CN114695469A - 发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光显示装置包括子像素、栅极线和至少一条电源线,子像素具有设置在基板上的发光区域中的发光元件和其中设置有用于驱动发光元件的电路的电路区域,栅极线沿第一方向设置在电路区域中,并且至少一条电源线沿与第一方向交叉的第二方向设置,至少一条电源线具有沿第一方向彼此间隔开的第一电源桥接线和第二电源桥接线。
Description
技术领域
本公开内容涉及一种发光显示装置。
背景技术
随着信息时代的发展,已经以各种形式增加了对用于显示图像的显示装置的需求。因此,近来已经使用了各种类型的显示装置,例如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置。
在这些显示装置当中,有机发光显示装置是自发光显示装置,其将来自阳极电极的空穴和来自阴极电极的电子注入到发光层中,并且当通过注入的空穴和电子的结合产生的激子从激发态下降到基态时发光。
随着有机发光显示装置发展为具有大的面积和/或超高分辨率结构,像素的尺寸减小,并且需要高孔径比结构来增加像素内的开口面积的比值。在超高分辨率的情况下,随着像素数量的增加,像素中出现缺陷的概率增加。
缺陷可以包括点缺陷,例如每个像素的颜色缺陷、亮点(始终接通)、暗点(始终断开)、相邻导线之间的短路、以及由于断开(开路)引起的线缺陷。在暗点缺陷的情况下,可以通过将暗点像素与颜色与该暗点像素的颜色相同的另一相邻像素连接来修复用户不能察觉的暗点像素。在栅极线的线缺陷的情况下,可以切断连接到外围像素的电源布线以旁路断开的栅极线并通过焊接连接断开的栅极线,从而修复栅极线的线缺陷。然而,出现了这样的问题,即,用作旁路路径的电源布线周围的所有像素可能变成暗点,并且子像素的孔径比被减小以确保用于执行修复工艺的余量。
上述背景技术的公开内容由本发明的发明人所拥有以便于设计本发明,或者上述背景技术的公开内容是在设计本发明的过程中获得的技术信息,但是上述背景技术的公开内容不能被认为是在公开本公开内容之前向公众公开的已知技术。
发明内容
鉴于上述问题,做出了本发明,本公开内容的目的是提供一种发光显示装置,该发光显示装置可以在子像素的有限空间中提高孔径比,并且响应于各种类型的缺陷而执行修复工艺。
除了如上所述的本公开内容的目的之外,本领域技术人员将从本公开内容的以下描述中清楚地理解本公开内容的另外的目的和特征。
根据本公开内容的一方面,上述和其他目的可以通过提供一种发光显示装置来实现,该发光显示装置包括子像素、栅极线和至少一条电源线,子像素具有设置在基板上的发光区域中的发光元件和其中设置有用于驱动发光元件的电路的电路区域,栅极线沿第一方向设置在电路区域中,并且至少一条电源线沿与第一方向交叉的第二方向设置,至少一条电源线具有沿第一方向彼此间隔开的第一电源桥接线和第二电源桥接线。
根据本公开内容的另一方面,上述和其他目的可以通过提供一种发光显示装置来实现,该发光显示装置包括设置在由栅极线、数据线、驱动电源线和参考线限定的像素区域中的多个子像素,每个子像素具有发光区域和电路区域,其中,栅极线可以沿第一方向设置在电路区域中,驱动电源线和参考线可以沿与第一方向交叉的第二方向平行设置,驱动电源线可以包括第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线,第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线沿栅极线的长度方向彼此间隔开并沿第二方向延伸,并且参考线可以包括第一参考桥接线和第二参考桥接线,第一参考桥接线和第二参考桥接线沿栅极线的长度方向彼此间隔开并沿第二方向延伸。
附图说明
根据下面结合附图的具体实施方式,将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和其他优点,在附图中:
图1是示出根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置的示意性框图;
图2是示出根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置的子像素的示例的电路图;
图3是示出根据本公开内容的一个实施例的发光显示装置的单位像素的平面图;
图4是示出图3的部分A的放大图;
图5是沿图4的线I-I'截取的截面图;
图6是示出根据本公开内容的一个实施例的发光显示装置的修复工艺的视图;
图7是示出根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置的单位像素的平面图;
图8是示出图7的部分B的放大图;
图9是沿图8的线II-II'截取的截面图;
图10是示出根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置的修复工艺的视图;以及
图11是示出根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置的修复工艺的视图。
具体实施方式
通过下面参考附图描述的实施例,将阐明本公开内容及其实施方法的优点和特征。然而,可以以不同的形式实现本公开内容,并且本公开内容不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反,提供这些实施例是为了使本公开内容透彻和完整,并且将向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外,本公开内容仅由权利要求的范围限定。
在用于描述本公开内容的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比值、角度和数量仅仅是示例,并因此,本公开内容不限于所示出的细节。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。在以下描述中,当相关的已知功能或配置的详细描述被确定为会不必要地使本公开内容的要点难以理解时,将省略该详细描述。
在描述本公开内容时使用了“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅”,否则可以添加另一部件。单数形式的术语可以包括复数形式,除非有相反的指示。
在解释元件时,元件被解释为包括错误范围,尽管没有明确的描述。
在描述位置关系时,例如,当位置关系被描述为“在~之上”、“在~上方”、“在~之下”和“在~旁边”时,除非使用“紧”或“直接”,否则一个或更多个部分可以被布置在两个其他部分之间。
在描述时间关系时,例如,当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“接着”和“之前”时,除非使用“紧”或“直接”,否则可以包括不连续的情况。
应当理解,尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件,但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。例如,在不脱离本公开内容的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
术语“第一水平轴方向”、“第二水平轴方向”和“垂直轴方向”不应仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释,而是可以表示为在本公开内容的部件可以功能性地操作的范围内具有更宽方向性的方向。
应当理解,术语“至少一个”包括与任何一个项目相关的所有组合。例如,“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括从第一元件、第二元件和第三元件中选择的两个或更多个元件的所有组合、以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件。
本公开内容的各种实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合,并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样以各种方式彼此在技术上进行互操作和驱动。本公开内容的实施例可以彼此独立地执行,或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中,将参考附图详细描述根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置的优选实施例。在可能的情况下,在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。由于为了便于描述,附图中所示的每个元件的尺寸与实际尺寸不同,所以本公开内容不限于所示的尺寸。
图1是示出根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置的示意性框图。图2是示出根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置的子像素的示例的电路图。
参考图1和图2,根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置100可以包括显示面板110、图像处理器120、时序控制器130、数据驱动电路140和栅极驱动电路150。
显示面板110可以响应于从数据驱动电路140和栅极驱动电路150提供的数据信号DATA和栅极信号来显示图像。显示面板110可以包括操作以显示图像的子像素SP。
根据结构,可以以顶部发光方法、底部发光方法或双发光方法来实现子像素SP。子像素SP可以包括红色子像素、白色子像素、蓝色子像素和绿色子像素,或者可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。子像素SP可以根据发光特性具有一个或多个不同的发光区域。
图像处理器120可以输出数据使能信号DE以及从外部提供的数据信号DATA。除了数据使能信号DE和数据信号DATA之外,图像处理器120还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个,但是为了便于描述,未示出这些信号。
可以从图像处理器120向时序控制器130提供数据信号DATA和驱动信号,该驱动信号包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。时序控制器130可以基于驱动信号输出用于控制数据驱动电路140的操作时序的数据时序控制信号DDC和用于控制栅极驱动电路150的操作时序的栅极时序控制信号GDC。
数据驱动电路140可以响应于从时序控制器130提供的数据时序控制信号DDC,采样和锁存从时序控制器130提供的数据信号DATA,并且可以将锁存的数据信号转换为伽马参考电压,并输出该伽马参考电压。数据驱动电路140可以通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。可以以集成电路(IC)的形式实现数据驱动电路140。
栅极驱动电路150可以响应于从时序控制器130提供的栅极时序控制信号GDC输出栅极信号。栅极驱动电路150可以通过栅极线GL1至GLm输出栅极信号。可以以集成电路(IC)的形式实现栅极驱动电路150,或者可以以面板内栅极(gate-in-panel,GIP)类型在显示面板110中实现栅极驱动电路150。
如图2所示,构成单位像素的一个子像素SP可以包括发光元件ED、用于驱动发光元件ED的驱动薄膜晶体管DT、用于将数据信号(或数据电压)传输到驱动薄膜晶体管DT的第一节点N1(驱动薄膜晶体管DT的第一节点N1与驱动薄膜晶体管DT的栅极节点对应)的开关薄膜晶体管SW、用于将与图像信号电压对应的数据信号或与数据信号对应的电压保持一个帧时间段的存储电容器Cst、以及设置在驱动薄膜晶体管DT的第二节点N2和参考电压Vref之间的感测薄膜晶体管ST。
发光元件ED可以包括像素电极(第一电极或阳极电极)、发光层(或有机发光层)、公共电极(第二电极或阴极电极)等。例如,发光元件ED可以是有机发光二极管(OLED)。低电位电压EVSS可以连接到发光元件ED的公共电极。驱动薄膜晶体管DT可以向发光元件ED提供驱动电流以驱动发光元件ED。
驱动薄膜晶体管DT的第一电极和第二电极可以设置在高电位电压EVDD和第二节点N2之间,并且其栅电极可以连接到第一节点N1。
开关薄膜晶体管SW的第一电极和第二电极可以电连接在用于提供数据信号Vdata的数据线DL和驱动薄膜晶体管DT的第一节点N1之间,并且其栅电极可以连接到用于施加扫描信号Scan的栅极线GL。开关薄膜晶体管SW可以由扫描信号Scan控制。开关薄膜晶体管SW可以由扫描信号Scan导通,以将从数据线DL提供的数据信号Vdata传输到驱动薄膜晶体管DT的第一节点N1。
存储电容器Cst可以电连接在驱动薄膜晶体管DT的第一节点N1和第二节点N2之间。
感测薄膜晶体管ST的第一电极和第二电极可以设置在第二节点N2和参考电压Vref之间,并且其栅电极可以连接到用于施加感测信号Sense的栅极线GL。感测信号Sense可以使感测薄膜晶体管ST导通,以使用通过参考线提供的参考电压Vref,其中,参考线作为驱动薄膜晶体管DT的第二节点N2的电压感测路径之一。
扫描信号Scan和感测信号Sense中的每一个可以是独立的栅极信号。在这种情况下,扫描信号Scan和感测信号Sense可以通过彼此不同的其各自的栅极线分别施加到开关薄膜晶体管SW的栅电极和感测薄膜晶体管ST的栅电极。可替换地,扫描信号Scan和感测信号Sense可以是不分别分类的相同的栅极信号。
在图2的示例中,已经作为示例描述了包括3T1C结构(三个晶体管和一个电容器)的像素驱动电路的子像素,该像素驱动电路包括发光元件ED、驱动薄膜晶体管DT、开关薄膜晶体管SW、感测薄膜晶体管ST和存储电容器Cst,但是每个子像素的像素驱动电路可以根据补偿电路的配置而被配置为各种结构,例如2T1C、3T2C、4T2C、5T1C和6T2C。
可以从电源(未示出)为子像素SP提供进行驱动所需的高电位电压EVDD(或第一电源电压)和低电位电压EVSS(或第二电源电压)。电源中产生的高电位电压可以通过驱动电源线提供给发光元件ED的像素电极(第一电极或阳极电极),而低电位电压可以通过驱动电源线提供给发光元件ED的公共电极(第二电极或阴极电极)。
图3是示出根据本公开内容的一个实施例的发光显示装置的单位像素的平面图。图4是示出图3的部分A的放大图。图5是沿图4的线I-I'截取的截面图。图6是示出根据本公开内容的一个实施例的发光显示装置的修复工艺的视图。
参考图3,根据本公开内容的一个实施例的发光显示装置可以包括构成一个单位像素并在图3中分别由R、W、B和G表示的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4(四个子像素)、多条驱动电源线EVDD、数据线DL1、DL2、DL3和DL4、栅极线GL和参考线VREF。
构成一个单位像素的子像素SP1、SP2、SP3和SP4可以重复地布置成沿着第一方向(或水平方向)彼此间隔开以构成一条水平线。一条水平线中的子像素阵列可以沿着与第一方向交叉的第二方向(或垂直方向)重复地应用以形成包括多条水平线的子像素SP1、SP2、SP3和SP4的像素阵列。
子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个可以包括其中设置发光元件的发光区域EA和其中设置用于驱动发光元件的像素驱动电路的电路区域CA。
发光区域EA可以是由堤部BA限定的开口区域。例如,堤部BA可以通过覆盖像素电极PXL(第一电极或阳极电极)的边缘来限定发光区域EA。电路区域CA可以是由堤部BA覆盖的覆盖区域。
在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中,发光区域EA是像素电极PXL的上表面被堤部BA暴露出的开口区域,并且像素电极PXL、像素电极PXL上的发光层(或有机发光层)以及发光层上的公共电极(第二电极或阴极电极)可以依次沉积在发光区域EA中以产生和发射光。
在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中,电路区域CA是像素电极PXL的边缘被堤部BA覆盖的区域,或者是没有设置像素电极PXL的区域,并且由于发光层和公共电极在电路区域CA中不与像素电极PXL接触,所以不会产生光。
像素驱动电路可以设置在电路区域CA中。如图2所示,像素驱动电路可以包括用于驱动发光器件ED的驱动薄膜晶体管DT、作为用于控制驱动薄膜晶体管DT的开关电路的开关薄膜晶体管SW和感测薄膜晶体管ST、以及存储电容器Cst,该存储电容器Cst用于将存储在存储电容器Cst中的数据电压Vdata提供给驱动薄膜晶体管DT。
多条驱动电源线EVDD可以沿着第二方向(或垂直方向)平行延伸,其中第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4(四个子像素)构成一个单位像素,并且子像素SP1、SP2、SP3和SP4介于驱动电源线EVDD之间。多条驱动电源线EVDD可以在第一方向(或水平方向)上构成相邻的单位像素的边界。例如,对于沿第二方向(或垂直方向)布置的多条水平线中的每一条,多条驱动电源线EVDD可以设置在第一子像素SP1的左侧和第四子像素SP4的右侧。在多条驱动电源线EVDD之间可以设置辅助驱动电源线EVDD_H,辅助驱动电源线EVDD_H沿第一方向(或水平方向)延伸并电连接到左侧和右侧的驱动电源线EVDD中的每一条。辅助驱动电源线EVDD_H可以设置成将多条驱动电源线EVDD彼此连接。可替换地,辅助驱动电源线EVDD_H可以从左侧驱动电源线EVDD向右侧驱动电源线EVDD延伸,反之亦然。例如,从左侧驱动电源线EVDD延伸的辅助驱动电源线EVDD_H可以电连接到第一子像素SP1和第二子像素SP2,而从右侧驱动电源线EVDD延伸的辅助驱动电源线EVDD_H可以电连接到第三子像素SP3和第四子像素SP4。
多条驱动电源线EVDD可以通过辅助驱动电源线EVDD_H连接到设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4的电路区域中的驱动薄膜晶体管DT。
在根据本公开内容的各种实施例的显示装置中,驱动电源线EVDD可以分叉成第一驱动电源桥接线EVDD_B1(或第一电源桥接线)和第二驱动电源桥接线EVDD_B2(或第二电源桥接线),它们沿第一方向(或水平方向)彼此间隔开一些间隔,并且第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线可以沿第二方向(或垂直方向)延伸,并且然后一体地彼此连接。例如,第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2可以被设置成与栅极线GL重叠。第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2的中心部分可以与栅极线GL重叠,并且可以延伸为向栅极线GL的上部部分和下部部分隔着预定距离而分叉的形态。
第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2可以包括它们各自的彼此相反地突出的驱动电源突出图案EVDD_PTN(或突出图案)。驱动电源突出图案EVDD_PTN可以设置在第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2上不与栅极线GL重叠的位置处,并且可以分别设置在栅极线GL的两侧,即栅极线GL的上部部分和下部部分。
驱动电源突出图案EVDD_PTN可以与彼此不同的子像素的其各自的像素电极PXL重叠。例如,位于栅极线GL上部部分处的驱动电源突出图案EVDD_PTN可以与设置在上方水平线中的第一子像素SP1的像素电极PXL重叠,并且位于栅极线GL下部部分处的驱动电源突出图案EVDD_PTN可以与设置在下方水平线中的第一子像素SP1的像素电极PXL重叠。
数据线DL1、DL2、DL3和DL4可以彼此平行地设置,使得数据线DL1、DL2、DL3和DL4可以在第一子像素SP1和第二子像素SP2之间以及第三子像素SP3和第四子像素SP4之间沿着第二方向(或垂直方向)延伸。例如,第一数据线DL1和第二数据线DL2可以平行地设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2之间,并且第三数据线DL3和第四数据线DL4可以平行地设置在第三子像素SP3和第四子像素SP4之间。数据线DL1、DL2、DL3和DL4中的每一条可以将数据信号提供给设置在相邻子像素SP1、SP2、SP3和SP4的电路区域CA中的开关薄膜晶体管SW。
栅极线GL可以沿着第一方向(或水平方向)延伸经过构成一个单位像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4(四个子像素)的电路区域CA。
参考线VREF可以设置在多条驱动电源线EVDD之间,并且可以沿第二方向(或垂直方向)延伸。例如,参考线VREF可以在第二子像素SP2和第三子像素SP3之间与驱动电源线EVDD平行地设置。参考线VREF可以包括沿第一方向(或水平方向)向左侧和右侧延伸的辅助参考线VREF_H(或辅助电源线)。辅助参考线VREF_H可以从参考线VREF向左和向右延伸。参考线VREF可以通过辅助参考线VREF_H连接到设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4的电路区域CA中的感测薄膜晶体管ST。
在根据本公开内容的各种实施例的显示装置中,参考线VREF可以分叉成第一参考桥接线VREF_B1(或第一电源桥接线)和第二参考桥接线VREF_B2(或第二电源桥接线),它们沿第一方向(或水平方向)彼此间隔开一些间隔,并且第一参考桥接线和第二参考桥接线可以沿第二方向(或垂直方向)延伸,并且然后彼此一体连接。例如,第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以被设置成与栅极线GL重叠。第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的中心部分可以与栅极线GL重叠,并且可以延伸向栅极线GL的上部部分和下部部分隔着预定距离而分叉的形态。
第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以包括它们各自的彼此相反地突出的参考突出图案VREF_PTN(或突出图案)。参考突出图案VREF_PTN可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2上不与栅极线GL重叠的位置处,并且可以分别设置在栅极线GL的两侧,即栅极线GL的上部部分和下部部分。
参考突出图案VREF_PTN可以与彼此不同的子像素的其各自的像素电极PXL重叠。例如,位于栅极线GL上部部分处的参考突出图案VREF_PTN可以与设置在上方水平线中的第三子像素SP3的像素电极PXL重叠,并且位于栅极线GL下部部分处的参考突出图案VREF_PTN可以与设置在下方水平线中的第三子像素SP3的像素电极PXL重叠。
辅助参考线VREF_H可以从参考线VREF延伸,并且可以分别沿朝向第一子像素SP1的方向和沿朝向第四子像素SP4的方向延伸。
辅助参考线VREF_H的从参考线VREF延伸到一侧(或左侧)的部分可以与位于左侧的驱动电源线EVDD的第二驱动电源桥接线EVDD_B2重叠,并可以与参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1重叠。
辅助参考线VREF_H的从参考线VREF延伸到另一侧(或右侧)的部分可以与位于右侧的驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1重叠,并可以与参考线VREF的第二参考桥接线VREF_B2重叠。
位于左侧的驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1可以与在第一驱动电源桥接线EVDD_B1的左侧和第一驱动电源桥接线EVDD_B1相邻且设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线VREF_H重叠。
位于右侧的驱动电源线EVDD的第二驱动电源桥接线EVDD_B2可以与在第二驱动电源桥接线EVDD_B2的右侧和第二驱动电源桥接线EVDD_B2相邻且设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线VREF_H重叠。
辅助参考线VREF_H可以仅与驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1或第二驱动电源桥接线EVDD_B2中的一条重叠。属于同一驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2中的每一条都可以与辅助参考线VREF_H重叠。例如,从不同的参考线VREF延伸的辅助参考线VREF_H可以与属于同一驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2中的每一条重叠。
辅助参考线VREF_H可以仅与参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1或第二参考桥接线VREF_B2中的一条重叠。属于同一参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中的每一条都可以与辅助参考线VREF_H重叠。例如,从参考线VREF沿不同方向延伸的辅助参考线VREF_H可以与属于同一参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中的每一条重叠。
根据本公开内容的各种实施例,属于驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2以及属于参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以具有基本相同的结构。尽管图4和图5仅示出了属于参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的放大部分,但该结构可以同样应用于属于驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2。
参考图4和图5,根据本公开内容的一个实施例的参考线VREF可以分叉为第一参考桥接线VREF_B1(或第一电源桥接线)和第二参考桥接线VREF_B2(或第二电源桥接线),它们沿第一方向(或水平方向)彼此间隔开一些间隔,并且第一参考桥接线和第二参考桥接线可以沿第二方向(或垂直方向)延伸,并且然后彼此一体地连接。例如,第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以被设置成与栅极线GL重叠。第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的中心部分可以与栅极线GL重叠,并且可以延伸为向栅极线GL的上部部分和下部部分隔着预定距离而分叉的形态。
第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线和VREF_B2可以包括它们的彼此相反地突出的参考突出图案VREF_PTN(或突出图案)。参考突出图案VREF_PTN可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2上不与栅极线GL重叠的位置处,并且可以分别设置在栅极线GL的两侧,即栅极线GL的上部部分和下部部分。
例如,位于第一参考桥接线VREF_B1的上部部分处的参考突出图案VREF_PTN可以与第二子像素SP2的像素电极PXL重叠。位于第一参考桥接线VREF_B1的下部部分处的参考突出图案VREF_PTN可以与在第二方向(或垂直方向)上和参考突出图案VREF_PTN相邻并设置在下方水平线上的第二子像素SP2的像素电极PXL重叠。
另外,位于第二参考桥接线VREF_B2的上部部分处的参考突出图案VREF_PTN可以与第三子像素SP3的像素电极PXL重叠。位于第二参考桥接线VREF_B2的下部部分处的参考突出图案VREF_PTN可以与在第二方向(或垂直方向)上和参考突出图案VREF_PTN相邻并设置在下方水平线上的第三子像素SP3的像素电极PXL重叠。
如图4所示,切割区域VREF_CT及焊接区域GL_WD和VREF_WD可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中,以在栅极线GL中发生断开(开路)时修复栅极线GL的断开(开路)。
切割区域VREF_CT可以位于第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的两端处的与参考线VREF相邻的部分处。
在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的切割区域VREF_CT中,可以切割第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中的任一条,而可以不切割另一条。即,第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的切割区域VREF_CT的被切割的部分失去了其原始参考线VREF的功能,并且可以用作断开的栅极线GL的旁路路径。另一方面,第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的切割区域VREF_CT的未被切割的部分可以用作其原始参考线VREF。
焊接区域GL_WD和VREF_WD可以位于第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中与栅极线GL重叠的部分和与辅助参考线VREF_H重叠的部分处。例如,可以在已经执行对切割区域VREF_CT的切割之后执行焊接区域GL_WD和VREF_WD的焊接工艺。
可以在与栅极线GL重叠的部分和与辅助参考线VREF_H重叠的部分中执行焊接区域GL_WD和VREF_WD的焊接工艺。
当在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中的第二参考桥接线VREF_B2中执行切割工艺和焊接工艺时,第二参考桥接线VREF_B2可以是断开的栅极线GL的旁路路径,并且从断开的栅极线GL的前一部分的栅极线GL提供的栅极信号可以通过第二参考桥接线VREF_B2施加到辅助参考线VREF_H。此时,即使在与辅助参考线VREF_H重叠的第一驱动电源桥接线EVDD_B1中,也可以同样执行切割工艺和焊接工艺,从而可以将通过辅助参考线VREF_H施加的栅极信号传输到断开的栅极线GL的后一部分的栅极线GL。
像素电极PXL的焊接区域PXL_WD可以设置在从第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2突出的参考突出图案VREF_PTN(或突出图案)中。
在像素电极PXL的焊接区域PXL_WD中,布置在上方水平线上的子像素的像素电极PXL可以与布置在下方水平线上的子像素的像素电极PXL电连接,由此可以执行用于修复上方子像素和下方子像素之一的暗点缺陷的焊接工艺。
即使第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2欲要用于连接上方像素电极PXL和下方像素电极PXL,也可以对与要修复暗点的子像素相对应的第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中的任何一条的切割区域VREF_CT执行切割工艺。可以执行针对第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的切割区域的像素电极PXL的焊接区域PXL_WD的焊接工艺,由此可以修复暗点缺陷。
如图5所示,第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以设置在基板SUB上。第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以由遮光层LS形成。缓冲层BUF和栅极绝缘层GI可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2上。栅极线GL和辅助参考线VREF_H可以设置在栅极绝缘层GI上。钝化层PAS可以设置在栅极线GL和辅助参考线VREF_H上,以在电气方面保护栅极线GL和辅助参考线VREF_H。外涂层OC可以设置在钝化层PAS上,并且像素电极PXL可以设置在外涂层OC上。
缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、钝化层PAS、外涂层OC等作为至少一个绝缘层可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的参考突出图案VREF_PTN(或突出图案)与像素电极PXL之间。此时,像素电极PXL的焊接区域PXL_WD可以包括凹槽,至少一个绝缘层的一部分凹入该凹槽中。例如,凹槽穿过外涂层OC和钝化层PAS,并且与凹槽对应的像素电极PXL可以设置在缓冲层BUF上并与缓冲层BUF接触。这是为了在从基板的下部部分照射激光以进行焊接工艺时,通过使第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2与像素电极PXL之间的距离接近,而使焊接更顺畅,并防止损坏其他元件。
将参考图6描述根据本公开内容的一个实施例的在发光显示装置中的栅极线中发生断开的修复工艺。
在图6中,假设:栅极线GL的断开缺陷GO发生在第一子像素SP1中。断开的栅极线GL所在的第一子像素SP1和与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2可以是用于修复栅极线GL的断开缺陷的暗点区域。
可以对位于驱动电源线EVDD的与断开的栅极线GL的前一部分重叠的第二驱动电源桥接线EVDD_B2的两端处的切割区域EVDD_CT进行切割。可以对位于参考线VREF的与断开的栅极线GL的后一部分重叠的第一参考桥接线VREF_B1的两端处的切割区域VREF_CT进行切割。
此外,由于第一子像素SP1和第二子像素SP2的功能已经丧失,所以可以针对用于将驱动电源施加到驱动薄膜晶体管DT的辅助驱动电源线EVDD_H对切割区域EVDD_CT切割。在这种情况下,根据修复工艺的条件,可以省略切割。
然后,可以针对位于第二驱动电源桥接线EVDD_B2与栅极线GL彼此重叠的区域中的焊接区域EVDD_WD和位于第二驱动电源桥接线EVDD_B2与辅助参考线VREF_H彼此重叠的区域中的焊接区域EVDD_WD执行焊接工艺。此外,可以针对位于第一参考桥接线VREF_B1与栅极线GL彼此重叠的区域中的焊接区域VREF_WD(对应于图4和图5的GL_WD)和位于第一参考桥接线VREF_B1与辅助参考线VREF_H彼此重叠的区域中的焊接区域VREF_WD执行焊接工艺。
然后,作为断开的栅极线GL的旁路路径,可以使用第二驱动电源桥接线EVDD_B2和第一参考桥接线VREF_B1。此外,从断开的栅极线GL的前一部分的栅极线GL提供的栅极信号可以通过第二驱动电源桥接线EVDD_B2施加到辅助参考线VREF_H,通过辅助参考线VREF_H传递的栅极信号可以施加到第一参考桥接线VREF_B1,并且通过第一参考桥接线VREF_B1传递的栅极信号可以传输到断开的栅极线GL的后一部分的栅极线GL。
图7是示出根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置的单位像素的平面图。图8是示出图7的部分B的放大图。图9是沿图8的线II-II'截取的截面图。图10是示出根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置的修复工艺的视图。在图7-图10中,图3-图6中示出的根据本公开内容的一个实施例的发光显示装置中的辅助参考线被修改为有源层。因此,将仅详细描述相对于图3-图6修改的元件,并且将省略对其他相同元件的重复描述。
参考图7至图9,根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置可以包括构成一个单位像素并在图7中分别由R、W、B和G表示的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4(四个子像素)、多条驱动电源线EVDD、数据线DL1、DL2、DL3和DL4、栅极线GL和参考线VREF。
在根据本公开内容的另一实施例的显示装置中,参考线VREF可以设置在多条驱动电源线EVDD之间,并且可以沿着第二方向(或垂直方向)延伸。例如,参考线VREF可以在第二子像素SP2和第三子像素SP3之间与驱动电源线EVDD平行地设置。
参考线VREF可以包括导电的辅助参考线VREF_H',其延伸使得构成感测薄膜晶体管ST的有源层可以连接到参考线VREF。
辅助参考线VREF_H'的从参考线VREF延伸到一侧(或左侧)的部分可以与位于左侧的驱动电源线EVDD的第二驱动电源桥接线EVDD_B2重叠。辅助参考线VREF_H'可以与参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1重叠。
辅助参考线VREF_H'的从参考线VREF延伸到另一侧(或右侧)的部分可以与位于右侧的驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1重叠。辅助参考线VREF_H'可以与参考线VREF的第二参考桥接线VREF_B2重叠。
位于左侧的驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1可以与在第一驱动电源桥接线EVDD_B1的左侧和第一驱动电源桥接线EVDD_B1相邻且设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线VREF_H'重叠。
位于右侧的驱动电源线EVDD的第二驱动电源桥接线EVDD_B2可以与在第二驱动电源桥接线EVDD_B2的右侧和第二驱动电源桥接线EVDD_B2相邻且设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线VREF_H'重叠。
辅助参考线VREF_H'可以仅与驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1或第二驱动电源桥接线EVDD_B2中的一条重叠。属于同一驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2中的每一条都可以分别与辅助参考线VREF_H'重叠。例如,从不同的参考线VREF延伸的辅助参考线VREF_H'可以与属于同一驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1和第二驱动电源桥接线EVDD_B2中的每一条重叠。
辅助参考线VREF_H'可以仅与参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1或第二参考桥接线VREF_B2中的一条重叠。属于同一参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中的每一条都可以与辅助参考线VREF_H'重叠。例如,属于同一参考线VREF的第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中的每一条都可以与从参考线VREF沿不同方向延伸的辅助参考线VREF_H'重叠。
辅助参考线VREF_H'可以以导电有源层的单一结构形成,但不限于此,并且可以由有源多层结构形成,在该有源多层结构中沉积有导电有源层和至少一种金属材料。例如,有源多层膜可以由Cu/MoTi/有源层这三层形成或由MoTi/有源层这两层形成。
参考图8和图9,根据本公开内容的另一实施例的参考线VREF可以分叉为第一参考桥接线VREF_B1(或第一电源桥接线)和第二参考桥接线VREF_B2(或第二电源桥接线),它们沿第一方向(或水平方向)彼此间隔开一些间隔,并且第一参考桥接线和第二参考桥接线可以沿第二方向(或垂直方向)延伸,并且然后彼此一体地连接。
第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以包括它们各自的彼此相反地突出的参考突出图案VREF_PTN(或突出图案)。
如图8所示,切割区域VREF_CT以及焊接区域GL_WD和VREF_WD可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中,以在栅极线GL中发生断开时修复栅极线GL的断开(开路)。
切割区域VREF_CT可以位于第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的两端处的与参考线VREF相邻的部分处。
焊接区域GL_WD和VREF_WD可以位于第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2中与栅极线GL重叠的部分和与辅助参考线VREF_H重叠的部分处。例如,可以在已经执行对切割区域VREF_CT的切割之后执行焊接区域GL_WD和VREF_WD的焊接工艺。
像素电极PXL的焊接区域PXL_WD可以设置在从第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2突出的参考突出图案VREF_PTN(或突出图案)中。
如图9所示,第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以设置在基板SUB上。第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2可以由遮光层LS形成。缓冲层BUF和栅极绝缘层GI可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2上。栅极线GL和辅助参考线VREF_H'可以设置在栅极绝缘层GI上。辅助参考线VREF_H'可以以导电有源层的单一结构形成,但不限于此,并且可以由有源多层结构形成,在该有源多层结构中沉积有导电有源层和至少一种金属材料。例如,有源多层膜可以由Cu/MoTi/有源层这三层形成或由MoTi/有源层这两层形成。
钝化层PAS可以设置在栅极线GL和辅助参考线VREF_H'上,以在电气方面保护栅极线GL和辅助参考线VREF_H'。外涂层OC可以设置在钝化层PAS上,并且像素电极PXL可以设置在外涂层OC上。
缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、钝化层PAS、外涂层OC等作为至少一个绝缘层可以设置在第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2的参考突出图案VREF_PTN(或突出图案)与像素电极PXL之间。此时,像素电极PXL的焊接区域PXL_WD可以包括凹槽,至少一个绝缘层的一部分凹入该凹槽中。例如,凹槽穿过外涂层OC和钝化层PAS,并且与凹槽对应的像素电极PXL可以设置在缓冲层BUF上并与缓冲层BUF接触。这是为了在从基板的下部部分照射激光以进行焊接工艺时,通过使第一参考桥接线VREF_B1和第二参考桥接线VREF_B2与像素电极PXL之间的距离接近,而使焊接更顺畅,并防止损坏其他元件。
将参考图10描述根据本公开内容的另一实施例的在发光显示装置中的栅极线中发生断开的修复工艺。
在图10中,假设:栅极线GL的断开缺陷GO发生在第一子像素SP1中。断开的栅极线GL所在的第一子像素SP1和与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2可以是用于修复栅极线GL的断开缺陷的暗点区域。
可以对位于驱动电源线EVDD的与断开的栅极线GL的前一部分重叠的第二驱动电源桥接线EVDD_B2的两端处的切断区域EVDD_CT进行切割。可以对位于参考线VREF的与断开的栅极线GL的后一部分重叠的第一参考桥接线VREF_B1的两端处的切割区域VREF_CT进行切割。
根据本公开内容的另一实施例,通过使从感测薄膜晶体管ST延伸的有源层导电来形成辅助参考线VREF_H',从而可以切割位于栅极线下方的有源切割区域CAT_CT,以使用辅助参考线VREF_H'作为断开的栅极线GL的旁路路径。
此外,由于第一子像素SP1和第二子像素SP2的功能已经丧失,所以可以针对用于将驱动电源施加到驱动薄膜晶体管DT的辅助驱动电源线EVDD_H对切割区域EVDD_CT切割。在这种情况下,根据修复工艺的条件,可以省略切割。
然后,可以针对位于第二驱动电源桥接线EVDD_B2与栅极线GL彼此重叠的区域中的焊接区域EVDD_WD和位于第二驱动电源桥接线EVDD_B2与辅助参考线VREF_H'彼此重叠的区域中的焊接区域EVDD_WD执行焊接工艺。此外,可以针对位于第一参考桥接线VREF_B1与栅极线GL彼此重叠的区域中的焊接区域VREF_WD(对应于图8和图9的GL_WD)和位于第一参考桥接线VREF_B1与辅助参考线VREF_H'彼此重叠的区域中的焊接区域VREF_WD执行焊接工艺。
然后,作为断开的栅极线GL的旁路路径,可以使用第二驱动电源桥接线EVDD_B2和第一参考桥接线VREF_B1。此外,从断开的栅极线GL的前一部分的栅极线GL提供的栅极信号可以通过第二驱动电源桥接线EVDD_B2施加到辅助参考线VREF_H',通过辅助参考线VREF_H'传递的栅极信号可以施加到第一参考桥接线VREF_B1,并且通过第一参考桥接线VREF_B1传递的栅极信号可以传输到断开的栅极线GL的后一部分的栅极线GL。
图11是示出根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置的修复工艺的视图。
根据图6和图10所示的修复工艺,发生栅极线GL的断开缺陷GO的第一子像素SP1和与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2可以是用于修复栅极线GL的断开缺陷的暗点区域。
在根据本公开内容的另一实施例的发光显示装置中,将参考图11描述修复第一子像素SP和第二子像素SP的暗点同时解决栅极线GL的断开缺陷GO的修复工艺。
在图11中,假设:栅极线GL的断开缺陷GO发生在第N条水平线(第N条线)中。断开的栅极线GL所在的第N条水平线中的第一子像素SP1和与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2可以是用于修复栅极线GL的断开缺陷的暗点区域。然而,根据本公开内容的另一实施例,可以通过与设置在第(N-1)条水平线(第N-1条线)中的第一子像素SP1和第二子像素SP2对应的像素电极PXL的焊接区域PXL_WD来修复设置在第N条水平线(第N条线)中的第一子像素SP1和第二子像素SP2的暗点。
根据本公开内容的另一实施例,即使子像素未成为暗点区域,仍可以修复栅极线GL的断开缺陷。
例如,栅极线GL的断开缺陷的修复工艺可以基本上与图6和图10所示的修复工艺相同。然而,除了图6和图10所示的修复工艺之外,还可以切割位于驱动电源线EVDD的第一驱动电源桥接线EVDD_B1两端处的切割区域EVDD_CT,使得从第N条水平线的第一子像素SP1延伸的像素电极PXL可以与从第(N-1)条水平线的第一子像素SP1延伸的像素电极电连接,并且可以对第一驱动电源桥接线EVDD_B1的像素电极PXL的焊接区域PXL_WD执行焊接工艺,从而可以修复暗点。同样可以在第二子像素SP2中执行焊接工艺。
根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置可以描述如下。
根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置可以包括子像素、栅极线和至少一条电源线,子像素具有设置在基板上的发光区域中的发光元件和其中设置有用于驱动发光元件的电路的电路区域,栅极线沿第一方向设置在电路区域中,并且至少一条电源线沿与第一方向交叉的第二方向设置,至少一条电源线具有沿第一方向彼此间隔开的第一电源桥接线和第二电源桥接线。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,第一电源桥接线和第二电源桥接线可以被设置为与栅极线重叠。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,第一电源桥接线和第二电源桥接线的中心部分可以与栅极线重叠。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,第一电源桥接线的一端和第二电源桥接线的一端可以一体地彼此连接,并且第一电源桥接线的另一端和第二电源桥接线的另一端可以一体地彼此连接。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,所述至少一条电源线还可以包括沿第一方向延伸的辅助电源线,并且所述辅助电源线可以单独地连接到所述第一电源桥接线和所述第二电源桥接线中的每一条。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,所述至少一条电源线可以包括用于向所述发光元件提供驱动电源的驱动电源线、以及用于向所述发光元件提供参考电源的参考线,并且所述辅助电源线可以从所述参考线延伸。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,辅助电源线可以包括导电有源层。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,辅助电源线是多层的,并且可以包括导电有源层和至少一个金属材料层。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,第一电源桥接线和第二电源桥接线可以包括它们各自的沿第一方向彼此相反突出的突出图案。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,突出图案可以分别设置在栅极线的两侧。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,突出图案可以与发光元件的像素电极重叠。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,至少一个绝缘层可以设置在突出图案和像素电极之间,并且通过使至少一个绝缘层的一部分凹陷而形成的凹槽可以包括在突出图案和像素电极之间。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,所述突出图案可以包括在所述栅极线的上部部分处的第一突出图案和在所述栅极线的下部部分处的第二突出图案,其中,所述第一突出图案可以与设置在上方水平线上的第一子像素的像素电极重叠,并且所述第二突出图案可以与设置在下方水平线上的第二子像素的像素电极重叠。
根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置可以包括设置在由栅极线、数据线、驱动电源线和参考线限定的像素区域中的多个子像素,每个子像素具有发光区域和电路区域,其中,栅极线可以沿着第一方向设置在电路区域中,驱动电源线和参考线可以沿与第一方向交叉的第二方向平行设置,驱动电源线可以包括第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线,第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线沿栅极线的长度方向彼此间隔开并且沿第二方向延伸,并且参考线可以包括第一参考桥接线和第二参考桥接线,第一参考桥接线和第二参考桥接线沿栅极线的长度方向彼此间隔开并且沿第二方向延伸。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,所述多个子像素可以包括沿着所述第一方向依次布置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素,第一驱动电源线和第二驱动电源线分别平行设置在所述第一子像素的左侧和所述第四子像素的右侧,所述参考线可以在所述第二子像素和所述第三子像素之间与所述驱动电源线平行设置,所述参考线可以包括分别沿朝向所述第一子像素的方向和朝向所述第四子像素的方向延伸的辅助参考线,并且所述辅助参考线的一侧可以与所述第一驱动电源线的所述第二驱动电源桥接线和所述参考线的所述第一参考桥接线重叠,并且所述辅助参考线的另一侧可以与所述参考线的所述第二参考桥接线和所述第二驱动电源线的所述第一驱动电源桥接线重叠。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,第一驱动电源线的第一驱动电源桥接线可以与在第一驱动电源桥接线的左侧和第一驱动电源桥接线相邻并设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线重叠,并且第二驱动电源线的第二驱动电源桥接线可以与在第二驱动电源桥接线的右侧和第二驱动电源桥接线相邻并设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线重叠。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线以及第一参考桥接线和第二参考桥接线的中心部分可以与栅极线重叠。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线可以包括它们各自的彼此相反地突出的驱动电源突出图案,并且第一参考桥接线和第二参考桥接线可以包括它们各自的彼此相反地突出的参考突出图案。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,所述驱动电源突出图案可以包括在所述栅极线的上部部分处的第一驱动电源突出图案和在所述栅极线的下部部分处的第二驱动电源突出图案,所述栅极线介于所述第一驱动电源突出图案和所述第二驱动电源突出图案之间,所述参考突出图案可以包括在所述栅极线的上部部分处的第一参考突出图案和在所述栅极线的下部部分处的第二参考突出图案,所述栅极线介于所述第一参考突出图案和所述第二参考突出图案之间,并且所述第一驱动电源突出图案和所述第二驱动电源突出图案中的每一个以及所述第一参考突出图案和所述第二参考突出图案中的每一个可以与不同子像素的其各自的像素电极重叠。
在根据本公开内容的各种实施例的发光显示装置中,至少一个绝缘层可以设置在像素电极与第一驱动电源突出图案和第二驱动电源突出图案以及第一参考突出图案和第二参考突出图案中的每一个之间,并且通过使至少一个绝缘层的一部分凹陷而形成的凹槽可以包括在像素电极与第一驱动电源突出图案和第二驱动电源突出图案以及第一参考突出图案和第二参考突出图案中的每一个之间。
根据本公开内容,可以获得以下有利效果。
根据本公开内容的发光显示装置可以提高子像素的有限空间中的孔径比,并且可以提供改进的修复结构,在该改进的修复结构中可以响应于各种类型的缺陷执行修复工艺的。
对于本领域技术人员来说,显然上述本公开内容不受上述实施例和附图的限制,并且在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下,可以对本公开内容进行各种替换、修改和变化。因此,本公开内容的范围由所附权利要求限定,并且意图是根据权利要求的含义、范围和等同概念导出的所有变化或修改都落入本公开内容的范围内。
Claims (20)
1.一种发光显示装置,包括:
子像素,具有设置在基板上的发光区域中的发光元件和其中设置有用于驱动所述发光元件的电路的电路区域;
栅极线,沿第一方向设置在所述电路区域中;以及
至少一条电源线,沿与所述第一方向交叉的第二方向设置,所述至少一条电源线具有沿所述第一方向彼此间隔开的第一电源桥接线和第二电源桥接线。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述第一电源桥接线和所述第二电源桥接线被设置为与所述栅极线重叠。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述第一电源桥接线和所述第二电源桥接线的中心部分与所述栅极线重叠。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述第一电源桥接线的一端和所述第二电源桥接线的一端一体地彼此连接,并且
所述第一电源桥接线的另一端和所述第二电源桥接线的另一端一体地彼此连接。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置,其中,所述至少一条电源线还包括沿所述第一方向延伸的辅助电源线,并且
所述辅助电源线单独地连接到所述第一电源桥接线和所述第二电源桥接线中的每一条。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中,所述至少一条电源线包括:
用于向所述发光元件提供驱动电源的驱动电源线;以及
用于向所述发光元件提供参考电源的参考线,并且
所述辅助电源线从所述参考线延伸。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置,其中,所述辅助电源线包括导电有源层。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置,其中,所述辅助电源线还包括至少一个金属材料层,并且所述辅助电源线是多层的。
9.根据权利要求3所述的发光显示装置,其中,所述第一电源桥接线和所述第二电源桥接线包括它们各自的沿第一方向彼此相反地突出的突出图案。
10.根据权利要求9所述的发光显示装置,其中,所述突出图案分别设置在所述栅极线的两侧。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中,所述突出图案与所述发光元件的像素电极重叠。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置,其中,所述至少一个绝缘层设置在所述突出图案和所述像素电极之间,并且通过使所述至少一个绝缘层的一部分凹陷而形成的凹槽包括在所述突出图案和所述像素电极之间。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置,其中,所述突出图案包括在所述栅极线的上部部分处的第一突出图案和在所述栅极线的下部部分处的第二突出图案,
所述第一突出图案与设置在上方水平线上的第一子像素的像素电极重叠,并且
所述第二突出图案与设置在下方水平线上的第二子像素的像素电极重叠。
14.一种发光显示装置,包括设置在由栅极线、数据线、驱动电源线和参考线限定的像素区域中的多个子像素,每个子像素具有发光区域和电路区域,
其中,所述栅极线沿着第一方向设置在所述电路区域中,
所述驱动电源线和所述参考线沿与所述第一方向交叉的第二方向平行设置,
所述驱动电源线包括第一驱动电源桥接线和第二驱动电源桥接线,所述第一驱动电源桥接线和所述第二驱动电源桥接线沿所述栅极线的长度方向彼此间隔开并且沿所述第二方向延伸,并且
所述参考线包括第一参考桥接线和第二参考桥接线,所述第一参考桥接线和所述第二参考桥接线沿所述栅极线的所述长度方向彼此间隔开并且沿所述第二方向延伸。
15.根据权利要求14所述的发光显示装置,其中,所述多个子像素包括沿着所述第一方向依次布置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素,
第一驱动电源线和第二驱动电源线分别平行设置在所述第一子像素的左侧和所述第四子像素的右侧,
所述参考线在所述第二子像素和所述第三子像素之间与所述驱动电源线平行设置,
所述参考线包括分别沿朝向所述第一子像素的方向和朝向所述第四子像素的方向延伸的辅助参考线,并且
所述辅助参考线的一侧与所述第一驱动电源线的所述第二驱动电源桥接线和所述参考线的所述第一参考桥接线重叠,并且所述辅助参考线的另一侧与所述参考线的所述第二参考桥接线和所述第二驱动电源线的所述第一驱动电源桥接线重叠。
16.根据权利要求15所述的发光显示装置,其中,所述第一驱动电源线的所述第一驱动电源桥接线与在所述第一驱动电源桥接线的左侧和所述第一驱动电源桥接线相邻并设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线重叠,并且
所述第二驱动电源线的所述第二驱动电源桥接线与在所述第二驱动电源桥接线的右侧和所述第二驱动电源桥接线相邻并设置在同一水平线上的另一像素的辅助参考线重叠。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置,其中,所述第一驱动电源桥接线和所述第二驱动电源桥接线以及所述第一参考桥接线和所述第二参考桥接线的中心部分与所述栅极线重叠。
18.根据权利要求17所述的发光显示装置,其中,所述第一驱动电源桥接线和所述第二驱动电源桥接线包括它们各自的彼此相反地突出的驱动电源突出图案,并且
所述第一参考桥接线和所述第二参考桥接线包括它们各自的彼此相反地突出的参考突出图案。
19.根据权利要求18所述的发光显示装置,其中,所述驱动电源突出图案包括在所述栅极线的上部部分处的第一驱动电源突出图案和在所述栅极线的下部部分处的第二驱动电源突出图案,所述栅极线介于所述第一驱动电源突出图案和所述第二驱动电源突出图案之间,
所述参考突出图案包括在所述栅极线的上部部分处的第一参考突出图案和在所述栅极线的下部部分处的第二参考突出图案,所述栅极线介于所述第一参考突出图案和所述第二参考突出图案之间,并且
所述第一驱动电源突出图案和所述第二驱动电源突出图案中的每一个以及所述第一参考突出图案和所述第二参考突出图案中的每一个与不同子像素的其各自的像素电极重叠。
20.根据权利要求19所述的发光显示装置,其中,至少一个绝缘层设置在所述像素电极与所述第一驱动电源突出图案和所述第二驱动电源突出图案以及所述第一参考突出图案和所述第二参考突出图案中的每一个之间,以及通过使所述至少一个绝缘层的一部分凹陷而形成的凹槽包括在所述像素电极与所述第一驱动电源突出图案和所述第二驱动电源突出图案以及所述第一参考突出图案和所述第二参考突出图案中的每一个之间。
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