CN114334717B - 通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,包括箱体,所述箱体的底部固定连接有底座,所述箱体的顶部固定连接有退火箱,所述退火箱的一侧固定连接有支架板,且支架板固定安装在箱体的顶部,本发明涉及硅片加工技术领域。该通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,通过设置有退火旋转机构,利用吸力盘和挤压弹簧的弹性对硅片进行固定,并利用驱动电机带动驱动转轴的转动,驱动转轴配合上驱动齿轮和传动齿轮的啮合使得支撑转轴转动,即可实现对硅片进行转动退火,不仅可以实现退火时的均匀,而且避免了产品的堆叠造成不必要的影响,以便于提高硅片的加工后的质量。
Description
技术领域
本发明涉及硅片加工技术领域,具体为通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法。
背景技术
硅片表面的光泽度作为评价硅片表面质量的指标之一,逐渐被各半导体厂重视并加以控制。集成电路用大尺寸硅片的后道器件工艺制程中,不可避免地会使用到通过硅片背面进行工艺温度探测以及控温的制程设备,例如常见的HDPCVD薄膜沉积设备等。在这些设备上加工器件产品时,工艺温度的探测值和最终实际工艺功率/温度的输出会受到硅片背面光泽度的影响,硅片背面光泽度不一致会导致设备的实际制程温度出现偏差,进而导致产品参数的偏差。
现有的硅片背面光泽度在进行高温退火时,还存在以下问题:
1、硅片在进行退火时,往往会存在退火不均匀的情况,且退火时对于硅片的放置多数为叠加状态,容易对最后产品的质量造成较大的影响,同时对于硅片的拿放操作也较为不便;
2、硅片在想要形成质量较好的光泽度时,容易受到腐蚀液浓度,腐蚀时间,退火时间因素的影响,而现有的退火箱无法时间因素的调控。
为此,本发明提供了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,解决了硅片在进行退火时存在退火不均匀,以及产品叠加对产品质量造成影响,同时现有的退火箱无法时间因素的调控的问题。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,包括箱体,所述箱体的底部固定连接有底座,所述箱体的顶部固定连接有退火箱,所述退火箱的一侧固定连接有支架板,且支架板固定安装在箱体的顶部,所述退火箱的内部设置有退火旋转机构,所述退火箱的顶部设置有浓度调节机构,所述浓度调节机构通过控制系统进行操控调节,所述退火旋转机构中包括驱动电机、支撑转轴和相互对称的圆板,两个圆板之间固定连接有承物板,且圆板的一侧通过伸缩组件进行移动,延伸端所述圆板的一侧通过卡接组件与退火箱固定,所述承物板的内部设置有硅片稳固机构,所述驱动电机固定安装在退火箱的表面,所述驱动电机输出轴的一端通过联轴器固定连接有驱动转轴,所述驱动转轴的外表面固定连接有驱动齿轮,所述支撑转轴的外表面固定连接有传动齿轮,所述驱动齿轮和传动齿轮的外表面啮合,所述支撑转轴的外表面通过滑动组件与圆板连接,所述硅片稳固机构中包括第一转动杆、第二转动杆、第一圆弧板和第二圆弧板,所述第一圆弧板和第二圆弧板的外表面均与承物板的表面固定连接,所述第一转动杆和第二转动杆的外表面均固定连接有转动轴承,所述转动轴承的外表面镶嵌在第一圆弧板和第二圆弧板的内部,所述第一转动杆的一端和第二转动杆的两端均固定连接有挤压弹簧,所述挤压弹簧的一端固定连接有吸力盘。
优选的,所述伸缩组件中包括气缸,所述气缸的一侧固定安装在退火箱的表面,所述气缸的一侧滑动连接有活塞杆,且活塞杆的一端贯穿延伸至退火箱的内部,所述活塞杆的一端与圆板的一侧固定连接。
优选的,所述卡接组件中包括密封板,所述密封板的一侧与延伸端圆板的一侧转动连接,所述密封板的表面固定连接有转动把手,所述密封板的外表面固定连接有卡接块,所述退火箱的一侧开设有延伸槽。
优选的,所述密封板的外表面与延伸槽的内表面紧密接触,所述延伸槽的内表面开设有滑动槽,所述延伸槽的内表面且位于滑动槽的一侧开设有卡接槽,所述卡接块的外表面与卡接槽的内表面滑动连接。
优选的,所述滑动组件中包括固定安装在支撑转轴外表面的凸块,所述第一转动杆的内表面开设有凹槽,所述凸块的外表面与凹槽的内表面滑动连接。
优选的,所述浓度调节机构中包括储液箱和扭动杆,所述扭动杆的一端固定连接有挡液板,所述储液箱的底部固定连接有分流板,且分流板的底部与退火箱的顶部固定连通,所述储液箱的底部开设有转动槽,所述转动槽的内表面开设有出液槽。
优选的,所述转动槽的内表面且位于出液槽的一侧固定连接有限位板,所述扭动杆的一端与转动槽的表面转动连接,所述扭动杆的一端贯穿延伸至储液箱的外部,且扭动杆的顶部固定连接有转动盘,所述转动盘和储液箱的相对侧之间固定连接有复位弹簧。
优选的,所述控制系统中包括数据采集模块、数据中央处理器、数据分析模块、调节控制模块、腐蚀液浓度调控模块、退火温度调控模块、数据反馈模块和光泽度数值数据库,所述数据采集模块的输出端与数据中央处理器的输入端连接,所述数据中央处理器的输出端与数据分析模块的的输入端连接,所述数据分析模块的输出端与调节控制模块的输入端连接,所述调节控制模块的输出端与腐蚀液浓度调控模块和退火温度调控模块的输入端连接,所述腐蚀液浓度调控模块和退火温度调控模块的输出端与数据反馈模块的输入端连接,所述数据反馈模块的输出端与数据采集模块的输入端连接,所述光泽度数值数据库的输出端与数据分析模块的输入端连接。
本发明还公开了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制方法,具体包括以下步骤:
S1、硅片放置:首先通过将硅片一一放置在吸力盘之间,通过挤压弹簧的弹性将各个硅片的中心处进行稳固,接着通过启动气缸,利用气缸带动活塞杆的移动,使得整个圆板和承物板的移动至退火箱的内部,直至圆板一侧的第一转动杆内部的凹槽与支撑转轴外表面的凸块进行卡接,启动驱动电机,利用驱动电机带动驱动转轴的转动,驱动转轴配合上驱动齿轮和传动齿轮的啮合使得支撑转轴转动;
S2、光泽控制:此时通过控制系统中的数据采集模块对光泽度进行监测,并通过数据中央处理器将数据传输到数据分析模块进行分析处理,并将分析出的数据差传输到调节控制模块,此时利用腐蚀液浓度调控模块和退火温度调控模块控制腐蚀液的浓度和退火的温度,最后利用数据反馈模块反馈数值,直至光泽度为所需数值时,即可完成操作;
S3、浓度调控:此时腐蚀液浓度调控模块通过驱动转动盘的转动,使得扭动杆带动了挡液板的转动,此时挡液板从出液槽处转动产生间隙,以便于液体流入到分流板对硅片进行应用。
优选的,所述S2中数据分析模块是通过将数据采集模块采集的数据进行分析处理,并通过与光泽度数值数据库进行数据对比,若是X=T,即可将产品拿出进行检测,完成后投入使用,反之,根据计算得出所需调节的数值大小,进行相应的调节,并继续监测,其中X为采集的光泽度数值,T为数据库中所需的光泽度数值。
有益效果
本发明提供了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法。与现有技术相比具备以下有益效果:
(1)、该通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,通过设置有退火旋转机构,利用吸力盘和挤压弹簧的弹性对硅片进行固定,并利用驱动电机带动驱动转轴的转动,驱动转轴配合上驱动齿轮和传动齿轮的啮合使得支撑转轴转动,即可实现对硅片进行转动退火,不仅可以实现退火时的均匀,而且避免了产品的堆叠造成不必要的影响,以便于提高硅片的加工后的质量。
(2)、该通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,通过设置有浓度调节机构,利用驱动转动盘的转动,使得扭动杆带动了挡液板的转动,此时挡液板从出液槽处转动产生间隙,以便于液体流入到分流板对硅片进行应用,以此来控制腐蚀溶液的浓度,使得加工的产品符合所需的数值,提高加工的精度。
(3)、该通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,通过设置有控制系统,通过数据中央处理器将数据传输到数据分析模块进行分析处理,并将分析出的数据差传输到调节控制模块,此时利用腐蚀液浓度调控模块和退火温度调控模块控制腐蚀液的浓度和退火的温度,即可实现自动化的数据测算和具体的操作,以便于提高产品加工后的质量。
附图说明
图1为本发明的外部立体结构图;
图2为本发明退火箱的内部结构立体图;
图3为本发明退火旋转机构的立体结构分解图;
图4为本发明的图3中A处局部结构放大图;
图5为本发明的图3中B处局部结构放大图;
图6为本发明卡接组件的立体结构分解图;
图7为本发明浓度调节机构的立体结构剖视图;
图8为本发明控制系统的原理框图;
图9为本发明控制方法的工艺流程图;
图10为本发明数据对比的逻辑判断图。
图中:1-箱体、2-底座、3-退火箱、4-支架板、5-退火旋转机构、51-驱动电机、52-支撑转轴、53-圆板、54-承物板、55-伸缩组件、55-1-气缸、55-2-活塞杆、56-卡接组件、56-1-密封板、56-2-转动把手、56-3-卡接块、56-4-延伸槽、56-5-滑动槽、56-6-卡接槽、57-硅片稳固机构、57-1-第一转动杆、57-2-第二转动杆、57-3-第一圆弧板、57-4-第二圆弧板、57-5-转动轴承、57-6-挤压弹簧、57-7-吸力盘、58-驱动转轴、59-驱动齿轮、510-传动齿轮、511-滑动组件、511-1-凸块、511-2-凹槽、6-浓度调节机构、61-储液箱、62-扭动杆、63-挡液板、64-分流板、65-转动槽、66-出液槽、67-限位板、68-转动盘、69-复位弹簧、7-控制系统、71-数据采集模块、72-数据中央处理器、73-数据分析模块、74-调节控制模块、75-腐蚀液浓度调控模块、76-退火温度调控模块、77-数据反馈模块、78-光泽度数值数据库。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5,本发明提供技术方案:通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,包括箱体1,箱体1的底部固定连接有底座2,箱体1的顶部固定连接有退火箱3,退火箱3的一侧固定连接有支架板4,且支架板4固定安装在箱体1的顶部,退火箱3的内部设置有退火旋转机构5,退火箱3的顶部设置有浓度调节机构6,浓度调节机构6通过控制系统7进行操控调节,退火旋转机构5中包括驱动电机51、支撑转轴52和相互对称的圆板53,驱动电机51为三项异步电动机,驱动电机51与外部电源电性连接,两个圆板53之间固定连接有承物板54,且圆板53的一侧通过伸缩组件55进行移动,伸缩组件55中包括气缸55-1,气缸55-1与外部电源电性连接,气缸55-1的一侧固定安装在退火箱3的表面,气缸55-1的一侧滑动连接有活塞杆55-2,且活塞杆55-2的一端贯穿延伸至退火箱3的内部,活塞杆55-2的一端与圆板53的一侧固定连接,延伸端圆板53的一侧通过卡接组件56与退火箱3固定,承物板54的内部设置有硅片稳固机构57,驱动电机51固定安装在退火箱3的表面,驱动电机51输出轴的一端通过联轴器固定连接有驱动转轴58,驱动转轴58的外表面固定连接有驱动齿轮59,驱动齿轮59和传动齿轮510之间啮合传动,且传动齿轮510转动时不会与活塞杆55-2发生碰撞,支撑转轴52的外表面固定连接有传动齿轮510,驱动齿轮59和传动齿轮510的外表面啮合,支撑转轴52的外表面通过滑动组件511与圆板53连接,滑动组件511中包括固定安装在支撑转轴52外表面的凸块511-1,凸块511-1与凹槽511-2之间实现滑动卡接,第一转动杆57-1的内表面开设有凹槽511-2,凸块511-1的外表面与凹槽511-2的内表面滑动连接,硅片稳固机构57中包括第一转动杆57-1、第二转动杆57-2、第一转动杆57-1只位于第一圆弧板57-3的内部,且第一圆弧板57-3位于圆板53的邻近处,第一圆弧板57-3和第二圆弧板57-4,第一圆弧板57-3和第二圆弧板57-4的外表面均与承物板54的表面固定连接,第一转动杆57-1和第二转动杆57-2的外表面均固定连接有转动轴承57-5,转动轴承57-5可以保持外部的固定件不转动,内部的第一转动杆57-1和第二转动杆57-2转动,转动轴承57-5的外表面镶嵌在第一圆弧板57-3和第二圆弧板57-4的内部,第一转动杆57-1的一端和第二转动杆57-2的两端均固定连接有挤压弹簧57-6,挤压弹簧57-6的一端固定连接有吸力盘57-7,吸力盘57-7用于对硅片实现稳固,以便于驱动电机51驱动时,所有的硅片能够同步转动,通过设置有退火旋转机构5,利用吸力盘57-7和挤压弹簧57-6的弹性对硅片进行固定,并利用驱动电机51带动驱动转轴58的转动,驱动转轴58配合上驱动齿轮59和传动齿轮510的啮合使得支撑转轴52转动,即可实现对硅片进行转动退火,不仅可以实现退火时的均匀,而且避免了产品的堆叠造成不必要的影响,以便于提高硅片的加工后的质量。
请参阅图6,卡接组件56中包括密封板56-1,密封板56-1与延伸槽56-4紧密接触,密封板56-1的一侧与延伸端圆板53的一侧转动连接,密封板56-1的表面固定连接有转动把手56-2,密封板56-1的外表面固定连接有卡接块56-3,卡接块56-3与卡接槽56-6滑动卡接,退火箱3的一侧开设有延伸槽56-4,密封板56-1的外表面与延伸槽56-4的内表面紧密接触,延伸槽56-4的内表面开设有滑动槽56-5,延伸槽56-4的内表面且位于滑动槽56-5的一侧开设有卡接槽56-6,卡接块56-3的外表面与卡接槽56-6的内表面滑动连接。
请参阅图7,浓度调节机构6中包括储液箱61和扭动杆62,扭动杆62的一端固定连接有挡液板63,挡液板63用于对出液槽66进行密封,储液箱61的底部固定连接有分流板64,分流板64用于将溶液传输到各个硅片处,且分流板64的底部与退火箱3的顶部固定连通,储液箱61的底部开设有转动槽65,转动槽65的内表面开设有出液槽66,转动槽65的内表面且位于出液槽66的一侧固定连接有限位板67,扭动杆62的一端与转动槽65的表面转动连接,扭动杆62的一端贯穿延伸至储液箱61的外部,且扭动杆62的顶部固定连接有转动盘68,转动盘68和储液箱61的相对侧之间固定连接有复位弹簧69,通过设置有浓度调节机构6,利用驱动转动盘68的转动,使得扭动杆62带动了挡液板63的转动,此时挡液板63从出液槽66处转动产生间隙,以便于液体流入到分流板64对硅片进行应用,以此来控制腐蚀溶液的浓度,使得加工的产品符合所需的数值,提高加工的精度。
请参阅图8,控制系统7中包括数据采集模块71、数据中央处理器72、数据分析模块73、调节控制模块74、腐蚀液浓度调控模块75、退火温度调控模块76、数据反馈模块77和光泽度数值数据库78,数据采集模块71的输出端与数据中央处理器72的输入端连接,数据中央处理器72的输出端与数据分析模块73的的输入端连接,数据分析模块73的输出端与调节控制模块74的输入端连接,调节控制模块74的输出端与腐蚀液浓度调控模块75和退火温度调控模块76的输入端连接,腐蚀液浓度调控模块75和退火温度调控模块76的输出端与数据反馈模块77的输入端连接,数据反馈模块77的输出端与数据采集模块71的输入端连接,光泽度数值数据库78的输出端与数据分析模块73的输入端连接,通过设置有控制系统7,通过数据中央处理器72将数据传输到数据分析模块73进行分析处理,并将分析出的数据差传输到调节控制模块74,此时利用腐蚀液浓度调控模块75和退火温度调控模块76控制腐蚀液的浓度和退火的温度,即可实现自动化的数据测算和具体的操作,以便于提高产品加工后的质量。
请参阅图9-10,本发明还公开了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制方法,具体包括以下步骤:
S1、硅片放置:首先通过将硅片一一放置在吸力盘57-7之间,通过挤压弹簧57-6的弹性将各个硅片的中心处进行稳固,接着通过启动气缸55-1,利用气缸55-1带动活塞杆55-2的移动,使得整个圆板53和承物板54的移动至退火箱3的内部,直至圆板53一侧的第一转动杆57-1内部的凹槽511-2与支撑转轴52外表面的凸块511-1进行卡接,启动驱动电机51,利用驱动电机51带动驱动转轴58的转动,驱动转轴58配合上驱动齿轮59和传动齿轮510的啮合使得支撑转轴52转动;
S2、光泽控制:此时通过控制系统7中的数据采集模块71对光泽度进行监测,并通过数据中央处理器72将数据传输到数据分析模块73进行分析处理,并将分析出的数据差传输到调节控制模块74,此时利用腐蚀液浓度调控模块75和退火温度调控模块76控制腐蚀液的浓度和退火的温度,最后利用数据反馈模块77反馈数值,直至光泽度为所需数值时,即可完成操作;
S3、浓度调控:此时腐蚀液浓度调控模块75通过驱动转动盘68的转动,使得扭动杆62带动了挡液板63的转动,此时挡液板63从出液槽66处转动产生间隙,以便于液体流入到分流板64对硅片进行应用。
本发明实施例中,S2中数据分析模块73是通过将数据采集模块71采集的数据进行分析处理,并通过与光泽度数值数据库78进行数据对比,若是X=T,即可将产品拿出进行检测,完成后投入使用,反之,根据计算得出所需调节的数值大小,进行相应的调节,并继续监测,其中X为采集的光泽度数值,T为数据库中所需的光泽度数值。
同时本说明书中未作详细描述的内容均属于本领域技术人员公知的现有技术。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,包括箱体(1),所述箱体(1)的底部固定连接有底座(2),所述箱体(1)的顶部固定连接有退火箱(3),所述退火箱(3)的一侧固定连接有支架板(4),且支架板(4)固定安装在箱体(1)的顶部,其特征在于:所述退火箱(3)的内部设置有退火旋转机构(5),所述退火箱(3)的顶部设置有浓度调节机构(6),所述浓度调节机构(6)通过控制系统(7)进行操控调节;
所述退火旋转机构(5)中包括驱动电机(51)、支撑转轴(52)和相互对称的圆板(53),两个圆板(53)之间固定连接有承物板(54),且圆板(53)的一侧通过伸缩组件(55)进行移动,延伸端所述圆板(53)的一侧通过卡接组件(56)与退火箱(3)固定,所述承物板(54)的内部设置有硅片稳固机构(57),所述驱动电机(51)固定安装在退火箱(3)的表面,所述驱动电机(51)输出轴的一端通过联轴器固定连接有驱动转轴(58),所述驱动转轴(58)的外表面固定连接有驱动齿轮(59),所述支撑转轴(52)的外表面固定连接有传动齿轮(510),所述驱动齿轮(59)和传动齿轮(510)的外表面啮合,所述支撑转轴(52)的外表面通过滑动组件(511)与圆板(53)连接;
所述硅片稳固机构(57)中包括第一转动杆(57-1)、第二转动杆(57-2)、第一圆弧板(57-3)和第二圆弧板(57-4),所述第一圆弧板(57-3)和第二圆弧板(57-4)的外表面均与承物板(54)的表面固定连接,所述第一转动杆(57-1)和第二转动杆(57-2)的外表面均固定连接有转动轴承(57-5),所述转动轴承(57-5)的外表面镶嵌在第一圆弧板(57-3)和第二圆弧板(57-4)的内部,所述第一转动杆(57-1)的一端和第二转动杆(57-2)的两端均固定连接有挤压弹簧(57-6),所述挤压弹簧(57-6)的一端固定连接有吸力盘(57-7);
所述浓度调节机构(6)中包括储液箱(61)和扭动杆(62),所述扭动杆(62)的一端固定连接有挡液板(63),所述储液箱(61)的底部固定连接有分流板(64),且分流板(64)的底部与退火箱(3)的顶部固定连通,所述储液箱(61)的底部开设有转动槽(65),所述转动槽(65)的内表面开设有出液槽(66),所述转动槽(65)的内表面且位于出液槽(66)的一侧固定连接有限位板(67),所述扭动杆(62)的一端与转动槽(65)的表面转动连接,所述扭动杆(62)的一端贯穿延伸至储液箱(61)的外部,且扭动杆(62)的顶部固定连接有转动盘(68),所述转动盘(68)和储液箱(61)的相对侧之间固定连接有复位弹簧(69);
所述控制系统(7)中包括数据采集模块(71)、数据中央处理器(72)、数据分析模块(73)、调节控制模块(74)、腐蚀液浓度调控模块(75)、退火温度调控模块(76)、数据反馈模块(77)和光泽度数值数据库(78),所述数据采集模块(71)的输出端与数据中央处理器(72)的输入端连接,所述数据中央处理器(72)的输出端与数据分析模块(73)的输入端连接,所述数据分析模块(73)的输出端与调节控制模块(74)的输入端连接,所述调节控制模块(74)的输出端与腐蚀液浓度调控模块(75)和退火温度调控模块(76)的输入端连接,所述腐蚀液浓度调控模块(75)和退火温度调控模块(76)的输出端与数据反馈模块(77)的输入端连接,所述数据反馈模块(77)的输出端与数据采集模块(71)的输入端连接,所述光泽度数值数据库(78)的输出端与数据分析模块(73)的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,其特征在于:所述伸缩组件(55)中包括气缸(55-1),所述气缸(55-1)的一侧固定安装在退火箱(3)的表面,所述气缸(55-1)的一侧滑动连接有活塞杆(55-2),且活塞杆(55-2)的一端贯穿延伸至退火箱(3)的内部,所述活塞杆(55-2)的一端与圆板(53)的一侧固定连接。
3.根据权利要求2所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,其特征在于:所述卡接组件(56)中包括密封板(56-1),所述密封板(56-1)的一侧与延伸端圆板(53)的一侧转动连接,所述密封板(56-1)的表面固定连接有转动把手(56-2),所述密封板(56-1)的外表面固定连接有卡接块(56-3),所述退火箱(3)的一侧开设有延伸槽(56-4)。
4.根据权利要求3所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,其特征在于:所述密封板(56-1)的外表面与延伸槽(56-4)的内表面紧密接触,所述延伸槽(56-4)的内表面开设有滑动槽(56-5),所述延伸槽(56-4)的内表面且位于滑动槽(56-5)的一侧开设有卡接槽(56-6),所述卡接块(56-3)的外表面与卡接槽(56-6)的内表面滑动连接。
5.根据权利要求4所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,其特征在于:所述滑动组件(511)中包括固定安装在支撑转轴(52)外表面的凸块(511-1),所述第一转动杆(57-1)的内表面开设有凹槽(511-2),所述凸块(511-1)的外表面与凹槽(511-2)的内表面滑动连接。
6.根据权利要求5所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度控制系统的控制方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
S1、硅片放置:首先通过将硅片一一放置在吸力盘(57-7)之间,通过挤压弹簧(57-6)的弹性将各个硅片的中心处进行稳固,接着通过启动气缸(55-1),利用气缸(55-1)带动活塞杆(55-2)的移动,使得整个圆板(53)和承物板(54)的移动至退火箱(3)的内部,直至圆板(53)一侧的第一转动杆(57-1)内部的凹槽(511-2)与支撑转轴(52)外表面的凸块(511-1)进行卡接,启动驱动电机(51),利用驱动电机(51)带动驱动转轴(58)的转动,驱动转轴(58)配合上驱动齿轮(59)和传动齿轮(510)的啮合使得支撑转轴(52)转动;
S2、光泽控制:此时通过控制系统(7)中的数据采集模块(71)对光泽度进行监测,并通过数据中央处理器(72)将数据传输到数据分析模块(73)进行分析处理,并将分析出的数据差传输到调节控制模块(74),此时利用腐蚀液浓度调控模块(75)和退火温度调控模块(76)控制腐蚀液的浓度和退火的温度,最后利用数据反馈模块(77)反馈数值,直至光泽度为所需数值时,即可完成操作;
S3、浓度调控:此时腐蚀液浓度调控模块(75)通过驱动转动盘(68)的转动,使得扭动杆(62)带动了挡液板(63)的转动,此时挡液板(63)从出液槽(66)处转动产生间隙,以便于液体流入到分流板(64)对硅片进行应用。
7.根据权利要求6所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度控制系统的控制方法,其特征在于:所述S2中数据分析模块(73)是通过将数据采集模块(71)采集的数据进行分析处理,并通过与光泽度数值数据库(78)进行数据对比,若是X=T,即可将产品拿出进行检测,完成后投入使用,反之,根据计算得出所需调节的数值大小,进行相应的调节,并继续监测,其中X为采集的光泽度数值,T为数据库中所需的光泽度数值。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101874297A (zh) * | 2007-11-22 | 2010-10-27 | Ap系统股份有限公司 | 用于快速热处理的基板转动和振动装置 |
CN105655248A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-06-08 | 河南芯睿电子科技有限公司 | 一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法 |
Family Cites Families (11)
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---|---|---|---|---|
JP3664593B2 (ja) * | 1998-11-06 | 2005-06-29 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハおよびその製造方法 |
JP3778412B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2006-05-24 | 信越半導体株式会社 | 検査用ウェーハ、その作成方法、及びそれを用いた検査方法 |
JP3775176B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2006-05-17 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法及び製造装置 |
KR100467909B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2005-02-02 | 모새닷컴(주) | 사파이어 웨이퍼의 화학-기계적 광택공정에서의 표면처리공정방법 |
JP5224656B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 情報処理装置、半導体製造システム、情報処理方法、プログラム、及び記録媒体 |
JP5679940B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-03-04 | 住友重機械工業株式会社 | レーザアニール装置、及びレーザアニール方法 |
CN202595343U (zh) * | 2012-04-01 | 2012-12-12 | 江苏鑫和泰光电科技有限公司 | 蓝宝石衬底退火炉 |
CN108565245B (zh) * | 2018-04-20 | 2020-07-24 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 硅片转移用组合机械手 |
CN209747482U (zh) * | 2019-06-21 | 2019-12-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 硅片吸附装置及激光退火设备 |
CN210826448U (zh) * | 2019-11-20 | 2020-06-23 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种退火设备 |
CN112687526B (zh) * | 2020-12-25 | 2023-07-11 | 广东省科学院半导体研究所 | 氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101874297A (zh) * | 2007-11-22 | 2010-10-27 | Ap系统股份有限公司 | 用于快速热处理的基板转动和振动装置 |
CN105655248A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-06-08 | 河南芯睿电子科技有限公司 | 一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法 |
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