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CN114389149B - 发光装置及投影仪 - Google Patents

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CN114389149B CN202111078598.2A CN202111078598A CN114389149B CN 114389149 B CN114389149 B CN 114389149B CN 202111078598 A CN202111078598 A CN 202111078598A CN 114389149 B CN114389149 B CN 114389149B
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Abstract

本发明提供一种所射出的光为直线偏光的发光装置及投影仪。一种发光装置，具有层叠体，所述层叠体具有多个包含p个柱状部的柱状部集合体，所述p个柱状部分别具有发光层，从所述层叠体的层叠方向观察时，所述p个柱状部中的q个第一柱状部的所述发光层的最大宽度相对于最小宽度的比大于所述p个柱状部中的r个第二柱状部的所述发光层的所述比，所述p个柱状部的所述发光层的形状并非旋转对称，所述p为2以上的整数，所述q为1以上且小于p的整数，所述r为满足r＝p‑q的整数。

Description

发光装置及投影仪
技术领域
本发明涉及一种发光装置及投影仪。
背景技术
半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。其中，期待应用了纳米柱的半导体激光器可通过基于纳米柱的光子晶体的效应而以窄辐射角来实现高输出的发光。此种半导体激光器例如被用作投影仪的光源。在使用液晶光阀的投影仪中，期望从光源射出的光为直线偏光。
在利用了GaN系纳米柱的光子晶体的半导体激光器中，能够通过改变纳米柱的排列周期和直径，进行与RGB三原色的波长相匹配的设计。但是，为了在红色区域进行振荡，需要使用直径大的纳米柱，从而难以获得缺陷和变形少且发光效率好这样的纳米柱的效果。因此，已知有将包含直径小的多个纳米柱的纳米柱集合体视为纳米柱并使其周期性地排列的技术。
此处，如专利文献1中所记载那样，纳米柱以三角形、正方形、六边形等具有旋转对称性的光栅图案排列，因此从发光装置射出的光并非直线偏光。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2013-9002号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
如上所述，即便在由多个纳米柱形成了纳米柱集合体的情况下，若纳米柱集合体以具有旋转对称性的光栅图案排列，则从发光装置射出的光也并非直线偏光。
[解决问题的技术手段]
本发明的发光装置的一形态具有层叠体，所述层叠体具有多个包含p个柱状部的柱状部集合体，
所述p个柱状部分别具有发光层，
从所述层叠体的层叠方向观察时，所述p个柱状部中的q个第一柱状部的所述发光层的最大宽度相对于最小宽度的比大于所述p个柱状部中的r个第二柱状部的所述发光层的所述比，
所述p个柱状部的所述发光层的形状并非旋转对称，
所述p为2以上的整数，
所述q为1以上且小于p的整数，
所述r为满足r＝p-q的整数。
本发明的投影仪的一形态包括所述发光装置的一形态。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的平面图。
图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的平面图。
图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图6是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图7是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图8是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图9是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图10是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图11是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图12是示意性地表示本实施方式的投影仪的图。
[符号的说明]
10：基板
20：层叠体
22：缓冲层
30：柱状部
30a：第一柱状部
30b：第二柱状部
31：第一半导体层
32：第一引导层
33：发光层
34：第二引导层
35：第二半导体层
40：柱状部集合体
50：第一电极
52：第二电极
60：掩模层
62、64：开口部
70：第一SAG层
71：开口部
72：第二SAG层
73：开口部
100：发光装置
900：投影仪
902R：第一光学元件
902G：第二光学元件
902B：第三光学元件
904R：第一光调制装置
904G：第二光调制装置
904B：第三光调制装置
906：交叉分色棱镜
908：投射装置
910：屏幕
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的适宜的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式并不对权利要求书中记载的本发明的内容进行不当限定。另外，以下说明的结构并非全部为本发明的必要构成要件。
1.发光装置
首先，参照附图对本实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的发光装置100的剖视图。图2是示意性地表示本实施方式的发光装置100的平面图。此外，图1是图2的I-I线剖视图。
如图1及图2所示，发光装置100包括：基板10、层叠体20、第一电极50以及第二电极52。此外，为了方便起见，在图2中省略了第二电极52的图示。
基板10例如为Si基板、GaN基板、蓝宝石基板等。
层叠体20设置于基板10。在图示的例子中，层叠体20设置于基板10上。层叠体20例如具有缓冲层22以及柱状部30。
在本说明书中，在层叠体20的层叠方向(以下，也简称为“层叠方向”)上，在以发光层33为基准的情况下，将从发光层33朝向第二半导体层35的方向设为“上”，将从发光层33朝向第一半导体层31的方向设为“下”来进行说明。另外，将与层叠方向正交的方向也称为“面内方向”。
另外，在本发明中，所谓“层叠体20的层叠方向”，是柱状部30的第一半导体层31与发光层33的层叠方向。
缓冲层22设置于基板10上。缓冲层22例如为掺杂有Si的n型的GaN层等。在缓冲层22上设置有用于形成柱状部30的掩模层60。掩模层60例如为氧化硅层、钛层、氧化钛层、氧化铝层等。
柱状部30设置于缓冲层22上。柱状部30具有从缓冲层22向上方突出的柱状的形状。柱状部30例如也被称为纳米柱、纳米线、纳米棒、纳米柱状物。柱状部30的平面形状例如为正六边形等多边形、或圆。在图2所示的例子中，柱状部30的平面形状为正六边形。
柱状部30的径例如为50nm以上且500nm以下。通过将柱状部30的径设为500nm以下，可获得高品质的晶体的发光层33，且可减少发光层33中固有的应变。由此，可高效率地扩大发光层33中产生的光。
此外，所谓“柱状部的径”，在柱状部30的平面形状为圆的情况下为直径，在柱状部30的平面形状并非圆的形状的情况下为所述形状中的最小包含圆的直径。例如，柱状部30的径在柱状部30的平面形状为多边形的情况下为在内部包含所述多边形的最小的圆的直径，在柱状部30的平面形状为椭圆的情况下为在内部包含所述椭圆的最小的圆的直径。所谓“柱状部的中心”，在柱状部30的平面形状为圆的情况下为所述圆的中心，在柱状部30的平面形状并非圆的形状的情况下为所述形状中的最小包含圆的中心。另外，所谓“柱状部集合体的中心”，是从层叠方向俯视时，在内部包含构成柱状部集合体40的柱状部30的最小的圆、即最小包含圆的中心。
如图1所示，柱状部30例如具有：第一半导体层31、第一引导层32、发光层33、第二引导层34以及第二半导体层35。
第一半导体层31设置于缓冲层22上。第一半导体层31设置于基板10与发光层33之间。第一半导体层31例如为掺杂有Si的n型的GaN层等。
第一引导层32设置于第一半导体层31上。第一引导层32具有比第一半导体层31的径大的径。第一引导层32例如具有包含i型的GaN层以及i型的InGaN层的半导体超晶格(Superlattice，SL)结构。构成第一引导层32的GaN层及InGaN层的数量无特别限定。
发光层33设置于第一引导层32上。发光层33设置于第一半导体层31与第二半导体层35之间。发光层33例如具有比第一半导体层31大的径。发光层33通过注入电流而产生光。发光层33例如具有包含i型的GaN层以及i型的InGaN层的量子阱(多量子阱(MultipleQuantum Well，MQW))结构。构成发光层33的GaN层及InGaN层的数量无特别限定。
第二引导层34设置于发光层33上。第二引导层34例如具有包含i型的GaN层以及i型的InGaN层的半导体超晶格(SL)结构。构成第二引导层34的GaN层及InGaN层的数量无特别限定。第一引导层32及第二引导层34为增大发光层33与沿面内方向传播的光的重叠的层。由此，可增大光限制系数。
第二半导体层35设置于第二引导层34上。第二半导体层35例如具有比发光层33大的径。第二半导体层35为导电型与第一半导体层31不同的层。第二半导体层35例如为掺杂有Mg的p型的GaN层等。第一半导体层31及第二半导体层35为具有将光限制于发光层33的功能的包覆层。
在发光装置100中，由p型的第二半导体层35、未掺杂有杂质的i型的发光层33及引导层32、引导层34、以及n型的第一半导体层31构成pin二极管。在发光装置100中，若在第一电极50与第二电极52之间施加pin二极管的正向偏置电压，则向发光层33注入电流而在发光层33中发生电子与空穴的再结合。通过所述再结合产生发光。发光层33中产生的光沿面内方向传播，通过基于多个柱状部30的光子晶体的效应形成驻波，通过发光层33接收增益进行激光振荡。然后，发光装置100将+1级衍射光及-1级衍射光作为激光向层叠方向射出。
此外，虽未图示，但也可在基板10与缓冲层22之间或基板10下设置有反射层。所述反射层例如为分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，DBR)层。通过所述反射层可使在发光层33中产生的光反射，从而发光装置100可仅射出来自第二电极52侧的光。
柱状部30构成柱状部集合体40。如图2所示，层叠体20具有多个柱状部集合体40。在图示的例子中，多个柱状部集合体40呈三角格子状排列。从层叠方向观察时，相邻的柱状部集合体40的中心间的距离例如为50nm以上且350nm以下。此处，图3是示意性地表示柱状部集合体40的平面图，且图示了发光层33以及第二半导体层35。
如图2及图3所示，柱状部集合体40包含p个柱状部30。“p”为2以上的整数，例如为3以上且15以下的整数，优选为3以上且7以下的整数。在图示的例子中，“p”为4，柱状部集合体40包含四个柱状部30。柱状部集合体40是可使红色区域的光振荡的柱状部30的集合体。从层叠方向观察时，在柱状部集合体40中，相邻的柱状部30的中心间的距离例如为50nm以上且150nm以下。
在柱状部集合体40中，如图3所示，从层叠方向观察时，例如包含p个柱状部30各自的中心C的图形F为旋转对称。即，在将n设为2以上的整数的情况下，图形F为n次对称。在图示的例子中，图形F为4次对称。如此，例如包含三个以上的中心C的图形F为旋转对称，因此在图形F并非旋转对称的情况下，例如与三个以上的柱状部呈一直线排列的情况相比，在面内方向上更各向同性地限制在多个方向上共振的光。因此，容易构成可使红色区域的光振荡的柱状部集合体40。在图示的例子中，柱状部30的中心C配置于未图示的平行四边形的各顶点上。在本实施方式中，所谓图形F为旋转对称，是指绕图形F的中心Cf旋转对称。图形F的中心Cf是在内部包含图形F的最小包含圆的中心。
在柱状部集合体40中，从层叠方向观察时，p个柱状部30中的q个第一柱状部30a的发光层33的最大宽度相对于最小宽度的比(以下，也称为“宽度比”)大于p个柱状部30中的r个第二柱状部30b的发光层33的宽度比。“q”为1以上且小于p的整数，在图示的例子中为1。“r”为满足r＝p-q的整数，在图示的例子中为3。
此处，发光层33的最大宽度是穿过发光层33的中心的最大宽度。发光层33的最小宽度是穿过发光层33的中心的最小宽度。在图3所示的例子中，发光层33具有最大宽度W1max以及最小宽度W1min，最大宽度W1max的方向与最小宽度W1min的方向相互正交。第一柱状部30a的发光层33的最大宽度W1max大于第二柱状部30b的发光层33的最大宽度W1max。第一柱状部30a的发光层33的最小宽度W1min小于第二柱状部30b的发光层33的最小宽度1Wmin。
在柱状部集合体40中，第一柱状部30a的发光层33的宽度比大于第二柱状部30b的发光层33的宽度比，因此从层叠方向观察时，构成柱状部集合体40的p个柱状部30的发光层33的形状并非旋转对称。即，在将m设为2以上的整数的情况下，柱状部集合体40的发光层33的形状并非m次对称。
在柱状部集合体40中，从层叠方向观察时，第一柱状部30a的发光层33的面积例如与第二柱状部30b的发光层33的面积相等。在图示的例子中，第一柱状部30a的第二半导体层35的面积小于第二柱状部30b的第二半导体层35的面积。此外，虽未图示，但柱状部30也可具有在第一半导体层31的侧方也配置发光层33及第二半导体层35的核壳结构，在此情况下，第一柱状部30a的发光层33的上表面和侧面的面积的合计也可与第二柱状部30b的发光层33的上表面和侧面的面积的合计相等。
在柱状部集合体40中，第一柱状部30a的发光层33的宽度比大于第一柱状部30a的第二半导体层35的宽度比、及第二柱状部30b的第二半导体层35的宽度比。在图示的例子中，第二柱状部30b的发光层33的宽度比与第二柱状部30b的第二半导体层35的宽度比相等。第二半导体层35的最大宽度是穿过第二半导体层35的中心的最大宽度。第二半导体层35的最小宽度是穿过第二半导体层35的中心的最小宽度。在图3所示的例子中，第二半导体层35具有最大宽度W2max以及最小宽度W2min，最大宽度W2max的方向与最小宽度W2min的方向相互正交。
在柱状部集合体40中，从层叠方向观察时，第一柱状部30a的第二半导体层35的宽度比与第二柱状部30b的第二半导体层35的宽度比之差例如小于第一柱状部30a的发光层33的宽度比与第二柱状部30b的发光层33的宽度比之差。从层叠方向观察时，第一柱状部30a的发光层33的宽度比与第一柱状部30a的第二半导体层35的宽度比之差大于第二柱状部30b的发光层33的宽度比与第二柱状部30b的第二半导体层35的宽度比之差。
在柱状部集合体40中，第一柱状部30a的第二半导体层35的载流子浓度例如大于第二柱状部30b的第二半导体层35的载流子浓度。第二半导体层35的载流子浓度例如可通过利用原子探针分析法测定杂质浓度来估算。
第一电极50设置于缓冲层22上。缓冲层22可与第一电极50欧姆接触。第一电极50与第一半导体层31电连接。在图示的例子中，第一电极50经由缓冲层22与第一半导体层31电连接。第一电极50为用于向发光层33注入电流的其中一个电极。作为第一电极50，例如使用从缓冲层22侧起按照Cr层、Ni层、Au层的顺序层叠的电极等。
第二电极52设置于第二半导体层35上。第二电极52与第二半导体层35电连接。第二半导体层35可与第二电极52欧姆接触。第二电极52为用于向发光层33注入电流的另一个电极。作为第二电极52，例如使用氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)等。
此外，虽在上文中对InGaN系的发光层33进行了说明，但作为发光层33，可使用通过根据所射出的光的波长注入电流而能够发光的各种材料系。例如，可使用AlGaN系、AlGaAs系、InGaAs系、InGaAsP系、InP系、GaP系、AlGaP系等半导体材料。
发光装置100例如可发挥以下的作用效果。
在发光装置100中，具有层叠体20，所述层叠体20具有多个包含p个柱状部30的柱状部集合体40，p个柱状部30分别具有发光层33。而且，从层叠方向观察时，p个柱状部30中的q个第一柱状部30a的发光层33的宽度比大于p个柱状部30中的r个第二柱状部30b的发光层33的宽度比，p个柱状部30的发光层33的形状并非旋转对称。因此，从发光装置100射出的光为直线偏光。因此，发光装置100例如适宜地用作使用液晶光阀的投影仪的光源。另外，发光装置100例如可射出单峰性的光。
此处，图4是用于说明构成柱状部集合体的p个柱状部的发光层的形状为旋转对称时的偏光的图。图5是用于说明图4所示的V-V线的光的强度的图表。图6是用于说明发光装置100的偏光的图。在p个柱状部的发光层的形状为旋转对称的情况下，例如，如图4所示，所射出的光L的各位置处的电场E的振动方向不一致，如图4及图5所示，电场E在中央部相互抵消。因此，所射出的光L的形状、即光束的形状为环状。另一方面，在发光装置100中，p个柱状部30的发光层33的形状并非旋转对称，因此如图6所示，电场E的振动方向全部一致，从发光装置100射出的光为直线偏光。在图6所示的例子中，所射出的光L的形状为圆。即，所射出的光L呈单峰性。
在发光装置100中，从层叠方向观察时，第一柱状部30a的发光层33的面积与第二柱状部30b的发光层33的面积相等。因此，在发光装置100中，与第一柱状部的发光层的面积和第二柱状部的发光层的面积不同的情况相比，可使第一柱状部30a的发光层33的发光特性接近第二柱状部30b的发光层33的发光特性。
在发光装置100中，p个柱状部30分别具有n型的第一半导体层31以及p型的第二半导体层35，发光层33设置于第一半导体层31与第二半导体层35之间。而且，从层叠方向观察时，第一柱状部30a的第二半导体层35的宽度比与第二柱状部30b的第二半导体层35的宽度比之差(以下，也称为“第一差”)小于第一柱状部30a的发光层33的宽度比与第二柱状部30b的发光层33的宽度比之差(以下，也称为“第二差”)。因此，在发光装置100中，与第一差大于第二差的情况相比，可使第一柱状部30a的第二半导体层35的平面形状接近第二柱状部30b的第二半导体层35的平面形状，可使第一柱状部30a的第二半导体层35的比表面积接近第二柱状部30b的第二半导体层35的比表面积。由此，可减小第一柱状部30a与第二柱状部30b的电流-电压(I-V)特性的差。在第二半导体层35的表面附近，存在电流不流动的耗尽区域。因此，通过使第一柱状部30a的第二半导体层35的比表面积接近第二柱状部30b的第二半导体层35的比表面积，可减小第一柱状部30a与第二柱状部30b的I-V特性的差。尤其是p型的第二半导体层35与n型的第一半导体层31相比电阻高，因此与第一半导体层31相比，对第二半导体层35的控制更容易影响I-V特性。
例如，若根据I-V特性，注入至各柱状部的载流子量产生偏差，则在载流子注入量少的柱状部中，增益相对地减少，在极端的情况下成为吸收光的光学损失的原因。另外，在载流子注入量多的柱状部中，由于过剩地注入载流子，会产生微分增益的减少和量子效率的降低。通过以上内容，若各柱状部的I-V特性不同，则发光效率降低。在发光装置100中，可避免这种问题，可实现具有直线偏光的高效率的激光器。
在发光装置100中，第一柱状部30a的第二半导体层35的载流子浓度大于第二柱状部30b的第二半导体层35的载流子浓度。因此，在发光装置100中，例如，通过第一柱状部30a的发光层33的宽度比大于第二柱状部30b的发光层33的宽度比，即便第一柱状部30a的第二半导体层35的面积小于第二柱状部30b的第二半导体层35的面积，也可使第一柱状部30a的第二半导体层35的电阻接近第二柱状部30b的第二半导体层35的电阻。
2.发光装置的制造方法
接着，参照附图对本实施方式的发光装置100的制造方法进行说明。图7是示意性地表示本实施方式的发光装置100的制造工序的剖视图。
如图7所示，在基板10上使缓冲层22外延生长。作为外延生长的方法，例如可列举金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)法、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)法等。
接着，在缓冲层22上形成掩模层60。掩模层60例如通过基于电子束蒸镀法或等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法等的成膜、以及基于光刻及蚀刻的图案化来形成。
掩模层60的图案化是以从层叠方向观察时，用于形成第一柱状部30a的开口部62的宽度比大于用于形成第二柱状部30b的开口部64的宽度比的方式进行。由此，可使第一柱状部30a的发光层33的宽度比大于第二柱状部30b的发光层33的宽度比。
进而，掩模层60的图案化例如是以从层叠方向观察时，第一柱状部30a的发光层33的面积与第二柱状部30b的发光层33的面积相等的方式进行。
如图1所示，以掩模层60为掩模，在缓冲层22上使第一半导体层31、第一引导层32、发光层33、第二引导层34及第二半导体层35依次外延生长。作为外延生长的方法，例如可列举MOCVD法、MBE法等。
第二半导体层35的外延生长是在从层叠方向观察时，例如从发光层33的中心各向同性地沿横方向(面内方向)生长的条件下进行。由此，可使第一柱状部30a的第二半导体层35的宽度比与第二柱状部30b的第二半导体层35的宽度比之差小于第一柱状部30a的发光层33的宽度比与第二柱状部30b的发光层33的宽度比之差。作为所述条件，可列举成膜温度、成膜速度、组成、柱状部30的位置的条件。
进而，第二半导体层35的外延生长例如以第一柱状部30a的第二半导体层35的载流子浓度大于第二柱状部30b的第二半导体层35的载流子浓度的方式进行。例如，在半导体层具有c面以及小平面的情况下，c面与小平面相比，掺杂剂的导入量多。因此，例如，在第一柱状部30a的c面的比例大于第二柱状部30b的c面的比例那样的生长条件下，使第一柱状部30a及第二柱状部30b生长。由此，可使第一柱状部30a的第二半导体层35的载流子浓度大于第二柱状部30b的第二半导体层35的载流子浓度。
通过以上的工序，可形成包含多个柱状部30的柱状部集合体40。
接着，在缓冲层22上形成第一电极50，在第二半导体层35上形成第二电极52。第一电极50及第二电极52例如通过真空蒸镀法等形成。此外，第一电极50及第二电极52的形成顺序无特别限定。
通过以上的工序，可制造发光装置100。
3.制造方法的变形例
接着，参照附图说明本实施方式的发光装置100的制造方法的变形例。图8～图11是示意性地表示本实施方式的发光装置100的制造工序的剖视图。
在所述的“2.发光装置的制造方法”中，作为使第一柱状部30a的第二半导体层35的载流子浓度大于第二柱状部30b的第二半导体层35的载流子浓度的例子，对使c面与小平面的比例变化进行了说明。
相对于此，以下，对通过以两个阶段形成柱状部30，使第一柱状部30a的第二半导体层35的载流子浓度大于第二柱状部30b的第二半导体层35的载流子浓度的例子进行说明。此外，以下，关于与“2.发光装置的制造方法”中说明的制造方法同样的部分，省略或简化说明。
与所述“2.发光装置的制造方法”同样地，在形成掩模层60之后，如图8所示，形成第一选择区域生长(Selective Area Growth，SAG)层70以及第二SAG层72。SAG层70、SAG层72例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition)法、溅射法而形成。SAG层70、SAG层72例如为氧化硅层、氮化硅层、氧化钛层、氧化铝层等。第二SAG层72的厚度大于第一SAG层70的厚度。
接着，将第一SAG层70图案化来形成开口部71，将第二SAG层72图案化来形成开口部73。图案化例如是通过光刻及蚀刻来进行。开口部71与开口部64连通。开口部73与开口部62连通。
如图9所示，在为缓冲层22上且在开口部71、开口部73使第一半导体层31、第一引导层32、发光层33及第二引导层34外延生长。在图示的例子中，第一SAG层70的高度与第二引导层34的高度相同。
如图10所示，例如通过湿式蚀刻去除第一SAG层70。在所述湿式蚀刻时，也可在位于开口部73的第二引导层34上形成未图示的被覆层，以免位于开口部73的第二引导层34被蚀刻。所述被覆层是在使第二半导体层35生长时被去除。进而，第二SAG层72也可由未图示的被覆层覆盖，以免第二SAG层72通过湿式蚀刻被去除。另外，也可在第一SAG层70与第二SAG层72中改变材质，以免第二SAG层72通过所述湿式蚀刻被去除。
如图11所示，在第二引导层34上使第二半导体层35外延生长。第二半导体层35的外延生长是在通过用于去除第一SAG层70的湿式蚀刻而未出现晶面的第二引导层34(位于开口部73的第二引导层34)比通过湿式蚀刻而出现晶面的第二引导层34更容易导入掺杂剂的条件下进行。由此，可使第一柱状部30a的第二半导体层35的载流子浓度大于第二柱状部30b的第二半导体层35的载流子浓度。在图示的例子中，第二SAG层72的高度与第二半导体层35的高度相同。
然后，例如通过湿式蚀刻去除第二SAG层72，形成第一电极50及第二电极52。
通过以上的工序，可制造发光装置100。
4.投影仪
接着，参照附图对本实施方式的投影仪进行说明。图12是示意性地表示本实施方式的投影仪900的图。
投影仪900例如包括发光装置100作为光源。
投影仪900具有未图示的框体、以及配备于框体内的分别射出红色光、绿色光、蓝色光的红色光源100R、绿色光源100G、蓝色光源100B。此外，为了方便起见，在图12中，简化了红色光源100R、绿色光源100G、及蓝色光源100B。
投影仪900还包括配备于框体内的第一光学元件902R、第二光学元件902G、第三光学元件902B、第一光调制装置904R、第二光调制装置904G、第三光调制装置904B以及投射装置908。第一光调制装置904R、第二光调制装置904G及第三光调制装置904B例如为透射型的液晶光阀。投射装置908例如为投射透镜。
从红色光源100R射出的光入射至第一光学元件902R。从红色光源100R射出的光由第一光学元件902R聚集。此外，第一光学元件902R也可具有除聚光以外的功能。对于后述的第二光学元件902G及第三光学元件902B也同样如此。
由第一光学元件902R聚集的光入射至第一光调制装置904R。第一光调制装置904R根据图像信息对所入射的光进行调制。然后，投射装置908将由第一光调制装置904R形成的像放大并投射至屏幕910。
从绿色光源100G射出的光入射至第二光学元件902G。从绿色光源100G射出的光由第二光学元件902G聚集。
由第二光学元件902G聚集的光入射至第二光调制装置904G。第二光调制装置904G根据图像信息对所入射的光进行调制。然后，投射装置908将由第二光调制装置904G形成的像放大并投射至屏幕910。
从蓝色光源100B射出的光入射至第三光学元件902B。从蓝色光源100B射出的光由第三光学元件902B聚集。
由第三光学元件902B聚集的光入射至第三光调制装置904B。第三光调制装置904B根据图像信息对所入射的光进行调制。然后，投射装置908将由第三光调制装置904B形成的像放大并投射至屏幕910。
另外，投影仪900可包括将从第一光调制装置904R、第二光调制装置904G及第三光调制装置904B射出的光合成并导向投射装置908的交叉分色棱镜(cross dichroic prism)906。
由第一光调制装置904R、第二光调制装置904G及第三光调制装置904B调制的三种颜色的光入射至交叉分色棱镜906。交叉分色棱镜906为将四个直角棱镜贴合而形成，在其内表面配置有反射红色光的多层介质膜以及反射蓝色光的多层介质膜。由这些多层介质膜合成三种颜色的光，从而形成显示彩色图像的光。然后，经合成的光被投射装置908投射至屏幕910上，而显示出经放大的图像。
此外，红色光源100R、绿色光源100G及蓝色光源100B也可通过根据作为影像的像素的图像信息来控制发光装置100，而不使用第一光调制装置904R、第二光调制装置904G及第三光调制装置904B来直接形成影像。而且，投射装置908也可将由红色光源100R、绿色光源100G及蓝色光源100B形成的影像放大并投射至屏幕910。
另外，在所述的例子中，使用透射型的液晶光阀作为光调制装置，但也可使用液晶以外的光阀，还可使用反射型的光阀。作为此种光阀，例如可列举反射型的液晶光阀或数字微镜器件(Digital Micro Mirror Device)。另外，投射装置的结构根据所使用的光阀的种类而适当变更。
另外，也可将光源适用于具有扫描部件那样的扫描型的图像显示装置的光源装置，所述扫描部件是通过使来自光源的光在屏幕上扫描而在显示面显示出所期望的大小的图像的图像形成装置。
上文所述的实施方式的发光装置也能够用于投影仪以外。在投影仪以外的用途中，例如有室内外的照明、显示器的背光灯、激光打印机、扫描仪、车载用灯、使用光的传感设备、通信设备等的光源。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质上相同的结构，例如功能、方法及结果相同的结构，或者目的及效果相同的结构。另外，本发明包含将在实施方式中说明的结构的非本质部分进行置换后的结构。另外，本发明包含可发挥与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构、或者可实现相同目的的结构。另外，本发明包含在实施方式中说明的结构附加有公知技术而成的结构。
从上文所述的实施方式及变形例中导出以下的内容。
发光装置的一形态具有层叠体，所述层叠体具有多个包含p个柱状部的柱状部集合体，
所述p个柱状部分别具有发光层，
从所述层叠体的层叠方向观察时，所述p个柱状部中的q个第一柱状部的所述发光层的最大宽度相对于最小宽度的比大于所述p个柱状部中的r个第二柱状部的所述发光层的所述比，
所述p个柱状部的所述发光层的形状并非旋转对称，
所述p为2以上的整数，
所述q为1以上且小于p的整数，
所述r为满足r＝p-q的整数。
根据所述发光装置，从发光装置射出的光为直线偏光。因此，例如，适宜地用作使用液晶光阀的投影仪的光源。
在发光装置的一形态中，也可为：
从所述层叠方向观察时，所述第一柱状部的所述发光层的面积与所述第二柱状部的所述发光层的面积相等。
根据所述发光装置，可使第一柱状部的发光层的发光特性接近第二柱状部的发光层的发光特性。
在发光装置的一形态中，也可为：
所述p个柱状部分别具有n型的第一半导体层以及p型的第二半导体层，
所述发光层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，
从所述层叠方向观察时，所述第一柱状部的所述第二半导体层的所述比与所述第二柱状部的所述第二半导体层的所述比之差小于所述第一柱状部的所述发光层的所述比与所述第二柱状部的所述发光层的所述比之差。
根据所述发光装置，可减小第一柱状部与第二柱状部的I-V特性的差。
在发光装置的一形态中，也可为：
所述第一柱状部的所述第二半导体层的载流子浓度大于所述第二柱状部的所述第二半导体层的载流子浓度。
根据所述发光装置，例如，可使第一柱状部的第二半导体层的电阻接近第二柱状部的第二半导体层的电阻。
投影仪的一形态包括所述发光装置的一形态。

Claims (5)

1.一种发光装置，具有层叠体，所述层叠体具有多个包含p个柱状部的柱状部集合体，
所述p个柱状部分别具有发光层，
从所述层叠体的层叠方向观察时，所述p个柱状部中的q个第一柱状部的所述发光层的最大宽度相对于最小宽度的比大于所述p个柱状部中的r个第二柱状部的所述发光层的所述比，
所述p个柱状部的所述发光层的形状并非旋转对称，
所述p为2以上的整数，
所述q为1以上且小于p的整数，
所述r为满足r＝p-q的整数。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中
从所述层叠方向观察时，所述第一柱状部的所述发光层的面积与所述第二柱状部的所述发光层的面积相等。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中
所述p个柱状部分别具有n型的第一半导体层以及p型的第二半导体层，
所述发光层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，
从所述层叠方向观察时，所述第一柱状部的所述第二半导体层的所述比与所述第二柱状部的所述第二半导体层的所述比之差小于所述第一柱状部的所述发光层的所述比与所述第二柱状部的所述发光层的所述比之差。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中
所述第一柱状部的所述第二半导体层的载流子浓度大于所述第二柱状部的所述第二半导体层的载流子浓度。
5.一种投影仪，包括根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置。
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