CN115644523A - 控制方法、控制模块及气溶胶生成装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种控制方法、控制模块及气溶胶生成装置。控制方法包括：通过高频信号发生单元中的高频振荡电路输出高频模拟信号，高频信号发生单元包括设置于基体并连接至高频振荡电路的待测电容，高频模拟信号用于表征待测电容的电容量；将高频模拟信号转换成可测量信号；测出可测量信号的信号参数；及根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入基体中。本申请的控制方法、控制模块及气溶胶生成装置，在智能判断出气溶胶产生介质装入基体中时，便可达到智能开启气溶胶生成装置以加热气溶胶产生介质的目的；在智能判断出气溶胶产生介质未装入基体中时，便可达到智能关闭气溶胶生成装置的目的。
Description
技术领域
本申请涉及气溶胶生成技术领域，更具体而言，涉及一种控制方法、控制模块及气溶胶生成装置。
背景技术
气溶胶生成装置，例如加热不燃烧(Heat Not Burning，HNB)低温烘烤器具，是一种主要加热雾化固态的“气溶胶产生介质”的新型电子雾化器，由于较为健康且具有高性价比，而受到了众多用户的追捧。随着人们对气溶胶生成装置的智能化程度的要求越来越高，人们希望气溶胶生成装置能够具备自动启动加热的功能，然而，目前的气溶胶生成装置无法识别出“气溶胶产生介质”是否装入，导致气溶胶生成装置无法实现自动启动加热。
发明内容
本申请的实施方式提供了一种控制方法、控制模块及气溶胶生成装置，至少用于解决无法识别“气溶胶产生介质”是否装入的问题。
第一方面，本申请提供一种应用于气溶胶生成装置的控制方法，所述控制方法包括：通过高频信号发生单元中的高频振荡电路输出高频模拟信号，所述高频信号发生单元包括设置于基体并连接至所述高频振荡电路的待测电容，所述高频模拟信号用于表征所述待测电容的电容量；将所述高频模拟信号转换成可测量信号；测出所述可测量信号的信号参数；及根据所述信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入所述基体中。
在某些实施方式中，所述根据所述信号参数及预设的基准参数识别气溶胶产生介质是否装入所述基体中，包括：在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第一预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质未装入所述基体中；及在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
在某些实施方式中，所述待测电容包括至少两个，至少两个所述待测电容沿所述基体的高度方向依次设置于所述基体，并均连接于所述高频振荡电路；所述通过高频信号发生单元中的高频振荡电路输出高频模拟信号，包括：通过所述高频振荡电路输出多个所述高频模拟信号，多个所述高频模拟信号分别用于表征至少两个所述待测电容的电容量；所述将所述高频模拟信号转换成可测量信号，包括：将多个所述高频模拟信号转换成多个所述可测量信号；所述测出所述可测量信号的信号参数，包括：测出每个所述可测量信号的信号参数；根据所述信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入所述基体中，包括：在存在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
在某些实施方式中，所述控制方法还包括：在确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中的情况下，控制所述基体加热。
在某些实施方式中，所述控制方法还包括：在所述基体加热的情况下，根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质是否被抽吸和被抽吸的口数。
在某些实施方式中，所述根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质是否被抽吸，包括：在所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，则确定所述气溶胶产生介质被抽吸。
在某些实施方式中，所述根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质被抽吸的口数，包括：记录所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，然后又从所述预定值回落至所述初始值的次数；及将所述次数作为所述气溶胶产生介质被抽吸的口数。
在某些实施方式中，所述控制方法还包括：在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在所述第二预设范围的情况下，根据与所述任一个所述信号参数对应的所述待测电容在所述基体上的位置，确定所述气溶胶产生介质的装入深度。
在某些实施方式中，所述控制方法还包括：在所述气溶胶产生介质的装入深度由深变浅的情况下，控制所述基体停止加热，或控制所述基体的与所述装入深度对应处以上的部位加热，以下的部位停止加热。
第二方面，本申请提供一种应用于气溶胶产生装置的控制模块，包括基体、高频信号发生单元、信号转换单元及主控单元。所述高频信号发生单元包括待测电容组件及高频振荡电路，所述待测电容组件包括待测电容，所述待测电容设于所述基体，并连接于所述高频振荡电路，所述高频振荡电路用于输出高频模拟信号，所述高频模拟信号用于表征所述待测电容的电容量。所述信号转换单元与所述高频振荡电路连接，用于将所述高频模拟信号转换成可测量信号。所述主控单元与所述信号转换单元连接，用于测出所述可测量信号的信号参数，及根据所述信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入所述基体中。
在某些实施方式中，所述主控单元还用于：在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第一预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质未装入所述基体中；及在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
在某些实施方式中，所述待测电容包括至少两个，至少两个所述待测电容沿所述基体的高度方向依次设置于所述基体，并均连接于所述高频振荡电路；所述高频振荡电路还用于：输出多个所述高频模拟信号，多个所述高频模拟信号分用于别表征多个所述待测电容的电容量；所述信号转换单元还用于：将多个所述高频模拟信号转换成多个所述可测量信号；所述主控单元还用于：测出每个所述可测量信号的信号参数，在存在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
在某些实施方式中，所述主控单元还用于：在确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中的情况下，控制所述基体加热。
在某些实施方式中，所述主控单元还用于：在所述基体加热的情况下，根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质是否被抽吸和被抽吸的口数。
在某些实施方式中，所述主控单元还用于：在所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，则确定所述气溶胶产生介质被抽吸。
在某些实施方式中，所述主控单元还用于：记录所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，然后又从所述预定值回落至所述初始值的次数；及将所述次数作为所述气溶胶产生介质被抽吸的口数。
在某些实施方式中，所述主控单元还用于：在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在所述第二预设范围的情况下，根据与所述任一个所述信号参数对应的所述待测电容在所述基体上的位置，确定所述气溶胶产生介质的装入深度。
在某些实施方式中，所述主控单元还用于：在所述气溶胶产生介质的装入深度由深变浅的情况下，控制所述基体停止加热，或控制所述基体的与所述装入深度对应处以上的部位加热，以下的部位停止加热。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板在所述基体的高度方向上彼此间隔并绝缘；两个所述极板均为环绕所述基体的周壁的环式极板。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板在所述基体的高度方向上彼此间隔并绝缘；两个所述极板中的一个设置于所述基体的端面，另一个为环绕所述基体的周壁的环式极板。
在某些实施方式中，所述待测电容包括多个；每个所述待测电容的两个所述极板彼此独立，多个所述极板成对形成每个所述待测电容，每对所述极板是沿所述基体的高度方向依序成对形成，或每对所述极板是沿所述基体的高度方向间隔交替成对形成。
在某些实施方式中，所述待测电容包括多个；多个所述待测电容共用一个所述极板，每个所述待测电容中的另一个所述极板彼此间隔设置于所述基体。
在某些实施方式中，所述待测电容包括多个；所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板分布在所述基体的周向上，且彼此间隔并绝缘。
在某些实施方式中，所述基体由非导电材质制成，两个所述极板通过贴合、镀膜、电镀的方式设于所述基体。
在某些实施方式中，所述基体由导电材质制成，两个所述极板为所述基体上被分割出的部分结构。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；所述高频振荡电路直接与所述待测电容的两个所述极板连接。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；所述待测电容组件还包括至少一个复合电容，所述待测电容与至少一个所述复合电容串联和/或并联，所述复合电容与所述高频振荡电路连接，以使所述待测电容的至少一个所述极板通过所述复合电容与所述高频振荡电路连接。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；所述高频振荡电路包括集成振荡单元及LC起振单元，所述集成振荡单元的输出引脚与所述信号转换单元连接，所述LC起振单元的第一电容端连接所述待测电容的一个极板，所述LC起振单元的第二电容端连接所述待测电容的另一个极板，所述第二电容端接地。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；所述高频振荡电路还包括电容C2、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C19、电容C29、电阻R11、电阻R12、电阻R6、电阻R17；所述LC起振单元包括电容C27、电容C18、电容C20、电容C24、电阻R13、电感L2；所述集成振荡单元的第一引脚通过电容C15接地，电阻R6的一端连接于所述第一引脚和电容C15之间，另一端与电源连接；所述电源通过电容C2接地；所述集成振荡单元的第二引脚依次经过电容C18和电阻R13后与所述第一电容端连接，电容C27的一端连接于所述第一电容端和电阻R13之间，另一端接地，电感L2的一端连接于电阻R13和电容C18之间，另一端接地，电容C20和电容C24串联于所述第二引脚和电容C18之间后接地；所述集成振荡单元的第三引脚连接于电容C20和电容C24之间；所述集成振荡单元的第四引脚通过电阻R17连接第三待测点，电容C16的一端连接于所述第四引脚和电阻R17之间，另一端接地；所述集成振荡单元的第五引脚依次通过电阻R12和电容C29接地，所述电源连接于电阻R12和电容C29之间，所述第五引脚和电阻R12之间设有第二待测点；所述集成振荡单元的第六引脚接地；所述集成振荡单元的第七引脚通过电容C19接地，所述电源连接于所述第七引脚和电容C19之间；所述集成振荡单元的第八引脚依次通过电阻R11和电容C13接地，所述电源连接于电阻R11和电容C13之间，电阻R11并联于电容C14的两端。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；所述可测量信号包括高频数字信号，所述信号转换单元用于对所述高频模拟信号进行模数转换处理得到高频数字信号。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；所述可测量信号包括低频模拟信号，所述信号转换单元用于对所述高频模拟信号进行变频处理后得到较所述高频模拟信号的频率低的所述低频模拟信号。
在某些实施方式中，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；所述可测量信号包括低频数字信号，所述信号转换单元用于对所述高频模拟信号进行变频处理及模数转换处理得到较所述高频模拟信号的频率低的所述低频数字信号。
在某些实施方式中，所述信号转换单元包括：比较器和数字分频器。所述比较器用于接收所述高频振荡电路产生的所述高频模拟信号，并将所述高频模拟信号转换成高频数字信号。所述数字分频器用于对所述高频数字信号进行十分频处理，以得到低频数字信号。
第三方面，本申请提供一种气溶胶生成装置，包括上述任意一实施方式所述的控制模块。
本申请的控制方法、控制模块及气溶胶生成装置，通过高频信号发生单元输出高频模拟信号，并将高频模拟信号转换成可测量信号，再测出可测量信号的信号参数，最后可根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入基体中。在智能判断出气溶胶产生介质装入基体中时，便可达到智能开启气溶胶生成装置以加热气溶胶产生介质的目的；在智能判断出气溶胶产生介质未装入基体中时，便可达到智能关闭气溶胶生成装置的目的。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的控制方法的流程示意图；
图2是本申请某些实施方式的应用于气溶胶产生装置的控制模块的结构示意图；
图3是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的控制方法的流程示意图；
图4是本申请某些实施方式的控制模块中待测电容与基体的结构示意图；
图5是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的控制方法的流程示意图；
图6是本申请某些实施方式的控制模块中待测电容与基体的结构示意图；
图7是本申请某些实施方式的控制模块中待测电容的轮廓示意图；
图8是本申请某些实施方式的控制模块中待测电容的轮廓示意图；
图9是本申请某些实施方式的控制模块中待测电容的等效电路示意图；
图10是本申请一些实施方式的控制模块中待测电容组件的电路示意图；
图11是本申请另一些实施方式的控制模块中待测电容组件的电路示意图；
图12是本申请再一些实施方式的控制模块中待测电容组件的电路示意图；
图13是本申请还一些实施方式的控制模块中待测电容组件的电路示意图；
图14是本申请一些实施方式的控制模块中高频振荡电路的电路示意图；
图15是本申请另一些实施方式的控制模块中高频振荡电路的电路示意图；
图16是本申请再一些实施方式的控制模块中高频振荡电路的电路示意图；
图17是本申请某些实施方式的控制模块的信号传输示意图；
图18是本申请一些实施方式的控制模块中信号转换单元的电路示意图；
图19是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的控制方法的流程示意图；
图20是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的控制方法的流程示意图；
图21是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的控制方法的流程示意图；
图22是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的控制方法的流程示意图；
图23是本申请某些实施方式的应用于气溶胶生成装置的结构示意图。
主要元件符号说明：
气溶胶生成装置100、控制模块10、基体11、高频信号发生单元13、待测电容组件131、待测电容1311、高频振荡电路133、集成振荡单元1333、LC起振单元1331、信号转换单元15、比较器151、数字分频器153、主控单元17。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的实施方式在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的实施方式的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
请参阅图1、图2及图4，本申请实施方式提供的控制方法应用于气溶胶生成装置100，控制方法包括：
01：通过高频信号发生单元13中的高频振荡电路133输出高频模拟信号，高频信号发生单元13包括设置于基体11并连接至高频振荡电路133的待测电容1311，高频模拟信号用于表征待测电容1311的电容量；
02：将高频模拟信号转换成可测量信号；
03：测出可测量信号的信号参数；及
04：根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质20是否装入基体11中。
本申请实施方式提供的应用于气溶胶产生装置100的控制模块10包括基体11、高频信号发生单元13、信号转换单元15及主控单元17。高频信号发生单元13包括待测电容组件131及高频振荡电路133。待测电容组件131包括待测电容1311，待测电容1311设于基体11，并连接于高频振荡电路133。高频振荡电路133用于输出高频模拟信号，高频模拟信号用于表征待测电容1311的电容量。信号转换单元15与高频振荡电路133连接，用于将高频模拟信号转换成可测量信号。主控单元17与信号转换单元15连接，并用于测出可测量信号的信号参数，及根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质20是否装入基体11中。本实施方式中，气溶胶产生介质20可以是烟支，具体烟支可以包括至少两段，即具有烟草材料的介质段及连接于介质段一端的滤嘴段，介质段可以包括烟草丝、再造烟草片、烟草颗粒等固态物质，并可以添加相应的香气材料等有机物质，以在加热时释放。在介质段与滤嘴段之间也可以至少包括一段降温段，其作用是延长气溶胶传输路径，降低其温度。气溶胶产生介质20装入基体11中的方式为插入方式。
其中，请参阅图4及图6，基体11是用于形成电容的部件，基体11可为设有容纳腔的柱状结构，柱状结构可以是圆柱状结构、方柱状结构、三棱柱状结构等等，在此不限制，容纳腔用于收容气溶胶产生介质20。在气溶胶产生介质20装入基体11内的情况下，可通过发热体发热来加热气溶胶产生介质20，使其相应的成份挥发而产生气溶胶，以供用户吸食。在一个实施方式中，基体11由非导电材质制成，例如玻璃、耐高温的树脂，工程塑料。基体11由导电材质制成，例如，导电金属，具体如铜、铝等。在基体11由导电材质制成的情况下，基体11也可以作为发热体进行发热。
“高频模拟信号”的频率通常较高，一般大于20MHz，使用现行的测量仪器无法准确地测出数据，而采用较为精密的测量仪器进行测量虽然能够较为准确地测出数据，但是采用精密的测量仪器进行测量成本较高，普适性不强。因此，可先将“高频模拟信号”转换成“可测量信号”，“可测量信号”的频率相较于“高频模拟信号”的频率要低得多，可被现行的测量仪器准确地测出。“信号参数”包括频率、幅值等数据，“基准参数”为气溶胶产生装置100在出厂之前便可获得，在出厂之后可被气溶胶产生装置100直接调用的频率、幅值等数据，本申请以“信号参数”和“基准参数”均是频率为例进行说明。需要说明的是，“基准参数”是气溶胶产生装置100在出厂之前进行校验时设定的值，该值可以根据具体的校验情况来进行设定，不同型号的气溶胶产生装置100可采用不同的“基准参数”，相同型号的气溶胶产生装置100可采用相同的“基准参数”，也可采用不同的“基准参数”。
本申请的控制方法及控制模块10，通过高频信号发生单元13输出高频模拟信号，并将高频模拟信号转换成可测量信号，再测出可测量信号的信号参数，最后可根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质20是否装入基体11中。在智能判断出气溶胶产生介质20装入基体11中时，便可达到智能开启气溶胶生成装置100以加热气溶胶产生介质20的目的；在智能判断出气溶胶产生介质20未装入基体11中时，便可达到智能关闭气溶胶生成装置100的目的。
请参阅图2至图4，在某些实施方式中，04：根据信号参数及预设的基准参数识别气溶胶产生介质20是否装入基体11中，可包括：
041：在信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围的情况下，确定气溶胶产生介质20未装入基体11中；及
043：在信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定气溶胶产生介质20装入基体11中。
主控单元17还用于：在信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围的情况下，确定气溶胶产生介质20未装入基体11中；及在信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定气溶胶产生介质20装入基体11中。
“第一预设范围”和“第二预设范围”均是气溶胶产生装置100在出厂之前便可获得，在出厂之后可被气溶胶产生装置100直接调用的校验数据。“第一预设范围”是用于判定气溶胶产生介质20未装入基体11中的参数范围(频率范围)，“第二预设范围”是用于判定气溶胶产生介质20装入基体11中的参数范围(频率范围)，“第二预设范围”与“第一预设范围”不同，通常，“第二预设范围”的下限值大于“第一预设范围”的上限值。例如，“第一预设范围”为550Hz～570Hz，当信号参数与基准参数之间的差值在550Hz～570Hz之间，例如为560Hz的情况下，则表明气溶胶产生介质20未装入基体11中；“第二预设范围”为2980Hz～3000Hz，当信号参数与基准参数之间的差值在2980Hz～3000Hz之间，例如为2980Hz的情况下，则表明气溶胶产生介质20装入基体11中。
其中，在一些实施方式中，请参阅图4，待测电容1311包括两个导电的极板，两个极板在基体11的高度方向上彼此间隔并绝缘。在一个例子中，两个极板均为环绕基体11的周壁的环式极板，如图4中(a)所示，极板A和极板B均为环绕基体11的周壁的环式极板，极板A和极板B组成一个待测电容1311。在另一个例子中，两个极板中的一个设置于基体11的端面，另一个为环绕基体11的周壁的环式极板，如图4中(b)所示，极板A为环绕基体11的周壁的环式极板，极板B设置于基体11的端面，极板A和极板B组成一个待测电容1311。需要说明的是，环式极板可以是闭合的环式，即极板A和极板B的横截面均为圆形；环式极板也可以是非闭合的环式，即极板A和极板B的横截面均为C形；两个极板也可以是非闭合的环式和闭合式的环式的结合，例如极板A和极板B中的一个为闭合的环式极板，横截面均为圆形，而另一个是非闭合的环式极板，横截面均为C形。
请参阅图7，环式极板在基体11高度方向上的两侧的边缘(在周向上的边缘)包括圆弧形、矩形、弓形、三角形、螺旋形中的一种或多种。环式极板在基体11高度方向上的两侧的边缘包括线性、非线性、平面或非平面的一个或多个。
在基体11由非导电材质制成的情况下，极板A和极板B可通过贴合的方式设于基体11，此时极板A和极板B为柔性的；当然，极板A和极板B还可通过镀膜、电镀的方式设于基体11。在基体11由导电材质制成的情况下，极板A和极板B为基体11上被分割出的部分结构，只要二者彼此绝缘组成一个待测电容1311即可。
在另一些实施方式中，请参阅图4，待测电容1311包括两个导电的极板，两个极板分布在基体11的周向上，且彼此间隔并绝缘。如图4中(c)所示，极板A和极板B分布在基体11的周向上，且彼此间隔并绝缘，形成包裹式待测电容1311。
此时，请结合图8，包裹式待测电容1311的极板在基体11周向上的两侧的边缘(在周向上的边缘)包括圆弧形、矩形、弓形、三角形、螺旋形中的一种或多种。包裹式待测电容1311的极板在基体11周向上的两侧的边缘(在周向上的边缘)包括线性、非线性、平面或非平面的一个或多个。
在一些实施方式中，请参阅图4，待测电容1311的数量可为一个。在另一些实施方式中，请参阅图6，待测电容1311的数量可为至少两个，例如两个、三个、甚至是更多个。
请继续参阅图6，在待测电容1311的数量为多个(至少两个)的情况下，在一些实施方式中，每个待测电容1311的极板均为环绕式极板，每个待测电容1311的两个极板彼此独立，多个极板成对形成每个待测电容1311。在一个例子中，每对极板是沿基体11的高度方向依序成对形成，如图6中(a)所示，具体地，极板A和极板B成对形成一个待测电容1311，极板C和极板D成对形成另一个待测电容1311；在另一个例子中，每对极板是沿基体11的高度方向间隔交替成对形成，如图6中(b)所示，具体地，极板A、极板B、极板C和极板D沿基体11的高度方向依序设置，极板A和极板C成对形成一个待测电容1311，极板B和极板D成对形成另一个待测电容1311。
请还参阅图6，在待测电容1311的数量为多个(至少两个)的情况下，在另一些实施方式中，多个待测电容1311共用一个极板，每个待测电容1311中的另一个极板彼此间隔设置于基体11。在一个例子中，如图6中(c)所示，共用的极板E设置于基体11的端面，极板A、极板B、极板C及极板D彼此间隔设置于基体11，极板E与极板A成对形成一个待测电容1311，极板E与极板B成对形成一个待测电容1311，极板E与极板C成对形成一个待测电容1311，极板E与极板D成对形成一个待测电容1311。在另一个例子中，如图6中(d)所示，极板A、极板B、极板C及极板D彼此间隔设置于基体11，极板D为共用极板，极板D与极板A成对形成一个待测电容1311，极板D与极板B成对形成一个待测电容1311，极板D与极板C成对形成一个待测电容1311。
请参阅图6，在待测电容1311的数量为多个(至少两个)的情况下，在再一些实施方式中，多个待测电容1311均为包裹式待测电容1311。如图6中(e)所示，极板A和极板B成对形成一个包裹式待测电容1311，极板C和极板D成对形成一个包裹式待测电容1311，两个包裹式待测电容1311沿基体11的高度方向间隔设置。
请参阅图2及图5，在某些实施方式中，在待测电容1311为至少两个，至少两个待测电容1311沿基体11的高度方向依次设置于基体11，并均连接于高频振荡电路133的情况下：
01：通过高频信号发生单元13中的高频振荡电路133输出高频模拟信号，包括：
011：通过高频振荡电路133输出多个高频模拟信号，多个高频模拟信号分别用于表征至少两个待测电容1311的电容量；
02：将高频模拟信号转换成可测量信号，包括：
021：将多个高频模拟信号转换成多个可测量信号；
03：测出可测量信号的信号参数，包括：
031：测出每个可测量信号的信号参数；
04：根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质20是否装入基体11中，包括：
045：在所有信号参数与基准参数之间的差值均在第一预设范围的情况下，确定气溶胶产生介质20未装入基体11中；
047：在存在任一个信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定气溶胶产生介质20装入基体11中；
对应地，高频振荡电路133还用于：输出多个高频模拟信号，多个高频模拟信号分别用于表征多个待测电容1311的电容量。信号转换单元15还用于将多个高频模拟信号转换成多个可测量信号。主控单元17还用于测出每个可测量信号的信号参数，及在存在任一个信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定气溶胶产生介质20装入基体11中；及在所有信号参数与基准参数之间的差值均在第一预设范围的情况下，才确定气溶胶产生介质20未装入基体11中。
无论待测电容1311的数量为一个，还是至少两个，对于每个待测电容1311而言，其两个极板与气溶胶产生介质20之间的等效电路都如图9所示，把气溶胶产生介质20等效看成电容的一个极板C，极板A和气溶胶产生介质20形成电容①，极板B和气溶胶产生介质20形成电容②，形成的等效电容示意图如图9右图所示。电容理论公式如下：C＝ε(S/d)；其中，C是电容值，ε是极板间的介电常数，S是极板面积，d是极板间距离。因为气溶胶产生介质20的电导率远小于极板A和极板B，故当气溶胶产生介质20装入到极板A和极板B之间时，相当于改变了极板A和极板B之间物质的介电常数ε，从而导致极板A和极板B之间的电容发生了变化。根据极板A和极板B之间的电容是否发生变化，便可识别到极板A和极板B之间是否装入有气溶胶产生介质20。其中，气溶胶产生介质20可以是烟支、固体药物或其他固体物质。此外，气溶胶产生介质20也可以是装在固体容器内的液态物质。
在一些实施方式中，请参阅图2及图9，待测电容组件131仅包括待测电容Cx，而待测电容Cx包括设置于基体11上的两个极板，例如极板A和极板B，此时，高频振荡电路133直接与待测电容Cx的两个极板(极板A和极板B)连接。此时，高频振荡电路133输出的高频模拟信号直接表征了待测电容Cx的电容量，非常直接和准确。
在另一些实施方式中，请参阅图2、图10至图13，待测电容组件131包括待测电容Cx及至少一个复合电容，待测电容Cx包括设置于基体11上的两个极板，例如极板A和极板B。复合电容可以是电容厂家生产的成品电容，也可以是由结构件构成的电容。待测电容Cx与至少一个复合电容串联、并联、或串并联结合，复合电容与高频振荡电路133连接，以使待测电容Cx的至少一个极板通过复合电容与高频振荡电路133连接。由于待测电容Cx设置于基体11上，高频振荡电路133与待测电容Cx的两个极板直接连接存在一定的接线困难，本实施方式通过设置复合电容，可将待测电容Cx先从基体11上引出来，再与高频振荡电路133连接，实现待测电容Cx与高频振荡电路133的间接连接，降低了接线难度。
具体地，在一个例子中，如图10所示，待测电容组件131还包括复合电容C1和复合电容C2，复合电容C1、待测电容Cx及复合电容C2依次串联。请结合图16，待测电容Cx的极板A通过复合电容C1与高频振荡电路133的第一电容端Cap1连接，待测电容Cx的极板B通过复合电容C2与高频振荡电路133的第二电容端Cap2连接。
在另一个例子中，如图11所示，待测电容组件131包括复合电容C1和复合电容C2，复合电容C1、待测电容Cx及复合电容C2并联。请结合图16，待测电容Cx的极板A和极板B并联上复合电容C1和复合电容C2，最远离基体11的复合电容的两个极板分别与高频振荡电路133的第一电容端Cap1和第二电容端Cap2连接。
在再一个例子中，如图12所示，待测电容组件131还包括复合电容C1、复合电容C2、复合电容C3和复合电容C4，待测电容Cx与复合电容C1、复合电容C2并联后，再与复合电容C3和复合电容C4串联。请结合图16，待测电容Cx的极板A通过复合电容C3与高频振荡电路133的第一电容端Cap1连接，待测电容Cx的极板B通过复合电容C4与高频振荡电路133的第二电容端Cap2连接。
在还一个例子中，如图13所示，待测电容组件131还包括复合电容C1、复合电容C2、复合电容C3和复合电容C4，复合电容C1、复合电容C2及复合电容C3并联后，再与待测电容Cx与和复合电容C4串联。请结合图16，待测电容Cx的极板B通过复合电容C4与高频振荡电路133的第一电容端Cap1连接，待测电容Cx的极板A直接与高频振荡电路133的第二电容端Cap2连接。
待测电容组件131中的复合电容的数量及与待测电容Cx的连接关系并不局限于图9至图13所示的方式，还可以是其他，在此不一一列举。
另外，在待测电容Cx的数量为两个或两个以上的情况下，高频振荡电路133的电容端的数量与待测电容Cx总的极板数量相同。此时，在一个例子中，每个待测电容Cx的两个极板均直接与高频振荡电路133的电容端Cap连接。在另一个例子中，一部分待测电容Cx的两个极板均直接与高频振荡电路133的电容端Cap连接，另一部分待测电容Cx的至少一个极板是通过复合电容与高频振荡电路133的电容端Cap连接。
待测电容组件131和高频振荡电路133构成高频信号发生单元13，待测电容组件131电容值的变化可以引起高频振荡电路133振荡频率的变化。高频振荡电路133可以是LC振荡电路，如图14所示。高频振荡电路133也可以是石英晶体振荡电路，如图15所示。高频振荡电路133还可以是有源晶振或集成芯片等等，并不局限，下面介绍一种电路结构的高频振荡电路133。
具体地，请参阅图16，高频振荡电路133包括集成振荡单元1333及LC起振单元1331，集成振荡单元1333的输出引脚与信号转换单元15连接，LC起振单元1331的第一电容端Cap1连接待测电容1311的一个极板，LC起振单元1331的第二电容端Cap2连接待测电容1311的另一个极板，第二电容端Cap2接地。
更具体地，高频振荡电路133还包括电容C2、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C19、电容C29、电阻R11、电阻R12、电阻R6、电阻R17。LC起振单元1331包括电容C27、电容C18、电容C20、电容C24、电阻R13、电感L2；集成振荡单元1333的第一引脚通过电容C15接地，电阻R6的一端连接于第一引脚和电容C15之间，另一端与电源连接。电源通过电容C2接地。集成振荡单元1333的第二引脚依次经过电容C18和电阻R13后与第一电容端Cap1连接。电容C27的一端连接于第一电容端Cap1和电阻R13之间，另一端接地。电感L2的一端连接于电阻R13和电容C18之间，另一端接地。电容C20和电容C24串联于第二引脚和电容C18之间后接地。集成振荡单元1333的第三引脚连接于电容C20和电容C24之间。集成振荡单元1333的第四引脚通过电阻R17连接第三待测点。电容C16的一端连接于第四引脚和电阻R17之间，另一端接地。集成振荡单元1333的第五引脚依次通过电阻R12和电容C29接地，电源连接于电阻R12和电容C29之间，第五引脚和电阻R12之间设有第二待测点。集成振荡单元1333的第六引脚接地。集成振荡单元1333的第七引脚通过电容C19接地，电源连接于第七引脚和电容C19之间。集成振荡单元1333的第八引脚依次通过电阻R11和电容C13接地，电源连接于电阻R11和电容C13之间，电阻R11并联于电容C14的两端。其中，高频模拟信号可从第八引脚输出至信号转换单元15。
需要说明的是，图16所示的高频振荡电路133仅设计了两个电容端，若待测电容1311的数量为多个，则电容端的数量也会随之增多，电容端的数量与所有待测电容1311的极板数量一致。集成振荡单元1333的第八引脚为输出端，用于输出与一个待测电容1311对应的高频模拟信号，若待测电容1311的数量为多个，则可将集成振荡单元1333设计成具有多个输出端，每个输出端用于输出与一个待测电容1311对应的高频模拟信号。
在高频振荡电路133输出高频模拟信号后，信号转换单元15可将高频模拟信号转换成可测量信号。请参阅图17的(a)图，在一些实施方式中，可测量信号可为高频数字信号，信号转换单元15用于对高频模拟信号进行模数转换处理得到高频数字信号，此时，主控单元17测出的是“高频数字信号”的信号参数。请参阅图17的(b)图，在另一些实施方式中，可测量信号可为低频模拟信号，信号转换单元15用于对高频模拟信号进行变频处理后得到较高频模拟信号的频率低的低频模拟信号，此时，主控单元17测出的是“低频模拟信号”的信号参数。请参阅图17的(c)图，在再一些实施方式中，可测量信号可为低频数字信号，信号转换单元15用于对高频模拟信号进行变频处理及模数转换处理得到较高频模拟信号的频率低的低频数字信号，此时，主控单元17测出的是“低频数字信号”的信号参数。下面以可测量信号为低频数字信号，信号转换单元15用于对高频模拟信号进行变频处理及模数转换处理得到较高频模拟信号的频率低的低频数字信号为例进行说明。
具体地，请参阅图18，信号转换单元15包括比较器151和数字分频器153。比较器151用于接收高频振荡电路133产生的高频模拟信号，并将高频模拟信号转换成高频数字信号。数字分频器153用于对高频数字信号进行十分频处理，以得到低频数字信号。在一个例子中，信号转换单元15的FrequencyInput可与集成振荡单元1333的第八引脚连接，用于接收高频模拟信号。信号转换单元15的Fre-OUT1则与主控单元17连接，将低频数字信号传输至主控单元17，主控单元17测出是“低频数字信号”的信号参数，并根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质20是否装入基体11中。
在经过04中的方法(包括043和047)并确定出气溶胶产生介质20装入基体11中的情况下，请参阅图19及图20，控制方法还可包括：
05：控制基体11加热。
此时，主控单元17还用于在确定气溶胶产生介质20装入基体11中的情况下，控制基体11加热。在一些实施方式中，基体11为导电材质制成，基体11也可作为发热体，此时主控单元17可直接控制基体11发热。在另一些实施方式中，基体11为非导电材质制成，基体11附近设置有发热体，此时，主控单元17可控制发热体发热以加热基体11。
本申请实施方式的控制模块10可在确定出气溶胶产生介质20装入基体11中的情况下，才控制基体11加热，一方面能实现智能判断气溶胶产生介质20的装入，达到智能开启加热气溶胶产生介质20的目的；另一方面，能实现智能判断气溶胶产生介质20的拔出，达到智能关闭加热气溶胶产生介质20的目的，即抽即停；还一方面，可以避免气溶胶生成装置100内没有气溶胶产生介质20时的误加热，防止无气溶胶产生介质20时干烧，具有一定的智能安全性。
进一步地，请继续参阅图19及图20，在基体11加热的情况下，控制方法还可包括：
06：根据信号参数的变化，确定气溶胶产生介质20是否被抽吸和被抽吸的口数。
此时，主控单元17还用于：在基体11加热的情况下，根据信号参数的变化，确定气溶胶产生介质20是否被抽吸和被抽吸的口数。
在主控单元17确定出气溶胶产生介质20装入基体11中，且测得的初始信号参数，例如初始频率为65MHz的情况下，当加热基体11时，电容极板中间会充满气溶胶，电容值增加，频率下降，气溶胶越多，频率越低；不同的气溶胶生成量会导致谐振频率的不同，谐振频率在59MHz和62MHz之间；经过十分频之后，频率在57KHz和61KHz之间。主控单元17可根据采集到的频率的变化趋势，测出抽吸动作及抽吸口数。例如，加热时，气溶胶充满电容极板中间，测得分频后的频率是59KHz左右，抽吸后，气溶胶流走，测得分频后的频率上升，变为61KHz左右。频率的变化，可以反应出抽吸动作，统计抽吸动作出现的次数就可得到气溶胶产生介质20被抽吸的口数。
通常，气溶胶生成装置100被抽吸的口数是一定的，大概在15口左右，一旦气溶胶产生介质20被抽吸15口，气溶胶产生介质20就被消耗完，若再继续加热发热体或基体11，变会造成气溶胶产生介质20干烧，产生有害物质。因此，若能够智能地统计出气溶胶产生介质20被抽吸的口数，那么可以在达到统计出的被抽吸口数达到预定口数之后，例如达到15口后，主控单元17可控制停止加热发热体或基体11，从而防止气溶胶产生介质20耗尽时的干烧，具有一定的智能安全性。
其中，请参阅图21，06：根据信号参数的变化，确定气溶胶产生介质20是否被抽吸，可包括：
061：在信号参数由基体11加热时的初始值增加至预定值，则确定气溶胶产生介质20被抽吸。
此时，主控单元17还用于：在信号参数由基体11加热时的初始值增加至预定值，则确定气溶胶产生介质20被抽吸。
另外，请参阅图21，06：根据信号参数的变化，确定气溶胶产生介质20被抽吸的口数，还可包括：
063：记录信号参数由基体11加热时的初始值增加至预定值，然后又从预定值回落至初始值的次数；及
065：将次数作为气溶胶产生介质20被抽吸的口数。
此时，主控单元17还用于：记录信号参数由基体11加热时的初始值增加至预定值，然后又从预定值回落至初始值的次数；及将次数作为气溶胶产生介质20被抽吸的口数。
请参阅图22，在某些实施方式中，在待测电容1311为至少两个，至少两个待测电容1311沿基体11的高度方向依次设置于基体11，并均连接于高频振荡电路133的情况下，控制方法还可包括：
07：在任一个信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，根据与任一个信号参数对应的待测电容1311在基体11上的位置，确定气溶胶产生介质20的装入深度。
此时，主控单元17还用于：在任一个信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，根据与任一个信号参数对应的待测电容1311在基体11上的位置，确定气溶胶产生介质20的装入深度。
例如，请结合图6中(a)图所示，若上待测电容1311(极板A和极板B成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，而下待测电容1311(极板C和极板D成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度只在极板A与极板B之间，并未达到极板C与极板D之间。若上待测电容1311(极板A和极板B成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，且下待测电容1311(极板C和极板D成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值也在第二预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度达到极板C与极板D之间。
再例如，请结合图6中(b)图所示，若上待测电容1311(极板A和极板C成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，而下待测电容1311(极板B和极板D成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度只在极板A与极板B之间，并未超过极板B。若上待测电容1311(极板A和极板C成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，而下待测电容1311(极板B和极板D成对形成)对应的信号参数与基准参数之间的差值也在第二预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度在极板B与极板D之间。
在基体11的高度方向上，待测电容1311的数量越多，气溶胶产生介质20的装入深度的确定也就越精确。如图6中(c)图所示，沿基体11的高度方向，从上至下一共有四个待测电容，分别称第一待测电容(极板A和极板E成对形成)，第二待测电容(极板B和极板E成对形成)，第三待测电容(极板C和极板E成对形成)，第四待测电容(极板D和极板E成对形成)。若第一待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第二待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第三待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第四待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度在极板D与极板E之间。若第一待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第二待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第三待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第四待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度在极板C与极板D之间。若第一待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第二待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第三待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，第四待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度在极板B与极板C之间。若第一待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第二预设范围，第二待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，第三待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，第四待测电容对应的信号参数与基准参数之间的差值在第一预设范围，则确定气溶胶产生介质20的装入深度在极板A与极板B之间。
进一步地，请参阅图22，在某些实施方式中，在气溶胶产生介质20的装入深度由深变浅的情况下，控制方法还可包括：
081：控制基体11停止加热；或
083：控制基体11的与装入深度对应处以上的部位加热，以下的部位停止加热。
此时，主控单元17还用于：在气溶胶产生介质20的装入深度由深变浅的情况下，控制基体11停止加热。或者，主控单元17还用于：在气溶胶产生介质20的装入深度由深变浅的情况下，控制基体11的与装入深度对应处以上的部位加热，以下的部位停止加热。
在气溶胶产生介质20的装入深度由深变浅的情况下，则表明气溶胶产生介质20松动且朝上运动甚至是完全被拔出。在完全被拔出的情况下，若继续加热基体11，会造成能量浪费，控制基体11停止加热，能够节省能量。若是气溶胶产生介质20仍装入基体11，仅仅是朝上运动了一定距离，若继续全面加热基体11，也会造成能量浪费，此时，若控制基体11的与装入深度对应处以上的部位加热，以下的部位停止加热，能够实现精准加热，节省能量，提升气溶胶生成装置100的续航能力。
请参阅图23，本申请还提供一种气溶胶生成装置100，气溶胶生成装置100包括如上任意一实施方式所述的控制模块10。
本申请的气溶胶生成装置100，通过高频信号发生单元13输出高频模拟信号，并将高频模拟信号转换成可测量信号，再测出可测量信号的信号参数，最后可根据信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质20是否装入基体11中。在智能判断出气溶胶产生介质20装入基体11中时，便可达到智能开启气溶胶生成装置100以加热气溶胶产生介质20的目的；在智能判断出气溶胶产生介质20未装入基体11中时，便可达到智能关闭气溶胶生成装置100的目的。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (28)
1.一种控制方法，应用于气溶胶生成装置，其特征在于，所述控制方法包括：
通过高频信号发生单元中的高频振荡电路输出高频模拟信号，所述高频信号发生单元包括设置于基体并连接至所述高频振荡电路的待测电容，所述高频模拟信号用于表征所述待测电容的电容量；
将所述高频模拟信号转换成可测量信号；
测出所述可测量信号的信号参数；及
根据所述信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入所述基体中。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述信号参数及预设的基准参数识别气溶胶产生介质是否装入所述基体中，包括：
在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第一预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质未装入所述基体中；及
在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述待测电容包括至少两个，至少两个所述待测电容沿所述基体的高度方向依次设置于所述基体，并均连接于所述高频振荡电路；
所述通过高频信号发生单元中的高频振荡电路输出高频模拟信号，包括：通过所述高频振荡电路输出多个所述高频模拟信号，多个所述高频模拟信号分别用于表征至少两个所述待测电容的电容量；
所述将所述高频模拟信号转换成可测量信号，包括：将多个所述高频模拟信号转换成多个所述可测量信号；
所述测出所述可测量信号的信号参数，包括：测出每个所述可测量信号的信号参数；
根据所述信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入所述基体中，包括：
在存在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
4.根据权利要求2或3所述的控制方法，其特征在于，还包括：
在确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中的情况下，控制所述基体加热。
5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，还包括：
在所述基体加热的情况下，根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质是否被抽吸和被抽吸的口数。
6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质是否被抽吸，包括：
在所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，则确定所述气溶胶产生介质被抽吸。
7.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质被抽吸的口数，包括：
记录所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，然后又从所述预定值回落至所述初始值的次数；及
将所述次数作为所述气溶胶产生介质被抽吸的口数。
8.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，还包括：
在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在所述第二预设范围的情况下，根据与所述任一个所述信号参数对应的所述待测电容在所述基体上的位置，确定所述气溶胶产生介质的装入深度。
9.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，在所述气溶胶产生介质的装入深度由深变浅的情况下，所述控制方法还包括：
控制所述基体停止加热，或控制所述基体的与所述装入深度对应处以上的部位加热，以下的部位停止加热。
10.一种应用于气溶胶产生装置的控制模块，其特征在于，所述控制模块包括：
基体；
高频信号发生单元，包括待测电容组件及高频振荡电路，所述待测电容组件包括待测电容，所述待测电容设于所述基体，并连接于所述高频振荡电路，所述高频振荡电路用于输出高频模拟信号，所述高频模拟信号用于表征所述待测电容的电容量；
信号转换单元，与所述高频振荡电路连接，用于将所述高频模拟信号转换成可测量信号；及
主控单元，与所述信号转换单元连接，用于：测出所述可测量信号的信号参数，及根据所述信号参数及预设的基准参数确定气溶胶产生介质是否装入所述基体中。
11.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，所述主控单元还用于：
在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第一预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质未装入所述基体中；及
在所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
12.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，所述待测电容包括至少两个，至少两个所述待测电容沿所述基体的高度方向依次设置于所述基体，并均连接于所述高频振荡电路；
所述高频振荡电路还用于：输出多个所述高频模拟信号，多个所述高频模拟信号分用于别表征多个所述待测电容的电容量；
所述信号转换单元还用于：将多个所述高频模拟信号转换成多个所述可测量信号；
所述主控单元还用于：测出每个所述可测量信号的信号参数，及在存在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在第二预设范围的情况下，确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中。
13.根据权利要求11或12所述的控制模块，其特征在于，所述主控单元还用于：在确定所述气溶胶产生介质装入所述基体中的情况下，控制所述基体加热。
14.根据权利要求13所述的控制模块，其特征在于，所述主控单元还用于：
在所述基体加热的情况下，根据所述信号参数的变化，确定所述气溶胶产生介质是否被抽吸和被抽吸的口数。
15.根据权利要求14所述的控制模块，其特征在于，所述主控单元还用于：
在所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，则确定所述气溶胶产生介质被抽吸。
16.根据权利要求14所述的控制模块，其特征在于，所述主控单元还用于：
记录所述信号参数由所述基体加热时的初始值增加至预定值，然后又从所述预定值回落至所述初始值的次数；及
将所述次数作为所述气溶胶产生介质被抽吸的口数。
17.根据权利要求12所述的控制模块，其特征在于，所述主控单元还用于：
在任一个所述信号参数与所述基准参数之间的差值在所述第二预设范围的情况下，根据与所述任一个所述信号参数对应的所述待测电容在所述基体上的位置，确定所述气溶胶产生介质的装入深度。
18.根据权利要求17所述的控制模块，其特征在于，所述主控单元还用于：
在所述气溶胶产生介质的装入深度由深变浅的情况下，控制所述基体停止加热，或控制所述基体的与所述装入深度对应处以上的部位加热，以下的部位停止加热。
19.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板在所述基体的高度方向上彼此间隔并绝缘；
两个所述极板均为环绕所述基体的周壁的环式极板；或
两个所述极板中的一个设置于所述基体的端面，另一个为环绕所述基体的周壁的环式极板。
20.根据权利要求19所述的控制模块，其特征在于，所述待测电容包括多个；
每个所述待测电容的两个所述极板彼此独立，多个所述极板成对形成每个所述待测电容，每对所述极板是沿所述基体的高度方向依序成对形成，或每对所述极板是沿所述基体的高度方向间隔交替成对形成；或
多个所述待测电容共用一个所述极板，每个所述待测电容中的另一个所述极板彼此间隔设置于所述基体。
21.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板分布在所述基体的周向上，且彼此间隔并绝缘。
22.根据权利要求19-21任意一项所述的控制模块，其特征在于，所述基体由非导电材质制成，两个所述极板通过贴合、镀膜、电镀的方式设于所述基体；或
所述基体由导电材质制成，两个所述极板为所述基体上被分割出的部分结构。
23.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，所述待测电容包括两个导电的极板，两个所述极板设置于所述基体；
所述高频振荡电路直接与所述待测电容的两个所述极板连接；或
所述待测电容组件还包括至少一个复合电容，所述待测电容与至少一个所述复合电容串联和/或并联，所述复合电容与所述高频振荡电路连接，以使所述待测电容的至少一个所述极板通过所述复合电容与所述高频振荡电路连接。
24.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，所述高频振荡电路包括集成振荡单元及LC起振单元，所述集成振荡单元的输出引脚与所述信号转换单元连接，所述LC起振单元的第一电容端连接所述待测电容的一个极板，所述LC起振单元的第二电容端连接所述待测电容的另一个极板，所述第二电容端接地。
25.根据权利要求24所述的控制模块，其特征在于，所述高频振荡电路还包括电容C2、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C19、电容C29、电阻R11、电阻R12、电阻R6、电阻R17；所述LC起振单元包括电容C27、电容C18、电容C20、电容C24、电阻R13、电感L2；所述集成振荡单元的第一引脚通过电容C15接地，电阻R6的一端连接于所述第一引脚和电容C15之间，另一端与电源连接；所述电源通过电容C2接地；所述集成振荡单元的第二引脚依次经过电容C18和电阻R13后与所述第一电容端连接，电容C27的一端连接于所述第一电容端和电阻R13之间，另一端接地，电感L2的一端连接于电阻R13和电容C18之间，另一端接地，电容C20和电容C24串联于所述第二引脚和电容C18之间后接地；所述集成振荡单元的第三引脚连接于电容C20和电容C24之间；所述集成振荡单元的第四引脚通过电阻R17连接第三待测点，电容C16的一端连接于所述第四引脚和电阻R17之间，另一端接地；所述集成振荡单元的第五引脚依次通过电阻R12和电容C29接地，所述电源连接于电阻R12和电容C29之间，所述第五引脚和电阻R12之间设有第二待测点；所述集成振荡单元的第六引脚接地；所述集成振荡单元的第七引脚通过电容C19接地，所述电源连接于所述第七引脚和电容C19之间；所述集成振荡单元的第八引脚依次通过电阻R11和电容C13接地，所述电源连接于电阻R11和电容C13之间，电阻R11并联于电容C14的两端。
26.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，
所述可测量信号包括高频数字信号，所述信号转换单元用于对所述高频模拟信号进行模数转换处理得到高频数字信号；或
所述可测量信号包括低频模拟信号，所述信号转换单元用于对所述高频模拟信号进行变频处理后得到较所述高频模拟信号的频率低的所述低频模拟信号；或
所述可测量信号包括低频数字信号，所述信号转换单元用于对所述高频模拟信号进行变频处理及模数转换处理得到较所述高频模拟信号的频率低的所述低频数字信号。
27.根据权利要求10所述的控制模块，其特征在于，所述信号转换单元包括：
比较器，用于接收所述高频振荡电路产生的所述高频模拟信号，并将所述高频模拟信号转换成高频数字信号；及
数字分频器，用于对所述高频数字信号进行十分频处理，以得到低频数字信号。
28.一种气溶胶生成装置，其特征在于，包括权利要求10-27任意一项所述的控制模块。
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