CN114530297A - 一种10千伏架空绝缘电缆制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层。该10千伏架空绝缘电缆制备方法通过使用聚氯乙烯电屏蔽填充层作为屏蔽层，而不使用金属编织带，从而降低了10千伏架空绝缘电缆的重量。
Description
技术领域
本发明涉及电缆技术领域，特别涉及一种10千伏架空绝缘电缆制备方法。
背景技术
目前，随着社会的发展及城市人口密度增加，城市建筑群、绿化茂密区域与城网架空输电线的矛盾，越来越使用到架空绝缘电缆，架空绝缘电缆对重量要求高，而为防止10kV架空绝缘电缆对周围产生磁场，又需要在10kV架空绝缘电缆中增加屏蔽层，常见的屏蔽层为金属编织带，如铜编织带。因此10kV架空绝缘电缆的重量较大，而且普通架空绝缘电缆在山区或者地势有落差且跨度较大的地方铺设时，电缆往往会因为自身过重产生严重悬垂从而导致无法正常运行。
因此，针对现有技术不足，提供一种10千伏架空绝缘电缆制备方法以解决现有技术不足甚为必要。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种10 千伏架空绝缘电缆制备方法。该10千伏架空绝缘电缆制备方法得到的10千伏架空绝缘电缆重量小。
本发明的上述目的通过以下技术措施实现：
提供一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层。
优选的，上述聚氯乙烯电屏蔽填充层由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
优选的，上述缆芯由多根据线芯绞合而成，每根所述线芯的外表面均包覆有所述绝缘层。
优选的，上述聚氯乙烯电屏蔽填充层位于多根所述线芯绞合的外周，并对所述线芯绞合的外周填充圆整。
优选的，上述10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜，所述电屏蔽薄膜通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层的外表面。
优选的，上述聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：40份～80份；
炭黑：20份～40份；
纳米镍铜合金粉：5份～20份；
碳纳米管：5份～15份。
进一步，在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：50份～60份；
炭黑：25份～30份；
纳米镍铜合金粉：10份～12份；
碳纳米管：8份～10份。
优选的，上述电屏蔽薄膜为金属石墨烯复合薄膜。
优选的，上述金属石墨烯复合薄膜为银石墨烯复合薄膜或铜石墨烯复合薄膜。
本发明的10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层。该10千伏架空绝缘电缆制备方法通过使用聚氯乙烯电屏蔽填充层作为屏蔽层，而不使用金属编织带，从而降低了10千伏架空绝缘电缆的重量。
附图说明
利用附图对本发明作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。
图1为485线电缆的横截面示意图。
在图1中，包括有：
线芯100、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300、电屏蔽薄膜400、护套层500。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明的技术方案作进一步说明。
实施例1。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆如图1，设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。且在所述10千伏架空绝缘电缆的横截面中，所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的最大厚度小于5mm。
需要说明的是，本发明的聚氯乙烯电屏蔽填充层300对多根所述线芯100绞合的外周进行填充圆整，从而能防止线芯100绞合外周不平整产生的尖端高压放电。而且聚氯乙烯电屏蔽填充层 300还能有效隔离缆芯产生的磁场。聚氯乙烯电屏蔽填充层300 作为以聚氯乙烯为主要原料，其重量较金属编织带少，从而降低了10千伏架空绝缘电缆的重量。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
需要说明的是，本发明的采用纳米镍铜合金粉的低电阻性质，并使干扰场在聚氯乙烯电屏蔽填充层300内形成涡流并在聚氯乙烯电屏蔽填充层300的分界面上产生反射和在缆芯内部的吸收以及传输过程中的损耗而使电磁波能量的继续传递受到阻碍,从而大大削弱干扰场在被保护空间的场强值，达到了屏蔽效果。
本发明的炭黑和纳米镍铜合金粉分布于碳纳米管的外表面，而碳纳米管与相邻的碳纳米管之间形成连接点，从而形成网络通道能迅速转移产生的静电荷，从而产生静电屏蔽效果。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：40份～80份；
炭黑：20份～40份；
纳米镍铜合金粉：5份～20份；
碳纳米管：5份～15份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜 400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为银石墨烯复合薄膜或铜石墨烯复合薄膜。
本发明的10千伏架空绝缘电缆还设置有电屏蔽薄膜400，通过电屏蔽薄膜400对缆芯产生的磁场进行二次阻隔，而且电屏蔽薄膜400为薄膜不会对10千伏架空绝缘电缆的整体重量增加太多。
电屏蔽薄膜400的制备方法为成熟的制备工艺，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，本实施例提供一种电屏蔽薄膜 400的制备方法以供参考，
步骤一：称取1g石墨粉，量取3.0mLH3PO4和20mLH2SO4，倒入反应瓶中，搅拌，然后将12gKMnO4加入反应瓶，将混合反应液加热到50℃，反应6小时后，将500mL去离子水滴加到反应瓶，然后加入H2O2，对反应液颜色变为金黄色，过滤，滤饼干燥得到氧化石墨烯粉末，最后将氧化石墨烯粉末加入30mL去离子水中，制得氧化石墨烯水溶液。
步骤二：量取100ml氧化石墨烯水溶液(0.05mg/mL)、 5-25mL(0.1mol/L)硝酸银水溶液(也可以为硝酸铜水溶液),混合磁力搅拌30min。
步骤三、称取2g柠檬酸钠溶于40mL去离子水中配成柠檬酸钠溶液。
步骤四、称取4g硼氢化钠加入1mL去离子水。
步骤五、在60℃下，将步骤三制备的溶液加入到步骤二制备的溶液中，得到混合溶液，磁力搅拌5min后，将步骤四制备的溶液滴加到上述混合溶液，5min内滴加完毕，用0.2mol/L的NaOH 水溶液控制pH为10，随后在60℃和磁力搅拌下反应2h，过滤并洗涤滤饼至母液pH值呈中性，最后滤饼分散于100mL去离子水中，得到一种棕黄色的石墨烯-银纳米粒子GO-Ag混合液。
步骤六、分别量取1mL正硅酸乙酯，2mL苯基三乙氧基硅烷， 3.136mL双(三乙氧基硅基)辛烷，10ml的乙醇，1mL去离子水和 0.1mL浓度为1M的稀盐酸，在玻璃瓶中混合，磁力搅拌5min后，将0.02gCTAB加入到混合溶液中，室温下搅拌2h。然后加入0.15mL 制得的GO-Ag水溶液，室温搅拌2h后停止反应。
步骤七、滴加0.2mL步骤六制备的溶胶于旋转涂膜机的平台上，在1000rpm速度下旋转40s，然后500rpm下旋转20s，将薄膜移在60℃烘箱干燥12h，最后放在150℃烘箱1h，得到电屏蔽薄膜400。
该10千伏架空绝缘电缆制备方法通过使用聚氯乙烯电屏蔽填充层300作为屏蔽层，而不使用金属编织带，从而降低了10千伏架空绝缘电缆的重量。
实施例2。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：50份～60份；
炭黑：25份～30份；
纳米镍铜合金粉：10份～12份；
碳纳米管：8份～10份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为银石墨烯复合薄膜或铜石墨烯复合薄膜。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
实施例3。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：40份；
炭黑：40份；
纳米镍铜合金粉：20份；
碳纳米管：5份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜 400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为银石墨烯复合薄膜。
其中聚氯乙烯购自宁波梓宏塑化有限公司。炭黑购自河间市嘉隆橡胶制品有限公司。纳米镍铜合金粉购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司。碳纳米管购自上海凯茵化工有限公司。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
实施例4。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：80份；
炭黑：20份；
纳米镍铜合金粉：5份；
碳纳米管：15份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜 400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为铜石墨烯复合薄膜。
其中聚氯乙烯购自宁波梓宏塑化有限公司。炭黑购自河间市嘉隆橡胶制品有限公司。纳米镍铜合金粉购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司。碳纳米管购自上海凯茵化工有限公司。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
实施例5。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：50份；
炭黑：25份；
纳米镍铜合金粉：10份；
碳纳米管：8份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜 400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为铜石墨烯复合薄膜。
其中聚氯乙烯购自宁波梓宏塑化有限公司。炭黑购自河间市嘉隆橡胶制品有限公司。纳米镍铜合金粉购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司。碳纳米管购自上海凯茵化工有限公司。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
实施例6。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：60份；
炭黑：30份；
纳米镍铜合金粉：12份；
碳纳米管：10份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜 400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为铜石墨烯复合薄膜。
其中聚氯乙烯购自宁波梓宏塑化有限公司。炭黑购自河间市嘉隆橡胶制品有限公司。纳米镍铜合金粉购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司。碳纳米管购自上海凯茵化工有限公司。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
实施例7。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：54份；
炭黑：23份；
纳米镍铜合金粉：14份；
碳纳米管：7份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜 400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为银石墨烯复合薄膜。
其中聚氯乙烯购自宁波梓宏塑化有限公司。炭黑购自河间市嘉隆橡胶制品有限公司。纳米镍铜合金粉购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司。碳纳米管购自上海凯茵化工有限公司。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
实施例8。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：46份；
炭黑：26份；
纳米镍铜合金粉：15份；
碳纳米管：10份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜 400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为铜石墨烯复合薄膜。
其中聚氯乙烯购自宁波梓宏塑化有限公司。炭黑购自河间市嘉隆橡胶制品有限公司。纳米镍铜合金粉购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司。碳纳米管购自上海凯茵化工有限公司。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
实施例9。
一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层 500，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层200、聚氯乙烯电屏蔽填充层300和护套层500。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
缆芯由多根据线芯100绞合而成，每根所述线芯100的外表面均包覆有所述绝缘层200。
聚氯乙烯电屏蔽填充层300位于多根所述线芯100绞合的外周，并对所述线芯100绞合的外周填充圆整。
聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：57份；
炭黑：28份；
纳米镍铜合金粉：10.5份；
碳纳米管:8.8份。
10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜400，所述电屏蔽薄膜400通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层300的外表面。电屏蔽薄膜400为金属石墨烯复合薄膜。本发明的金属石墨烯复合薄膜为铜石墨烯复合薄膜。
其中聚氯乙烯购自宁波梓宏塑化有限公司。炭黑购自河间市嘉隆橡胶制品有限公司。纳米镍铜合金粉购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司。碳纳米管购自上海凯茵化工有限公司。
与实施例1相比，采用本实施例的10千伏架空绝缘电缆制备方法的电磁波屏蔽效果均较实施例1的佳。
在其他实验条条件相同的情况下，将实施例3至9制备的聚氯乙烯电屏蔽填充层300及金属石墨烯复合薄膜进行粘贴，且聚氯乙烯电屏蔽填充层300的厚度为5mm，进行电磁屏蔽能力测试。
表一、对应样品的电磁屏蔽能力测试性能表
在对比例1的样品中，填充层的原料为54份聚氯乙烯和23份炭黑，而电屏蔽薄膜400为银石墨烯复合薄膜；对比例2的样品中仅有实施例7的聚氯乙烯电屏蔽填充层300，且对比例1和对比例2的填充层的厚度均为5mm。对比例3的样品仅有银石墨烯复合薄膜。
电磁屏蔽能力按照12190-90规定进行测试，由表一可知，通过本发明聚氯乙烯电屏蔽填充层300和电屏蔽薄膜400双重作用下，其中电磁屏蔽性能均较佳。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：10千伏架空绝缘电缆设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层，按照从中心到外部的顺序，依次设置有缆芯、绝缘层、聚氯乙烯电屏蔽填充层和护套层。
2.根据权利要求1所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：所述聚氯乙烯电屏蔽填充层由聚氯乙烯半导体屏蔽料组成。
3.根据权利要求2所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：所述缆芯由多根据线芯绞合而成，每根所述线芯的外表面均包覆有所述绝缘层。
4.根据权利要求3所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：所述聚氯乙烯电屏蔽填充层位于多根所述线芯绞合的外周，并对所述线芯绞合的外周填充圆整。
5.根据权利要求3所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：10千伏架空绝缘电缆还设电屏蔽薄膜，所述电屏蔽薄膜通过粘贴覆盖于所述聚氯乙烯电屏蔽填充层的外表面。
6.根据权利要求5所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：所述聚氯乙烯半导体屏蔽料含有聚氯乙烯、炭黑、纳米镍铜合金粉和碳纳米管。
7.根据权利要求6所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：40份～80份；
炭黑：20份～40份；
纳米镍铜合金粉：5份～20份；
碳纳米管：5份～15份。
8.根据权利要求7所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：在所述聚氯乙烯半导体屏蔽料中，以重量份计，
聚氯乙烯：50份～60份；
炭黑：25份～30份；
纳米镍铜合金粉：10份～12份；
碳纳米管：8份～10份。
9.根据权利要求8所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：所述电屏蔽薄膜为金属石墨烯复合薄膜。
10.根据权利要求9所述的10千伏架空绝缘电缆制备方法，其特征在于：所述金属石墨烯复合薄膜为银石墨烯复合薄膜或铜石墨烯复合薄膜；
在所述10千伏架空绝缘电缆的横截面中，所述聚氯乙烯电屏蔽填充层的最大厚度小于5mm。
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