CN114578094B - 一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法，本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构，SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘，硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构，键合块通过支撑梁与质量块相连，键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力，提高硅微加速度计抗过载能力，保障了产品的使用寿命和长期可靠性，能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度，改善电容间隙一致性，加工精度更高。

Description

一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法

技术领域

本发明涉及硅微传感器技术，具体涉及一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法。

背景技术

MEMS硅微加速度计主要利用微机械表面加工工艺技术制作而成，其具有体积小、成本低、可大批量加工等优势；在惯性导航、战术导弹、航空航天等军用领域，轨道交通、无人机、风力发电等工业领域，生物医疗、汽车电子等商业领域等方面都有着广阔的应用前景空间。随着MEMS硅微加速度计市场化，对硅微加速度计产品可靠性要求越来越高，比如抗过载能力、大量程要求。但是，目前国产成熟量产MEMS硅微加速度计普遍抗过载能力不足10000g，很难满足制导炸药和轨道交通振动加速度传感要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题：针对现有技术的上述问题，提供一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法，本发明能极大程度减小晶圆级键合应力，提高硅微加速度计抗过载能力，保障了产品的使用寿命和长期可靠性，能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度，改善电容间隙一致性，加工精度更高

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

本发明提供一种高过载扭摆式硅微加速度计，包括SO I电极结构层和硅敏感结构，所述SO I电极结构层上设有三个静电电容区域及其对应的引线盘，所述硅敏感结构包括质量块以及质量块的中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，所述质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构，所述键合块通过支撑梁与质量块相连，所述键合块与SO I电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SO I电极结构层两者的键合平面悬空布置。

可选地，所述质量块的中部设有两个采用刻蚀工艺形成的、贯穿的开口槽，两个开口槽的开口互相相对布置使得开口槽的内部区域和开口相对的中间连接部分形成键合块，且两个开口槽两侧的开口边缘之间分别形成一根支撑梁，且两侧的支撑梁对称布置。

可选地，所述两侧的支撑梁相对三个静电电容区域的中心轴线对称布置，且两根支撑梁的轴线与三个静电电容区域的中心轴线垂直。

可选地，所述SO I电极结构层的中部设有凸出布置的多个第一键合锚点，所述键合块的中部设有凸出布置的多个第二键合锚点，所述第一键合锚点和第二键合锚点一一对应且键合连接使得键合块与SO I电极结构层两者的键合平面悬空布置，且所述硅敏感结构的中心与SO I电极结构层上多个第一键合锚点的中心点对齐。

可选地，所述第一键合锚点设于三个静电电容区域之中位于中间的静电电容区域的表面上，且第一键合锚点的高度高于三个静电电容区域。

可选地，所述SO I电极结构层的三个静电电容区域对应的引线盘中，位于中间的静电电容区域对应的引线盘作为接地电极，位于两端的静电电容区域对应的引线盘作为检测电极。

可选地，所述第一键合锚点和第二键合锚点的数量均为四个，且四个第二键合锚点关于质量块的中心轴对称分布，四个第一键合锚点关于SO I电极结构层上三个静电电容区域的中心轴线对称分布。

可选地，所述SO I电极结构层的中部设有凸出布置的多个第一键合锚点，所述键合块分别与多个第一键合锚点键合连接使得键合块与SO I电极结构层两者的键合平面悬空布置。

可选地，所述键合块的中部设有凸出布置的多个第二键合锚点，所述键合块通过第二键合锚点分别与SO I电极结构层键合连接使得键合块与SO I电极结构层两者的键合平面悬空布置。

本发明还提供一种前述的高过载扭摆式硅微加速度计的制备方法，包括：

a)准备加工用的第一张SO I硅晶圆和第二张SO I晶圆；

b)在第一张SO I硅晶圆上,通过深硅刻蚀工艺加工SO I电极结构层和硅敏感结构之间平面电容结构的电容间隙；

c)在第一张SO I晶圆上，继续通过光刻工艺和深硅刻蚀工艺加工SO I电极结构层的三个静电电容区域；

d)在第一张SO I晶圆上，继续通过光刻工艺和深硅刻蚀工艺在三个静电电容区域中位于中间的静电电容区域上刻蚀出第一键合锚点；

e)在第一张SO I晶圆上，外延生产一层二氧化硅层；

f)在第一张SO I晶圆上，通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺将第一张SO I晶圆上的SOI电极结构层表面二氧化硅层去除；

g)通过键合方式将已加工好SO I电极结构层结构的第一张SO I晶圆与第二张SOI晶圆键合到一起；

h)通过减抛方法将第二张SO I晶圆背面的硅层去除；

i)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过光刻工艺将质量块上一侧的凹槽对应区域二氧化硅氧化层降低指定的深度；

j)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺将硅敏感结构的图形加工出来；

k)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过深硅刻蚀工艺将硅敏感结构的图形刻蚀指定深度；

l)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过湿法刻蚀工艺将质量块上凹槽对应区域二氧化硅全部去除；

m)在键合后的第二张SO I晶圆上，继续采用深硅刻蚀工艺，将支撑梁和硅敏感结构的外框全部刻穿形成开口槽，将质量块上的凹槽刻蚀到指定深度使得质量块两侧质量大小不同；

n)在键合后的第二张SO I晶圆上，继续采用深硅刻蚀工艺将表面的二氧化硅层去除。

和现有技术相比，本发明主要具有下述优点：

1、本发明硅敏感结构包括质量块以及质量块的中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，且键合块与SO I电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SO I电极结构层两者的键合平面悬空布置，通过上述巧妙设计键合锚点布局，由于键合连接具有低应力的优点，避免了键合锚点与支撑梁处直接键合应力生成，极大程度减小晶圆级键合应力；且由于各个将键合平面悬空处理，在高过载情况下键合平面向下变形起到缓冲的作用，从而可以提高敏感结构的抗冲击能力，可有效提高硅微加速度计抗过载能力，有效保障了产品的使用寿命和长期可靠性。

2、本发明硅敏感结构包括质量块以及质量块的中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，且键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置，通过上述巧妙设计键合锚点布局，较大程度上提高了硅敏感结构与SOI电极结构层之间键合平整度，从而改善电容间隙一致性，加工精度更高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明实施例一中高过载扭摆式硅微加速度计的立体结构示意图。

图2为本发明实施例一中硅敏感结构正面侧的立体结构示意图。

图3为本发明实施例一中硅敏感结构背面侧的立体结构示意图。

图4为本发明实施例一中SOI电极结构层的立体结构示意图。

图5为图2中A-A的剖视的局部结构示意图。

图6为本发明实施例一中制备方法中的产品中间状态结构示意图。

图例标号说明：1、SOI电极结构层；11、静电电容区域；12、引线盘；13、第一键合锚点；2、硅敏感结构；21、质量块；211、凹槽；22、键合块；221、第二键合锚点；23、支撑梁；24、开口槽。

具体实施方式

实施例一：

如图1、图2、图3和图4所示，本实施例提供一种高过载扭摆式硅微加速度计，包括SO I电极结构层1和硅敏感结构2，SO I电极结构层1上设有三个静电电容区域11及其对应的引线盘12，硅敏感结构2包括质量块21以及质量块21的中部刻蚀形成的键合块22和支撑梁23，质量块21两侧质量大小不同且与三个静电电容区域11相对间隙布置形成平面电容结构，键合块22通过支撑梁23与质量块21相连，键合块22与SO I电极结构层1之间通过键合锚点键合连接使得键合块22与SO I电极结构层1两者的键合平面悬空布置。通过上述巧妙设计键合锚点布局，由于键合连接具有低应力的优点，避免了键合锚点与支撑梁处直接键合应力生成，极大程度减小晶圆级键合应力；且由于各个将键合平面悬空处理，在高过载情况下键合平面向下变形起到缓冲的作用，从而可以提高敏感结构的抗冲击能力，可有效提高硅微加速度计抗过载能力(抗过载能力可达15000g以上)，有效保障了产品的使用寿命和长期可靠性。而且，通过上述巧妙设计键合锚点布局，较大程度上提高了硅敏感结构与SO I电极结构层之间键合平整度，从而改善电容间隙一致性，加工精度更高。

质量块21两侧质量大小不同是公知的实现检测的基本要件，质量块21两侧质量大小不同具体可通过质量块21两侧开槽、开孔以及形状中的部分或全部不同实现。例如作为一种可选的实施方式，参见图2，本实施例中采用了质量块21的一侧设有凹槽211来使得质量块21两侧质量大小不同，优选地要求凹槽211为对称结构，且关于Y轴(图2中的标号a所示为X轴)对称。带有凹槽211的一侧与未加工凹槽211的一侧关于支撑梁23及质量块21的中心点左右对称。具体地，本实施例中凹槽211为方形，但是毫无疑问，基于要实现质量块21两侧质量大小的目的，凹槽211的形状不限于图2所示的方形。

参见图2，本实施例中质量块21的中部设有两个采用刻蚀工艺形成的、贯穿的开口槽24，两个开口槽24的开口互相相对布置使得开口槽24的内部区域和开口相对的中间连接部分形成键合块22，且两个开口槽24两侧的开口边缘之间分别形成一根支撑梁23，且两侧的支撑梁23对称布置。使得两个开口槽24的内部区域和开口相对的中间连接部分形成呈“工”字形的键合块22，这样可提高低应力键合时硅敏感结构2和SOI电极结构层1两者相对平整度，可使低应力键合后，两者形成的电容间隙更加一致。需要说明的是，参见图2，本实施例中开口槽24为C型槽，但是C型槽的“C”表达的是非闭合的结构以形成质量块21的中部的键合块22和支撑梁23，因此“C”不限于某一种特定的字体，因此单个C型槽的内部区域可以为图2所示的圆角矩形结构，也可以为圆形、椭圆形或其他不规则形状的结构。

如图2和图4所示，本实施例中两侧的支撑梁23相对三个静电电容区域11的中心轴线(如图4中b所示)对称布置，且两根支撑梁23的轴线(如图2中a所示)与三个静电电容区域11的中心轴线垂直。

如图5所示，本实施例中支撑梁23的横截面为矩形，该形状与采用干法刻蚀工艺所对应。支撑梁23的横截面不限于图5所示的矩形，此外也可以根据需要采用其他刻蚀工艺以制备更复杂的支撑梁23的横截面形状，优选地要求支撑梁23为对称结构，且关于Y轴对称且对称轴重合。

参见图2、图3和图4，本实施例中SOI电极结构层1的中部设有凸出布置的多个第一键合锚点13，键合块22的中部设有凸出布置的多个第二键合锚点221，第一键合锚点13和第二键合锚点221一一对应且键合连接使得键合块22与SOI电极结构层1两者的键合平面悬空布置，且硅敏感结构2的中心与SOI电极结构层1上多个第一键合锚点13的中心点对齐。由于采用第一键合锚点13和第二键合锚点221两层凸出布置的键合锚点，因此使得键合块22与SOI电极结构层1两者的键合平面悬空布置时，一方面悬空的高度范围更大，另一方面第一键合锚点13和第二键合锚点221两层凸出的刻蚀加工量更小，从而将悬空布置的高度分为第一键合锚点13和第二键合锚点221的两部分高度(加工高度越高，误差就会越大，从而会影响硅敏感结构与SOI电极结构层之间键合平整度，导致电容间隙一致性不好)，可有效提高硅敏感结构与SOI电极结构层之间键合平整度，从而改善电容间隙一致性，加工精度更高。

参见图4，本实施例中第一键合锚点13设于三个静电电容区域11之中位于中间的静电电容区域11的表面上，且第一键合锚点13的高度高于三个静电电容区域11，从而将第一键合锚点13的高度可分为第一键合锚点13、中间的静电电容区域11的两部分高度(加工高度越高，误差就会越大，从而会影响硅敏感结构与SOI电极结构层之间键合平整度，导致电容间隙一致性不好)，可有效提高硅敏感结构与SOI电极结构层之间键合平整度，从而改善电容间隙一致性，加工精度更高。

参见图4，本实施例中SOI电极结构层1的三个静电电容区域11对应的引线盘12中，位于中间的静电电容区域11对应的引线盘12作为接地电极，位于两端的静电电容区域11对应的引线盘12作为检测电极。当质量块21承受过载的时候，质量块21两侧质量大小不同就会导致与对应的静电电容区域11的电容发生变化，从而可获得对应的检测信号。参见图4，本实施例中，SOI电极结构层1位于三个静电电容区域11的同一侧分别引出一个引线盘12(使得引线盘12单边分布)，三个引线盘12相对SOI电极结构层1的中线/两根支撑梁23的轴线(如图2中a所示)呈轴对称布置。

参照图3和图4，本实施例中第一键合锚点13和第二键合锚点221的数量均为四个，且四个第二键合锚点221关于质量块21的中心轴对称分布，四个第一键合锚点13关于SOI电极结构层1上三个静电电容区域11的中心轴线对称分布。第一键合锚点13和第二键合锚点221的数量均为四个，并结合开口槽24为C型槽，两个C型槽的内部区域和开口相对的中间连接部分形成呈“工”字形的键合块22的结构，可进一步提高低应力键合时硅敏感结构2和SOI电极结构层1两者相对平整度，可使低应力键合后，两者形成的电容间隙更加一致。同时当整体结构高过载冲击时，四个键合锚点的支撑中心区域可以起到缓冲作用，可以大幅度提高产品的抗过载指标。

本实施例中，第一键合锚点13和第二键合锚点221均为方形，且面积相等，并关于X轴(支撑梁23的轴线方向)和Y轴(垂直于支撑梁23的轴线方向)轴对称。需要说明的是，第一键合锚点13和第二键合锚点221不限于方形，也可以采用其他形状的键合锚点。同样地，第一键合锚点13和第二键合锚点221的数量也不限于四个，可以根据实际需要设定，优选要求位于硅敏感结构2上的四个第二键合锚点221关于支撑梁23及质量块23的中心轴对称分布，位于SO I电极结构层1中间的第一键合锚点13关于静电电容区域11的中心轴对称分布。

本实施例提供一种前述的高过载扭摆式硅微加速度计的制备方法，包括：

a)准备加工用的第一张SO I硅晶圆和第二张SO I晶圆；

b)在第一张SO I硅晶圆上,通过深硅刻蚀工艺加工SO I电极结构层1和硅敏感结构2之间平面电容结构的电容间隙；

c)在第一张SO I晶圆上，继续通过光刻工艺和深硅刻蚀工艺加工SO I电极结构层1的三个静电电容区域11；

d)在第一张SO I晶圆上，继续通过光刻工艺和深硅刻蚀工艺在三个静电电容区域11中位于中间的静电电容区域11上刻蚀出第一键合锚点13；

e)在第一张SO I晶圆上，外延生产一层二氧化硅层；

f)在第一张SO I晶圆上，通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺将第一张SO I晶圆上的SOI电极结构层1表面二氧化硅层去除；

g)通过键合方式将已加工好SO I电极结构层1结构的第一张SO I晶圆与第二张SOI晶圆键合到一起；

h)通过减抛方法将第二张SO I晶圆背面的硅层去除；

i)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过光刻工艺将质量块21上一侧的凹槽211对应区域二氧化硅氧化层降低指定的深度；

j)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺将硅敏感结构2的图形加工出来；

k)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过深硅刻蚀工艺将硅敏感结构2的图形刻蚀指定深度；

l)在键合后的第二张SO I晶圆上，通过湿法刻蚀工艺将质量块21上凹槽211对应区域二氧化硅全部去除；

m)在键合后的第二张SO I晶圆上，继续采用深硅刻蚀工艺，将支撑梁23和硅敏感结构2的外框全部刻穿形成开口槽24，将质量块21上的凹槽211刻蚀到指定深度使得质量块21两侧质量大小不同；

n)在键合后的第二张SO I晶圆上，继续采用深硅刻蚀工艺将表面的二氧化硅层去除。

上述步骤a～n对应状态下的结构分别参见图6中的子图a～n所示，在得到图6中的子图n的结构后，将该结构去除四周的多余部分，即可得到本实施例前述的高过载扭摆式硅微加速度计。本实施例高过载扭摆式硅微加速度计的制备方法采用干法刻蚀制备高过载扭摆式硅微加速度计，可通过一套掩膜版光刻干法刻蚀形成，可以大幅度缩小器件面积，可实现高质量、高精度、大批量加工，提高一致性，降低生产成本；同时能有效缓冲高负载冲击对结构的破坏力，有效保障产品的使用寿命及可靠性。

实施例二：

本实施例与实施例一基本相同，其主要不同点为“键合块22与SO I电极结构层1两者的键合平面悬空布置”的实现方式不同。本实施例中，SO I电极结构层1的中部设有凸出布置的多个第一键合锚点13，键合块22分别与多个第一键合锚点13键合连接使得键合块22与SO I电极结构层1两者的键合平面悬空布置；即键合块22上不需要额外布置键合锚点，以简化硅敏感结构2的结构。制备方法根据上述结构变化进行适应性调整，即可实现上述变化结构后的高过载扭摆式硅微加速度计的制备。

实施例三：

本实施例与实施例一基本相同，其主要不同点为“键合块22与SO I电极结构层1两者的键合平面悬空布置”的实现方式不同。本实施例中，键合块22的中部设有凸出布置的多个第二键合锚点221，键合块22通过第二键合锚点221分别与SO I电极结构层1键合连接使得键合块22与SO I电极结构层1两者的键合平面悬空布置。即SO I电极结构层1上不需要额外布置键合锚点，以简化SO I电极结构层1的结构。制备方法根据上述结构变化进行适应性调整，即可实现上述变化结构后的高过载扭摆式硅微加速度计的制备。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，包括SOI电极结构层（1）和硅敏感结构（2），所述SOI电极结构层（1）上设有三个静电电容区域（11）及其对应的引线盘（12），所述硅敏感结构（2）包括质量块（21）以及质量块（21）的中部刻蚀形成的键合块（22）和支撑梁（23），所述质量块（21）两侧质量不同且与三个静电电容区域（11）相对间隙布置形成平面电容结构，所述键合块（22）通过支撑梁（23）与质量块（21）相连，所述键合块（22）与SOI电极结构层（1）之间通过键合锚点键合连接使得键合块（22）与SOI电极结构层（1）两者的键合平面悬空布置，所述质量块（21）的中部设有两个采用刻蚀工艺形成的、贯穿的开口槽（24），两个开口槽（24）的开口互相相对布置使得开口槽（24）的内部区域和开口相对的中间连接部分形成键合块（22），且两个开口槽（24）两侧的开口边缘之间分别形成一根支撑梁（23），且两侧的支撑梁（23）对称布置。

2.根据权利要求1所述的高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，所述两侧的支撑梁（23）相对三个静电电容区域（11）的中心轴线对称布置，且两根支撑梁（23）的轴线与三个静电电容区域（11）的中心轴线垂直。

3.根据权利要求1所述的高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，所述SOI电极结构层（1）的中部设有凸出布置的多个第一键合锚点（13），所述键合块（22）的中部设有凸出布置的多个第二键合锚点（221），所述第一键合锚点（13）和第二键合锚点（221）一一对应且键合连接使得键合块（22）与SOI电极结构层（1）两者的键合平面悬空布置，且所述硅敏感结构（2）的中心与SOI电极结构层（1）上多个第一键合锚点（13）的中心点对齐。

4.根据权利要求3所述的高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，所述第一键合锚点（13）设于三个静电电容区域（11）之中位于中间的静电电容区域（11）的表面上，且第一键合锚点（13）的高度高于三个静电电容区域（11）。

5.根据权利要求3所述的高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，所述SOI电极结构层（1）的三个静电电容区域（11）对应的引线盘（12）中，位于中间的静电电容区域（11）对应的引线盘（12）作为接地电极，位于两端的静电电容区域（11）对应的引线盘（12）作为检测电极。

6.根据权利要求5所述的高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，所述第一键合锚点（13）和第二键合锚点（221）的数量均为四个，且四个第二键合锚点（221）关于质量块（21）的中心轴对称分布，四个第一键合锚点（13）关于SOI电极结构层（1）上三个静电电容区域（11）的中心轴线对称分布。

7.根据权利要求1～3中任意一项所述的高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，所述SOI电极结构层（1）的中部设有凸出布置的多个第一键合锚点（13），所述键合块（22）分别与多个第一键合锚点（13）键合连接使得键合块（22）与SOI电极结构层（1）两者的键合平面悬空布置。

8.根据权利要求1～3中任意一项所述的高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，所述键合块（22）的中部设有凸出布置的多个第二键合锚点（221），所述键合块（22）通过第二键合锚点（221）分别与SOI电极结构层（1）键合连接使得键合块（22）与SOI电极结构层（1）两者的键合平面悬空布置。

9.一种权利要求1～6中任意一项所述的高过载扭摆式硅微加速度计的制备方法，其特征在于，包括：

a)准备加工用的第一张SOI硅晶圆和第二张SOI晶圆；

b）在第一张SOI硅晶圆上,通过深硅刻蚀工艺加工SOI电极结构层（1）和硅敏感结构（2）之间平面电容结构的电容间隙；

c）在第一张SOI晶圆上，继续通过光刻工艺和深硅刻蚀工艺加工SOI电极结构层（1）的三个静电电容区域（11）；

d）在第一张SOI晶圆上，继续通过光刻工艺和深硅刻蚀工艺在三个静电电容区域（11）中位于中间的静电电容区域（11）上刻蚀出第一键合锚点（13）；

e）在第一张SOI晶圆上，外延生产一层二氧化硅层；

f）在第一张SOI晶圆上，通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺将第一张SOI晶圆上的SOI电极结构层（1）表面二氧化硅层去除；

g）通过键合方式将已加工好SOI电极结构层（1）结构的第一张SOI晶圆与第二张SOI晶圆键合到一起；

h）通过减抛方法将第二张SOI晶圆背面的硅层去除；

i）在键合后的第二张SOI晶圆上，通过光刻工艺将质量块（21）上一侧的凹槽（211）对应区域二氧化硅氧化层降低指定的深度；

j）在键合后的第二张SOI晶圆上，通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺将硅敏感结构（2）的图形加工出来；

k）在键合后的第二张SOI晶圆上，通过深硅刻蚀工艺将硅敏感结构（2）的图形刻蚀指定深度；

l）在键合后的第二张SOI晶圆上，通过湿法刻蚀工艺将质量块（21）上凹槽（211）对应区域二氧化硅全部去除；

m）在键合后的第二张SOI晶圆上，继续采用深硅刻蚀工艺，将支撑梁（23）和硅敏感结构（2）的外框全部刻穿形成开口槽（24），将质量块（21）上的凹槽（211）刻蚀到指定深度使得质量块（21）两侧质量大小不同；

n）在键合后的第二张SOI晶圆上，继续采用深硅刻蚀工艺将表面的二氧化硅层去除。