CN115084190A - 阵列基板、有机发光显示面板和有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板、有机发光显示面板和有机发光显示装置,其中,阵列基板:衬底以及形成于衬底上的盲孔和像素阵列;衬底包括盲孔区域和第一显示区域,第一显示区域围绕于盲孔区域;盲孔设置于盲孔区域上,用于配合摄像头以实现屏下摄像;像素阵列包括多个第一像素单元,多个第一像素单元均设置于第一显示区域上,每个第一像素单元内均设置有多晶硅薄膜晶体管,多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层,在任意相邻的两个第一像素单元之间低温多晶硅层互不相连。在本申请提供的阵列基板、有机发光显示面板和有机发光显示装置中,通过重新设计低温多晶硅层的版图,使得相邻像素单元的低温多晶硅层互不连接,由此改善盲孔位置的拖影状显示不均。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、有机发光显示面板和有机发光显示装置。
背景技术
与诸多显示器件相比,有机发光显示器件(Organic Light Emitting Display,简称OLED)具有全固态、自发光、广视角、广色域、反应速度快、高发光效率、高亮度、高对比度、超薄超轻、低功耗、工作温度范围广、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等诸多优点,能够实现真正意义上的柔性显示,最能符合人们对未来显示器的要求。
目前,OLED显示面板正在向高屏占比发展,流海屏、水滴屏以及全屏技术应运而生。为了实现全面屏,业内通常在显示面板上形成盲孔以配合屏下摄像头。然而,在实际制造和使用过程中发现,采用盲孔设计的产品在盲孔周围容易出现拖影状显示不均,已经严重影响产品良率。
请参考图1,其为现有技术的有机发光显示面板在盲孔周围出现拖影状显示不均时的结构示意图。如图1所示,现有的有机发光显示面板100中设置有盲孔1,所述盲孔1的周围会出现斜向或者竖向的显示不均(图中虚线所示区域),斜向或者竖向的显示不均沿着所述盲孔1的边缘呈拖影状。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种阵列基板、有机发光显示面板和有机发光显示装置,以解决现有技术中采用盲孔设计的有机发光显示装置存在拖影状显示不均的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供的一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底以及形成于所述衬底上的盲孔和像素阵列;
所述衬底包括盲孔区域和第一显示区域,所述第一显示区域围绕于所述盲孔区域;
所述盲孔设置于所述盲孔区域上,用于配合摄像头以实现屏下摄像;
所述像素阵列包括多个第一像素单元,所述多个第一像素单元均设置于所述第一显示区域上,每个第一像素单元内均设置有多晶硅薄膜晶体管,所述多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层,在任意相邻的两个第一像素单元之间低温多晶硅层互不相连。
可选的,在所述的阵列基板中,所述多晶硅薄膜晶体管还包括:栅极、源极和漏极;
所述栅极、源极和漏极之间相互绝缘,所述源极和所述漏极分别与所述低温多晶硅层连接,所述低温多晶硅层。
可选的,在所述的阵列基板中,所述多个第一像素单元呈阵列设置,所述多个第一像素单元的低温多晶硅层由同一个构图工艺形成。
可选的,在所述的阵列基板中,所述衬底还包括第二显示区域,所述第二显示区域围绕于所述第一显示区域,或者位于所述第一显示区域的其中一侧;
所述像素阵列还包括多个第二像素单元,所述多个第二像素单元均设置于所述第二显示区域上,每个第二像素单元内设置有多晶硅薄膜晶体管,所述多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层。
可选的,在所述的阵列基板中,在任意相邻的两个第二像素单元之间低温多晶硅层互不相连。
可选的,在所述的阵列基板中,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层为错行连接或者上下连接。
可选的,在所述的阵列基板中,所述多个第一像素单元和所述多个第二像素单元均呈阵列设置,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层与所述多个第一像素单元的低温多晶硅层均由同一个构图工艺形成。
相应的,本发明提供的一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括如上所述的阵列基板。
相应的,本发明提供的一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括摄像头和如上所述的有机发光显示面板;
所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的盲孔内;或者
所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的下方,且与所述盲孔相对应。
在本发明提供的阵列基板、有机发光显示面板和有机发光显示装置中,通过重新设计低温多晶硅层的版图,使得相邻像素单元的低温多晶硅层互不连接,由此改善盲孔位置的拖影状显示不均。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术的有机发光显示面板在盲孔周围出现拖影状显示不均时的结构示意图;
图2是本发明实施例一的阵列基板的结构示意图;
图3是本发明实施例二的阵列基板的结构示意图;
图4是本发明其他实施例的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式使得本申请将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或者类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。
【实施例一】
请参考图2,其为本发明实施例一的阵列基板的结构示意图。如图2所示,所述阵列基板10包括:衬底11以及形成于所述衬底11上的盲孔12和像素阵列(图中未示出);所述衬底11包括盲孔区域(图中标号未示出)和第一显示区域(图中标号未示出),所述第一显示区域围绕于所述盲孔区域(图中标号未示出);所述盲孔12设置于所述盲孔区域上,用于配合摄像头(图中未示出)以实现屏下摄像;所述像素阵列包括多个第一像素单元,所述多个第一像素单元均设置于所述第一显示区域上,每个第一像素单元内均设置有多晶硅薄膜晶体管,所述多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层,在任意相邻的两个第一像素单元之间低温多晶硅层13互不相连。
具体的,所述衬底11用于支撑其他布置在所述衬底11上的组成元件。所述衬底11可以为透明硬质基板(例如透明玻璃基板)或者透明柔性基板(例如透明塑料基板),所述衬底11的形状可为平面、曲面或者其他不规则形状。应理解的是,所述衬底11的材质以及形状在此不做限制。
本实施例中,所述衬底11上设置有一个盲孔12,所述盲孔12为圆形。在其他实施例中,所述衬底11上也可以设置有两个、三个或者更多个盲孔12,所述盲孔12也可采用其他形状,例如椭圆形、8字形等。
需要说明的是,上述盲孔12的数量、形状以及位置在此不做限定,本领域技术人员可结合实际需求对所述盲孔12的数量、形状以及位置进行设置。
所述衬底11上形成有多条扫描线(图中未示出)、多条数据线(图中未示出)以及由所述多条扫描线和所述多条数据线交叉限定的像素阵列(图中未示出),所述像素阵列包括多个第一像素单元,每个第一像素单元中均设置有多晶硅薄膜晶体管,每个多晶硅薄膜晶体管均与相应的扫描线和数据线相连。
其中,所述多个第一像素单元呈阵列设置。相应的,所述多个第一像素单元中的多晶硅薄膜晶体管也呈阵列设置。所述多晶硅薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和低温多晶硅层,所述栅极、源极和漏极之间相互绝缘,所述低温多晶硅层作为半导体有源层,所述源极和所述漏极分别与所述低温多晶硅层连接(图中未示出)。
如图2所示,所述衬底11包括盲孔区域以及围绕于所述盲孔区域的第一显示区域,所述盲孔12设置于所述盲孔区域上,所述像素阵列设置于第一显示区域上,所述像素阵列包括多个呈阵列设置的第一像素单元,每个第一像素单元均设置有至少两个多晶硅薄膜晶体管,每个多晶硅薄膜晶体管均包括栅极、源极、漏极和低温多晶硅层,每个第一像素单元包括至少两个多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅层,为简洁,图中每个第一像素单元的低温多晶硅层13仅用一个矩形图案表示。相应的,多个第一像素单元具有多个低温多晶硅层13,即所述多个低温多晶硅层13与所述像素阵列的多个像素单元一一对应设置。
请继续参考图2,所述多个低温多晶硅层13呈间隔设置,在任意相邻的两个第一像素单元之间低温多晶硅层13互不相连,保持一定的间距。优选的,所述多个低温多晶硅层13为同层同材质,即所述多个第一像素单元的低温多晶硅层13采用相同的材料,并通过同一个构图工艺形成。
所述阵列基板10还包括包括形成于所述衬底11上的有机发光二极管OLED和存储电容(图中未示出),所述存储电容和所述多晶硅薄膜晶体管组成像素电路,以驱动所述有机发光二极管OLED发光。
现有技术中,低温多晶硅层13之间一般采用错行连接或者上下连接。如此,虽然能够用同一信号同时实现OLED阳极和电容端的初始化,节省信号线的布局空间。但是,由于OLED阳极及电容端的初始化信号并非独立控制,容易在盲孔位置出现拖影状显示不均。
本实施例中,由于低温多晶硅层13采用分离设计,相邻像素单元的低温多晶硅层13互不相连。如此,每一行像素单元只要增加一条初始化信号线,OLED阳极和电容端的初始化可用两个信号分别完成,不但能够增加信号控制的自由度,而且能够避免盲孔区域与第一显示区域因图形设计差异而导致的不利影响,在制程中有效改善盲孔位置的拖影状显示不均。
相应的,本发明还提供一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括如上所述的阵列基板10。具体请参考上文,此处不再赘述。
相应的,本发明还提供一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:摄像头(图中未示出)和如上所述的有机发光显示面板;所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的盲孔12内;或者所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的下方,且与所述盲孔12相对应。具体请参考上文,此处不再赘述。
【实施例二】
请参考图3,其为本发明实施例二的阵列基板的结构示意图。如图3所示,所述阵列基板20包括:衬底21以及形成于所述衬底21上的盲孔22和像素阵列(图中未示出);所述衬底21包括盲孔区域(图中标号未示出)、第一显示区域(图中标号未示出)和第二显示区域(图中标号未示出),所述第一显示区域围绕于所述盲孔区域(图中标号未示出),所述第二显示区域位于所述第一显示区域的其中一侧;所述盲孔22设置于所述盲孔区域上,用于配合摄像头(图中未示出)以实现屏下摄像;所述像素阵列包括多个第一像素单元和多个第二像素单元,所述多个第一像素单元均设置于所述第一显示区域上,所述多个第二像素单元均设置于所述第二显示区域上,每个第一像素单元和每个第二像素单元内均设置有多晶硅薄膜晶体管,所述多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层;其中,在任意相邻的两个第一像素单元之间低温多晶硅层23互不相连。
具体的,所述衬底21包括盲孔区域、第一显示区域和第二显示区域,所述像素阵列包括多个第一像素单元和多个第二像素单元,所述多个第一像素单元设置于所述衬底21的第一显示区域上,所述多个第二像素单元设置于所述衬底21的第二显示区域上,所述盲孔22设置于所述盲孔区域上。其实,所述第一像素单元和所述第二像素单元内均设置有多晶硅薄膜晶体管,所述多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层。
如图3所示,所述多个第一像素单元的低温多晶硅层23采用分离设计,即在任意相邻的两个第一像素单元之间低温多晶硅层23互不相连,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层24采用连接设计。
本实施例中,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层24为错行连接。在其他实施例中,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层24也可采用其他连接设计。如图4所示,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层24也可为上下连接。
优选的,所述多个第一像素单元和所述多个第二像素单元均呈阵列设置,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层24与所述多个第一像素单元的低温多晶硅层23均由同一个构图工艺形成。
本实施例与实施例一不同之处在于,所述衬底21还包括第二显示区域,所述第二显示区域上设置的多个第二像素单元中低温多晶硅层24可采用连接设计。
本实施例中,所述第二显示区域位于所述第一显示区域的其中一侧。在其他实施例中,所述第二显示区域也可围绕于所述第一显示区域。
相应的,本发明还提供一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括如上所述的阵列基板20。具体请参考上文,此处不再赘述。
相应的,本发明还提供一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:摄像头(图中未示出)和如上所述的有机发光显示面板;所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的盲孔22内;或者所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的下方,且与所述盲孔22相对应。具体请参考上文,此处不再赘述。
本实施例中,由于第一显示区域的低温多晶硅层23与第二显示区域的低温多晶硅层24的版图设计不一致,因此第一显示区域与第二显示区域的亮度会存在一定的差异,两者的连接处会出现明显的分屏现象。为此,需要通过驱动芯片进行亮度补偿,即所述有机发光显示装置的驱动芯片具有亮度补偿功能。所述驱动芯片被配置为对第一显示区域与第二显示区域的亮度进行检测和比较,并根据比较结果调整第一显示区域或者第二显示区域的数据电压,使得第一显示区域与第二显示区域的亮度保持均一性。
需要说明的是,本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的有机发光显示面板和有机发光显示装置而言,由于与实施例公开的阵列基板相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见阵列基板部分说明即可。
上述附图仅仅是示意性地示出本发明提供的阵列基板。为了清楚起见,简化上述各图中的元件形状、元件数量并省略部分元件,本领域技术人员可以根据实际需求进行变化,这些变化都在本发明的保护范围内,在此不予赘述。
综上,本发明提供的阵列基板、有机发光显示面板和有机发光显示装置,通过重新设计低温多晶硅层的版图,使得相邻像素单元的低温多晶硅层互不连接,由此改善盲孔位置的拖影状显示不均。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本申请所作的进一步详细说明,不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干简单推演或者替换,都应当视为属于本申请的保护范围。
Claims (9)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底以及形成于所述衬底上的盲孔和像素阵列;
所述衬底包括盲孔区域和第一显示区域,所述第一显示区域围绕于所述盲孔区域;
所述盲孔设置于所述盲孔区域上,用于配合摄像头以实现屏下摄像;
所述像素阵列包括多个第一像素单元,所述多个第一像素单元均设置于所述第一显示区域上,每个第一像素单元内均设置有多晶硅薄膜晶体管,所述多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层,在任意相邻的两个第一像素单元之间低温多晶硅层互不相连。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多晶硅薄膜晶体管还包括:栅极、源极和漏极;
所述栅极、源极和漏极之间相互绝缘,所述源极和所述漏极分别与所述低温多晶硅层连接,所述低温多晶硅层。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个第一像素单元呈阵列设置,所述多个第一像素单元的低温多晶硅层由同一个构图工艺形成。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底还包括第二显示区域,所述第二显示区域围绕于所述第一显示区域,或者位于所述第一显示区域的其中一侧;
所述像素阵列还包括多个第二像素单元,所述多个第二像素单元均设置于所述第二显示区域上,每个第二像素单元内设置有多晶硅薄膜晶体管,所述多晶硅薄膜晶体管包括低温多晶硅层。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在任意相邻的两个第二像素单元之间低温多晶硅层互不相连。
6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层为错行连接或者上下连接。
7.如权利要求5或6所述的阵列基板,其特征在于,所述多个第一像素单元和所述多个第二像素单元均呈阵列设置,所述多个第二像素单元的低温多晶硅层与所述多个第一像素单元的低温多晶硅层均由同一个构图工艺形成。
8.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:如权利要求1至7中任一项所述的阵列基板。
9.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括:摄像头和如权利要求8所述的有机发光显示面板;
所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的盲孔内;或者
所述摄像头设置于所述有机发光显示面板的下方,且与所述盲孔相对应。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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