发光芯片200阵列排布的密度。
背光模组还包括：围绕各发光芯片200的隔断结构300。
具体的，隔断结构300可以形成堤坝，进而围成多个凹槽，使发光芯片200位于凹槽的底部。
其中，隔断结构300可以使各发光芯片200发出的光被分隔开，防止不同颜色的光线出现串色。在一些可选的实施例中，隔断结构300可以是低透光性的材料。
在一种可选的实施方式中，隔断结构300的侧壁与衬底基板100之间的角度可以小于90°，使隔断结构300围成的凹槽的开口面积大于底部面积，提高发光芯片200的出光角度，增大显示装置的可视角度。
示例性地，隔断结构300的侧壁与衬底基板100之间的角度可以是45°至60°之间。
背光模组还包括：封装结构400，从发光芯片200远离衬底基板100的一侧，与隔断结构朝向发光芯片一侧的表面形成紧密接触，以密封各发光芯片200。
其中，封装结构400远离衬底基板100一侧的表面为弧面，发光芯片发出的光穿过封装结构从弧面出射。
具体地，弧面可以是圆弧面或者非圆弧面。
为了实现密封，封装结构400可以包括填充层，用于密封发光芯片200，使发光芯片200与外界水汽隔绝。其中，填充层可以是透光材料。
示例性地，填充层可以是无色透明的树脂类材料。具体地，填充层可以是亚克力材质，即丙烯酸酯材质。示例性地，填充层可以是丙烯酸甲酯材质。
在又一种可选的示例中，填充层还可以是无色透明的树脂类材料。
通过上述实施例，本申请对背光模组中的发光芯片200进行独立的封装，并由封装结构400形成透镜，以具有弧形的出光面对发光芯片200发出的光进行折射整合，可以提高背光模组出光的均匀度和光线的取出效率，进而提高背光模组的发光效率和最高亮度。并且，本申请实施例中的封装结构400的出光面为弧面，使得发光芯片200发出的光可以穿过封装结构400，基于弧面的折射向四周发散，从而增大背光模组的出光角度。并且，本申请实施例中的背光模组可以应用于显示装置，由于背光模组出光的均匀度和出光效率有所提高，出光角度也可以得到增大，出光效果得到提升，因此还有助于提升显示装置的亮度、可视角度和能效，继而提升显示装置的显示效果和能效。
本申请考虑将色转换结构分布设置在填充层之中，通过提高光线与色转换结构的接触面积，提高转换率，满足对光的颜色提纯的需求。为此，在一种可选的实施方式中，第一子封装单元410包括填充层，以及分布于填充层中的色转换结构。
其中，色转换结构的材料可以包括：量子点材料。
本申请考虑利用散射粒子，延长光线在封装结构400中的路径，进一步提高转换率，满足将一种颜色的光转换为另一种颜色的光的需求。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，封装结构400包括填充层，以及分布于填充层中的色转换结构和/或者散射粒子。
其中，填充层的材料包括：树脂类材料，色转换结构的材料包括：量子点材料，散射粒子的材料包括：金属氧化物材料。
其中，在本申请实施例中，色转换结构基于发光芯片发出的光的照射激发设定颜色的光，因此，色转换结构包括的量子点材料可以是光转换型量子点材料。
在一些可选的实施方式中，量子点材料可以包括硒化镉或者磷化铟。
进一步地，为了对量子点材料进行保护和便于封装结构的流体封装材料的制作，色转换结构还可以包括色转换填充材料和量子外壳材料。其中，量子外壳材料作为量子点材料的外壳，量子点材料与外壳可以混合在色转换填充材料中，形成混合无溶剂类的色转换结构，进而分布于封装结构的填充层中。
具体地，色转换填充材料和可以是树脂类材料，量子外壳材料可以是硫化锌。
其中，散射粒子具体可以包括：二氧化钛或者二氧化锆等金属氧化物与树脂类材料混合形成的具有反射性的复合材料。
为了便于封装工艺的实现，本申请实施例可以考虑将隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面作为密封接触面。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，封装结构400与隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面形成紧密接触，以密封各发光芯片200。
其中，封装结构400是通过对流体封装材料进行固化成型得到的。
其中，流体封装材料可以包括：流体状态的树脂类材料、包含树脂类材料和量子点材料的色转换结构、以及包含金属氧化物和树脂类材料的散射粒子。
在本申请实施例中，流体封装材料可以是通过对衬底基板100上的发光芯片200进行喷墨打印得到的。具体地，可以朝向隔断结构300形成的凹槽进行喷墨打印，使流体封装材料覆盖发光芯片200。
通过上述实施例，可以利用喷墨打印，将流体封装材料打印至隔断结构300形成的凹槽中，有助于针对高显示像素分辨率的发光芯片200，实现高精度的打印封装。
考虑到封装结构400远离衬底基板100一侧的表面的形状，是影响发光芯片200发出的光的折射光路的重要因素，因此，本申请实施例考虑利用封装结构400的亲水性或者疏水性，对喷墨打印得到的流体封装材料的形状进行塑造，以此调节封装结构400远离衬底基板100一侧的表面的弧面形状，达到所需要的出光性能，从而进一步提升背光模组的出光效果。
如图1所示，为了适应发光芯片200发出的特定波长范围的光，并适应隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面与发光芯片200表面的形状设计，满足光线颜色转换和光线整合的需求，本申请实施例考虑利用隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面的疏水性的材料，获得表面为凸面的封装结构400，形成凸透镜对光线进行折射整合。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，隔断结构300包括：第一隔断子结构301。
封装结构400包括：第一封装子结构401，与第一隔断子结构301朝向发光芯片200一侧的表面形成紧密接触。
第一隔断子结构301朝向发光芯片200一侧的表面能低于第一预设表面能阈值，并且，第一封装子结构401远离衬底基板100一侧的表面为凸面。
其中，第一预设表面能阈值可以是能够使流体封装材料形成具有凸起拱形的凸面的表面能。
示例性的，第一预设表面能阈值可以是30mN/m。
示例性的，第一隔断子结构301朝向发光芯片200一侧的表面能可以是10mN/m到30mN/m之间的任一值。
为了达到合适的弧度，对光线进行折射整合，在一种可选的实施方式中，隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面能可以根据以下因素确定：流体封装材料的流动性、隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面形状、发光芯片200的表面形状、发光芯片200发出的光的波长范围。
为了达到合适的弧度，对光线进行折射整合，在一种可选的实施方式中，隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面能可以根据以下因素确定：流体封装材料的流动性、隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面形状、发光芯片200的表面形状、发光芯片200发出的光的波长范围。
其中，隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面形状具体可以包括：封装结构400的侧壁与衬底基板100之间的角度、封装结构400所形成的凹槽的底部面积等等。
其中，由于含氟材料的表面具有较低的表面能，为了实现具有疏水性的表面，得到具有凸起拱形的凸面，在一种可选的实施方式中，隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面材料包括：氟。
参照图2，图2示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图。如图2所示，考虑到部分显示装置对颜色的准确度和色域的要求较高。为了进一步增强封装结构400的光线整合和色转换的能力，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，隔断结构300还包括：位于第一隔断子结构301远离衬底基板100一侧的第二隔断子结构302。
封装结构400还包括：第二封装子结构402，位于第一封装子结构401远离衬底基板100的一侧，与第二隔断子结构302朝向发光芯片200一侧的表面形成紧密接触。
其中，第二隔断子结构302朝向发光芯片200一侧的表面能低于第二预设表面能阈值，并且，第二封装子结构402远离衬底基板100一侧的表面为凸面。
通过上述实施例，可以提供双层的封装结构400，增加对光线进行色转换的光路长度以及折射的次数，实现更均匀的光线整合，还有助于提高背光模组出光的均匀度和颜色的准确度，进而拓宽显示装置的色域，提升显示装置的色准。
参照图3，图3示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图。如图3所示，为了进一步适应更多种类发光芯片200发出的不同波长的光，并适应不同的背光模组结构设计，满足光线整合的需求，本申请实施例还考虑利用隔断结构300朝向发光芯片200一侧的表面的亲水性的材料，获得上表面为凹面的封装结构400，形成凹透镜，对光线进行折射整合。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，隔断结构300包括：第三隔断子结构303。
封装结构400包括：第三封装子结构403，与第三隔断子结构303朝向发光芯片200一侧的表面形成紧密接触。
其中，第三隔断子结构303朝向发光芯片200一侧的表面能高于第三预设表面能阈值，并且，第三封装子结构403远离衬底基板100一侧的表面为凹面。
示例性的，第三预设表面能阈值可以是80mN/m。
示例性的，第三隔断子结构303朝向发光芯片200一侧的表面能可以是80mN/m到100mN/m之间的任一值。
上述实施例采用第三隔断子结构303形成表面为凹面的第三封装子结构403，这样的凹陷结构相对于表面为凸面的凸出结构，可以更加有利于在此之上继续形成新的封装结构400，以此进一步增强封装结构400的光线整合和色转换的能力。
参照图4，图4示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图。如图4所示，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，位于第三隔断子结构303远离衬底基板100一侧的第四隔断子结构304。
封装结构400还包括：第四封装子结构404，位于第三封装子结构403远离衬底基板100的一侧，与第四隔断子结构304朝向发光芯片200一侧的表面形成紧密接触。
其中，第四隔断子结构304朝向发光芯片200一侧的表面能低于第四预设表面能阈值，并且，第四封装子结构404远离衬底基板100一侧的表面为凸面。
第四预设表面能阈值小于第三预设表面能阈值。
通过上述实施例，可以同时提供第三封装子结构403和第四封装子结构404，分别形成凹透镜和凸透镜，实现对光线的组合折射整合，还可以延长色转换的光路，进一步增强封装结构400的光线整合和色转换的能力，提升背光模组的出光的均匀性和色彩准确度，进而提高显示装置的色准和色域。
参照图5，图5示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图。如图5所示，为了进一步增强显示装置的色准和色域，还可以进一步增强封装结构400的光线整合和色转换的能力。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，隔断结构300还包括：位于第三隔断子结构303远离衬底基板100一侧的第五隔断子结构305；第五隔断子结构305朝向发光芯片200一侧的表面能高于第五预设表面能阈值。
封装结构400还包括：位于第三封装子结构403远离衬底基板100一侧的第五封装子结构405，以及位于第五封装子结构405远离第三封装子结构403一侧的第六封装子结构406；第五封装子结构405与第四隔断子结构304朝向发光芯片200一侧的表面形成紧密接触。
其中，第五封装子结构405远离衬底基板100一侧的表面为凹面，并且，第五封装子结构405远离衬底基板100一侧的表面为凸面。
进一步地，为了满足色转换的能力，当封装结构400为只有第一封装子结构401或者第三封装子结构403的单层封装结构400的情况下，在一种可选的实施示例中，第一封装子结构401或者第三封装子结构403包括填充层，以及分布于填充层中的色转换结构和散射粒子。
相对地，当封装结构400为多层的情况下，靠近发光芯片200的封装结构400可以只实现散射，色转换可以由远离发光芯片200一侧的封装结构400完成，在一种可选的实施示例中，第一封装子结构401或者第三封装子结构403包括填充层，以及分布于填充层中的散射粒子，并且，第二封装子结构402、第四封装子结构404、第五封装子结构405、第六封装子结构406中的任一者可以包括填充层，以及分布于填充层中的色转换结构。
为了在各层封装结构400中实现相同或者相似的光路设计，在一种可选的实施方式中，本申请实施例中各层封装结构400的凸面的弧度可以相等，由此，第一预设表面能阈值、第二预设表面能阈值和第四预设表面能阈值可以是相等的数值。
相应地，在一种可选的实施方式中，本申请实施例中各层封装结构400的凹面的弧度也可以相等，由此，第三预设表面能阈值和第五预设表面能阈值也可以是相等的数值。
为了在各层封装结构400中实现不同的光路设计，在又一种可选的实施方式中，本申请实施例中各层封装结构400的凸面的弧度可以不相等，由此，第一预设表面能阈值、第二预设表面能阈值和第四预设表面能阈值可以是不相等的数值。
相应地，本申请实施例中各层封装结构400的凹面的弧度也可以不相等，由此，第三预设表面能阈值和第五预设表面能阈值的数值也可以不相等。
通过上述实施例，可以提供三层的封装结构400，不仅进一步延长色转换的光路长度，还再次增加了光线被均匀折射整合的次数，有助于进一步增强封装结构400的光线整合和色转换的能力，提升背光模组的出光的均匀性和色彩准确度，进而提高显示装置的色准、色域和可视角度。
参照图6，图6示出了本申请提供的一个实施例中的又一种背光模组的截面结构示意图。如图6所示，为了防止相邻LED芯片之间出现光线串色的问题，还可以考虑增加遮光矩阵。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，还包括：位于隔断结构300远离衬底基板100一侧的遮光矩阵结构500。
封装结构400与遮光矩阵结构500朝向发光芯片200一侧的表面形成紧密接触。
其中，遮光矩阵结构500可以是低透光性或者不透光的材质，也可以叫做黑矩阵结构。
在上述实施例中，遮光矩阵结构500不但能防止光线串色，同样也可以利用其朝向发光芯片200一侧的设定的表面能，在封装结构400的制造过程中，对流体封装材料进行遮挡和表面弧度的限制，从而对远离衬底基板100一侧的封装结构400起到塑形的作用。
本申请实施例中的发光芯片200可以采用单色光LED芯片，比如蓝光LED芯片。本申请实施例可以进一步地在封装结构400中设置色转换结构，以在背光模组使用单色光LED芯片的情况下，完成红色、绿色、蓝色(RGB三原色)多色的出光。
其中，色转换结构可以是量子点(Quantum Dot,QD)色转换结构，其为纳米半导体材料，具体可以包括：丙烯酸酯和量子点材料。
具体地，通过对QD色转换结构施加一定的电场或光压，可以使QD色转换结构发出特定波长/频率的光，而QD色转换结构发出的光的波长/频率可以随着QD色转换结构或者量子点材料的尺寸的改变而变化，因此，改变色转换结构或者其中的量子点材料的尺寸就可以控制光被转换而成的颜色。
本申请实施例首先考虑利用色转换结构提高芯片发光的色准。受限于半导体的发光原理，发光芯片200发出的光中可能掺有杂光，则其波长范围较宽，为了缩窄光线的波长范围，提高有色光的颜色纯度，无论背光模组使用单色光LED芯片或者多色光LED芯片，都可以采用色转换结构对发光芯片200发出的光进行颜色提纯。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，发光芯片200包括：第一发光芯片200，用于发出第一预设波长范围内的第一颜色光。
封装结构400包括：第一子封装单元410，阵列排布于发光芯片200远离衬底基板100的一侧。
第一子封装单元410，用于将第一颜色光转换为第二预设波长范围内的第二颜色光。
其中，第二预设波长范围位于第一预设波长范围内。
示例性地，在使用发蓝光的单色光LED芯片的背光模组中，第一子封装单元410可以是对应显示蓝色子像素的封装结构400，可以用于通过其中的色转换结构，对实现蓝色子像素显示的发光芯片200发出的较大波长范围的蓝色光进行提纯，从弧面出射较小波长范围的蓝色光。
在又一种示例中，当蓝光LED芯片的颜色纯度足够高，能达到高色准的显示，则第一子封装单元410如果是对应显示蓝色子像素的封装结构400，可以是只包括填充层和散射粒子的无色透明封装结构400，只对透过的光进行折射即可。
在又一种可选的示例中，在使用发出RGB三色的多色光LED芯片的背光模组中，第一子封装单元410可以是对应显示RGB三色子像素的封装结构400，可以用于通过其中的色转换结构，分别对实现RGB三色子像素显示的发光芯片200发出的较大波长范围的三色光进行提纯，从弧面出射较小波长范围的RGB三色光。
在可选的一种实施方式中，在使用多色光LED芯片的背光模组中，蓝光LED芯片与色转换结构结合还可以形成色转换芯片，发出RGB三色光。
参照图7，图7示出了本申请提供的一个实施例中的一种封装结构400的排列示意图。如图7所示，在使用单色光LED芯片的背光模组中，色转换结构可以将一种颜色的光转换为其他颜色的光，完成RGB多色出光。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，封装结构400还包括：第二子封装单元420，与第一子封装单元410交替阵列排布。
第二子封装单元420，还用于将第一颜色光转换为第三预设波长范围内的第三颜色光。
其中，第三预设波长范围与第一预设波长范围不重叠。
示例性地，第一发光芯片200为蓝光LED芯片，第一子封装单元410可以用于对蓝光LED芯片封装，用于发出使蓝光LED芯片发出的蓝色光穿过第一子封装单元410为蓝色光或者为提纯后的蓝色光；第二子封装单元420可以用于对其余蓝光LED芯片封装，用于发出使其余蓝光LED芯片发出的蓝色光穿过第二子封装单元420被转换为红色光或者绿色光。
参照图8，图8示出了本申请提供的一个实施例中的一种又封装结构400的排列示意图。如图8所示，在使用多色光LED芯片的背光模组中，色转换结构可以对各种颜色的光一一对应提纯，提高出光的色准。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，发光芯片200还包括：第二发光芯片200，用于发出第四预设波长范围内的第四颜色光。
第一封装子结构401还包括：第三子封装单元430，与第一子封装单元410交替排布。
第三子封装单元430，还用于将第四颜色光转换为第三预设波长范围内的第三颜色光。
其中，第三预设波长范围位于第四预设波长范围内。
示例性地，第一发光芯片200为蓝光LED芯片，第二发光芯片200为红色LED芯片或者绿色LED芯片，第一子封装单元410可以用于对蓝光LED芯片封装，用于发出使蓝光LED芯片发出的蓝色光穿过第一子封装单元410为蓝色光或者为提纯后的蓝色光；第二子封装单元420可以用于对红色LED芯片或者绿色LED芯片封装，用于发出使红色LED芯片发出的红色光穿过第二子封装单元420为红色光或者为提纯后的红色光，或者使绿色LED芯片发出的绿色光穿过第二子封装单元420为绿色光或者为提纯后的绿色光。
进一步地，为了满足色转换的能力，考虑添加散射粒子延长光线在封装结构400中的传播路径，使光线的颜色充分被转换，在一种可选的实施示例中，第二子封装单元420包括填充层，以及分布于填充层中的色转换结构和散射粒子。
由于光线的提纯对色转换能力的要求相对较低，在一种可选的实施示例中，第一子封装单元410或者第三子封装单元430包括填充层，以及分布于填充层中的色转换结构。
需要注意的是，本申请实施例所提供的图7或者图8中的第一子封装单元410、第二子封装单元420以及第三子封装单元430的形状，仅用于示意性地示出一种封装结构400中的各子封装单元的位置关系，并不限制本申请实施例中封装结构400的外形轮廓或者背光模组的像素发光排列方式。
本申请实施例还考虑在隔断结构300的侧面提供反射层，以增强背光模组的光线整合的能力。为此，在一种可选的实施方式中，本申请还提供了一种背光模组，其中，隔断结构300包括：位于朝向发光芯片200一侧的表面的反射层，用于将发光芯片200发出的光反射到封装结构400中。
具体地，反射层的材料可以包括反射金属。在可选的一种示例中，反射层的材料可以包括银。
其中，为了不影响隔断结构300的表面的亲疏水性对封装结构400的塑造作用，反射层可以位于靠近发光芯片200的一侧。示例性地，反射层的高度可以为隔断结构300的高度的一半。
反射层还可以延伸至封装结构400形成的凹槽的底部，对发光芯片200进行围绕，以进一步提高光线反射的效果，帮助整合光线。
为了对封装结构400进行保护，在一种可选的实施方式中，背光模组还可以包括：在封装结构400和隔断结构300远离衬底基板100的一侧的保护层，用于实现整个背光模组一侧的稳定封装。其中，保护层的材料可以包括：氮氧化硅(SiON)。
通过上述实施例，可以实现以下优点：
(1)通过利用封装结构400形成透镜，使得光线被整合，提高集中度和均匀度，增加光取出能力。
(2)利用封装结构400中的色转换结构和散射粒子，使得发光芯片200发出的光的颜色可以被进一步提纯，增加产品色域。
(3)可以利用隔断结构300的表面材料的亲疏水性差异，形成具有不同表面弧度的凹凸透镜，对光路设计进行调节。还可以通过多层隔断结构300的表面材料的亲疏水性差异，完成更加复杂的光路设计。
(4)封装结构400可以利用喷墨打印的方法进行封装，以此提升发光芯片200的封装效果，有助于提高LED背光模组的点阵密度，实现更加精细的封装模型，提高背光模组所应用的显示装置的像素显示分辨率。
参照图9，图9示出了本申请提供的一个实施例中的一种背光模组的制作方法的步骤流程图。如图9所示，基于同一发明构思，本申请还提供了一种背光模组的制作方法，包括：
步骤S601，提供衬底基板100。
步骤S602，在衬底基板100的一侧，获得阵列排布的多个发光芯片200。
具体地，可以通过巨量转移技术，获得多个mini LED芯片或者micro LED芯片。
步骤S603，围绕各发光芯片200，获得隔断结构300。
其中，隔断结构300围绕各发光芯片200可以形成凹槽，使发光芯片200置于凹槽底部。
步骤S604，在发光芯片远离衬底基板的一侧，喷墨打印流体封装材料，并对流体封装材料进行固化，获得与隔断结构朝向发光芯片一侧的表面形成紧密接触，以密封各发光芯片的封装结构400。
其中，封装结构400远离衬底基板100一侧的表面为弧面，发光芯片发出的光穿过封装结构从弧面出射。
具体地，获得密封各发光芯片200的封装结构400的步骤S604，可以包括：
步骤1001，采用喷墨打印的方式，将与各子封装单元对应的流体封装材料，依次填充到隔断结构300形成的凹槽中。
示例性地，若多个发光芯片200为蓝光LED芯片，则第一子封装单元410对应的流体封装材料可以包括蓝光量子点材料，第二子封装单元420对应的流体封装材料可以包括红光量子点材料和绿光量子点材料，可以按照像素排列方式依次在相应的子像素位置的发光芯片200所在的凹槽，获得包括蓝光量子点材料的流体封装材料、包括红光量子点材料的流体封装材料和包括绿光量子点材料的流体封装材料，具体的顺序可以不作限定。
步骤1002，对流体封装材料进行UV固化。
步骤1002，对流体封装材料进行热固化。
具体地，在获得密封各发光芯片200的封装结构400的步骤S604之后，还可以在封装结构400和隔断结构300远离衬底基板100的一侧获得保护层，对封装结构400进行保护，完成背光模组一侧的稳定封装。
其中，保护层可以是通过CVD气相沉积获得的氮氧化硅。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项实施例中的背光模组或者利用上述任一实施例中的方法制作得到的背光模组。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种电子设备，电子设备包括：显示装置；该显示装置包括上述任一项实施例中的背光模组或者利用上述任一实施例中的方法制作得到的背光模组。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
最后，还需要说明的是，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想。尽管已描述了本申请实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请实施例范围的所有变更和修改。

Claims (15)

1.一种背光模组，其特征在于，包括：
衬底基板；
多个发光芯片，阵列排布于所述衬底基板的一侧；
围绕各所述发光芯片的隔断结构；
封装结构，从所述发光芯片远离所述衬底基板的一侧，与所述隔断结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触，以密封各所述发光芯片；
其中，所述封装结构远离所述衬底基板一侧的表面为弧面，所述发光芯片发出的光穿过所述封装结构从所述弧面出射。
2.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述封装结构包括填充层，以及分布于所述填充层中的色转换结构和/或者散射粒子；
其中，所述填充层的材料包括：树脂类材料，所述色转换结构的材料包括：量子点材料，所述散射粒子的材料包括：金属氧化物材料。
3.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述隔断结构包括：第一隔断子结构；
所述封装结构包括：第一封装子结构，与所述第一隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
所述第一隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能低于第一预设表面能阈值，并且，所述第一封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面。
4.根据权利要求3所述的背光模组，其特征在于，所述隔断结构还包括：位于所述第一隔断子结构远离所述衬底基板一侧的第二隔断子结构；
所述封装结构还包括：第二封装子结构，位于所述第一封装子结构远离所述衬底基板的一侧，与所述第二隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第二隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能低于第二预设表面能阈值，并且，所述第二封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面。
5.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述隔断结构包括：第三隔断子结构；
所述封装结构包括：第三封装子结构，与所述第三隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第三隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能高于第三预设表面能阈值，并且，所述第三封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凹面。
6.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述隔断结构还包括：位于所述第三隔断子结构远离所述衬底基板一侧的第四隔断子结构；
所述封装结构还包括：第四封装子结构，位于所述第三封装子结构远离所述衬底基板的一侧，与所述第四隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第四隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能低于第四预设表面能阈值，并且，所述第四封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面；
所述第四预设表面能阈值小于所述第三预设表面能阈值。
7.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述隔断结构还包括：位于所述第三隔断子结构远离所述衬底基板一侧的第五隔断子结构；所述第五隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面能高于第五预设表面能阈值；
所述封装结构还包括：位于所述第三封装子结构远离所述衬底基板一侧的第五封装子结构，以及位于所述第五封装子结构远离所述第三封装子结构一侧的第六封装子结构；所述第五封装子结构与所述第五隔断子结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触；
其中，所述第五封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凹面，并且，所述第六封装子结构远离所述衬底基板一侧的表面为凸面。
8.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，还包括：位于所述隔断结构远离所述衬底基板一侧的遮光矩阵结构；
所述封装结构与所述遮光矩阵结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成密紧密接触。
9.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述发光芯片包括：第一发光芯片，用于发出第一预设波长范围内的第一颜色光；
所述封装结构包括：第一子封装单元，阵列排布于所述发光芯片远离所述衬底基板的一侧；
所述第一子封装单元，用于将所述第一颜色光转换为第二预设波长范围内的第二颜色光；
其中，所述第二预设波长范围位于所述第一预设波长范围内。
10.根据权利要求9所述的背光模组，其特征在于，所述封装结构还包括：第二子封装单元，与所述第一子封装单元交替阵列排布；
所述第二子封装单元，还用于将所述第一颜色光转换为第三预设波长范围内的第三颜色光；
其中，所述第三预设波长范围与所述第一预设波长范围不重叠。
11.根据权利要求9所述的背光模组，其特征在于，所述发光芯片还包括：第二发光芯片，用于发出第四预设波长范围内的第四颜色光；
所述第一封装子结构还包括：第三子封装单元，与所述第一子封装单元交替排布；
所述第三子封装单元，还用于将所述第四颜色光转换为第三预设波长范围内的第三颜色光；
其中，所述第三预设波长范围位于所述第四预设波长范围内。
12.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述隔断结构朝向所述发光芯片一侧的表面材料包括：氟。
13.根据权利要求1至12任一项所述的背光模组，其特征在于，所述隔断结构包括：位于朝向所述发光芯片一侧表面的反射层，用于将所述发光芯片发出的光反射到所述封装结构中。
14.一种背光模组的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧，获得阵列排布的多个发光芯片；
围绕各所述发光芯片，获得隔断结构；
在所述发光芯片远离所述衬底基板的一侧，喷墨打印流体封装材料，并对所述流体封装材料进行固化，获得与所述隔断结构朝向所述发光芯片一侧的表面形成紧密接触，以密封各所述发光芯片的封装结构；
其中，所述封装结构远离所述衬底基板一侧的表面为弧面，所述发光芯片发出的光穿过所述封装结构从所述弧面出射。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至13任一项所述的背光模组，或者利用如权利要求14所述的制作方法得到的背光模组。
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