CN114806494A - 一种低密度高导热硅胶填缝剂及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低密度高导热硅胶填缝剂及其制备方法,包括100份乙烯基硅油、5~30份交联剂、0.01~0.5份催化剂、0.001~0.06份抑制剂、0~500份导热填料、500~1500份低密度阻燃导热填料、3~10份硅烷偶联剂。制备方法包括(1)制备母胶;(2)制备A组份;(3)制备B组份;(4)制备低密度高导热硅胶填缝剂。本发明的填缝剂具有较低的密度和较高的导热性,阻燃性好,固化后具有优越的耐高低温性能和极好的耐气候、耐辐射以及优越的介电性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种低密度高导热硅胶填缝剂以及制备方法,属于导热填缝剂技术领域。
背景技术
加成型硅橡胶具有优异的耐高低温性能,耐候性和耐化学稳定性,可在-60℃~200℃的温度范围内长期保持弹性,可以有效的保护电子元器件;在固化时无副产物生成,线收缩率小,应力小,能深层室温固化,因而在导热领域得到广泛的应用。
随着电子技术工业的进步,电子元器件小型化、集成电路板密集化,对轻质、高导热等性能要求越来越严格。电子、电器中需要使用高导热的绝缘材料,以有效去除电子设备所产生的热量,从而保证电子元器件在各种使用温度下仍能正常运行,以确保产品的使用寿命和质量可靠性。现在的手机已经进入5G时代,处理器等电子元件作为消耗电力的副产物,会释放热量,拍摄照片以及播放视频时,会在短时间内处理大容量数据,因此需要处理器加速运行,结果释放的热量增加,终端发热的速度也加快,因此对散热能力也提高了要求,低密度高导热硅胶填缝剂将对手机设备的高度集成,以及超小超薄的无风扇设计要求的产品提供有力的帮助。
现阶段手机散热主要还用导热垫片和导热硅脂类。导热垫片是已经固化完全的垫片,可填充于散热片和电路板的接触界面,但可能会产生细微不规则间隙造成一定热阻;导热硅脂类产品导热较高,但是会存在使用时间久了,硅胶表面干燥开裂问题,影响其使用寿命。因此开发一种低密度高导热硅胶填缝剂,可很好的填充散热片和电路板的接触界面,降低重量,使产品性能长期稳定是十分必要的。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种低密度高导热硅胶填缝剂以及制备方法,该填缝剂具有密度低、导热高、阻燃性能好等优异性能。
为实现以上发明目的,本发明所采用的技术方案为:
一种低密度高导热硅胶填缝剂包含如下重量份的组份:
A组份包括如下质量分数计的原料:
B组份包括如下质量分数计的原料:
优选的,所述A组份和B组份中的乙烯基硅油为端乙烯基硅油,其粘度在50~1000mpa.s,乙烯基含量为0.1%~3%.
优选的,所述B组分中的交联剂为低粘度的多含氢硅油,粘度为20~200mpa.s,含氢量为0.01%~0.8%。
优选的,所述A组份中的催化剂为氯铂酸、氯铂酸-异丙醇、卡斯特催化剂的任意一种,其铂金含量为1000ppm~10000ppm。
优选的,所述A组份和B组份中的导热填料为改性氧化铝、改性氧化锌、改性氧化镁、改性氮化铝的一种或者几种混合。
优选的,所述A组份和B组份中的低密度导热阻燃填料为改性氢氧化铝、改性硅微粉、改性硅酸铝盐、改性氢氧化镁的一种或者几种混合。
优选的,所述A组份和B组份中硅烷偶联剂为KH560、辛基三甲氧基硅氧烷、辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷的一种或者几种混合。
优选的,所述B组份中的抑制剂为乙炔基环己醇、四甲基四乙烯基硅氧烷、乙二胺的一种或者几种混合。
本发明还提供一种低密度高导热硅胶填缝剂的制备方法,包含如下步骤:
(1)制备母胶
在室温条件下,将乙烯基硅油、导热填料、低密度阻燃导热填料、硅烷偶联剂加入到双行星搅拌机中,混合1h,加热到100℃,继续抽真空混合4h,制得母胶,冷却到室温备用。
(2)制备A组份
将一半母胶中加入催化剂,抽真空混合均匀,后制得A组份。
(3)制备B组份
将剩余母胶中加入抑制剂和交联剂,抽真空混合均匀,后制得B组份。
(4)制备低密度高导热硅胶填缝剂
(5)将制得的A组份和B组份按照1:1混合均匀,真空脱泡10~20min,室温固化或者加热固化,即可得低密度高导热硅胶填缝剂。
本发明的有益效果是:
本发明提供了一种低密度高导热硅胶填缝剂,该填缝剂包含适量的低密度导热阻燃填料,在密度低的同时,具有较好的导热性能和阻燃性能。本发明低密度高导热硅胶填缝剂,与相同导热常规产品相比,密度降低了30%左右,可以显著降低手机重量,因而有着广泛的应用前景。
本发明还提供了一种低密度高导热硅胶填缝剂的制备方法,该制备方法工艺简单、设备投资小、操作简单,非常适合工业化放大生产。
导热填料的种类、粒径、用量、几何形状,混杂填充及表面改性等因素均会对灌封胶的导热性能产生影响。氧化铝的热传导系数为30W/m·k,硅微粉的热传导系数为10W/m·k,相同填料添加量的时,使用氧化铝比使用硅微粉的导热率要高,并且随着填料用量的增加热导率也迅速增加。填料用量相同时大粒径的导热填料更易形成有效的导热通路,所得产品导热会更高。同种填料不同形态的混杂填充比单一形态填充更易获得高热导率。不同种类的填料在适当配比时,混杂填充亦优于单一种类填料填充。这归因于上述混杂填充均较易形成紧密堆积结构,小粒径的颗粒填充至大粒径颗粒的空隙中,从而减小了接触热阻,进而使体系具有相对更高的热导率。另一个方面,无机粒子和硅胶基体界面间存在极性差异,致使两者相容性较差,故填料在硅胶基体中不易分散。并且无机粒子较大的表面张力使其表面较难被硅胶基体所润湿,相界面间存在空隙及缺陷,从而增大了界面热阻。因此,对无机填料粒子表面进行修饰,可改善其分散性从而有利于提高体系的热导率。
本发明主要从不同种类、不同粒径的填料进行适当的配比,以及对无机填料进行表面修饰,改善其分散性,从而增加填料的添加量。首先填料种类的选择,氮化铝导热率比较高,但是添加量比较小,在配方中可以少量添加;氢氧化铝密度低(2.4g/cm3),可以添加较大量。因此,本发明的主要添加填料为低密度的氢氧化铝,再掺杂一部分氮化铝。
填料的改性:首先将填料加入到设备中,在100~120℃进行预热干燥,然后加入硅烷偶联剂,在一定的温度、时间和搅拌速度条件下进行改性,最后经过粉磨得到改性的填料。所述的硅烷偶联剂包括KH560、辛基三甲氧基硅氧烷、辛基三乙氧基硅氧烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷的一种或几种。
具体实施方式
下面给出具体实施例子,对本发明进一步阐述。
实施例1
本实施例提供了一种低密度高导热硅胶填缝剂,包含如下重量份的组份:
A组份包括如下质量分数计的原料:
B组份包括如下质量分数计的原料:
所述低密度高导热硅胶填缝剂的制备过程如下:
(1)制备母胶
在室温条件下,将100份乙烯基硅油、200份改性氮化铝、800份改性氢氧化铝和5份十二烷基三甲氧基硅烷加入到双行星搅拌机中,混合1h,加热到100℃,继续抽真空混合4h,制得母胶,冷却到室温备用。
(2)制备A组份
将一半母胶中加入0.2份氯铂酸,抽真空混合均匀,后制得A组份。
(3)制备B组份
将剩余母胶中加入0.02份乙炔基环己醇、4份0.08%含氢硅油硅油和20份0.05%含氢硅油硅油,抽真空混合均匀,后制得B组份。
(4)制备低密度高导热硅胶填缝剂
将制得的A组份和B组份按照1:1混合均匀,真空脱泡10~20min,室温固化或者加热固化,即可得低密度高导热硅胶填缝剂。
实施例2
本实施例提供了一种低密度高导热硅胶填缝剂,包含如下重量份的组份:
A组份包括如下质量分数计的原料:
B组份包括如下质量分数计的原料:
所述低密度高导热硅胶填缝剂的制备过程如下:
(1)制备母胶
在室温条件下,将100份乙烯基硅油、700份改性氢氧化铝和100份改性氧化铝和5份十二烷基三甲氧基硅烷加入到双行星搅拌机中,混合1h,加热到100℃,继续抽真空混合4h,制得母胶,冷却到室温备用。
(2)制备A组份
将一半母胶中加入0.2份氯铂酸,抽真空混合均匀,后制得A组份。
(3)制备B组份
将剩余母胶中加入0.02份乙炔基环己醇、4份0.15%含氢硅油和20份0.05%含氢硅油,抽真空混合均匀,后制得B组份。
(5)制备低密度高导热硅胶填缝剂
将制得的A组份和B组份按照1:1混合均匀,真空脱泡10~20min,室温固化或者加热固化,即可得低密度高导热硅胶填缝剂。
实施例3
本实施例提供了一种低密度高导热硅胶填缝剂,包含如下重量份的组份:
A组份包括如下质量分数计的原料:
B组份包括如下质量分数计的原料:
所述低密度高导热硅胶填缝剂的制备过程如下:
(1)制备母胶
在室温条件下,将100份乙烯基硅油、50份改性氧化铝、450份改性氢氧化铝和3份十二烷基三甲氧基硅烷加入到双行星搅拌机中,混合1h,加热到100℃,继续抽真空混合4h,制得母胶,冷却到室温备用。
(2)制备A组份
将一半母胶中加入0.2份氯铂酸,抽真空混合均匀,后制得A组份。
(3)制备B组份
将剩余母胶中加入0.02份乙炔基环己醇、1份0.15%含氢硅油和20份0.05%含氢硅油硅油,抽真空混合均匀,后制得B组份。
(6)制备低密度高导热硅胶填缝剂
将制得的A组份和B组份按照1:1混合均匀,真空脱泡10~20min,室温固化或者加热固化,即可得低密度高导热硅胶填缝剂。
产品性能指标如下:
性能指标 | 密度(g/cm<sup>3</sup>) | 硬度(shore 00) | 导热系数[W/(m.K)] | 阻燃级别(UL94) |
实施例1 | 2.4 | 60 | 3.3 | V0 |
实施例2 | 2 | 62 | 2.2 | V0 |
实施例3 | 1.8 | 50 | 1.5 | V0 |
从表中可以看出本发明产品具有较低的密度、较高的导热、较软的硬度和优异的阻燃性能,非常适合手机散热性能的要求。
当然,上述说明并非是对本发明的限制,本发明也并不限于上述举例,本技术领域的普通技术人员,在本发明的实质范围内,作出的变化、改型、添加或替换,都应属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,包括A组份和B组份,
A组份包括如下质量分数计的原料:
乙烯基硅油 100份;
导热填料 0~500份;
低密度阻燃导热填料 500~1500份;
硅烷偶联剂 3~10份;
催化剂 0.01~0.5份;
B组份包括如下质量分数计的原料:
乙烯基硅油 100份;
导热填料 0~500份;
低密度阻燃导热填料 500~1500份;
硅烷偶联剂 3~10份;
交联剂 5~30份;
抑制剂 0.001~0.06份。
2.如权利要求1所述的低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,所述A组份和B组份中的乙烯基硅油为端乙烯基硅油,其粘度在50~1000mpa.s,乙烯基含量为0.1%~3%。
3.如权利要求1所述的低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,所述B组分中的交联剂为低粘度的多含氢硅油,粘度为20~200 mpa.s,含氢量为0.01%~0.8%。
4.如权利要求1所述的低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,所述A组份中的催化剂为氯铂酸、氯铂酸-异丙醇、卡斯特催化剂的任意一种,其铂金含量为1000ppm~10000ppm。
5.如权利要求1所述的低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,所述A组份和B组份中的导热填料为改性氧化铝、改性氧化锌、改性氧化镁、改性氮化铝的一种或者几种混合。
6.如权利要求1所述的低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,所述A组份和B组份中的低密度导热阻燃填料为改性氢氧化铝、改性硅微粉、改性硅酸铝盐、改性氢氧化镁的一种或者几种混合。
7.如权利要求1所述的低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,所述A组份和B组份中硅烷偶联剂为KH560、辛基三甲氧基硅氧烷、辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷的一种或者几种混合。
8.如权利要求1所述的低密度高导热硅胶填缝剂,其特征在于,所述B组份中的抑制剂为乙炔基环己醇、四甲基四乙烯基硅氧烷、乙二胺的一种或者几种混合。
9.权利要求1~8任一项所述的低密度高导热硅胶填缝剂的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:
(1)制备母胶
在室温条件下,将乙烯基硅油、导热填料、低密度阻燃导热填料、硅烷偶联剂加入到双行星搅拌机中,混合1h,加热到100℃,继续抽真空混合4h,制得母胶,冷却到室温备用;
(2)制备A组份
将一半母胶中加入催化剂,抽真空混合均匀,后制得A组份;
(3)制备B组份
将剩余母胶中加入抑制剂和交联剂,抽真空混合均匀,后制得B组份;
(4)制备低密度高导热硅胶填缝剂
将制得的A组份和B组份按照1:1混合均匀,真空脱泡10~20min,室温固化或者加热固化,即可得低密度高导热硅胶填缝剂。
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