CN115915820A - 发光基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种发光基板及其制备方法、显示装置，该发光基板包括：驱动背板；第一像素界定层，设置在驱动背板上，第一像素界定层具有多个开口区域；以及发光器件，设置在开口区域。发光器件包括：第一电极、发光功能层以及设置在第一电极与发光功能层之间的半导体膜层。其中，第一电极至少覆盖开口区域的底面和侧壁，半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，半导体膜层包括处于非导体化状态的第一功能单元，第一功能单元覆盖开口区域侧壁处设置的第一电极。

Description

发光基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)由于其轻薄、自发光、响应速度快，在AR(Augmented Reality，增强显示)、VR(Virtual Reality，虚拟显示)等近眼显示领域具有广泛的应用。随着人们对显示的要求越来越高，市场需求高亮度的OLED产品，因此，提高OLED产品的亮度对于OLED的发展尤为重要。

发明内容

本公开实施例提供了一种发光基板及其制备方法、显示装置。

第一方面，本公开实施例提供了一种发光基板，包括：

驱动背板；

第一像素界定层，设置在所述驱动背板上，所述第一像素界定层具有多个开口区域；以及

发光器件，设置在所述开口区域，所述发光器件包括：第一电极、发光功能层以及设置在所述第一电极与所述发光功能层之间的半导体膜层；

其中，所述第一电极至少覆盖所述开口区域的底面和侧壁，所述半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，所述半导体膜层包括处于所述非导体化状态的第一功能单元，所述第一功能单元覆盖所述开口区域侧壁处设置的第一电极。

进一步地，所述半导体膜层还包括处于所述导体化状态的第二功能单元，所述第二功能单元覆盖所述开口区域底面设置的第一电极。

进一步地，所述半导体膜层为石墨烯薄膜，所述第一功能单元为处于本征态的石墨烯薄膜，所述第二功能单元为经过非导体化处理的石墨烯薄膜。

进一步地，所述半导体膜层的厚度为10～2000埃。

进一步地，所述第一电极从所述开口区域延伸到所述第一像素界定层的顶部，所述第一功能单元还覆盖目标拐角处设置的第一电极，所述目标拐角包括所述开口区域侧壁与所述第一像素界定层顶部之间的拐角。

进一步地，上述发光基板还包括：第二像素界定层；

所述第二像素界定层层叠设置在所述第一像素界定层的顶部，且位于相邻所述发光器件的第一电极的间隔区域。

进一步地，所述发光功能层包括：空穴注入层和空穴传输层；

沿垂直于所述驱动背板的方向上，所述第二像素界定层的厚度至少大于所述第一电极、所述半导体膜层、所述空穴注入层以及所述空穴传输层的厚度之和，以阻断相邻发光器件的所述空穴注入层和所述空穴传输层。

进一步地，所述发光功能层还包括：发光层以及第二电极；

沿垂直于所述驱动背板的方向上，所述第二像素界定层的厚度大于所述第一电极、所述半导体膜层以及所述发光功能层的厚度之和，以阻断相邻发光器件的发光功能层。

进一步地，所述第二像素界定层的材料为无机绝缘材料。

第二方面，本公开实施例提供了一种发光基板的制备方法，所述方法包括：

在驱动背板上形成第一像素界定层，所述第一像素界定层具有多个开口区域；

在所述第一像素界定层的开口区域形成第一电极，所述第一电极至少覆盖所述开口区域的底面和侧壁；

在所述第一电极上形成半导体膜层，所述半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，所述半导体膜层包括处于所述非导体化状态的第一功能单元，所述第一功能单元覆盖所述开口区域侧壁处设置的第一电极；

形成发光功能层。

进一步地，在所述第一电极上形成半导体膜层，包括：

在形成有所述第一电极的驱动背板表面形成石墨烯薄膜；

对目标区域的所述石墨烯薄膜进行非导体化处理，形成所述第一功能单元。

进一步地，对目标区域的所述石墨烯薄膜进行非导体化处理，包括：

利用氩气和/或氢气对目标区域的所述石墨烯薄膜进行表面处理，以在所述目标区域产生氢化石墨烯。

进一步地，在所述第一电极上形成半导体膜层之后，以及在形成发光功能层之前，还包括：

在所述第一像素界定层顶部形成第二像素界定层，所述第二像素界定层位于相邻发光器件的第一电极的间隔区域。

第三方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括上述第一方面所述的发光基板。

本公开实施例提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

本公开实施例提供的发光基板，在第一像素界定层的开口侧壁增设第一电极提高发光器件亮度的基础上，增设了半导体膜层，半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，半导体膜层包括处于非导体化状态的第一功能单元，第一功能单元覆盖开口区域侧壁处设置的第一电极，作为侧壁处的保护层。由于第一功能单元具有较好的绝缘特性，能够有效地改善开口侧壁处发光功能层材料较薄，引起腔长变化，影响发光器件发光的问题，并改善开口区域侧壁处较薄的发光功能层材料容易引起短路的问题。此外，由于半导体膜层的厚度相比于树脂材料较薄，能够减少保护层的引入对第一电极发光区面积的限制，从而有利于提高发光器件的发光亮度。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本公开实施例中一种示例性发光基板的结构示意图一；

图2为本公开实施例中一种示例性发光基板的结构示意图二；

图3为本公开实施例中一种示例性发光基板的结构示意图三；

图4为本公开实施例中一种发光基板的制备方法的流程图；

图5为本公开实施例中树脂材料层的沉积工艺图；

图6为本公开实施例中树脂材料层的图案化工艺图；

图7为本公开实施例中电极膜层沉积工艺图；

图8为本公开实施例中电极膜层图案化工艺图；

图9为本公开实施例中形成石墨烯薄膜的工艺图；

图10为本公开实施例中石墨烯薄膜经过非导体化处理后的工艺图；

图11为本公开实施例中第二像素界定层以及发光功能层的加工工艺图一；

图12为本公开实施例中第二像素界定层以及发光功能层的加工工艺图二。

具体实施方式

目前提高OLED器件亮度的方式有多种，例如，可以采用以下几种：1.提高EL(Electro-Luminescence，电致发光)器件本身亮度；2.提升TFE(Thin FilmEncapsulation,薄膜封装)层的透过率；3.采用WOLED+COE(Color Filter onEncapsulation，封装层之上形成彩色滤光片)，提高彩膜透过率；4.其他器件结构提升如采用Micro-Lens等。

在一些示例中，采用了双层PDL(Pixel Definition Layer，像素界定层)来增加OLED器件亮度。如图1所示，通过在第一像素界定层PDL1的开口侧壁增设反射阳极Anode，以提高OLED器件的亮度。该方法工艺较为简单。但是，由于EL镀膜制程中侧边的材料较薄，引起腔长变化，影响OLED发光，同时侧边以及尖角处较薄的材料容易引起阳极与阴极直接接触导致短路(short)问题。因此，第二像素界定层PDL2需要在第一像素界定层PDL1的孔内开孔以覆盖侧边阳极，而像素界定层通常采用的是树脂材料，由于树脂材料分辨率较低加上制程中错位(Overlay)等因素影响，覆盖侧边阳极的第二像素界定层PDL2厚度较厚，从而阳极Anode的发光区受到限制。

有鉴于此，本公开实施例提供了一种技术方案，采用了具有导体化和非导体化两种状态的半导体材料，通过设置处于非导体化状态的第一功能单元作为保护层，覆盖设置在第一像素界定层的开口侧壁处的第一电极，有效地改善侧壁处EL材料较薄，引起腔长变化，影响OLED发光的问题，以及改善EL侧边处较薄的材料容易引起OLED的第一电极与第二电极直接接触导致short的问题。并且，半导体材料厚度相对较薄，占用空间较小，能够减少保护层的引入对第一电极发光区面积的限制，从而有利于提高OLED的发光亮度。

下面将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

第一方面，如图2所示，本公开实施例提供了一种发光基板10，包括：驱动背板100、第一像素界定层110以及发光器件。

驱动背板100包括衬底基板以及设置在衬底基板上的像素驱动电路，像素驱动电路与对应的发光器件连接，用于驱动发光器件发光。

衬底基板的材料选择根据实际应用场景的需要确定。例如，当应用于像素密度较大的显示器件如micro-OLED显示器件时，由于单个像素的尺寸较小，工艺精度要求较高，可以采用硅基驱动，即衬底基板为硅衬底。当然，为了匹配面板厂工艺，降低成本，也可以采用玻璃基驱动，即衬底基板为玻璃衬底。此时，可以先在玻璃基面板厂制作玻璃基OLED像素驱动，然后切成硅片晶元(wafer)大小到硅基OLED微显示工厂进行后续第一电极120、半导体膜层130以及发光功能层140等的制备。像素密度较大的显示器件采用玻璃基器件工艺与硅基器件工艺的整合，既可以维持较低成本，又能维持较为复杂的像素电路(需要占用较大的Layout空间)。

以玻璃基LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)驱动为例，例如，驱动背板100的层级结构可以包括：依次层叠设置的玻璃衬底、缓冲层(Buffer)、有源层(P-Si)、第一栅极绝缘层(GI1)、第一栅极金属层(Gate1)、第二栅极绝缘层(GI2)、第二栅极金属层(Gate2)、层间介质层(ILD)、数据线金属层(DATA)、第一钝化层(PVX0)、第一金属层(MT0)、第二钝化层(PVX1)、第二金属层(MT1)、第三钝化层(PVX2)、第三金属层(MT2)、第四钝化层(PVX3)以及第四金属层(MT3)。需要说明的是，为了方便玻璃基wafer的边缘识别，可以在第一栅极金属层(Gate1)制作金属环边，以便对准。

第一像素界定层110设置在驱动背板100上，具有多个开口区域，该开口区域用于限定出各发光器件的有效发光区域。例如，第一像素界定层110的材料可以为树脂材料。需要说明的是，当制备过程采用玻璃基器件工艺与硅基器件工艺结合时，第一像素界定层110也可以在制作玻璃基像素驱动的过程中制作，例如，可以在制备第四金属层(MT3)之后制作。当然，具体制备过程可以根据实际应用场景的需要确定，本实施对此不做限制。

发光器件设置在第一像素界定层110的开口区域。发光器件包括：第一电极120、发光功能层140以及设置在第一电极120与发光功能层140之间的半导体膜层130。例如，对于OLED发光器件来讲，发光功能层140可以包括第一功能材料层、发光层、第二功能材料层以及第二电极。其中，第一功能材料层和第二功能材料层可以根据实际需要设置。例如，第一功能材料层可以包括：空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)；第二功能材料层可以包括：电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)。

在一些示例中，第一电极120为反射电极，例如第一电极120可以是阳极，第二电极可以是阴极。第一电极120采用不透明且具有反射特性的电极材料如金属材料，第二电极可以采用透明电极材料，光线从第二电极出射。

例如，一种示例性发光功能层140自下而上可以依次包括：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层(EBL)、发光层、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层、电子注入层、阴极图案化层(CPL)以及阴极(CTD)。发光层可以包括：蓝色电致发光层(BEML)、绿色电致发光层(GEML)以及红色电致发光层(REML)。

第一像素界定层110的开口区域包括开口底面和开口侧壁。第一电极120至少设置在开口底面和开口侧壁。

本公开实施例中，半导体膜层130的材料本身具有导体化状态和非导体化状态，例如，可以为石墨烯，或者，也可以是其他适用的半导体材料。以石墨烯为例，石墨烯是一种二维材料，其特性介于半导体和导体之间，当其处于本征态时，由于能带交叠，其导电性具有金属特性，电导率能达到20000cm²/V.S，可以达到EL发光匹配的金属功函数，可用作透明电极。当用氩气或者氢气，或者两者的混合气体处理后，可以产生氢化石墨烯，可以作为透明非导体材料使用。

在一些示例中，半导体膜层130包括处于非导体化状态的第一功能单元131，第一功能单元131覆盖上述开口区域侧壁处设置的第一电极120。例如，第一功能单元131与开口侧壁处设置的第一电极120层叠设置，开口侧壁处设置的第一电极120在衬底基板上的正投影位于第一功能单元131在衬底基板上的正投影内。在一些示例中，二者的正投影可以基本重合。“基本”是指相差在可接受的误差范围内。此外，相比于树脂材料，半导体膜层130的厚度可以做到较薄。例如，半导体膜层130的厚度可以为10～2000埃。

第一功能单元131具有较好的绝缘特性且厚度较薄，既能够有效地改善侧壁处EL材料较薄，引起腔长变化，影响发光器件发光的问题，并改善EL侧边处较薄的材料容易引起第一电极120与第二电极直接接触导致short的问题，又能够减少保护层的引入对第一电极120发光区面积的限制，从而有利于提高发光器件的发光亮度。

在一些示例中，为了方便加工以及进一步提高发光亮度，第一电极120还可以从开口区域延伸到第一像素界定层110的顶部，相邻发光器件的第一电极120在第一像素界定层110的顶部隔断开。此时，上述第一功能单元131还可以覆盖目标拐角处设置的第一电极120，目标拐角包括开口区域侧壁与第一像素界定层110顶部之间的拐角，以对拐角处也进行保护，改善拐角处较薄的EL材料容易引起第一电极120与第二电极直接接触导致short问题，进一步提高发光器件的可靠性。

进一步地，半导体膜层130还可以包括处于导体化状态的第二功能单元132，第二功能单元132覆盖开口区域底面设置的第一电极120。由于第二功能单元132是导电的，不影响开口区域底面的第一电极120与发光功能层140的电荷传递。

例如，仍以半导体膜层130的材料为石墨烯为例，可以先在制备好第一电极120的驱动背板100表面，形成石墨烯薄膜，然后通过在石墨烯薄膜表面涂覆光刻胶，经过曝光显影后，形成覆盖开口底面的掩模，露出除开口底面以外其他区域的石墨烯薄膜，接着，通入氩气或者氢气，或者两者的混合气体，对未被掩模覆盖的石墨烯薄膜进行非导体化处理，使得这部分石墨烯薄膜处于非导体化状态，作为上述第一功能单元131。此后，就可以去除掩模，被掩模覆盖的这部分石墨烯薄膜仍处于本征态，即处于导体化状态，作为上述第二功能单元132。

由于覆盖在开口底面的第二功能单元132本身是导电的，从加工层面上来讲，就可以无需通过对材料开孔来暴露出开口底面的第一电极120，使得第一电极120的发光区面积不受制程上开孔精度的影响，有利于减小第一功能单元131的引入对开口底面的第一电极120造成的遮挡，即减少对第一电极120发光区面积的限制，从而提高发光器件的发光亮度。

在一些示例中，为了进一步辅助限定各发光器件的有效发光区域，本公开实施例提供的发光基板10还可以包括：第二像素界定层150。第二像素界定层150层叠设置在上述第一像素界定层110的顶部，例如，可以位于相邻发光器件的第一电极120的间隔区域。第二像素界定层150也具有多个开口区域，且第二像素界定层150的开口区域与第一像素界定层110的开口区域对应设置。第二像素界定层150的开口区域尺寸大于第一像素界定层110的开口区域尺寸，也就是说，第一像素界定层110的开口区域在驱动背板100上的正投影位于第二像素界定层150的开口区域在驱动背板100上的正投影内。

沿垂直于驱动背板100的方向上，第二像素界定层150的厚度可以根据实际应用场景中对相邻发光器件的阻断需要设置。例如，第二像素界定层150的厚度可以至少大于位于第一像素界定层110顶部的第一电极120、半导体膜层130、空穴注入层以及空穴传输层的厚度之和。空穴注入层以及空穴传输层通常是通过蒸镀工艺整层形成的，为了避免相邻发光器件的空穴注入层以及空穴传输层相连通，以驱动背板100作为高度参考基准，第二像素界定层150顶部高度可以至少超过所要形成的空穴传输层的高度，以阻断相邻发光器件的空穴注入层和空穴传输层，减小横向串扰。

需要说明的是，相邻发光器件的发光层、第二功能材料层以及第二电极可以共用，也可以不共用，具体根据实际应用场景的需要设置。例如，当发光器件包括红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件时，不同发光器件的发光层需要相互分隔开。当发光器件仅包括白色发光器件时，不同发光器件的发光层可以共用。

在一些示例中，沿垂直于驱动背板100的方向上，第二像素界定层150的厚度可以大于位于第一像素界定层110顶部的第一电极120、半导体膜层130以及发光功能层140的厚度之和，以阻断相邻发光器件的发光功能层140。此时，相邻发光器件的发光功能层140可以被第二像素界定层150分隔开，有利于进一步减小横向串扰。

例如，第二像素界定层150的截面形状可以近似呈长方形，如图2所示，或者，也可以呈梯形，如图3所示，具体跟使用的材料有关，本实施例对此不做限制。

在一些示例中，第二像素界定层150的材料可以为无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅等。无机材料可以采用干法刻蚀如等离子体刻蚀工艺等，能够达到较高的刻蚀精度，坡度角能够达到80度以上，接近90度，从而使得其截面形状近似于长方形。其中，坡度角是指第二像素界定层150的侧壁与第一像素界定层110顶部所在平面所成的夹角。

刻蚀精度越高，坡度角就越接近90度，一方面可以使得第二像素界定层150在第一像素界定层110顶部占用的空间越小，从而使得各发光器件的发光功能层140面积做到越大，有利于提高发光亮度；另一方面，可以使得第二像素界定层150在蒸镀发光功能层140的过程中，对相邻发光器件的空穴注入层和空穴传输层起到更好的阻隔效果。

当然，在其他示例中，第二像素界定层150也可以采用有机材料如树脂材料制成，本实施例对此不做限定。

另外，本公开实施例提供的发光基板10还可以包括：封装层160。封装层160层叠设置在发光器件的远离驱动背板100的一侧，不仅能够将发光器件与外界隔离，避免了水和氧气入侵到发光器件，影响发光基板10的使用寿命，同时也能够实现平坦化效果，方便其他器件能够制作在平坦的表面上。例如，可以在封装层160上进一步设置彩膜层，或者是，设置具有调光效果的透镜阵列等，具体可以根据实际需要设置。

例如，封装层160可以至少包含三层结构，具体根据实际需要设置。在一些示例中，封装层160可以包括层叠设置的第一无机膜层、有机膜层和第二无机膜层，其中，无机膜层起到阻水氧的效果，且第二无机膜层包裹住有机膜层，避免有机膜裸露在外，有机膜层起到平坦化的效果，包覆住缺陷和在封装过程中产生的粒子，缓解无机膜层的应力。

第二方面，本公开实施例还提供了一种发光基板的制备方法，用于制备上述第一方面提供的发光基板10。如图4所示，该方法包括至少包括

步骤S401，在驱动背板上形成第一像素界定层，第一像素界定层具有多个开口区域。

例如，如图5所示，可以在驱动背板100表面先沉积一定厚度的树脂材料层111，然后通过光刻以及刻蚀工艺对树脂材料层111进行图案化，得到第一像素界定层110，如图6所示。具体制备过程可以参照相关技术，此处不再赘述。第一像素界定层110的开口区域用于限定出各发光器件的有效发光区域。接下来，通过以下步骤S402至步骤S404即可在驱动背板100上形成发光器件。

步骤S402，在第一像素界定层110的开口区域形成第一电极，第一电极至少覆盖开口区域的底面和侧壁。

例如，第一电极120可以作为发光器件的反射阳极。为提高空穴的注入效率，要求阳极的功函数尽可能高。反射阳极不透光，具有反射特性。例如，可以采用ITO(氧化铟锡)/Ag(银)/ITO的多膜层结构，其中，作为中间层的Ag具有反射特性。

第一电极120除了覆盖开口区域的底面以外，还覆盖开口区域的侧壁，有利于提高发光器件的发光亮度。在一些示例中，为了方便加工以及进一步提高发光亮度，第一电极120还可以从开口区域延伸到第一像素界定层110的顶部，相邻发光器件的第一电极120在第一像素界定层110的顶部隔断开。

例如，以ITO/Ag/ITO的多膜层结构为例，可以先在图6所示的结构表面先沉积一层ITO膜，然后沉积一层Ag膜，在沉积一层ITO膜，得到图7所示的电极膜层121。进一步，在对图7中的电极膜层121进行图案化处理，形成第一电极120，如图8所示。

步骤S403，在第一电极上形成半导体膜层，半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，半导体膜层包括处于非导体化状态的第一功能单元，第一功能单元覆盖开口区域侧壁处设置的第一电极。

在一些示例中，上述在所述第一电极120上形成半导体膜层130的过程可以包括：如图9所示，在形成有第一电极120的驱动背板100表面形成石墨烯薄膜133；对目标区域的石墨烯薄膜133进行非导体化处理，形成上述的第一功能单元131，如图10所示。例如，目标区域可以包括：开口区域的侧壁以及第一像素界定层110顶部覆盖有第一电极120的区域。

例如，对目标区域的石墨烯薄膜进行非导体化处理，包括：利用氩气和/或氢气对目标区域的石墨烯薄膜进行表面处理，以在该目标区域产生氢化石墨烯。

例如，可以先在石墨烯薄膜133表面涂覆光刻胶，经过曝光显影后，形成覆盖开口底面的掩模，露出目标区域的石墨烯薄膜，接着，通入氩气或者氢气，或者两者的混合气体，对目标区域的石墨烯薄膜进行非导体化处理，使得这部分石墨烯薄膜处于非导体化状态，作为上述第一功能单元131。此后，再去除掩模，被掩模覆盖的这部分石墨烯薄膜仍处于本征态，即处于导体化状态。

考虑到尽量简化制程和节约成本，对于开口底面的处于导体化状态的石墨烯薄膜，可以保留。此时，半导体膜层130除了包括第一功能单元131以外，还包括第二功能单元132，具体参见第一方面的相关描述，此处不再赘述。当然，在其他示例中，也可以根据需要去除开口底面的处于导体化状态的石墨烯薄膜，本实施例对此不做限制。

在一些示例中，在第一电极120上形成半导体膜层130之后，且在执行以下步骤S304之前，上述制备方法还可以包括：在第一像素界定层110顶部形成第二像素界定层150，第二像素界定层150位于相邻发光器件的第一电极120的间隔区域。

例如，当第二像素界定层150采用有机材料如树脂材料时，可以先在形成有半导体膜层130的驱动背板100表面沉积一定厚度的有机材料层，然后通过对树脂层进行图案化处理，形成第二像素界定层150，如图11所示。

又例如，当第二像素界定层150采用无机绝缘材料如氧化硅或氮化硅时，可以先在形成有半导体膜层130的驱动背板100表面沉积一定厚度的无机绝缘材料层，然后利用干法刻蚀工艺，对无机绝缘材料层进行图案化处理，形成第二像素界定层150，如图12所示。

步骤S404，形成发光功能层。

例如，发光功能层140可以包括：发光功能层140可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极。具体实施时，可以通过蒸镀工艺在形成有第一电极120以及上述半导体膜层130的驱动背板100表面依次蒸镀上述发光功能层140的各膜层，如图11和图12所示。

进一步地，再对经过上述制备流程得到的发光基板10进行封装处理，即在发光功能层140的远离第一电极120的表面形成封装层160，如图2和图3所示，以保护所形成的发光器件，具体工艺过程可以参见相关技术，此处不再详述。

第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面提供的发光基板10。例如，显示装置可以为显示面板、显示屏、虚拟现实设备、增强现实设备、投影仪、手机、平板电脑、笔记本电脑、电视、电子相框、可穿戴设备等具有显示功能的设备，本实施例对此不做限制。

例如，以虚拟现实设备或增强现实设备为例，除了发光基板10以外，还可以包括：设置在发光基板10的封装层160表面的平坦化层(OC)以及设置在平坦化层的远离封装层160一侧的透镜阵列等器件，具体结构可以参见相关技术，此处不做详述。

在以上的描述中，对于产品各层的构图等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

另外，所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

尽管已描述了本说明书的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。

Claims (14)

1.一种发光基板，其特征在于，包括：

驱动背板；

第一像素界定层，设置在所述驱动背板上，所述第一像素界定层具有多个开口区域；以及

发光器件，设置在所述开口区域，所述发光器件包括：第一电极、发光功能层以及设置在所述第一电极与所述发光功能层之间的半导体膜层；

其中，所述第一电极至少覆盖所述开口区域的底面和侧壁，所述半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，所述半导体膜层包括处于所述非导体化状态的第一功能单元，所述第一功能单元覆盖所述开口区域侧壁处设置的第一电极。

2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述半导体膜层还包括处于所述导体化状态的第二功能单元，所述第二功能单元覆盖所述开口区域底面设置的第一电极。

3.根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述半导体膜层为石墨烯薄膜，所述第一功能单元为处于本征态的石墨烯薄膜，所述第二功能单元为经过非导体化处理的石墨烯薄膜。

4.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述半导体膜层的厚度为10～2000埃。

5.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一电极从所述开口区域延伸到所述第一像素界定层的顶部，所述第一功能单元还覆盖目标拐角处设置的第一电极，所述目标拐角包括所述开口区域侧壁与所述第一像素界定层顶部之间的拐角。

6.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，还包括：第二像素界定层；

所述第二像素界定层层叠设置在所述第一像素界定层的顶部，且位于相邻所述发光器件的第一电极的间隔区域。

7.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述发光功能层包括：空穴注入层和空穴传输层；

沿垂直于所述驱动背板的方向上，所述第二像素界定层的厚度至少大于所述第一电极、所述半导体膜层、所述空穴注入层以及所述空穴传输层的厚度之和，以阻断相邻发光器件的所述空穴注入层和所述空穴传输层。

8.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述发光功能层还包括：发光层以及第二电极；

沿垂直于所述驱动背板的方向上，所述第二像素界定层的厚度大于所述第一电极、所述半导体膜层以及所述发光功能层的厚度之和，以阻断相邻发光器件的发光功能层。

9.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述第二像素界定层的材料为无机绝缘材料。

10.一种发光基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在驱动背板上形成第一像素界定层，所述第一像素界定层具有多个开口区域；

在所述第一像素界定层的开口区域形成第一电极，所述第一电极至少覆盖所述开口区域的底面和侧壁；

在所述第一电极上形成半导体膜层，所述半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，所述半导体膜层包括处于所述非导体化状态的第一功能单元，所述第一功能单元覆盖所述开口区域侧壁处设置的第一电极；

形成发光功能层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第一电极上形成半导体膜层，包括：

在形成有所述第一电极的驱动背板表面形成石墨烯薄膜；

对目标区域的所述石墨烯薄膜进行非导体化处理，形成所述第一功能单元。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，对目标区域的所述石墨烯薄膜进行非导体化处理，包括：

利用氩气和/或氢气对目标区域的所述石墨烯薄膜进行表面处理，以在所述目标区域产生氢化石墨烯。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第一电极上形成半导体膜层之后，以及在形成发光功能层之前，还包括：

在所述第一像素界定层顶部形成第二像素界定层，所述第二像素界定层位于相邻发光器件的第一电极的间隔区域。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的发光基板。

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