CN114427843A - 一种电极的检测方法、装置、终端和介质 - Google Patents
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Abstract
本申请适用于生产加工技术领域，提供了一种电极的检测方法、装置、终端和介质。其中，上述电极的检测方法具体包括：获取目标电极的电极属性；检测所述目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个所述目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值；根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。本申请的实施例可以准确地判断电极是否合格，同时为电极提供相应的加工处理策略，进而提高加工生产效率。
Description
技术领域
本申请属于生产加工技术领域，尤其涉及一种电极的检测方法、装置、终端和介质。
背景技术
在模具生产过程中常使用电火花加工技术。电火花加工技术是通过工具电极和工件电极之间的脉冲放电的电蚀作用，对工件进行加工的方法。当前所使用的电极规格、分类繁多，目前常由车间的加工人员要根据电极的各个属性，判断电极是否异常，以及电极所需的处理方案。
由于电极规格、分类繁多，各种电极属性排列组合后的结果集合庞大。加工人员凭经验和记忆来判断电极结果难免出现偏差，并且在电极数量多时，需要投入大量人力成本。
因此，需要一种电极的检测方法，能够准确地判断电极是否合格，同时为电极提供相应的加工处理策略，进而提高加工生产效率。
发明内容
本申请实施例提供一种电极的检测方法、装置、终端和介质，可以准确地判断电极是否合格，同时为电极提供相应的加工处理策略，进而提高加工生产效率。
本申请实施例第一方面提供一种电极的检测方法，包括：
获取目标电极的电极属性；
检测所述目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个所述目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值；
根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
本申请实施例第二方面提供的一种电极的检测装置，包括：
数据获取单元，用于获取目标电极的电极属性；
偏差计算单元，用于检测所述目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个所述目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值；
异常检测单元，用于根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
本申请实施例第三方面提供一种终端，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。
本申请实施例第四方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。
本申请实施例第五方面提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端上运行时，使得终端执行时实现方法的步骤。
本申请的实施方式中，通过获取目标电极的电极属性，检测目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值，然后根据电极属性和偏差值，确定目标电极所需的加工处理策略，并根据加工处理策略，确定目标电极是否为异常电极，可以准确地判断电极是否合格，同时为电极提供相应的加工处理策略，不需要人工地对每个电极进行检测判断，提高了加工生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种电极的检测方法的实现流程示意图；
图2是本申请实施例提供的步骤S103的具体实现流程示意图；
图3是本申请实施例提供的步骤S202的具体实现流程示意图；
图4是本申请实施例提供的确定R向点集对应的加工处理策略的具体实现流程示意图；
图5是本申请实施例提供的电极检测方法的流程示意图；
图6是本申请实施例提供的一种电极的检测装置的结构示意图；
图7是本申请实施例提供的终端的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护。
在模具生产过程中常使用电火花加工技术。电火花加工技术是通过工具电极和工件电极之间的脉冲放电的电蚀作用，对工件进行加工的方法。当前所使用的电极规格、分类繁多，目前常由车间的加工人员要根据电极的各个属性，判断电极是否异常，以及电极所需的处理方案。
由于电极规格、分类繁多，各种电极属性排列组合后的结果集合庞大。加工人员凭经验和记忆来判断电极结果难免出现偏差，并且在电极数量多时，需要投入大量人力成本。
因此，需要一种电极的检测方法，能够准确地判断电极是否合格，同时为电极提供相应的加工处理策略，进而提高加工生产效率。
为了说明本申请的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
图1示出了本申请实施例提供的一种电极的检测方法的实现流程示意图，该方法可以应用于终端上，可适用于需判断电极是否合格的情形。
其中，上述终端可以为生产车间的工控机，也可以是计算机设备、平板设备或其他具有数据处理能力的智能设备。
具体的，上述电极的检测方法可以包括以下步骤S101至步骤S103。
步骤S101，获取目标电极的电极属性。
在本申请的实施方式中，工作人员可以在生产电极前进行建档，将每个电极的电极属性存储至数据库内，并在对某一电极进行加工检测时，从数据库中获取电极的电极属性。
其中，目标电极即为当前进行加工检测的电极。
具体的，上述电极属性可以包括目标电极的粗精类型、电极类型、理论间隙值、精度等级等。粗精类型可以包括粗中精三种，电极类型可以包括清角，单精，单粗，浇口，肋位，铜钨，靠插破，圆棒等。理论间隙值可以是多个不同具体火花位数值。精度等级可以是工厂生产要求的等级，一般生产要求可以分为默认，普通，高精密，超高精密。
步骤S102，检测目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值。
在本申请的实施方式中，工作人员可以预先利用UG软件，对电极图档进行布点，并预先设置好每个目标点的理论坐标，然后检测布好的各个目标点的实际坐标。
具体的，在本申请的一些实施方式中，上述终端可以连接三次元测量机(Thethree dimensional)，通过三次元测量机终端可以检测到目标电极各个目标点的实际坐标，具体可以包括各个目标点的三维坐标值(X，Y，Z)、三位坐标矢量(I，J，K)和每个目标点的序号pntNum。
基于检测得到的实际坐标，终端可以计算各个目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值DEV。
步骤S103，根据电极属性和偏差值，确定目标电极所需的加工处理策略，并根据加工处理策略，确定目标电极是否为异常电极。
具体的，如图2所示，在本申请的一些实施方式中，上述步骤S103可以包括以下步骤S201至步骤S203。
步骤S201，将目标点划分至多个预设点集中。
其中，预设点集是由工作人员提前设置好的点集，每个预设点集包含的点位于目标电极上的一个或多个平面，且不同的预设点集在目标电极上对应不重复的平面。
在一些实施方式中，上述预设点集可以具体包括R向点集和Z向点集，R向点集为与目标电极底面垂直的四个侧面的目标点形成的点集，Z向点集为目标电极的顶面和底面的目标点形成的点集。在完成布点并进行检测之后，可以将各个目标点划分至预设点集中。
具体的，终端可以获取各个目标点的三维矢量，并根据三维矢量，将目标点划分至R向点集或Z向点集中。若某个点的三维矢量中I≥J且I≥K，或者，I<J且J≥K，则将该目标点划分至R向点集，而若某个点的三维矢量中I≥J且I<K，或者，I<J且J<K，则将该目标点划分至Z向点集。
需要说明的是，每个预设点集内包含的目标点数量与布点的过程有关，假设Z向对应的平面未进行布点，相应的，Z向点集中将不包含目标点。
步骤S202，根据电极属性和偏差值，确定每个预设点集分别对应的加工处理策略。
在本申请的一些实施方式中，终端可以提供可视化的录入模板，加工人员根据电极标准，综合自己的工件经验，可以在录入标准中添加电极的粗精类型、电极类型、理论间隙值、适用间隙范围等每条电极判断处理规则等，形成公差规则，并将录入好的公差规则保存于公差标准库中。
基于公差标准库，终端可以根据电极属性和实际检测出的偏差值，确定该电极所需的加工策略。并且，公差标准库中录入的公差规则可以按照预设点集进行划分，则终端可以依据每个预设点集的偏差值数据，确定每个预设点集分别对应的加工处理策略。
具体的，如图3所示，上述步骤S202可以具体包括以下步骤S301至步骤S303。
步骤S301，获取公差标准库。
如前述说明，上述公差标准库中记录有预先录入的多条公差规则。
步骤S302，根据电极属性和每个预设点集对应的统计值，从公差标准库中筛选出分别与每个预设点集分别对应，且适用于目标电极的目标公差规则。
在将目标点划分至预设点集之后，终端可以计算每个预设点集对应的统计值。在一些具体的实施方式中，终端可以分别统计得到R向点集和Z向点集的统计值。
其中，统计值可以包括预设点集中所有目标点的偏差值DEV的绝对值最大值、绝对值最小值和/或平均值，还可以包括预设点集中目标点的最小二乘法值，也即将所有目标点的序号pntNum和偏差值DEV利用最小二乘法算出简单线性回归模型参数的估计量。
依据电极属性和每个预设点集对应的统计值，终端可以从公差标准库中筛选出分别与每个预设点集分别对应，且适用于目标电极的目标公差规则，并利用目标公差规则对目标电极进行处理。
在本申请的一些实施方式中，终端可以分别依据每个预设点集匹配目标公差规则。
对于单个预设点集，终端可以根据电极属性，从公差标准库的公差规则中筛选出候选公差规则，然后根据单个预设点集对应的统计值，以及每条候选公差规则对应的间隙计算公式，确定每条候选公差规则对应的实际火花间隙值。
具体的，终端可以遍历公差标准库中的每条公差规则，由于每条公差规则记录有对应的电极属性，因此基于目标电极的电极属性，可以找到属性相同的候选公差规则。
对于候选公差规则，由于每条公差规则均有对应的间隙计算公式，间隙计算公式标明了具体使用绝对值最大值，绝对值最小值，平均值还是最小二乘法值，与预设的调整值进行加减运算来计算最终的实际火花间隙值。若候选公差规则对应的实际火花间隙值位于候选公差规则对应的公差范围内，则说明该条候选公差规则适用于目标电极，则将该候选公差规则确认为单个预设点集对应的目标公差规则。
其中，公差范围可以根据实际情况进行调整。
一些具体实施方式中，候选公差规则可以有对应的理论间隙值，同时，对应的公差范围可以包括上公差和下公差。终端计算实际火花间隙值的最小值取反与理论间隙值之间的第一差值，并计算实际火花间隙值的最大值取反与理论间隙值之间的第二差值。若第一差值大于或等于下公差，且第二差值小于或等于上公差，则确认对应的实际火花间隙值位于候选公差规则对应的公差范围内。否则，则确认对应的实际火花间隙值位于候选公差规则对应的公差范围之外。
需要说明的是，由于公差标准库会根据工厂的需要不断地更新，因此，满足对应的实际火花间隙值位于对应的公差范围内的候选公差规则可能出现多条的情况，此时则可以将公差范围最窄的一条候选公差规则作为目标候选公差规则，也即将上公差最小，下公差最大的候选公差规则作为目标候选公差规则。
在本申请的一些实施方式中，终端可以对每个预设点集通过上述方式确定对应的目标公差规则。
步骤S303，依据与每个预设点集分别对应的目标公差规则，确定每个预设点集分别对应的加工处理策略。
其中，加工策略可以具体包括但不限于自动调整策略、强制放电策略，退回工艺策略，退回检测策略。
自动调整策略指电极合格，可以根据计算出来的实际火花间隙值进行工件放电。
强制放电指电极不合格，需由用户调整计算出来的实际火花间隙值，再根据调整后的间隙值进行工件放电。
退回工艺策略分三种：工艺返修、工艺降面返修，以及工艺重制。工艺返修表示需要重新用之前的加工程式重新加工；工艺降面返修表示需要把之前加工的成品切掉，再重新用之前的加工程式重新加工；工艺重制表示需要直接废弃这个电极，重新开料，并重新备料加工。
退回检测策略表示本次检测有外界因素影响导致检测结果不准，需要重新检测一次。
在本申请的实施方式中，每条公差规则中记录有对应的加工处理策略，因此，在确定出某个预设点集的目标公差规则后，可以确定每个预设点集分别对应的加工处理策略。
具体的，当上述预设点集为Z向点集时，终端可以将Z向点集的目标公差规则对应的加工处理策略作为该Z向点集对应的加工处理策略。
而当上述预设点集为R向点集时，终端还可以进一步进行处理。如图4所示，确定R向点集对应的加工处理策略可以包括以下步骤S401至步骤S403。
步骤S401，检测与R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中是否包含自动调整策略或强制放电策略。
步骤S402，若是，则根据目标公差规则对应的间隙计算公式，计算目标火花间隙值，并检测目标火花间隙值是否满足自动调整条件。
如果与R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中不包含自动调整策略和强制放电策略，则可以保留所有与R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略，并依据每个预设点集分别对应的加工处理策略，确定目标电极是否为异常电极。
如果与R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中同时包含自动调整策略或强制放电策略，则需要进一步判断是否需要保留自动调整策略或强制放电策略。
在本申请的一些实施方式中，终端可以计算出目标火花间隙值，然后检测目标火花间隙值是否满足自动调整条件。
具体的，终端可以计算目标火花间隙值的最小值取反与理论间隙值之间的第三差值，并计算目标火花间隙值的最大值取反与理论间隙值之间的第四差值。若第三差值大于或等于0，且第四差值小于或等于0，则确认目标火花间隙值满足自动调整条件。否则，则确认目标火花间隙值不满足自动调整条件。
步骤S403，若满足，则从R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中剔除强制放电策略，并将剩余的加工处理策略作为R向点集对应的加工处理策略。
步骤S404，若不满足，则从R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中剔除自动调整策略，并将剩余的加工处理策略作为所述R向点集对应的加工处理策略。
若目标火花间隙值满足自动调整条件，说明目标电极R向加工不均匀，无法通过调整放电参数来进行利用，只能进行返工处理，所以需要剔除强制放电策略，保留剩余的加工处理策略，也即退回工艺策略。
若目标火花间隙值不满足自动调整条件，说明目标电极R向加工不均匀，但可以调整放电参数来进行利用，所以需要剔除自动调整策略，保留剩余的加工处理策略，也即强制放电策略。
需要说明的是，上述过程中，如果终端检测到某个预设点集未包含目标点，则可以将实际火花间隙值设置为预设的理论间隙值，同时直接保留所有加工处理策略作为该预设点集对应的加工处理策略。
而如果检测到某个预设点集没有匹配的目标公差规则，则可以将退回工艺策略作为该预设点集对应的加工处理策略。
步骤S203，依据每个预设点集分别对应的加工处理策略，确定目标电极是否为异常电极。
在本申请的一些实施方式中，若任意一个或多个预设点集对应的加工处理策略不包含自动调整策略，则终端可以确认目标电极为异常电极。
具体的，当R向点集对应的加工处理策略包含自动调整策略，则可以将目标电极标识为正常电极，同样的，当Z向点集对应的加工处理策略包含自动调整策略，则可以将目标电极标识为正常电极；取两次的交集，如果均包含自动调整策略，则终端可以确认目标电极为正常电极，并更新目标电极的标识。
否则，若任意一个或多个预设点集对应的加工处理策略不包含自动调整策略，则终端可以确认目标电极为异常电极，并更新目标电极的标识。
对于异常电极，终端可以根据其对应的加工处理策略进行进一步的加工操作。
为了便于理解，图5示出了本申请提供的电极检测方法的流程示意图。终端在检测出每个预设点集对应的统计值之后，如果未包含值，则保留所有加工处理策略。如果包含值，则可以从中匹配公差规则，如果没有满足条件的公差规则，则将退回工艺策略作为该预设点集对应的加工处理策略；若满足条件的公差规则包含多条，则从中选择公差范围最窄的一条作为目标公差规则。随后根据目标公差规则计算出目标火花间隙。
如果是Z向点集，可以直接保留目标公差规则对应的加工处理策略。而如果是R向点集，而目标公差规则对应的加工处理策略中不包含自动调整策略或强制放电策略，则保留目标公差规则对应的加工处理策略。如果包含自动调整策略或强制放电策略，则进一步判断目标火花间隙值是否满足调整条件，并根据结果剔除自动调整策略或强制放电策略。
依据R向点集和Z向点集分别对应的加工处理策略，若任意一个或多个预设点集对应的加工处理策略不包含自动调整策略，则可以确认目标电极为异常电极。
本申请的实施方式中，通过获取目标电极的电极属性，检测目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值，然后根据电极属性和偏差值，确定目标电极所需的加工处理策略，并根据加工处理策略，确定目标电极是否为异常电极，可以准确地判断电极是否合格，同时为电极提供相应的加工处理策略，不需要人工地对每个电极进行检测判断，提高了加工生产效率。
同时基于公差标准库，终端可以为每个电极准确地提供加工处理策略，能够指出异常电极的问题归属，供工作人员进一步选择电极前面导致问题出现的加工工序，提高生产效率。
此外，终端可以不断地接收用户输入的录入模板，并提取其中的数据生成公差规则，以对公差标准库进行更新，使得公差标准库可以不断适配新的生产需要。
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为根据本申请，某些步骤可以采用其它顺序进行。
如图6所示为本申请实施例提供的一种电极的检测装置600的结构示意图，所述电极的检测装置600配置于终端上。
具体的，所述电极的检测装置600可以包括：
数据获取单元601，用于获取目标电极的电极属性；
偏差计算单元602，用于检测所述目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个所述目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值；
异常检测单元603，用于根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
本申请的一些实施方式中，上述异常检测单元603还可以具体用于：将所述目标点划分至多个预设点集中，每个所述预设点集包含的点位于所述目标电极上的一个或多个平面，且不同的所述预设点集在所述目标电极上对应不重复的平面；根据所述电极属性和所述偏差值，确定每个所述预设点集分别对应的加工处理策略；依据每个所述预设点集分别对应的加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
本申请的一些实施方式中，上述异常检测单元603还可以具体用于：获取公差标准库，所述公差标准库中记录有预先录入的多条公差规则；根据所述电极属性和每个所述预设点集对应的统计值，从所述公差标准库中筛选出分别与每个所述预设点集分别对应，且适用于所述目标电极的目标公差规则；依据与每个所述预设点集分别对应的目标公差规则，确定每个所述预设点集分别对应的加工处理策略。
本申请的一些实施方式中，上述异常检测单元603在对单个预设点集进行目标公差规则的筛选时，还可以具体用于：根据所述电极属性，从所述公差标准库的公差规则中筛选出候选公差规则；根据所述单个预设点集对应的统计值，以及每条所述候选公差规则对应的间隙计算公式，确定每条所述候选公差规则对应的实际火花间隙值；若所述候选公差规则对应的实际火花间隙值位于所述候选公差规则对应的公差范围内，则将该候选公差规则确认为所述单个预设点集对应的目标公差规则。
本申请的一些实施方式中，上述预设点集包括R向点集；上述异常检测单元603还可以具体用于：检测与所述R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中是否包含自动调整策略或强制放电策略；若是，则根据所述目标公差规则对应的间隙计算公式，计算目标火花间隙值，并检测所述目标火花间隙值是否满足调整条件；若满足，则从所述R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中剔除强制放电策略，并将剩余的加工处理策略作为所述R向点集对应的加工处理策略。
本申请的一些实施方式中，上述异常检测单元603还可以具体用于：若不满足，则从所述R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中剔除自动调整策略，并将剩余的加工处理策略作为所述R向点集对应的加工处理策略。
本申请的一些实施方式中，上述异常检测单元603还可以具体用于：若任意一个或多个所述预设点集对应的加工处理策略不包含自动调整策略，则确认所述目标电极为异常电极。
需要说明的是，为描述的方便和简洁，上述电极的检测装置600的具体工作过程，可以参考图1至图5所述方法的对应过程，在此不再赘述。
如图7所示，为本申请实施例提供的一种终端的示意图。该终端7可以包括：处理器70、存储器71以及存储在所述存储器71中并可在所述处理器70上运行的计算机程序72，例如电极的检测程序。所述处理器70执行所述计算机程序72时实现上述各个电极的检测方法实施例中的步骤，例如图1所示的步骤S101至S103。或者，所述处理器70执行所述计算机程序72时实现上述各装置实施例中各模块/单元的功能，例如图6所示的数据获取单元601、偏差计算单元602和异常检测单元603。
所述计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器71中，并由所述处理器70执行，以完成本申请。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序在所述终端中的执行过程。
例如，所述计算机程序可以被分割成：数据获取单元、偏差计算单元和异常检测单元。
各单元具体功能如下：数据获取单元，用于获取目标电极的电极属性；偏差计算单元，用于检测所述目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个所述目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值；异常检测单元，用于根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
所述终端可包括，但不仅限于，处理器70、存储器71。本领域技术人员可以理解，图7仅仅是终端的示例，并不构成对终端的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如所述终端还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
所称处理器70可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
所述存储器71可以是所述终端的内部存储单元，例如终端的硬盘或内存。所述存储器71也可以是所述终端的外部存储设备，例如所述终端上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card，SMC)，安全数字(Secure Digital，SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，所述存储器71还可以既包括所述终端的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器71用于存储所述计算机程序以及所述终端所需的其他程序和数据。所述存储器71还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
需要说明的是，为描述的方便和简洁，上述终端的结构还可以参考方法实施例中对结构的具体描述，在此不再赘述。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对各个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电极的检测方法，其特征在于，包括：
获取目标电极的电极属性；
检测所述目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个所述目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值；
根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
2.如权利要求1所述的电极的检测方法，其特征在于，所述根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极，包括：
将所述目标点划分至多个预设点集中，每个所述预设点集包含的点位于所述目标电极上的一个或多个平面，且不同的所述预设点集在所述目标电极上对应不重复的平面；
根据所述电极属性和所述偏差值，确定每个所述预设点集分别对应的加工处理策略；
依据每个所述预设点集分别对应的加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
3.如权利要求2所述的电极的检测方法，其特征在于，所述根据所述电极属性和所述偏差值，确定每个所述预设点集分别对应的加工处理策略，包括：
获取公差标准库，所述公差标准库中记录有预先录入的多条公差规则；
根据所述电极属性和每个所述预设点集对应的统计值，从所述公差标准库中筛选出分别与每个所述预设点集分别对应，且适用于所述目标电极的目标公差规则；
依据与每个所述预设点集分别对应的目标公差规则，确定每个所述预设点集分别对应的加工处理策略。
4.如权利要求3所述的电极的检测方法，其特征在于，在所述根据所述电极属性和每个所述预设点集对应的统计值，从所述公差标准库中筛选出分别与每个所述预设点集分别对应，且适用于所述目标电极的目标公差规则的步骤中，对单个预设点集的筛选步骤，包括：
根据所述电极属性，从所述公差标准库的公差规则中筛选出候选公差规则；
根据所述单个预设点集对应的统计值，以及每条所述候选公差规则对应的间隙计算公式，确定每条所述候选公差规则对应的实际火花间隙值；
若所述候选公差规则对应的实际火花间隙值位于所述候选公差规则对应的公差范围内，则将该候选公差规则确认为所述单个预设点集对应的目标公差规则。
5.如权利要求3所述的电极的检测方法，其特征在于，所述预设点集包括R向点集；
所述依据与每个所述预设点集分别对应的目标公差规则，确定每个所述预设点集分别对应的加工处理策略，包括：
检测与所述R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中是否包含自动调整策略或强制放电策略；
若是，则根据所述目标公差规则对应的间隙计算公式，计算目标火花间隙值，并检测所述目标火花间隙值是否满足调整条件；
若满足，则从所述R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中剔除强制放电策略，并将剩余的加工处理策略作为所述R向点集对应的加工处理策略。
6.如权利要求5所述的电极的检测方法，其特征在于，在所述检测所述目标火花间隙值是否满足调整条件之后，包括：
若不满足，则从所述R向点集的目标公差规则对应的加工处理策略中剔除自动调整策略，并将剩余的加工处理策略作为所述R向点集对应的加工处理策略。
7.如权利要求2至6任意一项所述的电极的检测方法，其特征在于，所述依据每个所述预设点集分别对应的加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极，包括：
若任意一个或多个所述预设点集对应的加工处理策略不包含自动调整策略，则确认所述目标电极为异常电极。
8.一种电极的检测装置，其特征在于，包括：
数据获取单元，用于获取目标电极的电极属性；
偏差计算单元，用于检测所述目标电极上各个目标点的实际坐标，并计算各个所述目标点的实际坐标与对应的理论坐标之间的偏差值；
异常检测单元，用于根据所述电极属性和所述偏差值，确定所述目标电极所需的加工处理策略，并根据所述加工处理策略，确定所述目标电极是否为异常电极。
9.一种终端，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述方法的步骤。
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