CN115775832A - 一种GaN半导体器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种GaN半导体器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,本发明一种GaN半导体器件包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。本发明为一种GaN半导体器件及其制备方法,能够避免因为InAlN的合金散射显著降低2DEG的迁移率,使GaN HEMT器件的迁移率得到显著提高,提高GaN HEMT功率转换和电源管理效率,由改变InGaN插入层中In成分比例调节GaN HEMT器件的带隙宽度,进而调节GaN HEMT器件的击穿电压,以满足不同应用场景的功率需求。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域,特别涉及一种GaN半导体器件及其制备方法。
背景技术
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors),目前主要用于高耐压和高输出器件中。其中,由于InAlN在组成区域具有很高的自发极化,在GaN通道层上以InAlN为阻挡层的GaN HEMT,可以实现浓度更高的二维电子气体(2DEG),因此在近年来得到了广泛应用。
AlGaN/GaN异质结结构是GaN功率三极管最常用的结构之一,由于强烈的自发极化和压电极化,AlGaN/GaN异质结界面会形成1013cm-2量级的高浓度二维电子气(2DEG),2DEG具有很高的电子迁移率,非常适合高功率和射频应用。
然而,现有的InAlN具有高的合金散射,在GaN上形成的InAlN阻挡层,其合金散射也会显著降低2DEG的迁移率,影响GaN HEMT器件性能,因此,需要一种新的GaN半导体器件结构,提高GaN HEMT功率转换,从而需要提供一种GaN半导体器件及其制备方法。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种GaN半导体器件及其制备方法,可以有效解决背景技术现有的InAlN具有高的合金散射,在GaN上形成的InAlN阻挡层,其合金散射也会显著降低2DEG的迁移率,影响GaN HEMT器件性能,因此,需要一种新的GaN半导体器件结构,提高GaN HEMT功率转换的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,所述InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,所述源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,所述源级、漏极和栅极一步成型。
优选地,所述衬底所用材料为SiC,所述GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料,SiC材料制作的衬底晶格常数与GaN非常接近,晶格失配仅仅为4%,导热率高散热性良好,并且具有导电性,可以在SiC上方和底部直接制作电极从而形成垂直型SiC器件。
优选地,所述InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
优选地,所述InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
优选地,所述源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,所述源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:衬底:通过SiC材料获取SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤提供的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
优选地,所述源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
优选地,所述步骤S3中InGaN插入层的厚度为≤1nm,且C轴长度为≥0.5nm,以实现降低片层电阻和改善表面形貌(扁平化表面)。
优选地,所述步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,所述GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
优选地,所述步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为490℃-590℃之间,Al的流速范围为520μmol/min-620μmol/min之间,NH3的流速范围为6L/min-8L/min之间。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本发明中,通过在GaN HEMT器件的InAlN阻挡层和GaN通道层中插入InGaN插入层,InGaN插入层堆叠在GaN通道层上。在形成InGaN插入层的GaN器件结构下,二维电子气体(2DEG)在GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生,而不是在GaN通道层和InAlN阻挡层之间的界面附近产生,可以避免因为InAlN的合金散射显著降低2DEG的迁移率,使GaNHEMT器件的迁移率得到显著提高,提高GaN HEMT功率转换和电源管理效率。其中,InGaN插入层的质量显著影响HEMT的迁移率,因此,为了在HEMT结构中实现降低片层电阻和改善表面形貌,将作为氮化物半导体层的InGaN插入层的c轴(c轴长度)设置为0.5nm或更多;同时,InGaN插入层的厚度应为1.5nm时,本器件的迁移率和峰值电流效果最好,可以防止薄板电阻增加,该GaN半导体器件的制备方法,能够避免因为InAlN的合金散射显著降低2DEG的迁移率,使GaN HEMT器件的迁移率得到显著提高,提高GaN HEMT功率转换和电源管理效率,同时还可以籍由改变InGaN插入层中In成分比例调节GaN HEMT器件的带隙宽度,进而调节GaNHEMT器件的击穿电压,以满足不同应用场景的功率需求,制备简单,简化了工艺制程。
附图说明
图1为本发明一种GaN半导体器件的横截面结构示意图;
图2为本发明一种GaN半导体器件的制备方法的工艺流程结构示意图;
图3为本发明中InGaN插入层厚度与迁移率的曲线结构示意图;
图4为本发明中InGaN插入层厚度与峰值电流的曲线结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置有”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本实施例提供一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。
GaN材料的生长是在高温下,通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的,其可逆的反应方程式为:
Ga+NH3=GaN+3/2H2
生长GaN需要一定的生长温度,且需要一定的NH3分压。人们通常采用的方法有常规MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等离子体增强MOCVD(PE—MOCVD)和电子回旋共振辅助MBE等。所需的温度和NH3分压依次减少。本工作采用的设备是AP—MOCVD,反应器为卧式,并经过特殊设计改装。用国产的高纯TMGa及NH3作为源程序材料,用DeZn作为P型掺杂源,用蓝宝石与硅作为衬底采用高频感应加热,以低阻硅作为发热体,用高纯H2作为MO源的携带气体,用高纯N2作为生长区的调节,用HALL测量、双晶衍射以及室温PL光谱作为GaN的质量表征,通过调节器TMGa管道与衬底的距离,在衬底上生长出了GaN。同时为了确保GaN的质量及重复性,采用硅基座作为加热体,防止了高温下NH3和石墨在高温下的剧烈反应。采用常规两步生长法,经过高温处理的蓝宝石材料,在550℃,首先生长250A0左右的GaN缓冲层,而后在1050℃生长完美的GaN单晶材料。对于Si衬底上生长GaN单晶,首先在1150℃生长InGaN插入层,而后生长GaN结晶,生长该材料的典型条件如下:
NH3:3L/min;TMGa:20μmol/minV/Ⅲ=6500;N2:3~4L/min;H2:2<1L/min。
双束流MOCVD生长方法,反应器中由一个H2+NH3+TMGa组成的主气流,它以高速通过石英喷平行于衬底通入,另一路由H2+N2形成辅气流垂直喷向衬底表面,目的是改变主气流的方向,使反应剂与衬底表面很好接触。用这种方法直接在α-Al2O3基板(C面)生长的GaN膜,电子载流子浓度为1×1018/cm3,迁移率为200cm2/v·s,是直接生长GaN膜的最好值。
InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为≤1nm,且C轴长度为≥0.5nm,以实现降低片层电阻和改善表面形貌(扁平化表面)。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体,在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,二维电子气体(2DEG)在GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生,而不是在GaN通道层和InAlN阻挡层之间的界面附近产生,避免了因为InAlN的合金散射显著降低2DEG的迁移率。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为490℃-590℃之间,Al的流速范围为520μmol/min-620μmol/min之间,NH3的流速范围为6L/min-8L/min之间。
实施例1:
一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为1.5nm,且C轴长度为0.5nm。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为550℃之间,Al的流速范围为520μmol/min,NH3的流速范围为6L/min。
实施例2:
一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为2nm,且C轴长度为0.7nm。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为550℃之间,Al的流速范围为520μmol/min,NH3的流速范围为6L/min。
实施例3:
一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为1.6nm,且C轴长度为0.7nm。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为550℃之间,Al的流速范围为520μmol/min,NH3的流速范围为6L/min。
实施例4:
一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为1.2nm,且C轴长度为0.7nm。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为550℃之间,Al的流速范围为520μmol/min,NH3的流速范围为6L/min。
实施例5:
一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为1.4nm,且C轴长度为0.7nm。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为550℃之间,Al的流速范围为520μmol/min,NH3的流速范围为6L/min。
实施例6:
一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为1nm,且C轴长度为0.7nm。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为550℃之间,Al的流速范围为520μmol/min,NH3的流速范围为6L/min。
实施例7:
一种GaN半导体器件,包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,源级、漏极和栅极一步成型。
衬底所用材料为SIC,GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,源极、漏极和栅极的结构相同。
一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
步骤S3中InGaN插入层的厚度为0.2nm,且C轴长度为0.7nm。
步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为550℃之间,Al的流速范围为520μmol/min,NH3的流速范围为6L/min。
图3表示器件电子迁移率受AlN层厚度变化的影响,厚度从0上升到0.2nm,迁移率随之增加,这是由于粗糙度散射和合金散射很低。但是薄InGaN插入层处的高载流子浓度导致2DEG分布向界面移动。它导致界面粗糙度散射和2DEG中的库仑散射增加,结果是InGaN插入层厚度超过0.2nm,迁移率下降。
图4表示栅压为0V时的漏电流峰值,当AlN层厚度达到一定值时,载流子浓度占主导作用,超过这个定值后迁移率占主导作用,AlN层厚度超过这个定值后,峰值电流会下降,AlN层厚度变化对迁移率影响甚微,电子浓度的作用更加明显,所以峰值电流依然增加。
根据上述实施例1-7结合图3、图4,得出不同InGaN插入层厚度影响的AlGaN/AlN/GaN HEMT的2DEG传输特性,插入InGaN插入层使电子浓度大大提高,且依赖于InGaN插入层的厚度,传输特性的临界AlN层厚度为1.2nm,取AlN层厚度为0至2nm,电子浓度保持增长趋势,而当厚度达到1.2nm时,电子迁移率开始下降,从而在漏电流上表现为:AlN层厚度达到1.2nm之前,漏电流会随着厚度增加,达到1.2nm后,逐渐下降,因此对于本器件来说,最优InGaN插入层可厚度为1.5nm,适合应用于高速、高功率开关器件,从而根据实施例1-7结合图3、图4所示,本器件在InGaN插入层的厚度生长为1.5nm时,迁移率和漏电流达到最佳值,可以防止薄板电阻增加,能够避免因为InAlN的合金散射显著降低2DEG的迁移率,使GaNHEMT器件的迁移率得到显著提高,提高GaN HEMT功率转换和电源管理效率。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种GaN半导体器件,其特征在于:包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层,所述InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域,源级区域和漏极区域设置有栅极区域,所述源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极,所述源级、漏极和栅极一步成型。
2.根据权利要求1所述的一种GaN半导体器件,其特征在于:所述衬底所用材料为SIC,所述GaN通道层的生长采用TMGa为Ga源和NH3气体的混合气体作为原料。
3.根据权利要求1所述的一种GaN半导体器件,其特征在于:所述InGaN插入层的生长,采用AI源的TMAI气体或TEAI气体和作为N源的NH3作为原料。
4.根据权利要求1所述的一种GaN半导体器件,其特征在于:所述InAIN阻挡层的生长,采用TMIn气体、TMAI气体和NH3气体的混合气体作为原料。
5.根据权利要求1所述的一种GaN半导体器件,其特征在于:所述源极、漏极和栅极所用材质均为钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨或氮化钛等中的至少一种,所述源极、漏极和栅极的结构相同。
6.一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制作衬底:通过材料SiC制作SiC衬底;
S2:GaN通道层:在S1步骤制作的SiC衬底上生长形成GaN通道层;
S3:InGaN插入层:在S2步骤中形成的GaN通道层上生长形成InGaN插入层;
S4:InAIN阻挡层:在S3步骤中形成的InGaN插入层上生长形成InAIN阻挡层;
S5:源级、漏极和栅极:在S4步骤中形成的InAIN阻挡层之上设置源级、漏极和栅极。
7.根据权利要求6所述的一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:所述源级、漏极和栅极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,分别在预定源极形成区域和预定漏极形成区域形成源极和漏极,采用光刻技术和气相沉积/剥离技术,在预定栅电极形成区域形成栅极。
8.根据权利要求7所述的一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中InGaN插入层的厚度为≤1nm,且C轴长度为≥0.5nm。
9.根据权利要求8所述的一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中在GaN通道层上形成InGaN插入层的GaN器件结构下,所述GaN通道层和InGaN插入层之间的界面附近产生二维电子气体。
10.根据权利要求9所述的一种GaN半导体器件的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中的工艺参数为:生长温度范围为490℃-590℃之间,Al的流速范围为520μmol/min-620μmol/min之间,NH3的流速范围为6L/min-8L/min之间。
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