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CN115335764B - 液晶显示装置 - Google Patents

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CN115335764B
CN115335764B CN202180024497.9A CN202180024497A CN115335764B CN 115335764 B CN115335764 B CN 115335764B CN 202180024497 A CN202180024497 A CN 202180024497A CN 115335764 B CN115335764 B CN 115335764B
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Abstract

液晶显示装置包括：基板(10)、(11)；夹持在基板(10)、(11)间的液晶层(12)；设置在基板(10)上且沿着第一方向延伸的遮光层(13)；设置在遮光层(13)上的绝缘层(14)；设置在绝缘层(14)上且沿着第一方向延伸的栅电极(GL)；设置在栅电极(GL)上的绝缘层(16)；设置在绝缘层(16)上且针对每个像素而设置的半导体层(17)；以与半导体层(17)局部地重叠的方式在与第一方向交叉的第二方向上分离地设置的源电极(18)以及漏电极(19)；设置在绝缘层(16)上，与漏电极(19)电连接且沿着第二方向延伸的像素电极(20)；设置在半导体层(17)以及像素电极(20)上的绝缘层(21)；以及设置在绝缘层(21)上且具有沿着第二方向延伸的狭缝(24)的共用电极(23)。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置。
背景技术
对于智能手机、平板终端等小型且高精细的液晶显示装置的需求提高。为了实现小型且高精细的液晶显示装置，需要像素尺寸的缩小化。当使像素尺寸缩小时，像素的开口率降低。与此相伴随，为了确保液晶显示装置的亮度，需要背光灯的高亮度化。
另外，抬头显示器(HUD)利用放大光学系统，使从液晶显示装置射出的光由前窗反射而显示信息。因此，在抬头显示器中，与直视型显示器相比需要非常高亮度的背光灯。
在使用如此高亮度的背光灯的情况下，像素所含的TFT产生漏电流而液晶显示装置的特性劣化。因此，需要用于确保耐光性的TFT设计。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-212292号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明提供一种能够使动作特性提高的液晶显示装置。
用于解决课题的手段
本发明的第一方式的液晶显示装置具备：第一以及第二基板；液晶层，夹持在上述第一以及第二基板之间；第一遮光层，设置在上述第一基板上，沿着第一方向延伸；第一绝缘层，设置在上述第一遮光层上；栅电极，设置在上述第一绝缘层上，沿着上述第一方向延伸；第二绝缘层，设置在上述栅电极上；半导体层，设置在上述第二绝缘层上，且针对每个像素而设置；源电极以及漏电极，以与上述半导体层局部重叠的方式，在与上述第一方向交叉的第二方向上分离地设置；像素电极，设置在上述第二绝缘层上，与上述漏电极电连接，沿着上述第二方向延伸；第三绝缘层，设置在上述半导体层以及上述像素电极上；以及共用电极，设置在上述第三绝缘层上，具有沿着上述第二方向延伸的狭缝。
本发明的第二方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，在上述第二方向上，上述第一遮光层的长度长于上述栅电极的长度。
本发明的第三方式的液晶显示装置为，在第一或者第二方式的液晶显示装置中，在上述第二方向上，上述栅电极的长度长于上述半导体层的长度。
本发明的第四方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，还具备第二遮光层，该第二遮光层设置在上述第三绝缘层与上述共用电极之间，沿着上述第一方向延伸。
本发明的第五方式的液晶显示装置为，在第四方式的液晶显示装置中，在上述第二方向上，上述第二遮光层的长度为上述半导体层的长度以上。
本发明的第六方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，上述共用电极被配置为覆盖上述栅电极。
本发明的第七方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，上述像素电极被配置为不与上述栅电极重叠。
本发明的第八方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，上述第一遮光层被施加与对上述共用电极施加的共用电压相同的电压。
本发明的第九方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，上述第一遮光层被设为浮置状态。
本发明的第十方式的液晶显示装置未，在第四或者第五方式的液晶显示装置中，还具备第三遮光层，该第三遮光层设置于上述第二基板上，且设置在上述半导体层的上方，在上述第二方向上，上述第三遮光层的长度短于上述第二遮光层的长度。
本发明的第十一方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，上述第一遮光层由分别沿着上述第一方向延伸且在上述第二方向上邻接的第一部分以及第二部分构成，在上述第二方向上，上述第一部分被配置为与上述栅电极的一端重叠，上述第二部分被配置为与上述栅电极的另一端重叠。
本发明的第十二方式的液晶显示装置为，在第一方式的液晶显示装置中，包括在上述第一方向上邻接的第一以及第二像素，上述第一遮光层由上述第一以及第二像素分割。
发明效果
根据本发明，能够提供能够使动作特性提高的液晶显示装置。
附图说明
图1是第一实施方式的液晶显示装置的框图。
图2是第一实施方式的液晶显示面板的平面图。
图3是对液晶显示面板中比第二遮光层以及共用电极靠下方的构成进行说明的平面图。
图4是提取了第二遮光层以及共用电极的平面图。
图5是沿着图2的A-A′线的液晶显示面板的截面图。
图6是沿着图2的B-B′线的液晶显示面板的截面图。
图7是以半导体层为中心表示的像素的一部分的平面图。
图8是沿着图7的C-C′线的像素的一部分的截面图。
图9是用于说明第一遮光层的电位控制的液晶显示面板的示意平面图。
图10是用于说明其他实施例的第一遮光层的电位控制的液晶显示面板的示意平面图。
图11是第二实施方式的液晶显示面板的平面图。
图12是对液晶显示面板中比第二遮光层以及共用电极靠下方的构成进行说明的平面图。
图13是沿着图11的B-B′线的液晶显示面板的截面图。
图14是第三实施方式的液晶显示面板的平面图。
图15是对液晶显示面板中比第二遮光层以及共用电极靠下方的构成进行说明的平面图。
图16是第四实施方式的液晶显示面板的平面图。
图17是对液晶显示面板中比第二遮光层以及共用电极靠下方的构成进行说明的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。但是，附图是示意性或者概念性的图，各附图的尺寸以及比率等不一定与现实情况相同。此外，即使在附图相互之间表示相同的部分的情况下，也存在相互的尺寸关系、比率被不同地表示的情况。特别是，以下所示的几个实施方式示例了用于使本发明的技术思想具体化的装置以及方法，不通过构成部件的形状、构造、配置等来确定本发明的技术思想。此外，在以下的说明中，对于具有相同功能以及构成的要素赋予相同符号，并仅在需要的情况下进行重复说明。
[1]第一实施方式
[1-1]液晶显示装置的整体构成
本实施方式的液晶显示装置是FFS(fringe fields witching)方式的液晶显示装置。FFS方式是通过边缘电场对均匀取向了的液晶进行开关的方式。
图1是第一实施方式的液晶显示装置1的框图。液晶显示装置1具备液晶显示面板2、背光灯(照明装置)3、扫描线驱动电路4、信号线驱动电路5、共用电极驱动器6、电压生成电路7、以及控制电路8。
液晶显示面板2具备多个像素PX排列为矩阵状的像素阵列。在液晶显示面板2中分别配设有沿着行方向延伸的多条扫描线GL1～GLm、以及分别沿着列方向延伸的多条信号线SL1～SLn。“m”以及“n”分别是2以上的整数。在扫描线GL与信号线SL的交叉区域配置有像素PX。
背光灯3是向液晶显示面板2的背面照射光的面光源。作为背光灯3，例如使用正下型或者侧光型(边缘光型)的LED背光灯。
扫描线驱动电路4与多条扫描线GL电连接。扫描线驱动电路4基于从控制电路8发送的控制信号，将用于对像素PX所含的开关元件进行开/关的扫描信号向液晶显示面板2发送。
信号线驱动电路5与多条信号线SL电连接。信号线驱动电路5从控制电路8接受控制信号以及显示数据。信号线驱动电路5基于控制信号，将与显示数据对应的灰度信号(驱动电压)向液晶显示面板2发送。
共用电极驱动器6生成共用电压Vcom，并将其向液晶显示面板2内的共用电极供给。电压生成电路7生成液晶显示装置1的动作所需的各种电压而向各电路供给。
控制电路8总括控制液晶显示装置1的动作。控制电路8从外部接受图像数据DT以及控制信号CNT。控制电路8基于图像数据DT生成各种控制信号，并将这些控制信号向对应的电路发送。
[1-2]液晶显示面板2的构成
图2是第一实施方式的液晶显示面板2的平面图。图3是对液晶显示面板2中的比第二遮光层22以及共用电极23靠下方的构成进行说明的平面图。图4是提取了第二遮光层22以及共用电极23的平面图。图5是沿着图2的A-A′线的液晶显示面板2的截面图。图6是沿着图2的B-B′线的液晶显示面板2的截面图。在图2中，X方向是栅电极延伸的方向，Y方向是与X方向正交的方向，Y′方向是相对于Y方向倾斜5～10度的倾斜方向。在图2中将与一个像素对应的部分提取表示，实际上图2的像素以矩阵状配置有多个。
液晶显示面板2具备形成有开关元件(TFT)以及像素电极等的TFT基板10、以及形成有彩色滤波器等且与TFT基板10对置配置的彩色滤波器基板(CF基板)11。TFT基板10以及CF基板11分别由透明且具有绝缘性的基板(例如，玻璃基板或者塑料基板)构成。
液晶层12被夹持以及填充在TFT基板10以及CF基板11之间。具体地说，液晶层12封入在由TFT基板10以及CF基板11、密封材(未图示)包围的显示区域内。密封材例如由紫外线固化树脂、热固化树脂、或者紫外线·热并用型固化树脂等形成，在制造工序中涂敷到TFT基板10或者CF基板11上之后，通过照射紫外线或者加热等而使其固化。
构成液晶层12的液晶材料根据所施加的电场来操作液晶分子的取向而使光学特性变化。在本实施方式中，作为液晶层12而使用具有正的介电常数各向异性的正型(P型)的向列型液晶。液晶层12在初始状态下被水平取向(均匀取向)。液晶分子在无电压(无电场)时相对于基板的主面大致水平地取向。在电压施加(电场施加)时，液晶分子的指向矢朝向电场方向倾斜。
首先，对TFT基板10侧的构成进行说明。在TFT基板10的液晶层12侧设置有第一遮光层13。第一遮光层13具有对开关元件所包含的半导体层进行遮光的功能。第一遮光层13沿着X方向延伸。例如，第一遮光层13针对沿着X方向排列的1行量的多个像素共用地设置。在TFT基板10以及第一遮光层13上设置有绝缘层14。
在绝缘层14上，针对每个像素设置有开关元件15。作为开关元件15，例如使用TFT(Thin Film Transistor)，并且使用n沟道TFT。如后述那样，TFT15具备作为扫描线起作用的栅电极、设置在栅电极上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的半导体层、相互分离地设置在半导体层上的源电极以及漏电极。另外，晶体管的源极和漏极根据在晶体管中流动的电流的朝向而变化。在本实施方式中，源极和漏极并不限定于名称所述那样。
在绝缘层14上设置有沿着X方向延伸的栅电极GL。栅电极GL作为扫描线GL起作用。在X方向上排列的1行量的多个像素与1条扫描线GL共用地连接。在绝缘层14以及栅电极GL上设置有栅极绝缘膜(也称作绝缘层)16。
在栅极绝缘膜16上，针对每个像素设置有半导体层17。作为半导体层17例如使用非晶硅。半导体层17的构造可以是蚀刻阻隔型构造，也可以是沟道蚀刻型构造。在蚀刻阻隔型构造中，在半导体层上形成有保护膜(例如硅氧化膜)，将该保护膜作为蚀刻阻隔而对半导体层进行加工。在沟道蚀刻型构造中未形成蚀刻阻隔，在对源电极以及漏电极进行加工时对半导体层进行加工。
在半导体层17以及栅极绝缘膜16上，设置有在Y方向上相互分离的源电极18以及漏电极19。源电极18以及漏电极19与半导体层17局部地重叠。另外，在源电极18与半导体层17之间为了良好地进行它们的电连接而设置有导入了高浓度的n型杂质的n+型半导体层。同样，也可以在漏电极19与半导体层17之间设置n+型半导体层。
在栅极绝缘膜16上设置有沿着Y′方向延伸的像素电极20。像素电极20的平面形状例如为平行四边形。像素电极20与漏电极19电连接。在图2的构成例中，像素电极20具有朝向漏电极19突出的凸部。
在栅极绝缘膜16上设置有沿着Y方向延伸的信号线SL。例如，信号线SL中的与像素电极20邻接的部分沿着Y′方向延伸。信号线SL配置于在X方向上邻接的2个像素的边界部分。在Y方向上排列的1列量的多个像素与1条信号线SL共用地连接。源电极18与信号线SL电连接。
在源电极18、漏电极19、像素电极20、信号线SL以及栅极绝缘膜16上设置有绝缘层21。
在绝缘层21上设置有第二遮光层22。第二遮光层22具有对于开关元件所包含的半导体层进行遮光的功能。第二遮光层22沿着X方向延伸。第二遮光层22针对在X方向上排列的1行量的多个像素共用地设置。
在第二遮光层22以及绝缘层21上设置有共用电极23。共用电极23与第二遮光层22电连接。共用电极23针对多个像素共用地设置。共用电极23针对每个像素具有多个狭缝24。在图2中示出针对每个像素设置有2个狭缝24的构成例。狭缝24的数量可以是1个，也可以是2个以上。2个狭缝24配置在像素电极20的上方，且配置在像素电极20所占的区域内。狭缝24与像素电极20同样沿着Y′方向延伸。狭缝24的平面形状例如为平行四边形。
在共用电极23以及绝缘层21上设置有对液晶层12的取向进行控制的取向膜(未图示)。在取向膜液晶层12的初始状态(未施加电压的状态)下，使液晶分子水平地取向。另外，取向膜被进行研磨处理，以使液晶分子的长轴朝向Y方向。
接下来，对CF基板11侧的构成进行说明。在CF基板11的液晶层12侧设置有遮光用的黑色矩阵(也称为黑色掩模、遮光层)25。黑色矩阵25配置在像素的边界部，并形成为网眼状。黑色矩阵25具有对TFT15进行遮光的功能、以及通过对颜色不同的彩色滤波器之间的无用光进行遮挡来使对比度提高的功能。作为黑色矩阵25，例如使用含有黑色颜料的感光性树脂等。
在CF基板11上以及黑色矩阵25上设置有多个彩色滤波器26。多个彩色滤波器(彩色部件)26具备多个红色滤波器、多个绿色滤波器以及多个蓝色滤波器。一般的彩色滤波器由光的三原色即红(R)、绿(G)、蓝(B)构成。邻接的R、G、B这三色的组合成为显示的单位(像素)，1个像素中的R、G、B任一个单色的部分是被称为子像素(sub pixel)的最小驱动单位。TFT15以及像素电极20针对每个子像素而设置。在本说明书的说明中，除了需要特别区分像素与子像素的情况以外，将子像素称为像素。作为彩色滤波器的排列，能够应用包括条纹排列、马赛克排列以及三角排列的任意排列。另外，在图2的平面图中，省略了彩色滤波器26以及黑色矩阵25的图示。
在彩色滤波器26上设置有对液晶层12的取向进行控制的取向膜(未图示)。在取向膜液晶层12的初始状态下，使液晶分子水平地取向。另外，取向膜被进行研磨处理，以使液晶分子的长轴朝向Y方向。
虽然省略图示，但在TFT基板10的与液晶层12相反的一侧层叠有第一偏振板，在CF基板11的与液晶层12相反的一侧层叠有第二偏振板。第一偏振板以及第二偏振板例如以相互的透射轴正交的方式、即以正交尼克尔状态配置。
(材料的例示)
作为栅电极GL、源电极18、漏电极19、以及信号线SL，例如使用铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)以及钨(W)中的任一种、或者包含这些的1种以上的合金等。
像素电极20以及共用电极23由透明电极构成，例如使用ITO(铟锡氧化物)。
作为第一遮光层13以及第二遮光层22，例如使用铬(Cr)、锰(Mo)、铝(Al)或者银(Ag)等。
作为绝缘层14、栅极绝缘膜16、以及绝缘层21，使用透明的绝缘材料，例如使用硅氮化物(SiN)。
[1-3]液晶层12的取向
接下来，对液晶层12的取向进行说明。
通过共用电极驱动器6对共用电极23施加共用电压Vcom。共用电压Vcom例如为0V。截止状态是指未对液晶层12施加有电场的状态，对像素电极20施加有与共用电极23相同的共用电压Vcom。导通状态是指对液晶层12施加有电场的状态，对像素电极20施加有正电压。另外，实际上，进行使像素电极20以及共用电极23之间的电场极性以规定周期反相的反相驱动(交流驱动)。通过进行反相驱动，能够抑制液晶劣化。反相驱动的周期能够任意地设定。
在截止状态下，液晶分子被设定为初始状态，即液晶分子的长轴朝向Y方向。Y方向与取向膜的研磨方向相同。
在导通状态下，对液晶层12施加有从共用电极23朝向像素电极20的电场。在俯视时，液晶分子相对于Y方向向倾斜方向回转。由此，液晶显示面板2能够对入射光的透射量进行控制。即，能够使液晶显示面板2的透射率变化。
[1-4]与层叠构造的尺寸相关的条件
接下来，对与构成液晶显示面板2的层叠构造的尺寸相关的条件进行说明。图7是以半导体层17为中心表示的像素的一部分的平面图。图8是沿着图7的C-C′线的像素的一部分的截面图。
第一遮光层13的Y方向的长度长于栅电极GL的Y方向的长度。另外，在Y方向上，栅电极GL的一端配置于比第一遮光层13的一端靠内侧的位置。在Y方向上，栅电极GL的另一端配置于比第一遮光层13的另一端靠内侧的位置。
栅电极GL的Y方向的长度长于半导体层17的Y方向的长度。另外，在Y方向上，半导体层17的一端配置于比栅电极GL的一端靠内侧的位置。在Y方向上，半导体层17的另一端配置于比栅电极GL的另一端靠内侧的位置。
半导体层17的Y方向的长度短于第一遮光层13的Y方向的长度。另外，在Y方向上，半导体层17的一端配置于比第一遮光层13的一端靠内侧的位置。在Y方向上，半导体层17的另一端配置于比第一遮光层13的另一端靠内侧的位置。在Y方向上，将半导体层17的一端与第一遮光层13的一端之间的距离以及半导体层17的另一端与第一遮光层13的另一端之间的距离分别设为“a”。距离“a”为3μm以上且6μm以下。背光灯3配置在液晶显示面板2的基板10侧，朝向基板10照射照明光。满足上述条件的第一遮光层13能够抑制来自背光灯3的光向半导体层17入射。
半导体层17的Y方向的长度为第二遮光层22的Y方向的长度以下。另外，在Y方向上，半导体层17的一端配置于与第二遮光层22的一端相同或者比第二遮光层22的一端靠内侧的位置。在Y方向上，半导体层17的另一端配置于与第二遮光层22的另一端相同或者比第二遮光层22的另一端靠内侧的位置。在Y方向上，将半导体层17的一端与第二遮光层22的一端之间的距离以及半导体层17的另一端与第二遮光层22的另一端之间的距离分别设为“b”。距离“b”为0以上且3μm以下。外部光有时会从液晶显示面板2的基板11侧向液晶显示面板2入射。第二遮光层22能够抑制向液晶显示面板2入射的外部光向半导体层17入射。
在俯视时，共用电极23被配置为覆盖栅电极GL。所谓俯视是指，相对于基板从上方观察像素的状态。即，在Y方向上，栅电极GL的一端与第一像素所包含的狭缝24的一端相同、或者从狭缝24的一端分离配置。在Y方向上，栅电极GL的另一端与在Y方向上与第一像素邻接的第二像素所包含的狭缝24的一端相同、或者从狭缝24的一端分离配置。在Y方向上，将栅电极GL的一端与第一像素所包含的狭缝24的一端之间的距离以及栅电极GL的另一端与第二像素所包含的狭缝24的一端之间的距离分别设为“c”。距离“c”为0以上且4μm以下。
在本实施方式中，能够通过共用电极23覆盖栅电极GL。由此，能够抑制对栅电极GL施加的电位被施加于液晶层12。由此，能够抑制由于栅电极GL的电位而使液晶层12的取向紊乱。
在俯视时，像素电极20被配置为不与栅电极GL重叠。即，在Y方向上，栅电极GL的一端与第一像素所包含的像素电极20的一端相同、或者从像素电极20的一端分离配置。另外，像素电极20的一端是图8的截面图所示的端部，未考虑像素电极20中的漏电极19上的凸部。在Y方向上，栅电极GL的另一端与在Y方向上与第一像素邻接的第二像素所包含的像素电极20的一端相同、或者从像素电极20的一端分离配置。在Y方向上，将栅电极GL的一端与第一像素所包含的像素电极20的一端之间的距离以及栅电极GL的另一端与第二像素所包含的像素电极20的一端之间的距离分别设为“c”。距离“c”的条件与上述距离“c”相同。
在本实施方式中，能够构成为像素电极20与栅电极GL不重叠。由此，能够降低像素电极20与栅电极GL之间的寄生电容。由此，能够提高液晶显示面板2的动作特性。
黑色矩阵25配置在第二遮光层22的上方。在Y方向上，黑色矩阵25的长度短于第二遮光层22的长度。另外，在Y方向上，黑色矩阵25的一端配置于比第二遮光层22的一端靠内侧的位置。在Y方向上，黑色矩阵25的另一端配置于比第二遮光层22的另一端靠内侧的位置。黑色矩阵25能够抑制从基板11入射的外部光向半导体层17入射。
[1-5]第一遮光层13的电位控制
接下来，对第一遮光层13的电位控制进行说明。图9是用于说明第一遮光层13的电位控制的液晶显示面板2的示意平面图。
液晶显示面板2具备显示区域(可视区域)30、边框31、集成电路(IC：IntegratedCircuit)32、以及电源线33-1、33-2。
显示区域30是液晶显示面板2中的显示图像的区域。边框31是包围显示区域30的周边区域。边框31是设置有信号线、电源线等的区域，被黑色的遮光层遮光，从用户目视确认时呈黑色。
电源线33-1、33-2设置于边框31。电源线33-1、33-2分别配置在显示区域30的两侧。电源线33-1、33-2与集成电路32电连接。对电源线33-1、33-2施加共用电压Vcom。
集成电路32设置在基板10上。集成电路32包括上述的扫描线驱动电路4、信号线驱动电路5、共用电极驱动器6、电压生成电路7、以及控制电路8。集成电路32对电源线33-1、33-2供给共用电压Vcom。
在显示区域30中配设有分别沿着X方向延伸的多个第一遮光层13。多个第一遮光层13与电源线33-1、33-2电连接，且被施加共用电压Vcom。
根据本实施例，能够将第一遮光层13固定为共用电压Vcom。由此，能够抑制第一遮光层13的电位使液晶层12的取向紊乱。
图10是用于说明其他实施例的第一遮光层13的电位控制的液晶显示面板2的示意平面图。
多个第一遮光层13未与电源线33-1、33-2连接，而成为浮置状态。通过使第一遮光层13成为浮置状态，由此能够降低第一遮光层13的电容耦合。由此，能够提高液晶显示面板2的动作特性。
另外，如上所述，第二遮光层22与共用电极23电连接，并被施加共用电压Vcom。由此，能够防止由于第二遮光层22而使液晶层12的取向紊乱。
[1-6]第一实施方式的效果
如以上详细叙述的那样，根据第一实施方式，能够提供一种能够使动作特性提高的液晶显示装置。以下对具体的效果进行说明。
在栅电极GL的下方设置有第一遮光层13。在栅电极GL的上方设置有开关元件15所包含的半导体层17。第一遮光层13的Y方向的长度长于栅电极GL的Y方向的长度。栅电极GL的Y方向的长度长于半导体层17的Y方向的长度。由此，能够抑制对基板10进行照射的来自背光灯3的照明光向半导体层17入射。由此，能够降低开关元件15的漏电流。
另外，第一遮光层13负责对半导体层17进行遮光的功能，由此能够缩短栅电极GL的Y方向的长度。对应于使栅电极GL缩短的量，能够使像素电极20接近栅电极GL。由此，能够使像素的开口率提高，进而能够使像素的透射率提高。
另外，在半导体层17的上方设置有第二遮光层22。第二遮光层22的Y方向的长度为半导体层17的Y方向的长度以上。由此，能够抑制从基板11侧入射的外部光向半导体层17入射。由此，能够降低开关元件15的漏电流。
另外，共用电极23被配置为覆盖栅电极GL。由此，能够抑制对栅电极GL施加的电位被施加于液晶层12。由此，能够抑制由于栅电极GL的电位而使液晶层12的取向紊乱。
另外，像素电极20被配置为不与栅电极GL重叠。由此，能够降低像素电极20与栅电极GL之间的寄生电容。由此，能够提高液晶显示面板2的动作特性。
[2]第二实施方式
第二实施方式为，将第一实施方式中所示的第一遮光层13分割为2个第一遮光层13-1、13-2，通过第一遮光层13-1、13-2与栅电极GL对半导体层17进行遮光。
图11是第二实施方式的液晶显示面板2的平面图。图12是对液晶显示面板2中的比第二遮光层22以及共用电极23靠下方的构成进行说明的平面图。图13是沿着图11的B-B′线的液晶显示面板2的截面图。提取了第二遮光层22以及共用电极23的平面图与图4相同。沿着图11的A-A′线的液晶显示面板2的截面图与图5相同。
在TFT基板10的液晶层12侧设置有2个第一遮光层13-1、13-2。第一遮光层13-1、13-2具有对开关元件所包含的半导体层进行遮光的功能。第一遮光层13-1、13-2分别沿着X方向延伸。例如，第一遮光层13-1、13-2针对在X方向上排列的1行量的多个像素共用地设置。
在Y方向上，第一遮光层13-1被配置为与栅电极GL的一端重叠。在Y方向上，第一遮光层13-2被配置为与栅电极GL的另一端重叠。
在Y方向上，第一遮光层13-1的一端与半导体层17的一端之间的距离“a”的条件与第一实施方式相同。在Y方向上，第一遮光层13-2的一端与半导体层17的另一端之间的距离“a”的条件与第一实施方式相同。
另外，第一实施方式中所示的距离“b”以及距离“c”的条件也能够应用于第二实施方式。与第一实施方式相同，可以将第一遮光层13-1、13-2固定为共用电压Vcom，也可以设为浮置状态。
根据第二实施方式，能够减小由第一遮光层13-1、13-2形成的第一遮光层13的面积。另外，能够减小第一遮光层13与栅电极GL重叠的区域。由此，能够降低第一遮光层13与栅电极GL之间的寄生电容。由此，能够提高液晶显示面板2的动作特性。
[3]第三实施方式
第三实施方式是第一实施方式的变形例，针对每个像素对第一遮光层13进行分割。
图14是第三实施方式的液晶显示面板2的平面图。图15是对液晶显示面板2中的比第二遮光层22以及共用电极23靠下方的构成进行说明的平面图。提取了第二遮光层22以及共用电极23的平面图与图4相同。沿着图14的A-A′线的液晶显示面板2的截面图与图5相同。沿着图14的B-B′线的液晶显示面板2的截面图与图6相同。
液晶显示面板2具备针对每个像素设置的多个第一遮光层13。各第一遮光层13配置在对应的半导体层17的下方。第一遮光层13沿着X方向延伸。第一遮光层13的X方向的长度长于半导体层17的X方向的长度。在本实施方式中，第一遮光层13跨越对像素的X方向进行划分的2条源极线SL而延伸。在X方向上邻接的2个第一遮光层13在源极线SL的下方电分离。多个第一遮光层13成为浮置状态。
根据第三实施方式，能够降低多个第一遮光层13与栅电极GL之间的寄生电容。由此，能够提高液晶显示面板2的动作特性。
[4]第四实施方式
第四实施方式是第二实施方式的变形例，针对每个像素对第一遮光层13-1、13-2进行分割。
图16是第四实施方式的液晶显示面板2的平面图。图17是对液晶显示面板2中的比第二遮光层22以及共用电极23靠下方的构成进行说明的平面图。提取了第二遮光层22以及共用电极23的平面图与图4相同。沿着图16的A-A′线的液晶显示面板2的截面图与图5相同。沿着图16的B-B′线的液晶显示面板2的截面图与图13相同。
液晶显示面板2具备针对每个像素设置的多个第一遮光层13-1、以及多个第一遮光层13-2。各第一遮光层13-1以及各第一遮光层13-2配置在对应的半导体层17的下方。第一遮光层13-1、13-2沿着X方向延伸。第一遮光层13-1、13-2的X方向的长度长于半导体层17的X方向的长度。在本实施方式中，第一遮光层13-1跨越对像素的X方向进行划分的2条源极线SL而延伸。在X方向上邻接的2个第一遮光层13-1在源极线SL的下方电分离。第一遮光层13-2跨越对像素的X方向进行划分的2条源极线SL而延伸。在X方向上邻接的2个第一遮光层13-2在源极线SL的下方电分离。第一遮光层13-1、13-2成为浮置状态。
根据第四实施方式，能够降低多个第一遮光层13-1与栅电极GL之间的寄生电容。另外，能够降低多个第一遮光层13-2与栅电极GL之间的寄生电容。由此，能够提高液晶显示面板2的动作特性。
上述各实施方式中构成为，像素电极20、以及狭缝24沿着相对于Y方向倾斜的倾斜方向(Y′方向)延伸。但是，并不限定于该构成，也可以构成为像素电极20、以及狭缝24沿着Y方向延伸。
本发明不限定于上述实施方式，在实施阶段在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变形。此外，各实施方式也可以适当地组合而实施，在该下情况能够得到组合的效果。并且，在上述实施方式包含各种发明，通过从公开的多个构成要件中选择的组合能够提取各种发明。例如，在从实施方式所示的全部构成要件中删除几个构成要件也能够解决课题并得到效果的情况下，该构成要件被削除的构成也能够提取为发明。

Claims (12)

1.一种液晶显示装置，具备：
第一以及第二基板；
液晶层，夹持在上述第一以及第二基板之间；
第一遮光层，设置在上述第一基板上，沿着第一方向延伸；
第一绝缘层，设置在上述第一遮光层上；
栅电极，设置在上述第一绝缘层上，沿着上述第一方向延伸；
第二绝缘层，设置在上述栅电极上；
半导体层，设置在上述第二绝缘层上，且针对每个像素而设置；
源电极以及漏电极，以与上述半导体层局部重叠的方式，在与上述第一方向交叉的第二方向上分离地设置；
像素电极，设置在上述第二绝缘层上，与上述漏电极电连接，沿着上述第二方向延伸；
第三绝缘层，设置在上述半导体层以及上述像素电极上；
第二遮光层，设置在上述第三绝缘层上，以覆盖上述半导体层的方式沿着上述第一方向延伸；以及
共用电极，设置在上述第二遮光层以及上述第三绝缘层上，与上述第二遮光层电连接，具有沿着上述第二方向延伸的狭缝。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
在上述第二方向上，上述第一遮光层的长度长于上述栅电极的长度。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其中，
在上述第二方向上，上述栅电极的长度长于上述半导体层的长度。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
上述第二遮光层被设定为与上述共用电极相同的电压。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
在上述第二方向上，上述第二遮光层的长度为上述半导体层的长度以上。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
上述共用电极被配置为覆盖上述栅电极。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
上述像素电极被配置为不与上述栅电极重叠。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
上述第一遮光层被施加与对上述共用电极施加的共用电压相同的电压。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
上述第一遮光层被设为浮置状态。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
还具备第三遮光层，该第三遮光层设置在上述第二基板上，且设置在上述半导体层的上方，
在上述第二方向上，上述第三遮光层的长度短于上述第二遮光层的长度。
11.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
上述第一遮光层由分别沿着上述第一方向延伸且在上述第二方向上邻接的第一部分以及第二部分构成，
在上述第二方向上，上述第一部分被配置为与上述栅电极的一端重叠，上述第二部分被配置为与上述栅电极的另一端重叠。
12.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
包括在上述第一方向上邻接的第一以及第二像素，
上述第一遮光层由上述第一以及第二像素分割。
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