CN116034463A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents
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Abstract
高频模块(1)具备:模块基板(91),具有主面(91a、91b);1个以上的模块部件,配置于主面(91a);树脂构件(92),覆盖主面(91a);和金属屏蔽层(95),覆盖树脂构件(92)以及1个以上的模块部件各自的顶面,被设定为接地电位。作为1个以上的模块部件之一的子模块部件(190)具有:子模块基板(191),具有主面(191a、191b);第1电路部件,配置于主面(191a);1个以上的第2电路部件,配置于主面(191a或191b);树脂构件(192),覆盖主面(191a);和侧面屏蔽层(194),覆盖树脂构件(192)以及子模块基板(191)各自的侧面,被设定为接地电位。侧面屏蔽层(194)的顶面侧的端面与金属屏蔽层(95)相接。
Description
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中,特别是,伴随多频段化的发展,构成高频前端模块的电路部件的配置结构复杂化。在专利文献1中公开了功率放大器、低噪声放大器、开关电路以及双向器被封装化的前端电路。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-137522号公报
发明内容
发明要解决的问题
在这样的以往的前端电路中,担心电特性(例如,噪声指数(NF)、增益特性等)的劣化。
因此,本发明的目的在于,提供一种能够改善电特性的高频模块以及通信装置。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式涉及的高频模块具备:第1基板,具有第1主面以及该第1主面的相反侧的第2主面;1个以上的模块部件,配置于第1主面;第1树脂构件,覆盖第1主面;和第1金属屏蔽层,覆盖第1树脂构件以及1个以上的模块部件各自的顶面,被设定为接地电位,
1个以上的模块部件各自具有:第2基板,具有第3主面以及该第3主面的相反侧的第4主面;第1电路部件,配置于第3主面;1个以上的第2电路部件,配置于第3主面或第4主面;第2树脂构件,覆盖第3主面;和第2金属屏蔽层,覆盖第2树脂构件以及第2基板各自的侧面,被设定为接地电位,
第2金属屏蔽层的顶面侧的端面与第1金属屏蔽层相接。
此外,本发明的一个方式涉及的通信装置具备:RF信号处理电路,对由天线收发的高频信号进行处理;和高频模块,在天线与RF信号处理电路之间传输高频信号。
发明效果
根据本发明涉及的高频模块等,能够改善电特性。
附图说明
图1是实施方式涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。
图2是实施例1涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施例1涉及的高频模块的剖视图。
图4是实施例2涉及的高频模块的俯视图。
图5是实施例2涉及的高频模块的剖视图。
图6是实施例3涉及的高频模块的俯视图。
具体实施方式
以下,利用附图对本发明的实施方式涉及的高频模块以及通信装置详细地进行说明。另外,以下说明的实施方式均示出本发明的一个具体例子。因此,以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等为一个例子,其主旨并不是限定本发明。因而,关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素,作为任意的构成要素进行说明。
此外,各图为示意图,未必严谨地进行了图示。因此,例如,在各图中比例尺等未必一致。此外,在各图中,对于实质上相同的结构标注相同的附图标记,省略或简化重复的说明。
此外,在本说明书中,平行或垂直等表示要素间的关系性的术语、和矩形或直线等表示要素的形状的术语、以及数值范围并非是仅表示严格的意思的表述,而是意味着实质上等同的范围、例如还包含几%程度的差异的表述。
此外,在本说明书中,“上方”以及“下方”这样的术语并不是指绝对空间识别中的上方向(铅垂上方)以及下方向(铅垂下方),而是作为基于层叠结构中的层叠顺序通过相对位置关系来规定的术语而使用。因此,例如,部件或构件的“上表面”或“顶面”在实际的使用方式中不仅可以成为铅垂上方侧的面,还可以成为铅垂下方侧的面、或者相对于水平方向正交的面等各种各样的面。另外,所谓部件或构件的“顶面”,意味着该部件或该构件的最上表面。
此外,在本说明书以及附图中,x轴、y轴以及z轴示出了三维正交坐标系的三个轴。在模块基板的俯视形状为矩形的情况下,x轴以及y轴分别为与该矩形的第1边、以及和该第1边正交的第2边平行的方向。z轴是模块基板的厚度方向。另外,在本说明书中,所谓模块基板的“厚度方向”,是指与模块基板的主面垂直的方向。
此外,在本说明书中,所谓“连接”,不仅包含通过连接端子和/或布线导体而直接连接的情况,还包含经由其他电路元件而电连接的情况。此外,所谓“连接在A与B之间”,意味着在A与B之间和A以及B双方连接。
此外,在本发明的部件配置中,所谓“模块基板的俯视”,意味着从z轴正侧向xy平面对物体进行正投影来观察。此外,所谓“部件配置于基板”,除了部件以与基板接触的状态配置在基板上之外,还包含不与基板接触地配置在基板的上方(例如,部件层叠于配置在基板上的其他部件上)、以及部件的一部分或全部嵌入基板内而配置。此外,所谓“部件配置于基板的主面”,除了部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上之外,还包含部件不与主面接触地配置在主面的上方、以及部件的一部分从主面侧嵌入基板内而配置。此外,所谓“A配置在B与C之间”,意味着将B内的任意的点和C内的任意的点连结的多个线段中的至少1个通过A。
此外,在本说明书中,“第1”、“第2”等序数词,只要没有特别说明,就不是意味着构成要素的数量或顺序,而是以避免同种的构成要素的混淆并进行区分为目的而使用的。
(实施方式)
[1.高频模块以及通信装置的电路结构]
利用图1对实施方式涉及的高频模块以及通信装置的电路结构进行说明。图1是本实施方式涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。
[1-1.通信装置的电路结构]
首先,对通信装置5的电路结构进行说明。通信装置5是在通信系统中使用的装置,例如是智能手机以及平板计算机等便携式终端。如图1所示,本实施方式涉及的通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3、和基带信号处理电路(BBIC)4。
高频模块1在天线2与RFIC3之间传输高频信号。关于高频模块1的内部结构将在后面叙述。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接,发送从高频模块1输出的高频信号,此外,从外部接收高频信号并向高频模块1输出。
RFIC3是对由天线2收发的高频信号进行处理的信号处理电路的一个例子。具体地,RFIC3通过下变频等对经由高频模块1的接收路径而输入的高频接收信号进行信号处理,并将进行该信号处理而生成的接收信号向BBIC4输出。此外,RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理,并将进行该信号处理而生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送路径。此外,RFIC3具有对高频模块1所具有的开关以及放大器等进行控制的控制部。另外,RFIC3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装在RFIC3的外部,例如可以安装在BBIC4或高频模块1。
BBIC4是利用比高频模块1所传输的高频信号低频的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC4处理的信号,例如,可使用图像显示用的图像信号、和/或经由扬声器的通话用的声音信号。
另外,在本实施方式涉及的通信装置5中,天线2以及BBIC4并非是必须的构成要素。
[1-2.高频模块的电路结构]
接着,对高频模块1的电路结构进行说明。如图1所示,高频模块1具备功率放大器11、PA控制电路12、低噪声放大器21、匹配电路31以及41、开关51~53、双工器(Diplexer)60、双向器(Duplexer)61以及62、匹配电路71以及72、天线连接端子100、高频输入端子111、控制输入端子112、电源端子113、和高频输出端子121。
天线连接端子100与天线2连接。
高频输入端子111是用于从高频模块1的外部接受高频发送信号的端子。在本实施方式中,高频输入端子111是用于从RFIC3接受通信频段A以及B的发送信号的端子。
控制输入端子112是用于接受数字信号的端子,该数字信号用于控制功率放大器11的增益、和向功率放大器11供给的电源电压以及偏置电压。例如,控制输入端子112是MIPI(Mobile Industry Processor Interface,移动产业处理器接口)端子,从RFIC3接受数字信号。
电源端子113是接受直流电力的端子,该直流电力成为向功率放大器11供给的电源电压以及偏置电压的基础。
高频输出端子121是用于向高频模块1的外部提供高频接收信号的端子。在本实施方式中,高频输出端子121是用于向RFIC3提供通信频段A以及B的接收信号的端子。
另外,所谓通信频段,意味着由标准化组织等(例如3GPP(3rd GenerationPartnership Project,第三代合作伙伴计划)以及IEEE(Institute of Electrical andElectronics Engineers,电气与电子工程师协会)等)为通信系统预先定义的频率段。
在此,所谓通信系统,意味着利用无线接入技术(RAT:Radio Access Technology)构建的通信系统。作为通信系统,例如能够使用5GNR(5th Generation New Radio,第五代新空口)系统、LTE(Long Term Evolution,长期演进)系统以及WLAN(Wireless Local AreaNetwork,无线局域网)系统等,但不限定于此。
通信频段A是第1通信频段的一个例子。通信频段B是第2通信频段的一个例子。通信频段A以及B是相互不同的通信频段。在本实施方式中,作为通信频段A以及B,分别使用了频分双工(FDD:Frequency Division Duplex)用的通信频段。更具体地,作为通信频段A以及B,分别可使用LTE用的频段B1、频段B2、频段B3或频段B7、或者5GNR用的频段n1、频段n2、频段n3或频段n7,但通信频段A以及B不限定于这些。
或者,作为通信频段A以及B的至少一者,也可以使用时分双工(TDD:TimeDivision Duplex)用的通信频段。更具体地,作为通信频段A以及B的至少一者,也可以使用LTE用的频段B32、频段B39、频段B40或频段B41、或者5GNR用的频段n39、频段n40或频段n41。
功率放大器11能够对通信频段A以及B的发送信号进行放大。在此,功率放大器11的输入端子与高频输入端子111连接,功率放大器11的输出端子与匹配电路31连接。
功率放大器11的结构没有特别限定。例如,功率放大器11既可以是单级结构,也可以是多级结构。例如,功率放大器11也可以具有被级联连接的多个放大元件。此外,功率放大器11也可以将高频信号变换为差动信号(即互补信号)来进行放大。这样的功率放大器11有时被称为差动放大器。
PA控制电路12是控制功率放大器11的控制电路的一个例子。PA控制电路12基于经由控制输入端子112而输入的数字信号,对功率放大器11的增益进行控制。
PA控制电路12例如是1个半导体集成电路。半导体集成电路例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)构成,具体地,通过SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上硅)工艺而构成。由此,能够廉价地制造半导体集成电路。另外,半导体集成电路也可以由GaAs、SiGe以及GaN之中的至少一个构成。
低噪声放大器21能够对由天线连接端子100接受的通信频段A以及B的接收信号进行放大。在此,低噪声放大器21的输入端子与匹配电路41连接,低噪声放大器21的输出端子与高频输出端子121连接。
低噪声放大器21的结构没有特别限定。例如,低噪声放大器21既可以是单级结构,也可以是多级结构。此外,低噪声放大器21也可以是差动放大器。
另外,功率放大器11以及低噪声放大器21例如由以Si系的CMOS或者GaAs为材料的、场效应晶体管(FET)或者异质结双极晶体管(HBT)等构成。
双工器60是多工器的一个例子,包含滤波器60L以及60H。滤波器60L是将包含通信频段A以及B的频率范围作为通带的滤波器。滤波器60L例如是低通滤波器。滤波器60H是将包含与通信频段A以及B不同的通信频段的频率范围作为通带的滤波器。具体地,滤波器60H的通带是比滤波器60L的通带高的频带。滤波器60H例如是高通滤波器。滤波器60L以及60H的至少一者也可以是带通滤波器或带阻滤波器。
双向器61是具有包含通信频段A的通带的第1滤波器的一个例子。双向器61使通信频段A的高频信号通过。双向器61以FDD方式来传输通信频段A的发送信号和接收信号。双向器61包含发送滤波器61T以及接收滤波器61R。
发送滤波器61T具有包含通信频段A的上行链路工作频段(uplink operatingband)的通带。发送滤波器61T的一端经由匹配电路71以及开关51而与天线连接端子100连接。发送滤波器61T的另一端经由开关52以及匹配电路31而与功率放大器11的输出端子连接。
所谓上行链路工作频段,意味着被指定为上行链路用的通信频段的一部分。在高频模块1中,上行链路工作频段意味着发送频带。
接收滤波器61R具有包含通信频段A的下行链路工作频段(downlink operatingband)的通带。接收滤波器61R的一端经由匹配电路71以及开关51而与天线连接端子100连接。接收滤波器61R的另一端经由开关53以及匹配电路41而与低噪声放大器21的输入端子连接。
所谓下行链路工作频段,意味着被指定为下行链路用的通信频段的一部分。在高频模块1中,下行链路工作频段意味着接收频带。
双向器62是具有包含通信频段B的通带的第2滤波器的一个例子。双向器62使通信频段B的高频信号通过。双向器62以FDD方式来传输通信频段B的发送信号和接收信号。双向器62包含发送滤波器62T以及接收滤波器62R。
发送滤波器62T具有包含通信频段B的上行链路工作频段的通带。发送滤波器62T的一端经由匹配电路72以及开关51而与天线连接端子100连接。发送滤波器62T的另一端经由开关52以及匹配电路31而与功率放大器11的输出端子连接。
接收滤波器62R具有包含通信频段B的下行链路工作频段的通带。接收滤波器62R的一端经由匹配电路72以及开关51而与天线连接端子100连接。接收滤波器62R的另一端经由开关53以及匹配电路41而与低噪声放大器21的输入端子连接。
滤波器60L以及60H、发送滤波器61T以及62T和接收滤波器61R以及62R例如是使用了SAW(Surface Acoustic Wave,表面声波)的弹性波滤波器、使用了BAW(Bulk AcousticWave,体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器的任一者,但不限定于这些。
开关51是第1开关的一个例子,连接在天线连接端子100与双向器61以及62各自之间。开关51也被称为天线开关。具体地,开关51具有端子511~513。端子511是经由滤波器60L而与天线连接端子100连接的公共端子。端子512是经由匹配电路71而与发送滤波器61T以及接收滤波器61R连接的选择端子。端子513是经由匹配电路72而与发送滤波器62T以及接收滤波器62R连接的选择端子。
开关51例如能够基于来自RFIC3的控制信号将端子512以及513的任一者连接于端子511。由此,开关51对(a)天线连接端子100与发送滤波器61T以及接收滤波器61R的连接、和(b)天线连接端子100与发送滤波器62T以及接收滤波器62R的连接进行切换。开关51例如是SPDT(Single Pole Double Throw,单刀双掷)型的开关电路。另外,开关51也可以是能够同时执行上述(a)以及(b)的连接的多连接型的开关电路。
开关52是第2开关的一个例子,连接在双向器61以及62各自与功率放大器11之间。具体地,开关52具有端子521~523。端子521是经由匹配电路31而与功率放大器11的输出端子连接的公共端子。端子522是与发送滤波器61T连接的选择端子。端子523是与发送滤波器62T连接的选择端子。
开关52例如能够基于来自RFIC3的控制信号将端子522以及523的任一者连接于端子521。由此,开关52对功率放大器11与发送滤波器61T的连接、和功率放大器11与发送滤波器62T的连接进行切换。开关52例如是SPDT型的开关电路。
开关53是第3开关的一个例子,连接在双向器61以及62各自与低噪声放大器21之间。具体地,开关53具有端子531~533。端子531是经由匹配电路41而与低噪声放大器21的输入端子连接的公共端子。端子532是与接收滤波器61R连接的选择端子。端子533是与接收滤波器62R连接的选择端子。
开关53例如能够基于来自RFIC3的控制信号将端子532以及533的任一者连接于端子531。由此,开关53对低噪声放大器21与接收滤波器61R的连接、和低噪声放大器21与接收滤波器62R的连接进行切换。开关53例如是SPDT型的开关电路。
匹配电路31与功率放大器11的输出端子连接。具体地,匹配电路31连接在功率放大器11与开关52之间。匹配电路31取得功率放大器11与双向器61的发送滤波器61T以及双向器62的发送滤波器62T的阻抗匹配。
匹配电路41与低噪声放大器21的输入端子连接。具体地,匹配电路41连接在低噪声放大器21与开关53之间。匹配电路41取得低噪声放大器21与双向器61的接收滤波器61R以及双向器62的接收滤波器62R的阻抗匹配。
匹配电路71与双向器61连接。具体地,匹配电路71连接在发送滤波器61T以及接收滤波器61R各自与开关51之间。匹配电路71取得发送滤波器61T以及接收滤波器61R各自与天线2以及开关51的阻抗匹配。
匹配电路72与双向器62连接。具体地,匹配电路72连接在发送滤波器62T以及接收滤波器62R各自与开关51之间。匹配电路72取得发送滤波器62T以及接收滤波器62R各自与天线2以及开关51的阻抗匹配。
此外,匹配电路31、41、71以及72分别利用电感器、电容器以及电阻的至少一个来形成。例如,匹配电路31、41、71以及72分别包含片状的电感器。另外,也可以取代匹配电路31,或者除了匹配电路31之外,在开关52与发送滤波器61T以及62T各自之间设置有匹配电路。此外,也可以取代匹配电路41,或者除了匹配电路41之外,在开关53与接收滤波器61R以及62R各自之间设置有匹配电路。此外,也可以取代匹配电路71以及72,或者除了匹配电路71以及72之外,在开关51与滤波器60L之间设置有匹配电路。此外,也可以在天线连接端子100与滤波器60L之间设置有匹配电路。
另外,高频模块1的电路结构不限定于图1所示的例子。例如,高频模块1也可以具备对通过双工器60的滤波器60H的高频信号进行处理的发送电路以及接收电路的至少一者。或者,高频模块1也可以具备用于将通过滤波器60H的高频信号从发送电路输入和/或输出到接收电路的外部连接端子。
此外,图1所示的电路元件的若干个也可以不包含于高频模块1。例如,高频模块1也可以不具备匹配电路31、41、71以及72的至少一个。此外,高频模块1也可以不具备双工器60。
[2.高频模块的部件配置]
接着,对如以上那样构成的高频模块1的部件配置的多个实施例进行说明。
[2-1.实施例1]
首先,利用图2以及图3对部件配置的实施例1进行说明。图2是实施例1涉及的高频模块1的俯视图。具体地,图2的(a)示出从z轴正侧观察模块基板91的主面91a的图。图2的(b)是从z轴正侧透视模块基板91的主面91b的图。图3是实施例1涉及的高频模块1的剖视图。图3中的高频模块1的剖面是图2的III-III线处的剖面。
如图2以及图3所示,高频模块1除了具备包含图1所示的电路元件在内的多个电路部件之外,还具备模块基板91、树脂构件92以及93、金属屏蔽层95、和多个外部连接端子150。另外,在图2中,省略了树脂构件92以及93、和金属屏蔽层95的上部的图示。
此外,如图2的(a)以及图3所示,高频模块1具备子模块部件190以及290。子模块部件190以及290分别是1个以上的模块部件的一个例子。图1所示的电路元件的至少一部分包含于子模块部件190以及290。关于子模块部件190以及290的具体的结构,在后面进行说明。
模块基板91是第1基板的一个例子,具有主面91a、以及主面91a的相反侧的主面91b。在本实施例中,模块基板91在俯视下具有矩形形状,但模块基板91的形状不限定于此。作为模块基板91,例如,能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC:LowTemperature Co-fired Ceramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC:High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重布线层(RDL:Redistribution Layer)的基板、或者印刷基板等,但不限定于这些。
主面91a是第1主面的一个例子,有时被称为上表面或表面。如图2的(a)所示,在主面91a配置有子模块部件190以及290、和匹配电路41。
主面91b是第2主面的一个例子,有时被称为下表面或背面。如图2的(b)所示,在主面91b配置有PA控制电路12、半导体集成电路20、开关51以及52、和多个外部连接端子150。
半导体集成电路20是具有形成在半导体芯片(也被称为裸片)的表面以及内部的电子电路的电子部件。在本实施方式中,半导体集成电路20包含低噪声放大器21以及开关53。半导体集成电路20例如由CMOS构成,具体地也可以通过SOI工艺而构成。由此,能够廉价地制造半导体集成电路20。另外,半导体集成电路20也可以由GaAs、SiGe以及GaN之中的至少1个构成。由此,能够实现高品质的半导体集成电路20。
多个外部连接端子150除了包含图1所示的天线连接端子100、高频输入端子111、控制输入端子112、电源端子113以及高频输出端子121之外,还包含接地端子。多个外部连接端子150各自与配置在高频模块1的z轴负侧的母基板上的输入输出端子和/或接地端子等连接。多个外部连接端子150例如是贯通树脂构件93的柱电极,但不限于此。
树脂构件92是第1树脂构件的一个例子,配置在模块基板91的主面91a上,并覆盖主面91a。具体地,树脂构件92设置为覆盖主面91a之中未配置子模块部件190以及290的区域。树脂构件92覆盖配置于该区域的匹配电路41。此外,树脂构件92覆盖子模块部件190以及290各自的侧面。
树脂构件93配置在模块基板91的主面91b上,并覆盖主面91b。具体地,树脂构件93设置在主面91b的整面,并覆盖配置于主面91b的PA控制电路12、半导体集成电路20、开关51以及52。在本实施例中,设置有多个外部连接端子150,使得贯通树脂构件93。
金属屏蔽层95是第1金属屏蔽层的一个例子,覆盖树脂构件92的顶面、和子模块部件190以及290各自的顶面。金属屏蔽层95还覆盖树脂构件92的侧面、子模块部件190以及290各自的侧面、模块基板91的侧面、和树脂构件93的侧面。金属屏蔽层95例如是通过溅射法形成的金属薄膜。金属屏蔽层95被设定为接地电位,抑制外来噪声侵入构成高频模块1的电路部件。
子模块部件190是第2模块部件的一个例子。子模块部件190除了具备包含图1所示的电路元件的至少1个在内的电路部件之外,还具备子模块基板191、树脂构件192以及193、和侧面屏蔽层194。子模块部件190包含图1所示的电路元件之中的功率放大器11和匹配电路31。
子模块基板191是第2基板的一个例子,具有主面191a、以及主面191a的相反侧的主面191b。在本实施例中,子模块基板191在俯视下具有矩形形状,但子模块基板191的形状不限定于此。在图2的(a)中,为了使子模块基板191所占的范围容易理解,标注了点状的网格。子模块基板191在俯视下与模块基板91共享3个边(具体地,1个边的整体和2个边的一部分)。作为子模块基板191,例如,能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷基板、高温共烧陶瓷基板、部件内置基板、具有重布线层的基板、或者印刷基板等,但不限定于这些。
主面191a是第3主面的一个例子,有时被称为上表面或表面。如图2的(a)所示,在主面191a配置有功率放大器11以及匹配电路31。
功率放大器11是第1电路部件的一个例子。在本实施例中,如图3所示,功率放大器11的顶面与金属屏蔽层95相接。另外,功率放大器11的侧面也可以与金属屏蔽层95相接。
匹配电路31是第2电路部件的一个例子。另外,匹配电路31也可以配置于主面191b。匹配电路31的顶面以及侧面的至少一者既可以与金属屏蔽层95相接,也可以不与金属屏蔽层95相接。
主面191b是第4主面的一个例子,有时被称为下表面或背面。主面191b与模块基板91的主面91a面对。在主面191b未配置电路部件,而配置有用于与模块基板91电连接的1个以上的电极端子。
树脂构件192是第2树脂构件的一个例子,配置在子模块基板191的主面191a上,并覆盖主面191a。具体地,树脂构件192设置为覆盖主面191a之中未配置功率放大器11的区域。树脂构件192覆盖配置于该区域的匹配电路31。另外,如图3所示,在功率放大器11与主面191a之间设置有间隙的情况下,树脂构件192也可以设置为填补该间隙。
树脂构件193是第3树脂构件的一个例子,配置在子模块基板191的主面191b上,并覆盖主面191b。具体地,树脂构件193设置在主面191b的整面。在本实施例中,设置有多个电极端子,使得贯通树脂构件193。
侧面屏蔽层194是第2金属屏蔽层的一个例子,覆盖树脂构件192的侧面、子模块基板191的侧面、和树脂构件193的侧面。如图3所示,侧面屏蔽层194的上端面(顶面侧的端面)与金属屏蔽层95相接。此外,侧面屏蔽层194的下端面与模块基板91的主面91a相接。侧面屏蔽层194例如是通过溅射法形成的金属薄膜。
如图2的(a)所示,侧面屏蔽层194在俯视下沿着矩形的子模块部件190的1个边而设置。由此,子模块部件190所包含的功率放大器11以及匹配电路31在俯视下被侧面屏蔽层194和金属屏蔽层95包围。侧面屏蔽层194被设定为接地电位,因此能够抑制子模块部件190所包含的电路部件和其他电路部件的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。
另外,侧面屏蔽层194也可以分别覆盖子模块部件190的4个侧面。在该情况下,侧面屏蔽层194和金属屏蔽层95变得配置为双层,能够更强地抑制外来噪声的侵入。
此外,在本实施例中,子模块部件190的顶面为平面,其整面与金属屏蔽层95相接。具体地,功率放大器11的顶面、树脂构件192的顶面、以及侧面屏蔽层194的上端面齐平,分别与金属屏蔽层95相接。
子模块部件290是第1模块部件的一个例子。子模块部件290除了具备包含图1所示的电路元件的至少1个在内的电路部件之外,还具备子模块基板291、树脂构件292以及293、和侧面屏蔽层294。子模块部件290包含图1所示的电路元件之中的双工器60、双向器61以及62、和匹配电路71以及72。
子模块基板291是第2基板的一个例子,具有主面291a、以及主面291a的相反侧的主面291b。在本实施例中,子模块基板291在俯视下具有矩形形状,但子模块基板291的形状不限定于此。在图2的(a)中,为了使子模块基板291所占的范围容易理解,标注了斜的虚线的网格。子模块基板291在俯视下与模块基板91共享2个边的一部分。作为子模块基板291,例如,能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷基板、高温共烧陶瓷基板、部件内置基板、具有重布线层的基板、或者印刷基板等,但不限定于这些。
主面291a是第3主面的一个例子,有时被称为上表面或表面。如图2的(a)所示,在主面291a配置有双工器60、双向器61以及62、和匹配电路71以及72。
双向器61以及62和双工器60分别是第1电路部件的一个例子。在本实施例中,如图3所示,双向器61的顶面与金属屏蔽层95相接。虽未图示,但双向器62以及双工器60各自的顶面与金属屏蔽层95相接。另外,双向器61或62或者双工器60的侧面也可以与金属屏蔽层95相接。此外,双向器62以及双工器60也可以是第2电路部件的一个例子,顶面也可以不与金属屏蔽层95相接。此外,双向器62以及双工器60也可以配置于主面291b。
匹配电路71以及72是第2电路部件的一个例子。另外,匹配电路71以及72也可以配置于主面291b。匹配电路71以及72各自的顶面以及侧面的至少一者既可以与金属屏蔽层95相接,也可以不与金属屏蔽层95相接。
主面291b是第4主面的一个例子,有时被称为下表面或背面。主面291b与模块基板91的主面91a面对。在主面291b未配置电路部件,而配置有用于与模块基板91电连接的1个以上的电极端子。
树脂构件292是第2树脂构件的一个例子,配置在子模块基板291的主面291a上,并覆盖主面291a。具体地,树脂构件292设置为覆盖主面291a之中未配置双工器60和双向器61以及62的区域。树脂构件292覆盖配置于该区域的匹配电路71以及72。另外,如图3所示,在双向器61与主面291a之间设置有间隙的情况下,树脂构件292也可以设置为填补该间隙。双工器60以及双向器62的情况也是同样的。
树脂构件293是第3树脂构件的一个例子,配置在子模块基板291的主面291b上,并覆盖主面291b。具体地,树脂构件293设置于主面291b的整面。在本实施例中,设置有多个电极端子,使得贯通树脂构件293。
侧面屏蔽层294是第2金属屏蔽层的一个例子,覆盖树脂构件292的侧面、子模块基板291的侧面、和树脂构件293的侧面。如图3所示,侧面屏蔽层294的上端面(顶面侧的端面)与金属屏蔽层95相接。此外,侧面屏蔽层294的下端面与模块基板91的主面91a相接。侧面屏蔽层294例如是通过溅射法形成的金属薄膜。
如图2的(a)所示,侧面屏蔽层294在俯视下沿着矩形的子模块部件290的2个边而设置为L字状。由此,子模块部件290所包含的双工器60、双向器61以及62、和匹配电路71以及72在俯视下被侧面屏蔽层294和金属屏蔽层95包围。侧面屏蔽层294被设定为接地电位,因此能够抑制子模块部件290所包含的电路部件和其他电路部件的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。
另外,侧面屏蔽层294也可以分别覆盖子模块部件290的4个侧面。在该情况下,侧面屏蔽层294和金属屏蔽层95变得配置为双层,能够更强地抑制外来噪声的侵入。
此外,在本实施例中,子模块部件290的顶面为平面,其整面与金属屏蔽层95相接。具体地,双工器60的顶面、双向器61以及62各自的顶面、树脂构件292的顶面、和侧面屏蔽层294的上端面齐平,分别与金属屏蔽层95相接。
在本实施例中,子模块部件190以及290、和树脂构件92各自的顶面齐平。关于变得齐平的顶面(即,平坦面),通过在模块基板91的主面91a配置子模块部件190以及290和匹配电路41,用成为树脂构件92的基础的树脂材料进行模制,使树脂材料固化之后,从顶面侧对固化了的树脂材料进行研磨,由此形成。通过进行研磨使得子模块部件190以及290的顶面露出,或者,通过对子模块部件190以及290已露出的顶面进一步进行研磨,由此能够使子模块部件190以及290、和树脂构件92各自的顶面变得齐平。
另外,在子模块部件190以及290的顶面形成侧面屏蔽层194以及294时,也可以同时形成金属屏蔽层。形成于子模块部件190以及290的顶面的金属屏蔽层通过研磨而被除去,但也可以不被除去而残留。即,设置于子模块部件190以及290的顶面的金属屏蔽层和金属屏蔽层95也可以相接地设置。
[2-2.实施例2]
接着,利用图4以及图5对部件配置的实施例2进行说明。图4是实施例2涉及的高频模块1A的俯视图。具体地,图4的(a)示出从z轴正侧观察模块基板91的主面91a的图。图4的(b)示出从z轴正侧透视模块基板91的主面91b的图。图5是实施例2涉及的高频模块1A的剖视图。图5中的高频模块1A的剖面是图4的V-V线处的剖面。
如图4以及图5所示,实施例2涉及的高频模块1A与实施例1相比较,不同点主要在于,取代2个子模块部件190以及290而具备1个子模块部件290A。
如图4的(a)所示,子模块部件290A设置在模块基板91的主面91a的中央附近。具体地,在俯视下,子模块部件290A不与模块基板91共享边。因此,子模块部件290A的侧面屏蔽层294A在俯视下遍及子模块部件290A的周围整周而设置为矩形的环状。即,侧面屏蔽层294A设置在子模块部件290A的全部4个侧面。
此外,子模块部件290A不包含双工器60。双工器60配置于模块基板91的主面91a。此外,在本实施例中,功率放大器11以及匹配电路31配置于模块基板91的主面91a。
此外,高频模块1A具备2个虚设构件81以及82。虚设构件81以及82例如是被设定为接地电位的导电构件。虚设构件81以及82既可以是被焊接的金属板,也可以是镀敷生长而成的金属层。
虚设构件81以及82在俯视下分别配置于子模块部件290A的侧面屏蔽层294A与金属屏蔽层95之间。例如,虚设构件81配置为填补侧面屏蔽层294A与金属屏蔽层95之间的空间的一半以上。具体地,在着眼于沿着y轴的长度的情况下,虚设构件81的宽度(沿着y轴的长度)比虚设构件81与金属屏蔽层95的间隔和虚设构件81与侧面屏蔽层294A的间隔的合计长。另外,虚设构件81也可以与侧面屏蔽层294A和金属屏蔽层95的至少一者相接。关于虚设构件82也是同样的。
虚设构件81在俯视下配置于匹配电路41与功率放大器11之间。由此,能够通过虚设构件81来抑制功率放大器11与匹配电路41的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。因此,能够使收发间的隔离度提高。
虚设构件82在俯视下配置于匹配电路31或功率放大器11与双工器60之间。由此,能够通过虚设构件82来抑制匹配电路31或功率放大器11与双工器60的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。
另外,如本实施例这样,在高频模块1A所具备的子模块部件仅为1个的情况下,该子模块部件所包含的电路元件的种类没有特别限定。例如,高频模块1A也可以取代子模块部件290A而具备包含功率放大器11的子模块部件190。
[2-3.实施例3]
接着,利用图6对部件配置的实施例3进行说明。图6是实施例3涉及的高频模块1B的俯视图。
如图6所示,实施例3涉及的高频模块1B与实施例1相比较,不同点主要在于,图1所示的电路元件的全部(除了端子之外)配置于主面91a。即,高频模块1B是被单面安装的模块。
具体地,如图6所示,高频模块1B具备子模块部件190B以及290B。
子模块部件190B包含功率放大器11、PA控制电路12、匹配电路31、和开关52。在此,PA控制电路12、匹配电路31以及开关52分别是第2电路部件的一个例子。
子模块部件290B包含双工器60、开关51、双向器61以及62、和匹配电路71以及72。在此,开关51和匹配电路71以及72是第2电路部件的一个例子。
在本实施例中,包含低噪声放大器21以及开关53的半导体集成电路20、和匹配电路41直接配置于模块基板91的主面91a。
另外,在本实施例中,高频模块1B也可以不具备子模块部件190B。具体地,功率放大器11、PA控制电路12、匹配电路31以及开关52也可以直接配置于模块基板91的主面91a。或者,高频模块1B也可以不具备子模块部件290B。具体地,双工器60、双向器61以及62、和匹配电路71以及72也可以直接配置于模块基板91的主面91a。此外,高频模块1B也可以具备包含半导体集成电路20和匹配电路41的子模块部件,该半导体集成电路20包含低噪声放大器21以及开关53。
[3.效果等]
如以上那样,本实施方式涉及的高频模块1具备:模块基板91,具有主面91a以及91b;1个以上的模块部件,配置于主面91a;树脂构件92,覆盖主面91a;和金属屏蔽层95,覆盖树脂构件92以及1个以上的模块部件各自的顶面,被设定为接地电位。作为1个以上的模块部件之一的子模块部件190具有:子模块基板191,具有主面191a以及191b;第1电路部件,配置于主面191a;1个以上的第2电路部件,配置于主面191a或191b;树脂构件192,覆盖主面191a;和侧面屏蔽层194,覆盖树脂构件192以及子模块基板191各自的侧面,被设定为接地电位。侧面屏蔽层194的顶面侧的端面与金属屏蔽层95相接。
由此,子模块部件190的侧面屏蔽层194作为抑制部件间的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合的屏蔽构件而发挥功能。即,无需另外准备屏蔽构件,只是将子模块部件190安装于主面91a,就能够抑制配置于子模块部件190的电路部件和配置于其他子模块部件以及模块基板91的电路部件的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。因此,能够抑制噪声向由各元件处理的高频信号的流入。能够省略另外形成屏蔽构件的工序,因此能够简化高频模块1的制造工序。
例如,能够抑制功率大的发送信号的一部分作为噪声而流入接收路径,因此能够改善NF。此外,例如,能够抑制由功率放大器11产生的发送信号的谐波失真经由开关51、双工器60、和匹配电路71以及72而绕入,并从天线2发射。像这样,根据本实施方式涉及的高频模块1,能够简单地改善电特性。
此外,例如,通过如实施例2的子模块部件290A那样,用侧面屏蔽层294A覆盖其侧面整体,从而能够不取决于子模块部件290A的配置位置地抑制子模块部件290A所包含的电路部件和其他部件的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。因此,通过将想要抑制与其他部件的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合的部件预先统一置于子模块部件290A,从而能够简单地抑制与其他部件的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。由于还能够提高子模块部件290A的配置位置的自由度,因此针对模块基板91的部件配置的设计的自由度提高,还能够对小型化做出贡献。
此外,例如,子模块部件190还具有覆盖主面191b的树脂构件193。侧面屏蔽层194还覆盖树脂构件193的侧面。
由此,能够提高侧面屏蔽层194的屏蔽功能,即,与其他部件的电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合的抑制功能。因此,能够使高频模块1的电特性更加提高。
此外,例如,主面191b与主面91a面对,第1电路部件的顶面与金属屏蔽层95相接。
由此,能够使得容易将由第1电路部件产生的热传递到金属屏蔽层95而释放。因此,能够提高子模块部件190的散热性能。此外,通过消除第1电路部件与金属屏蔽层95的间隙,从而能够实现高频模块1的低高度化。
此外,例如,侧面屏蔽层194与主面91a相接。
由此,能够进一步提高侧面屏蔽层194的屏蔽功能。因此,能够使高频模块1的电特性更加提高。
此外,例如,树脂构件92的顶面、树脂构件192的顶面、以及侧面屏蔽层194的上端面齐平。
由此,能够使金属屏蔽层95的顶面部分变得平坦,因此能够形成断膜等少且膜质优良的金属屏蔽层95。因此,能够提高屏蔽功能,能够使高频模块1的电特性提高。
此外,例如,作为1个以上的模块部件之一的子模块部件290的第1电路部件是具有包含通信频段A的通带的双向器61。此外,例如,子模块部件290的1个以上的第2电路部件包含与第1滤波器(具体地是双向器61)连接的匹配电路71。此外,例如,子模块部件290的1个以上的第2电路部件包含第2滤波器(具体地是双向器62),该第2滤波器具有包含通信频段B的通带。
由此,能够抑制功率放大器11和/或匹配电路31与子模块部件290所包含的双向器61、62和/或匹配电路71进行电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。因此,能够抑制功率大的发送信号的一部分作为噪声而流入接收路径。因而,能够提高收发间的隔离度,能够使高频模块1的电特性提高。
此外,例如,如图6所示,作为1个以上的模块部件之一的子模块部件290B的1个以上的第2电路部件包含开关51,该开关51连接在天线连接端子100与双向器61以及62各自之间。
由此,能够抑制开关51和功率放大器11进行电场耦合、磁场耦合以及电磁场耦合。因此,例如,能够抑制由功率放大器11产生的发送信号的谐波失真经由开关51而绕入,并从天线2发射。
此外,例如,作为1个以上的模块部件之一的子模块部件190B的第1电路部件是功率放大器11。子模块部件190B的1个以上的第2电路部件包含开关52,该开关52连接在双向器61以及62各自与功率放大器11之间。此外,例如,子模块部件190B的1个以上的第2电路部件是对功率放大器11进行控制的PA控制电路12。
由此,功率放大器11、开关52和/或PA控制电路12包含于子模块部件190B,因此能够抑制功率大的发送信号的一部分作为噪声而流入设置在子模块部件190B的外部的接收路径。因而,能够提高收发间的隔离度,能够使高频模块1B的电特性提高。
此外,例如,高频模块1B还具备低噪声放大器21、以及与双向器61以及62各自和低噪声放大器21连接的开关53。低噪声放大器21以及开关53配置于主面91a。
由此,能够实现对模块基板91的单面安装,因此能够实现高频模块1B的低高度化。
此外,例如,如图2的(b)或图4的(b)所示,作为1个以上的模块部件之一的子模块部件190的第1电路部件是功率放大器11。高频模块1还具备:低噪声放大器21;开关51,连接在天线连接端子100与双向器61以及62各自之间;开关52,连接在双向器61以及62各自与功率放大器11之间;和开关53,与双向器61以及62各自和低噪声放大器21连接。低噪声放大器21以及开关51~53配置于主面91b。此外,例如,高频模块1或1A还具备配置于主面91b的对功率放大器11进行控制的PA控制电路12。
由此,能够实现对模块基板91的两面安装,因此能够实现高频模块1或1A的小面积化。
此外,例如,如上所述,第1滤波器以及第2滤波器分别是双向器61以及62。
由此,能够提高收发间的隔离度,能够使高频模块1的电特性提高。
此外,例如,如图2所示,作为1个以上的模块部件之一的子模块部件190的第1电路部件是功率放大器11。此外,例如,子模块部件190的1个以上的第2电路部件包含与功率放大器11的输出端子连接的匹配电路31。
由此,能够抑制功率大的发送信号的一部分作为噪声而流入接收路径。因此,能够提高收发间的隔离度,能够使高频模块1的电特性提高。
此外,例如,本实施方式涉及的通信装置5具备:RFIC3,对由天线2收发的高频信号进行处理;和高频模块1,在天线2与RFIC3之间传输高频信号。
由此,能够得到与上述的高频模块1同样的效果。
(其他)
以上,基于上述的实施方式对本发明涉及的高频模块以及通信装置进行了说明,但本发明并不限定于上述的实施方式。
例如,子模块部件190也可以不具备覆盖主面191b的树脂构件193。在该情况下,侧面屏蔽层194也可以不与模块基板91的主面91a相接。在子模块部件190的子模块基板191的主面191b与模块基板91的主面91a之间设置有间隙的情况下,树脂构件92也可以设置为填补该间隙。
此外,例如,子模块部件190也可以不在主面191a配置电路部件。子模块部件190所包含的全部电路部件以及端子也可以仅配置于主面191b。在该情况下,与模块基板91的主面91a面对的主面191b是第3主面的一个例子,主面191a是第4主面的一个例子。此时,子模块部件190的主面191a与金属屏蔽层95相接。即,主面191a和侧面屏蔽层194的上端面齐平。
另外,能够应用于子模块部件190的变形例也能够应用于子模块部件190B、290、290A以及290B。
此外,例如,功率放大器11的顶面也可以不与金属屏蔽层95相接。双工器60和双向器61以及62的顶面也可以不与金属屏蔽层95相接。或者,PA控制电路12、匹配电路31、71以及72、和开关51以及52的至少1个的顶面也可以与金属屏蔽层95相接。此外,在包含低噪声放大器21以及开关53的半导体集成电路20和匹配电路41包含于子模块部件的情况下,半导体集成电路20以及匹配电路41的至少一者既可以与金属屏蔽层95相接,也可以不与金属屏蔽层95相接。
此外,子模块部件190、190B、290、290A或290B所包含的电路元件的组合、个数以及配置等没有特别限定。不包含于子模块部件的电路元件也可以配置于模块基板91的主面91a以及91b的任意者。
此外,例如,外部连接端子150既可以为凸块电极,也可以为平面电极。关于子模块部件190、190B、290、290A或290B的电极端子也同样地,既可以为柱电极,也可以为凸块电极,还可以为平面电极。
除此之外,对各实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的方式、在不脱离本发明的主旨的范围内通过将各实施方式中的构成要素以及功能任意组合而实现的方式也包含于本发明。
产业上的可利用性
本发明能够作为配置于前端部的高频模块而利用于便携式电话等通信设备等。
附图标记说明
1、1 A、1B高频模块;
2天线;
3RFIC;
4BBIC;
5通信装置;
11功率放大器;
12PA控制电路;
20半导体集成电路;
21低噪声放大器;
31、41、71、72匹配电路;
51、52、53开关;
60双工器;
61、62双向器;
60H、60L滤波器;
61R、62R接收滤波器;
61T、62T发送滤波器;
81、82虚设构件;
91模块基板;
91a、91b、191a、191b、291a、291b主面;
92、93、192、193、292、293树脂构件;
95金属屏蔽层;
194、294、294A侧面屏蔽层;
100天线连接端子;
111高频输入端子;
112控制输入端子;
113电源端子;
121高频输出端子;
150外部连接端子;
190、190B、290、290A、290B子模块部件;
191、291子模块基板;
511、512、513、521、522、523、531、532、533端子。
Claims (18)
1.一种高频模块,具备:
第1基板,具有第1主面以及该第1主面的相反侧的第2主面;
1个以上的模块部件,配置于所述第1主面;
第1树脂构件,覆盖所述第1主面;和
第1金属屏蔽层,覆盖所述第1树脂构件以及所述1个以上的模块部件各自的顶面,被设定为接地电位,
所述1个以上的模块部件各自具有:
第2基板,具有第3主面以及该第3主面的相反侧的第4主面;
第1电路部件,配置于所述第3主面;
1个以上的第2电路部件,配置于所述第3主面或所述第4主面;
第2树脂构件,覆盖所述第3主面;和
第2金属屏蔽层,覆盖所述第2树脂构件以及所述第2基板各自的侧面,被设定为接地电位,
所述第2金属屏蔽层的所述顶面侧的端面与所述第1金属屏蔽层相接。
2.根据权利要求1所述的高频模块,其中,
所述1个以上的模块部件各自还具有覆盖所述第4主面的第3树脂构件,
所述第2金属屏蔽层还覆盖所述第3树脂构件的侧面。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块,其中,
所述第4主面与所述第1主面面对,
所述第1电路部件的顶面与所述第1金属屏蔽层相接。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的高频模块,其中,
所述第2金属屏蔽层与所述第1主面相接。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的高频模块,其中,
所述第1树脂构件的顶面、所述第2树脂构件的顶面以及所述第2金属屏蔽层的所述端面齐平。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的高频模块,其中,
作为所述1个以上的模块部件之一的第1模块部件的所述第1电路部件是具有包含第1通信频段的通带的第1滤波器。
7.根据权利要求6所述的高频模块,其中,
所述第1模块部件的所述1个以上的第2电路部件包含与所述第1滤波器连接的匹配电路。
8.根据权利要求6或7所述的高频模块,其中,
所述第1模块部件的所述1个以上的第2电路部件包含第2滤波器,该第2滤波器具有包含与所述第1通信频段不同的第2通信频段的通带。
9.根据权利要求8所述的高频模块,其中,
所述第1模块部件的所述1个以上的第2电路部件包含第1开关,该第1开关连接在天线连接端子与所述第1滤波器以及所述第2滤波器各自之间。
10.根据权利要求8或9所述的高频模块,其中,
作为所述1个以上的模块部件之一的第2模块部件的所述第1电路部件是功率放大器,
所述第2模块部件的所述1个以上的第2电路部件包含第2开关,该第2开关连接在所述第1滤波器以及所述第2滤波器各自与所述功率放大器之间。
11.根据权利要求10所述的高频模块,其中,
所述第2模块部件的所述1个以上的第2电路部件是对所述功率放大器进行控制的控制电路。
12.根据权利要求8~11中任一项所述的高频模块,其中,
所述高频模块还具备:
低噪声放大器;和
第3开关,与所述第1滤波器以及所述第2滤波器各自和所述低噪声放大器连接,
所述低噪声放大器以及所述第3开关配置于所述第1主面。
13.根据权利要求8所述的高频模块,其中,
作为所述1个以上的模块部件之一的第2模块部件的所述第1电路部件是功率放大器,
所述高频模块还具备:
低噪声放大器;
第1开关,连接在天线连接端子与所述第1滤波器以及所述第2滤波器各自之间;
第2开关,连接在所述第1滤波器以及所述第2滤波器各自与所述功率放大器之间;和
第3开关,与所述第1滤波器以及所述第2滤波器各自和所述低噪声放大器连接,
所述低噪声放大器、所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关配置于所述第2主面。
14.根据权利要求13所述的高频模块,其中,
所述高频模块还具备:控制电路,配置于所述第2主面,对所述功率放大器进行控制。
15.根据权利要求8~14中任一项所述的高频模块,其中,
所述第1滤波器以及所述第2滤波器分别是双向器。
16.根据权利要求1~8中任一项所述的高频模块,其中,
作为所述1个以上的模块部件之一的第2模块部件的所述第1电路部件是功率放大器。
17.根据权利要求16所述的高频模块,其中,
所述第2模块部件的所述1个以上的第2电路部件包含与所述功率放大器的输出端子连接的匹配电路。
18.一种通信装置,具备:
RF信号处理电路,对由天线收发的高频信号进行处理;和
权利要求1~17中任一项所述的高频模块,在所述天线与所述RF信号处理电路之间传输所述高频信号。
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