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CN114975750A - 一种显示器件、加工方法及显示设备 - Google Patents

一种显示器件、加工方法及显示设备 Download PDF

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CN114975750A
CN114975750A CN202210613227.8A CN202210613227A CN114975750A CN 114975750 A CN114975750 A CN 114975750A CN 202210613227 A CN202210613227 A CN 202210613227A CN 114975750 A CN114975750 A CN 114975750A
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CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
type semiconductor
pad
display device
Prior art date
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Pending
Application number
CN202210613227.8A
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English (en)
Inventor
李辉
管云芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Stan Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Stan Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Stan Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Stan Technology Co Ltd
Priority to CN202210613227.8A priority Critical patent/CN114975750A/zh
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Abstract

本申请公开了一种显示器件、加工方法及显示设备，涉及微发光二极管显示技术领域。显示器件加工方法包括：提供多个发光单元，所述发光单元包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层；在所述P型半导体层上制作电极；提供一驱动板，所述驱动板包括多个第一焊盘和至少一第二焊盘，加高所述第二焊盘并使所述第二焊盘相对于所述驱动板的一侧凸出；将所述多个发光单元上的所述电极一一对应地与所述多个第一焊盘键合连接；通过一透明导电膜将所述至少一第二焊盘与所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接。本申请提供的显示器件加工方法可实现将垂直结构的微发光二极管应用于显示器件中，改善显示器件的显示效果。

Description

一种显示器件、加工方法及显示设备
技术领域
本申请涉及微发光二极管显示技术领域，尤其涉及一种显示器件、加工方法及显示设备。
背景技术
微发光二极管(Micro-LED)显示技术是将传统的LED结构进行微缩化和阵列化，并通过驱动板控制各Micro-LED的工作。然而，现有的显示面板等装置中，通常都是采用横向的Micro-LED结构，存在工作效率低、侧光严重等问题。
发明内容
本申请提供了一种显示器件、加工方法及显示设备，实现将垂直Micro-LED应用于显示器件中，提高工作效率，减少侧光的产生。
第一方面，本申请提供了：
一种显示器件加工方法，包括以下步骤：
提供多个发光单元，所述发光单元包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层；
在所述P型半导体层上制作电极；
提供一驱动板，所述驱动板包括多个第一焊盘和至少一第二焊盘，加高所述第二焊盘并使所述第二焊盘相对于所述驱动板的一侧凸出；
将所述多个发光单元上的所述电极一一对应地与所述多个第一焊盘键合连接；
通过一透明导电膜将所述至少一第二焊盘与所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接。
在一些可能的实施方式中，通过电镀工艺加高所述第二焊盘，并使所述驱动板的一侧形成一容置槽，所述多个第一焊盘位于所述容置槽中。
在一些可能的实施方式中，所述通过一透明导电膜将所述至少一第二焊盘与所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接，包括：
在所述透明导电膜的一侧涂布透明导电胶；
将所述透明导电膜分别粘接于所述第二焊盘和所述N型半导体层；
固化所述透明导电胶。
在一些可能的实施方式中，所述在所述P型半导体层上制作电极，包括：
在所述P型半导体层上沉积电流扩散层；
在所述电流扩散层远离所述P型半导体层的一侧蒸镀金属电极层；
在所述金属电极层远离所述电流扩散层的一侧制作键合金属层。
在一些可能的实施方式中，所述提供多个发光单元，包括：
提供一衬底，在所述衬底上生长外延层；
对所述外延层进行刻蚀，并获得所述多个发光单元。
在一些可能的实施方式中，在所述通过一透明导电膜将所述至少一第二焊盘与所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接步骤之前，还包括：
通过激光剥离方法剥离所述衬底。
第二方面，本申请还提供了一种显示器件，包括：
驱动板，包括多个第一焊盘及至少一第二焊盘，所述第二焊盘相对于所述驱动板的一侧凸出；
多个发光单元，包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层；
多个电极，一一对应地连接于所述多个发光单元的所述P型半导体层与所述多个第一焊盘之间；及
透明导电膜，分别与所述至少一第二焊盘和所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接。
在一些可能的实施方式中，所述驱动板还包括一基板，所述至少一第二焊盘靠近所述基板的周向边缘设置，所述至少一第二焊盘与所述基板配合围成一容置槽，所述多个发光单元位于所述容置槽中。
在一些可能的实施方式中，所述透明导电膜通过透明导电胶分别与所述第二焊盘和所述N型半导体层粘接。
在一些可能的实施方式中，所述电极包括依次层叠设置的电流扩散层、金属电极层和键合金属层，所述电流扩散层位于所述金属电极层和所述P型半导体层之间。
在一些可能的实施方式中，所述显示器件还包括钝化层，所述钝化层覆盖于所述发光单元的周向及所述金属电极层的周向边缘。
第三方面，本申请还提供了一种显示设备，包括本申请提供的所述显示器件。
本申请的有益效果是：本申请提出一种显示器件、加工方法及显示设备。本申请中，将驱动板上的第二焊盘加高，使第二焊盘相对于驱动板的一侧凸出，并通过透明导电膜实现N型半导体层与第二焊盘间的电连接。由此，可实现将垂直结构的微发光二极管结构应用于显示器件中，进而，可减少显示器件中发光单元侧向出光的问题，也可提升响应速度，提高工作效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了一些实施例中显示器件加工方法的流程示意图；
图2示出了一些实施例中衬底及外延层的结构示意图；
图3示出了一些实施例中制备多个发光单元的流程示意图；
图4示出了一些实施例中刻蚀发光单元的流程示意图；
图5示出了一些实施例中发光单元的结构示意图；
图6示出了一些实施例中制作电极的流程示意图；
图7示出了一些实施例中制作电极的部分结构示意图；
图8示出了一些实施例中制作钝化层后的结构示意图；
图9示出了一些实施例中对钝化层开槽后的结构示意图；
图10示出了一些实施例中电极的结构示意图；
图11示出了一些实施例中驱动板的结构示意图；
图12示出了一些实施例中发光单元与驱动板连接时的结构示意图；
图13示出了一些实施例中剥离衬底后的结构示意图；
图14示出了一些实施例中连接透明导电膜与发光单元、驱动板时的流程示意图；
图15示出了一些实施例中透明导电膜与透明导电胶的结构示意图；
图16示出了一些实施例中显示器件的结构示意图。
主要元件符号说明：
10-衬底；20-外延层；21-N型半导体层；22-发光层；23-P型半导体层；201-发光单元；30-电极；31-电流扩散层；32-金属电极层；33-键合金属层；331-第一金属层；332-第二金属层；40-钝化层；41-通槽；50-驱动板；501-容置槽；51-第一焊盘；52-第二焊盘；53-基板；60-透明导电膜；70-透明导电胶。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例中提供了一种显示器件加工方法，可用于加工微发光二极管(Micro-LightEmitting Diode，Micro-LED)显示器件。
如图1所示，显示器件加工方法可包括：
S100，提供多个发光单201。
其中，发光单元201可包括依次层叠设置的N型半导体层21、发光层22和P型半导体层23。
如图2和图3所示，在一些实施例中，步骤S100具体可包括：
S110，提供衬底10，在衬底10上生长外延层20。
其中，衬底10可作为Micro-LED的制作载体，可为Micro-LED提供支撑作用。在一些实施例中，衬底10可由包括但不限于蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硅(Si)等材料制成。
在一些实施例中，外延层20包括依次生长而成的N型半导体层21、发光层22和P型半导体层23。具体的，可在衬底10的一侧表面生长N型半导体层21。在N型半导体层21远离衬底10的一侧生长发光层22。在发光层22远离N型半导体层21的一侧生长P型半导体层23。
在一些实施例中，N型半导体层21可以是N型氮化镓(n-GaN)层。发光层22可以选用多量子阱(Multiple Quantum Well，MQWs)发光层。P型半导体层23可以是P型氮化镓(p-GaN)层。
实施例中，N型半导体层21、发光层22和P型半导体层23均可由气相外延生长方法、液相外延生长方法、分子束外延生长方法等外延生长方法中的一种进行生长。
S120，对外延层20进行刻蚀，并获得多个发光单元201。
如图5所示，具体的，可通过光刻等工艺对外延层20进行刻蚀，以获得多个发光单元201，例如多个发光单元201可呈多排多列的矩阵式分布，当然，也可呈现为多层嵌套的环状分布。可以理解的，其中一发光单元201经过后续加工过后可形成一Micro-LED芯片，相应的，一发光单元201可用作显示器件中的一像素点。
再一并结合图4，在一些实施例中，步骤S120可包括：
S121，在外延层20远离衬底10的一侧沉积掩膜层。
其中，掩膜层可由光刻胶、二氧化硅(SiO2)、金属或绝缘层等材料制成。实施例中，掩膜层可由光刻胶制成。
S122，对掩膜层进行图案化处理，以确定外延层20的刻蚀区和非刻蚀区。
具体的，可根据图案化设计对掩膜层的特定区域进行曝光，例如可通过紫外线等照射掩膜层的特定区域，再通过显影液等溶液将特定区域曝光后的掩膜层进行溶解，以暴露特定区域下的外延层20。可以理解的，特定区域可与外延层20中的刻蚀区相对应，非刻蚀区可对应于多个发光单元201所在位置。在一些实施例中，掩膜层中的非刻蚀区可呈多排多列的阵列式分布。
S123，在刻蚀区对外延层20进行刻蚀，并由P型半导体层23刻蚀至N型半导体层21靠近衬底10的一侧。
在一些实施例中，可通过电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)刻蚀机对外延层20进行刻蚀，以将外延层20刻蚀成多个发光单元201。具体的，可将步骤S122获得的产物放入电感耦合等离子体刻蚀机中，通过氯气(Cl2)、三氯化硼(BCl3)和氩气(Ar)中的一种或多种混合物对外延层的刻蚀区进行刻蚀，以获得多个发光单元201。
其中，可将外延层20由P型半导体层23远离衬底10的一侧表面刻蚀至N型半导体层21靠近衬底10的一侧表面，即外延层20可被完全刻蚀穿透。相应的，可在衬底10上形成多个台阶结构，以形成多个发光单元201，且相邻两发光单元201之间相互隔离。
在一些实施例中，平行于衬底10的方向，发光单元201的截面形状可根据需要进行设置，例如，发光单元201的截面形状可设置成圆形、方形、三角形、椭圆形等，在此不作具体限制。
S124，清除非刻蚀区的掩膜层。
具体的，可以采用等离子干法去胶工艺将非刻蚀区的掩膜层进行清除。然后，再分别用丙酮和异丙醇各清洗5min，以清除残余的掩膜层，之后可用去离子水进行清洗。待清洗完成后，可用氮气吹干。
S200，在P型半导体层23上制作电极30。
如图6至图10所示，具体的，可在每一发光单元201中的P型半导体层23上制作电极30，且电极30可与P型半导体层23电连接。
如图6所示，在一些实施例中，步骤S200可包括：
S210，在P型半导体层23上沉积电流扩散层31。
再一并结合图7，在一些实施例中，可通过磁控溅射方法在P型半导体层23远离衬底10的一侧表面沉积电流扩散层31。实施例中，电流扩散层31可包括氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)、氧化锌(ZnO)、单层金属层结构或多层金属层结构等具有透光性的导电膜。
实施例中，平行于衬底10的方向，电流扩散层31的截面也可根据需要进行设置，例如，圆形、方形、椭圆形、五边形等形状。
在一些实施例中，还可对电流扩散层31进行退火处理，可提高电流扩散层31与P型半导体层23的欧姆接触性能，确保电流的传输质量。
S220，在电流扩散层31远离P型半导体层23的一侧蒸镀金属电极层32。
在一些实施例中，可通过离子束蒸镀方法在电流扩散层31远离P型半导体层23的一侧表面沉积金属电极层32。其中，金属电极层32可包括依次层叠设置的钛/铝/钛/金(Ti/Al/Ti/Au)多层金属层或镍/铁/铂/钯(Ni/Fe/Pt/Pd)多层金属层等。其中，金属电极层32可用作阻挡层/浸润层/粘附层使用，可实现与电流扩散层31间稳固可靠的连接、防止金属扩散等作用。
实施例中，平行于衬底10方向，金属电极层32的截面形状也可根据需要进行设置，例如，圆形、方形、椭圆形、五边形等形状。当然，在一些实施例中，金属电极层32的形状可与电流扩散层31相同。
S230，在发光单元201上制作钝化层40，且覆盖金属电极层32。
再一并结合图8，实施例中，钝化层40可同时布设于发光单元201的周向侧壁及发光单元201远离衬底10的一侧。其中，位于发光单元201远离衬底10一侧的钝化层40可覆盖于金属电极层32上，即金属电极层32被钝化层40所包裹。
从而，可由钝化层40对发光单元201提供相应的保护，避免杂质原子等吸附于发光单元201的表面而造成污染，确保发光单元201的发光效果，同时，也可实现发光单元201的防短路保护。
在一些实施例中，可通过等离子体增强化学气相(PECVD)方法沉积钝化层40。其中，钝化层40可由氧化硅(SiO2、)、氮化硅(Si3N4)或氧化铝(Al2O3)等无机材料制成。
当然，在另一些实施例中，钝化层40还可由环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯醇、天然橡胶、聚苯乙烯等有机材料制成。
S240，在钝化层40上开设通槽41，以暴露金属电极层32的至少部分结构。
再一并结合图9，具体的，在钝化层40对应于金属电极层32的位置进行开槽操作，以形成连通金属电极层32和外界环境的通槽41。相应的，金属电极层32的至少部分结构可通过通槽41得以暴露。
在一些实施例中，可使金属电极层32的部分结构通过通槽41暴露，且通槽41可对应金属电极层32的中部设置。可以理解的，金属电极层32的周向边缘仍可由钝化层40覆盖。
当然，在另一些实施例中，不排除金属电极层32的全部通过通槽41暴露。
在一些实施例中，可通过光刻工艺对钝化层40进行开槽操作，光刻工艺的具体操作流程可参照步骤S120，在此不再赘述。
S250，在金属电极层32远离电流扩散层31的一侧制作键合金属层33。
如图10所示，具体的，可通过等离子体增强化学气相(PECVD)方法在通槽41中沉积键合金属层33，并使键合金属层33相对于通槽41远离衬底10的一侧凸出，以便于对键合金属层33远离衬底10的一端进行焊接。
在一些实施例中，键合金属层33可包括第一金属层331，第一金属层331可由可由铟、锡、银锡合金等熔点较低的金属材料制成，以便后续进行焊接工艺。在一些实施例中，还可对第一金属层331进行回流处理，可使第一金属层331边缘位置的结构向中部集中，以形成可键合凸点。
在另一些实施例中，键合金属层33可包括层叠设置的第一金属层331和第二金属层332，第二金属层332位于第一金属层331与金属电极层32之间。其中，第二金属层332可由较高熔点温度的金属制成，例如，第二金属层332可由金锡合金、金、钛、镍、铝、铜等金属制成。从而，避免在后续步骤中键合金属层33因受热温度过高而与金属电极层32分离，可确保键合金属层33与金属电极层32间稳定可靠的连接。
可以理解的，实施例中，电极30可由电流扩散层31、金属电极层32和键合金属层33构成，以便实现P型半导体层23的电接出。
S300，提供一驱动板50，驱动板50包括多个第一焊盘51和至少一第二焊盘52，加高第二焊盘52并使第二焊盘52相对于驱动板50的一侧凸出。
如图10至图12所示，可以理解的，驱动板50还可包括有基板53，第一焊盘51和第二焊盘52可布设于基板53的同一侧。在一些实施例中，第一焊盘51可指P-焊盘。第一焊盘51的数量可与衬底10上发光单元201的数量相等，且多个第一焊盘51也可在基板53上呈现为多排多列的阵列式分布。
在一些实施例中，可通过电镀工艺在第二焊盘52上镀与第二焊盘52相同材质的金属，使得第二焊盘52逐渐增高，并相对于驱动板50的一侧凸出。
在一些实施例中，驱动板50可包括一第二焊盘52，且第二焊盘52位于基板53周向边缘。相应的，第二焊盘52可与基板53配合围成一容置槽501，即驱动板50靠近第二焊盘52的一侧形成有一容置槽501。
在另一些实施例中，驱动板50还可包括两个、三个等数量的第二焊盘52，多个第二焊盘52可分设于驱动板50的周向边缘。可以理解的，可对每一第二焊盘52均进行加高处理。基板53可与多个第二焊盘52配合围成容置槽501。
在另一些实施例中，当衬底10上的多个发光单元201呈现出多层嵌套的环状分布时，多个第一焊盘51也可呈现出多层嵌套的环状分布，第二焊盘52可设置于多个第一焊盘51的圆心位置。
S400，将多个发光单元201上的电极30一一对应地与多个第一焊盘51键合连接。
再一并结合图12，在一些实施例中，可通过倒装工艺将衬底10上各发光单元201上的电极30与多个第一焊盘51一一对应键合连接，将电极30远离发光单元201的一端焊接于对应的第一焊盘51上。一方面，可实现将对应的发光单元201固定于驱动板50上。另一方面，也可实现发光单元201与驱动板50间的电连接。从而，可由驱动板50控制各发光单元201的工作。可以理解的，衬底10上的多个发光单元201可设置于容置槽501中。
在另一些实施例中，也可将多个独立的发光单元201一一对应的连接于多个第一焊盘51上。可以理解的，每一独立的发光单元201上均设置有电极30。
S500，通过激光剥离方法剥离衬底10。
再一并结合图13，实施例中，可通过激光剥离方法将衬底10从发光单元201上剥离下来。具体的，通过激光在衬底10一侧进行照射，在激光的能量下，使外延层20靠近衬底10的一侧受热分解，从而可实现衬底10与外延层20的分离，即实现剥离衬底10。
S600，通过一透明导电膜60将至少一第二焊盘52与多个发光单元201的N型半导体层21电连接。
如图11、图15和图16所示，在一些实施例中，第二焊盘52可为N-焊盘。实施例中，透明导电膜60可用于实现第二焊盘52与多个N型半导体层21间的电流传输，即可通过透明导电膜60实现多个发光单元201与驱动板50上第二焊盘52间的电连接。
在一些实施例中，透明导电膜60可选用锡掺杂三氧化铟(ITO)、铝掺杂氧化锌(AZO)等具有较大禁带宽度的材料制成。透明导电膜60在实现导电的同时，也可允许可见光的通过，确保发光单元201产生的光线可顺利通过透明导电膜60而向外透射，确保显示器件的发光亮度。
如图14所示，在一些实施例中，步骤S600可包括：
S610，在透明导电膜60的一侧涂布透明导电胶70。
如图15和图16所示，其中，透明导电胶70可以选用掺杂有导电高分子的导电橡胶胶水。当然，透明导电胶70还可选用透明度在90％以上的其他类型的导电胶水。
实施例中，可在透明导电膜60的一侧表面均匀涂布一层透明导电胶70。其中，透明导电胶70的厚度可根据需要进行设置，例如，透明导电胶70的厚度可设置成小于或等于1mm，示例性的，透明导电胶70的厚度可设置为0.2mm、0.25mm、0.45mm、0.5mm、0.6mm、0.75mm等。当然，不排除将透明导电胶70设置成1.5mm、2mm、2.2mm等。
S620，将透明导电膜60分别粘接于第二焊盘52和N型半导体层21。
实施例中，可通过贴合设备将涂布有透明导电胶70的透明导电膜60粘接于各发光单元201的N型半导体层21及驱动板50上的第二焊盘52。可以理解的，透明导电胶70远离透明导电膜60的一侧可分别与第二焊盘52和多个N型半导体层21粘接。由此，可实现透明导电胶70与N型半导体层21和第二焊盘52间的机械连接及电连接。
再一并结合图13，在一些实施例中，第二焊盘52靠近透明导电膜60一侧的表面可与N型半导体层21靠近透明导电膜60一侧的表面相齐平。从而，可确保透明导电膜60粘接时的平整性，避免透明导电膜60出现倾斜、弯折等问题。同时，也可确保透明导电膜60与各N型半导体层21和第二焊盘52间稳定可靠的连接。
S630，固化透明导电胶70。
具体的，可通过热固化方式以使透明导电胶70固化，确保透明导电膜60与N型半导体层21和第二焊盘52间的稳固机械连接及电连接。具体的，可使透明导电胶70在60℃至200℃的温度下，固化30min至240min。
实施例中，通过透明导电胶70和透明导电膜60实现发光单元201中N型半导体层21与驱动板50上第二焊盘52的连接。在实现电流垂直穿过发光单元201的同时，也可确保发光单元201所产生的光线顺利向外透射。
通过实施例中提供的显示器件加工方法，可实现将垂直Micro-LED应用于显示器件中。其中，垂直Micro-LED在工作时，电流几乎沿垂直方向通过发光单元201，可减少电流的横向流动。一方面，可提升发光单元201的点亮效率，另一方面，也可减少侧向出光，提高显示亮度，减少光串扰，进而可提高对应显示器件的显示亮度、对比度等，可改善显示器件的显示效果。另外，垂直Micro-LED还可具有良好的电流冲击和抗静电能力，产品一致性好、稳定性好、可靠性高、无金属离子迁移问题，可进一步提升对应显示器件的性能，降低后期维护成本。
实施例中还提供了一种显示器件，可通过实施例中提供的显示器件加工方法制成。其中，显示器件可以是一种Micro-LED显示器件，其中，Micro-LED为垂直结构的Micro-LED。
如图5、图10、图11、图16所示，显示器件可包括驱动板50、多个发光单元201、多个电极30和一透明导电膜60。
其中，驱动板50可包括基板53、多个第一焊盘51和至少一第二焊盘52。其中，多个第一焊盘51和至少一第二焊盘52均设置于基板53的同一侧。多个第一焊盘51可呈现为多排多列的阵列式分布。在一些实施例中，驱动板50可包括一第二焊盘52，第二焊盘52可靠近基板53的一侧边缘设置。
实施例中，第二焊盘52可相对于驱动板50的一侧凸出。同时，第二焊盘52可与基板53配合围成一容置槽501。
实施例中，多个发光单元201均可位于容置槽501中，且发光单元201可通过电极30与第一焊盘51一一对应连接。具体的，发光单元201可包括依次层叠设置的N型半导体层21、发光层22和P型半导体层23。实施例中，发光单元201的数量可等于第一焊盘51的数量。
电极30的数量也可等于发光单元201的数量。相应的，多个电极30的一侧可一一对应地连接于多个发光单元201的P型半导体层23，可实现电极30与发光单元201间的电连接。多个电极30的另一侧可一一对应地连接于多个第一焊盘51。
如图10所示，在一些实施例中，电极30可包括依次层叠设置的电流扩散层31、金属电极层32和键合金属层33。其中，电流扩散层31远离金属电极层32的一侧连接于对应发光单元201中的P型半导体层23上。
在一些实施例中，键合金属层33可包括第一金属层331。其中，第一金属层331可由铟、锡、银锡合金等熔点较低的金属材料制成，以便后续进行焊接工艺。
在另一些实施例中，键合金属层33可包括层叠设置的第一金属层331和第二金属层332，第二金属层332位于第一金属层331与金属电极层32之间。其中，第二金属层332可由较高熔点温度的金属制成，例如，第二金属层332可由金锡合金、金、钛、镍、铝、铜等金属制成。
再一并结合图12，实施例中，电极30远离发光单元201的一端可焊接于第一焊盘51上。一方面，可实现将发光单元201固定于驱动板50上。另一方面，也可实现驱动板50与发光单元201间的电连接。
如图16所示，透明导电膜60可分别连接于多个发光单元201的N型半导体层21和驱动板50上的第二焊盘52。在一些实施例中，透明导电膜60可通过透明导电胶70粘接于多个N型半导体层21和第二焊盘52上。从而，可由透明导电膜60实现N型半导体层21与第二焊盘52间的电连接，以便驱动板50控制各发光单元201工作。
在一些实施例中，第二焊盘52靠近透明导电膜60的一侧表面可与发光单元201靠近透明导电膜60的一侧表面相齐平。一方面，可方便将透明导电膜60顺利粘接于多个N型半导体层21和第二焊盘52上。另一方面，也可避免透明导电膜60发生倾斜、弯曲等问题，也可确保透明导电膜60与各N型半导体层21和第二焊盘52间稳定可靠的连接。
如图8至图10所示，进一步的，显示器件还可包括钝化层40，钝化层40可覆盖于发光单元201的周向侧壁，另外，钝化层40还可延伸至发光单元201靠近驱动板50的一端且覆盖金属电极层32的周向边缘。实施例中，键合金属层33可相对于钝化层40外露凸出。
实施例中，可由钝化层40对发光单元201提供保护作用，避免杂质原子等吸附于发光单元201的表面而造成污染，确保发光单元201的发光效果，同时，也可实现发光单元201的防短路保护。
实施例中还提供了一种显示设备，可包括实施例中提供的显示器件。其中，显示设备可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、台式电脑、电子阅读器、动态影像专家压缩标准音频层面四(Moving Picture Experts Group Audio Layer IV，MP4)播放器、智能手表、车载电脑、智能电视、数码相机等设备中的一种。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (12)

1.一种显示器件加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供多个发光单元，所述发光单元包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层；
在所述P型半导体层上制作电极；
提供一驱动板，所述驱动板包括多个第一焊盘和至少一第二焊盘，加高所述第二焊盘并使所述第二焊盘相对于所述驱动板的一侧凸出；
将所述多个发光单元上的所述电极一一对应地与所述多个第一焊盘键合连接；
通过一透明导电膜将所述至少一第二焊盘与所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接。
2.根据权利要求1所述的显示器件加工方法，其特征在于，通过电镀工艺加高所述第二焊盘，并使所述驱动板的一侧形成一容置槽，所述多个第一焊盘位于所述容置槽中。
3.根据权利要求1或2所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述通过一透明导电膜将所述至少一第二焊盘与所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接，包括：
在所述透明导电膜的一侧涂布透明导电胶；
将所述透明导电膜分别粘接于所述第二焊盘和所述N型半导体层；
固化所述透明导电胶。
4.根据权利要求1所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述在所述P型半导体层上制作电极，包括：
在所述P型半导体层上沉积电流扩散层；
在所述电流扩散层远离所述P型半导体层的一侧蒸镀金属电极层；
在所述金属电极层远离所述电流扩散层的一侧制作键合金属层。
5.根据权利要求1所述的显示器件加工方法，其特征在于，所述提供多个发光单元，包括：
提供一衬底，在所述衬底上生长外延层；
对所述外延层进行刻蚀，并获得所述多个发光单元。
6.根据权利要求5所述的显示器件加工方法，其特征在于，在所述通过一透明导电膜将所述至少一第二焊盘与所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接步骤之前，还包括：
通过激光剥离方法剥离所述衬底。
7.一种显示器件，其特征在于，包括：
驱动板，包括多个第一焊盘及至少一第二焊盘，所述第二焊盘相对于所述驱动板的一侧凸出；
多个发光单元，包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层；
多个电极，一一对应地连接于所述多个发光单元的所述P型半导体层与所述多个第一焊盘之间；及
透明导电膜，分别与所述至少一第二焊盘和所述多个发光单元的所述N型半导体层电连接。
8.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述驱动板还包括一基板，所述至少一第二焊盘靠近所述基板的周向边缘设置，所述至少一第二焊盘与所述基板配合围成一容置槽，所述多个发光单元位于所述容置槽中。
9.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述透明导电膜通过透明导电胶分别与所述第二焊盘和所述N型半导体层粘接。
10.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述电极包括依次层叠设置的电流扩散层、金属电极层和键合金属层，所述电流扩散层位于所述金属电极层和所述P型半导体层之间。
11.根据权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括钝化层，所述钝化层覆盖于所述发光单元的周向及所述金属电极层的周向边缘。
12.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求7至11任一项所述的显示器件。
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