CN115637421A - 前驱体混合注入系统、半导体处理设备及前驱体控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了前驱体混合注入系统、半导体处理设备及前驱体控制方法。所述前驱体混合注入系统包括：多条支路；前置混合储气室，包括进气管路和出气管路，所述多条支路的各输出汇入所述进气管路，所述出气管路耦接反应腔室；以及压力检测计，位于前置混合储气室的进气管路上，用于监测所述前置混合储气室内部压力变化。其中，所述多条支路包括至少两路支路，每条支路为源瓶支路或者气体支路中的一者；所述源瓶支路输送前驱体原始状态为固态或液态的前驱体至所述前置混合储气室，所述气体支路输送气体前驱体或载体至所述前置混合储气室；所述源瓶支路或者气体支路具有流量计，控制进入所述前置混合储气室的流体流量和比例。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种原子层沉积设备和方法。
背景技术
随着半导体行业的发展，集成电路元器件逐渐向着多样化、微型化发展。精确控制薄膜厚度和均匀性，保持较高深宽比的覆盖都显得尤为重要。原子层沉积(Atomic layerdeposition，ALD)技术可以精确控制薄膜厚度，并且具有良好的保型性。
原子层沉积技术的一种传统做法是采用载气带出前驱体的注入模式，这种做法的缺点是前驱体浓度较低，在结构片扩散速度较低，特别是凹槽底部扩散困难。
现有技术中，还有采用流量计(MFC)交替注入不同前驱体(例如，TiCl4和NH3)至腔室，但脉冲周期较长，存在循环周期无法缩短的问题。
此外，对于多元化合物沉积，现有技术中采用了储气室结构快速注入高浓度注入前驱体的方式，但在源瓶加热温度一定的情况下，前驱体注入浓度不可调整。而且，多元化合物如TiSiN通过TiN/SiN周期来调节Ti/Si比的话，会形成复合层(layer by layer)结构。
因此，亟需一种适用于制备多元化合物的原子层沉积设备和方法。
发明内容
为了克服现有技术中的问题，本发明提供了一种前驱体混合注入系统。
所述前驱体混合注入系统包括多条支路、前置混合储气室以及压力检测计。
前置混合储气室包括进气管路和出气管路，所述多条支路的各输出汇入所述进气管路，所述出气管路耦接反应腔室。
压力检测计位于前置混合储气室的进气管路上，用于监测所述前置混合储气室内部压力变化。
所述多条支路包括至少两路支路，每条支路为源瓶支路或者气体支路中的一者；所述源瓶支路输送前驱体原始状态为固态或液态的前驱体至所述前置混合储气室，所述气体支路输送气体前驱体或载体至所述前置混合储气室；所述源瓶支路或者气体支路具有流量计，控制进入所述前置混合储气室的流体流量和比例。
在一个实施例中，所述源瓶支路包括依次连接的源瓶、源瓶支路第一控制阀、源瓶支路流量计、源瓶支路第二控制阀。
在一个实施例中，所述气体支路包括依次连接的气体支路第一控制阀、气体支路流量计、气体支路第二控制阀。
在一个实施例中，所述气体支路第二控制阀的输出口与所述源瓶支路第二控制阀的输出口连接，并一起连接至所述前置混合储气室的进气管路。
在一个实施例中，所述前置混合储气室用于定量混合来自不同支路的前驱体，同时获得期望的前驱体浓度，并一次性向所述反应腔室内注入大量前驱体。
在一个实施例中，所述进气管路上具有进气控制阀，所述出气管路具有出气控制阀，所述出气控制阀的输出口与所述反应腔室连接，所述进气控制阀的输入口与所述多条支路的各输出连接。
在一个实施例中，所述压力检测计耦接在所述进气控制阀与所述前置混合储气室之间。
在一个实施例中，所述多路支路为一路或多个源瓶支路和一路或多路气体支路。
在一个实施例中，所述多路支路为多路源瓶支路。
在一个实施例中，所述多路支路为多路气体支路。
本发明还提供了一种半导体处理设备，包括：
吹扫气体模块；
第一前驱体混合注入系统；
第二前驱体混合注入系统；以及
与所述吹扫气体模块、所述第一前驱体混合注入系统、所述第二前驱体混合注入系统耦接的反应腔室；
其中，该第一和第二前驱体混合注入系统为如上所述的前驱体混合注入系统；
其中，所述吹扫气体模块包括至少一路吹扫支路，该至少一路吹扫支路包括依次连接的吹扫支路第一控制阀、流量计以及吹扫支路第二控制阀，用于向所述反应腔室提供至少一路吹扫气。
本发明还提供了一种用于如上所述的半导体处理设备的前驱体控制方法，其中，所述第一前驱体混合注入系统的前置混合储气室为第一前置混合储气室，所述第二前驱体混合注入系统的前置混合储气室为第二前置混合储气室，所述方法包括以下步骤：
a.所述吹扫气体模块的各路流量计开启，向所述反应腔室通入吹扫气体；
b.开启第一前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第一前置混合储气室充入气体；
c.关闭第一前置混合储气室的进气管路，开启第一前置混合储气室出气管路通入所述反应腔室；
d.关闭第一前置混合储气室出气管路；
e.开启第二前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第二前置混合储气室充入气体；
f.关闭第二前置混合储气室进气管路，开启第二前置混合储气室出气管路通入所述反应腔室；
g.关闭第二前置混合储气室出气管路；
h.开启第一前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第一前置混合储气室充入气体；
g.循环执行步骤c-h。
本发明的前驱体混合注入系统、半导体处理设备及及前驱体控制方法特别适用于制备多元化合物。本发明采用前置混合储气室作为前驱体的二次存储装置，且注入前置混合储气室的前驱体/反应气体可通过流量计MFC控制浓度与比例。此外，通过压力检测计，可以监控注入腔室的前驱体的量。前置混合储气室可一次性快速释放大量前驱体，可减少循环周期。此外，高浓度的前驱体有助于提高硅片凹槽底部的台阶覆盖率。
附图说明
本发明的以上发明内容以及下面的具体实施方式在结合附图阅读时会得到更好的理解。需要说明的是，附图仅作为所请求保护的发明的示例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的元素。
图1示出根据本发明一实施例的前驱体混合注入系统；
图2A示出根据本发明一实施例的第一前置混合储气室充入气体以及吹扫过程；
图2B示出根据本发明一实施例的第一组前驱体脉冲注入示意图；
图2C示出根据本发明一实施例的第二前置混合储气室充入气体以及吹扫过程；
图2D示出根据本发明一实施例的第二组前驱体脉冲注入示意图；
图3示出根据本发明一实施例的用于半导体处理设备的前驱体控制方法的流程图；以及
图4示出根据本发明一实施例的半导体处理设备示意图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本发明的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本发明的限制。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种管道、通道、组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的管道、通道、组件、区域、层和/或部分。
传统的TiN/TiSiN的DRAM工艺中，通常需要在AR50(纵深比50)情况下达成≥90％的台阶覆盖率，在此基础上循环周期通常在1s左右。针对此需求，更高浓度的前驱体注入与更快的系统响应机制成为需要考虑的关键问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种前驱体混合注入系统。该前驱体混合注入系统包括多条支路、前置混合储气室以及压力检测计。
前置混合储气室包括进气管路和出气管路，所述多条支路的各输出汇入所述进气管路，所述出气管路耦接反应腔室。
压力检测计位于前置混合储气室的进气管路上，用于监测所述前置混合储气室内部压力变化。
多条支路包括至少两路支路，每条支路为源瓶支路或者气体支路中的一者；所述源瓶支路输送前驱体原始状态为固态或液态的前驱体至所述前置混合储气室，所述气体支路输送气体前驱体或载体至所述前置混合储气室；所述源瓶支路或者气体支路具有流量计，控制进入所述前置混合储气室的流体流量和比例。
在一个实施例中，所述源瓶支路包括依次连接的源瓶、源瓶支路第一控制阀、源瓶支路流量计、源瓶支路第二控制阀。
在一个实施例中，所述气体支路包括依次连接的气体支路第一控制阀、气体支路流量计、气体支路第二控制阀。
在一个实施例中，所述气体支路第二控制阀的输出口与所述源瓶支路第二控制阀的输出口连接，并一起连接至所述前置混合储气室的进气管路。
在一个实施例中，所述前置混合储气室用于定量混合来自不同支路的前驱体，同时获得期望的前驱体浓度，并一次性向所述反应腔室内注入大量前驱体。
在一个实施例中，所述进气管路上具有进气控制阀，所述出气管路具有出气控制阀，所述出气控制阀的输出口与所述反应腔室连接，所述进气控制阀的输入口与所述多条支路的各输出连接。
在一个实施例中，所述压力检测计耦接在所述进气控制阀与所述前置混合储气室之间。
在一个实施例中，所述多路支路为一路或多个源瓶支路和一路或多路气体支路。
在一个实施例中，所述多路支路为多路源瓶支路。
在一个实施例中，所述多路支路为多路气体支路。
图1示出根据本发明一实施例的前驱体混合注入系统。该前驱体混合注入系统100包括多条支路以及与该多条支路连接的前置混合储气室109。
该多条支路中包括一路源瓶支路。该源瓶支路用于输送前驱体原始状态为固态或液态的前驱体至前置混合储气室109。源瓶外周配置加热装置，将液态或固态的前驱体加热为气态。该源瓶支路包括依次连接的源瓶(源瓶1)101、源瓶支路第一控制阀102、源瓶支路流量计(MFC1)103、源瓶支路第二控制阀104。
其中，源瓶支路流量计(MFC1)103用于控制进入前置混合储气室109的气体流量和比例。
该多条支路中还包括气体支路，该气体支路可以输送载气，也可以输送气体前驱体。该气体支路包括依次连接的气体支路第一控制阀105、气体支路流量计(MFC2)106、气体支路第二控制阀107。
其中，气体支路流量计(MFC2)106用于控制进入前置混合储气室109的气体流量和比例。
气体支路和源瓶支路交汇，即气体支路第二控制阀107的输出口与源瓶支路第二控制阀104的输出口连接。
该前置混合储气室109定量混合来自不同支路的前驱体，同时获得期望浓度的前驱体(例如高浓度前驱体)，可以一次性快速向反应腔室内注入大量前驱体。该前置混合储气室109具有进气管路和出气管路。该进气管路分别连接气体支路和源瓶支路，即气体支路和源瓶支路交汇后汇入该进气管路。该进气管路上具有前置混合储气室进气控制阀108。该出气管路具有前置混合储气室出气控制阀110。前置混合储气室出气控制阀110与反应腔室111连接，控制前置混合储气室109的气体进入反应腔室。
该前驱体混合注入系统还包括压力检测计112，位于前置混合储气室进气控制阀108与前置混合储气室109之间，用于监测前置混合储气室109内部压力变化。
需要知道的是，根据沉积要求，本发明的前驱体混合注入系统可以包括多条源瓶支路，输送多个原始状态为固态或液态的前驱体，本发明的前驱体混合注入系统也可以包括多条气体支路，用于输送不同的气态前驱体或者载气。
当然，本发明的前驱体混合注入系统也可以仅包括多条源瓶支路，或者仅包括多条气体支路。
此外，可以采用多个本发明的前驱体混合注入系统，用于半导体处理设备，例如原子层沉积设备。
图2A-图2D分别示出根据本发明的半导体处理设备的沉积过程示意图。其中，图2A示出根据本发明一实施例的第一前置混合储气室充入气体以及吹扫过程。图2B示出根据本发明一实施例的第一组前驱体脉冲注入示意图。图2C示出根据本发明一实施例的第二前置混合储气室充入气体以及吹扫过程。图2D示出根据本发明一实施例的第二组前驱体脉冲注入示意图。
如图2A-图2D所示，该半导体处理设备包括一个反应腔室、吹扫气体模块300、第一前驱体混合注入系统100以及第二前驱体混合注入系统200。其中，吹扫气体模块300、第一前驱体混合注入系统100以及第二前驱体混合注入系统200均与反应腔室连接。
吹扫气体模块300包括至少一路吹扫支路。该至少一路吹扫支路包括依次连接的吹扫支路第一控制阀、流量计以及吹扫支路第二控制阀。
在一个实施例中，该吹扫气体模块300包括第一吹扫支路和第二吹扫支路。该第一吹扫支路包括依次连接的控制阀、流量计301以及控制阀，用于向反应腔室提供第一吹扫气体Gas 1。该第二吹扫支路包括依次连接的控制阀、流量计302以及控制阀，用于向反应腔室提供第二吹扫气体Gas 2。
第一前驱体混合注入系统100可以是图1所示的前驱体混合注入系统，用于注入第一组前驱体(例如Gas 3以及源瓶内的前驱体)，具体结构在此不再详述(此处虽然压力检测计未示出，但应理解，该结构中可包含压力检测计)。其中，第一前驱体混合注入系统100的前置混合储气室109在此处可称为第一前置混合储气室。
第二前驱体混合注入系统200可以是图1所示的前驱体混合注入系统的变型，用于注入第二组前驱体(例如第一气体Gas 5以及第二气体Gas 6)。该前驱体混合注入系统不包含源瓶支路，而是包含两路气体支路，其中第一气体支路包括流量计203，用于控制进入第二前置混合储气室209的第一气体Gas 5的流量和比例；第二气体支路包括流量计206，用于控制进入第二前置混合储气室209的第二气体Gas 6的流量和比例。第一气体支路和第二气体支路的输出，最终汇合至第二前置混合储气室209的进气管路。当然，第二前驱体混合注入系统200也可以是图1所述的前驱体混合注入系统，具体采用何种结构，取决于具体应用和需求。
该第一气体Gas 5可以是载气或者气态前驱体中的一者。该第二气体Gas 6可以是载气或者气态前驱体中的一者。
在图2A中，吹扫气体模块300的两路吹扫支路中的流量计开启，向腔室通入两路吹扫气体。同时，第一前驱体混合注入系统100中的第一前置混合储气室109的进气管路上的进气控制阀被开启，源瓶101加热后的前驱体以及气体Gas 3被充入第一前置混合储气室109。
在图2B中，第一前置混合储气室109的进气管路上的进气控制阀被关闭，出气管路上的出气控制阀被开启，第一前置混合储气室109内的混合气体被通入反应腔室。
在图2C中，第一前置混合储气室109的出气管路上的出气控制阀被关闭，同时，第二前置混合储气室209的进气管路上的进气控制阀被开启，气体Gas 5以及气体Gas6被充入第二前置混合储气室209。
在图2D中，第二前置混合储气室209的进气管路上的进气控制阀被关闭，出气管路上的出气控制阀被开启，第二前置混合储气室209内的混合气体被通入反应腔室。随后，再关闭第二前置混合储气室209的出气管路上的出气控制阀。
图2A-图2D为一个周期。沉积过程通过不断循环图2A和图2D来进行。
在一个实施例中，Gas 3、Gas5、Gas6可以是N2、Ar、NH3、DCS等气体。其中，N2、Ar为载气，流量可以为50～10000sccm的任意值。
在一个实施例中，源瓶101内可以是TDMAT、TiCl4、PDMAT、TDMAHF、HfCl4等前驱体。
在一个实施例中，前置混合储气室前端两个流量计MFC(例如106、103)的流量比例可以为1:100～100:1中的任意值。
在一个实施例中，源瓶、前置混合储气室以及气体传输管道的加热温度范围为30～300℃的任意值。
图3示出根据本发明一实施例的用于半导体处理设备的前驱体控制方法流程图。该方法包括但不限于以下步骤：
步骤1：吹扫气体模块的各路流量计开启，向腔室通入吹扫气体。
步骤2：开启第一前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第一前置混合储气室充入气体。
步骤3：关闭第一前置混合储气室进气管路，开启第一前置混合储气室出气管路通入腔室。
步骤4：关闭第一前置混合储气室出气管路。
步骤5：开启第二前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第二前置混合储气室充入气体。
步骤6：关闭第二前置混合储气室进气管路，开启第二前置混合储气室出气管路通入腔室。
步骤7：关闭第二前置混合储气室出气管路。
步骤8：开启第一前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第一前置混合储气室充入气体。
循环执行步骤3-8。
图4示出根据本发明一实施例的半导体处理设备示意图。该半导体处理设备包括第一前驱体混合注入系统，连接腔室右侧，该第一前驱体混合注入系统是如图1所示的前驱体混合注入系统。该半导体处理设备还包括第二前驱体混合注入系统，连接腔室左侧，该第二前驱体混合注入系统是如图1所示的前驱体混合注入系统的变型。如图4所示，该第二前驱体混合注入系统包括三路源瓶支路以及与这三路耦接的前置混合储气室，但并不包括任何气体支路。
例如，上述半导体处理设备示意图可以制备氧化铟镓锌(IGZO)，此时，源瓶1、源瓶2、源瓶3可以分别为：三乙基镓、二乙基锌、环戊二烯铟。源瓶4可以为H2O。Gas1可以为O3。
本发明的前驱体混合注入系统、半导体处理设备及及前驱体控制方法特别适用于制备多元化合物。本发明采用前置混合储气室作为前驱体的二次存储装置，且注入前置混合储气室的前驱体/反应气体可通过流量计MFC控制浓度与比例。此外，通过压力检测计，可以监控注入腔室的前驱体的量。前置混合储气室可一次性快速释放大量前驱体，可减少循环周期。此外，高浓度的前驱体有助于提高硅片凹槽底部的台阶覆盖率。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
这里采用的术语和表述方式只是用于描述，本发明并不应局限于这些术语和表述。使用这些术语和表述并不意味着排除任何示意和描述(或其中部分)的等效特征，应认识到可能存在的各种修改也应包含在权利要求范围内。其他修改、变化和替换也可能存在。相应的，权利要求应视为覆盖所有这些等效物。
同样，需要指出的是，虽然本发明已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，在没有脱离本发明精神的情况下还可做出各种等效的变化或替换，因此，只要在本发明的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。
Claims (12)
1.一种前驱体混合注入系统，其特征在于，所述系统包括：
多条支路；
前置混合储气室，包括进气管路和出气管路，所述多条支路的各输出汇入所述进气管路，所述出气管路耦接反应腔室；以及
压力检测计，位于前置混合储气室的进气管路上，用于监测所述前置混合储气室内部压力变化；
其中，所述多条支路包括至少两路支路，每条支路为源瓶支路或者气体支路中的一者；所述源瓶支路输送前驱体原始状态为固态或液态的前驱体至所述前置混合储气室，所述气体支路输送气体前驱体或载体至所述前置混合储气室；所述源瓶支路或者气体支路具有流量计，控制进入所述前置混合储气室的流体流量和比例。
2.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述源瓶支路包括依次连接的源瓶、源瓶支路第一控制阀、源瓶支路流量计、源瓶支路第二控制阀。
3.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述气体支路包括依次连接的气体支路第一控制阀、气体支路流量计、气体支路第二控制阀。
4.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述气体支路第二控制阀的输出口与所述源瓶支路第二控制阀的输出口连接，并一起连接至所述前置混合储气室的进气管路。
5.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述前置混合储气室用于定量混合来自不同支路的前驱体，同时获得期望的前驱体浓度，并一次性向所述反应腔室内注入大量前驱体。
6.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述进气管路上具有进气控制阀，所述出气管路具有出气控制阀，所述出气控制阀的输出口与所述反应腔室连接，所述进气控制阀的输入口与所述多条支路的各输出连接。
7.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述压力检测计耦接在所述进气控制阀与所述前置混合储气室之间。
8.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述多路支路为一路或多个源瓶支路和一路或多路气体支路。
9.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述多路支路为多路源瓶支路。
10.如利要求1所述的前驱体混合注入系统，其特征在于，所述多路支路为多路气体支路。
11.一种半导体处理设备，包括：
吹扫气体模块；
第一前驱体混合注入系统；
第二前驱体混合注入系统；以及
与所述吹扫气体模块、所述第一前驱体混合注入系统、所述第二前驱体混合注入系统耦接的反应腔室；
其中，该第一前驱体混合注入系统为如权利要求1～10任一项所述的前驱体混合注入系统；所述第二前驱体混合注入系统为如权利要求1～10任一项所述的前驱体混合注入系统；
其中，所述吹扫气体模块包括至少一路吹扫支路，该至少一路吹扫支路包括依次连接的吹扫支路第一控制阀、流量计以及吹扫支路第二控制阀，用于向所述反应腔室提供至少一路吹扫气。
12.一种用于如权利要求11所述的半导体处理设备的前驱体控制方法，其特征在于，所述第一前驱体混合注入系统的前置混合储气室为第一前置混合储气室，所述第二前驱体混合注入系统的前置混合储气室为第二前置混合储气室，所述方法包括以下步骤：
a.所述吹扫气体模块的各路流量计开启，向所述反应腔室通入吹扫气体；
b.开启第一前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第一前置混合储气室充入气体；
c.关闭第一前置混合储气室的进气管路，开启第一前置混合储气室出气管路通入所述反应腔室；
d.关闭第一前置混合储气室出气管路；
e.开启第二前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第二前置混合储气室充入气体；
f.关闭第二前置混合储气室进气管路，开启第二前置混合储气室出气管路通入所述反应腔室；
g.关闭第二前置混合储气室出气管路；
h.开启第一前置混合储气室的进气管路，以设定流量向第一前置混合储气室充入气体；
g.循环执行步骤c-h。
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|---|---|---|---|---|
| CN101466868A (zh) * | 2006-04-19 | 2009-06-24 | 凯姆流公司 | 用于引入、喷射或者喷洒载气与液态化合物的混合物的装置以及实现该装置的方法 |
| CN213357739U (zh) * | 2020-09-08 | 2021-06-04 | 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司 | 一种化学气相沉积前驱体输运系统 |
| CN115053015A (zh) * | 2020-02-07 | 2022-09-13 | 朗姆研究公司 | 处理室的原位表面涂层 |
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2022
- 2022-11-09 CN CN202211398570.1A patent/CN115637421A/zh active Pending
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