CN103993294B - 一种高温cvd工艺的压差改良方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高温CVD工艺的压差改良方法，包括以下步骤：提供一工艺室与一连通工艺室的传递室；提供至少一待加工的基片，并将基片通过传递室传递至工艺室；在工艺室内对基片实施沉积工艺，向工艺室中通入惰性气体，使得工艺室内的压力大于传递室内的压力，从而保证异物往传递室流动，减少工艺室的中成膜缺陷，改善良率，而且惰性气体流入到传递室中还可有效冷却工艺室内的设备，防止H/W变型；在工艺室内对所述基片实施蚀刻工艺，向传递室中通入惰性气体，使得传递室内的压力大于工艺室内的压力，从而防止蚀刻气体从工艺室泄漏到传递室，损害和腐蚀传递室内部，同时将蚀刻气体牢牢控制在工艺室内，提高气体使用率，提高蚀刻速率。
Description
技术领域
本发明涉及一种CVD工艺，尤其涉及一种高温CVD工艺的压差改良方法。
背景技术
CVD工艺指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入工艺室，在基片衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD工艺通常包括相互连通的传递室(Transfer chamber，简称TC)和工艺室(Processchamber，简称PC)。在工艺室中先后进行沉积工艺和蚀刻工艺，并将蚀刻完成的薄膜通过传递室进行传递输出。
现有CVD沉积工艺(CVD-Process)时没有较好的方法来控制工艺室和传递室之间的压力，使得反应中腔室内的气体流动得不到有效控制，从而导致异物容易掉在工艺室的基片上形成成膜缺陷；现有CVD蚀刻工艺(CVD-ETCHING)时也没有较好的方法来控制工艺室和传递室之间的压力，使得反应中腔室内的气体流动得不到有效控制，导致工艺室中的蚀刻气体会泄漏至传递室，腐蚀密封件和传递室内的机构。因此，我们需要一种高温CVD工艺的压力控制方法，来解决现有相关领域的技术难点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可有利用传输室和工艺室内压力差来控制高温CVD工艺中气体流向问题的高温CVD工艺的压差改良方法。
为实现上述技术效果，本发明公开了一种高温CVD工艺的压差改良方法，包括以下步骤：
提供一工艺室与一连通所述工艺室的传递室；
提供至少一待加工的基片，并将所述基片通过所述传递室传递至所述工艺室；
在工艺室内对所述基片实施沉积工艺，向所述工艺室中通入惰性气体，使得工艺室内的压力大于传递室内的压力；
在所述工艺室内对所述基片实施蚀刻工艺，向传递室中通入惰性气体，使得传递室内的压力大于工艺室内的压力。
本发明进一步的改进在于，在实施所述沉积工艺时，控制所述工艺室与传递室之间的压差在50mtorr以内。
本发明进一步的改进在于，在实施所述蚀刻工艺时，控制所述传递室与所述工艺室之间的压差在50mtorr以内。
本发明进一步的改进在于，所述惰性气体包括He、Ar。
本发明由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果是：
(1)在进行高温CVD沉积工艺时在工艺室(Process chamber，简称PC)中加入He/Ar等惰性非含氧气气体,控制工艺室压力大于传递室压力，使异物往传递室流动，减少工艺室中形成膜中的缺陷，改善产品制成良率，而且He/Ar等惰性非含氧气体流入到传递室(Transfer chamber，简称TC)中还可有效冷却机器(ROBORT)，防止H/W变型。
(2)在进行高温CVD蚀刻工艺时在传递室中加入He/Ar等惰性非含氧气气体,控制传递室压力大于工艺室压力，防止蚀刻气体从工艺室泄漏到传递室，而损坏和腐蚀传递室内部，同时将蚀刻气体牢牢控制在工艺室内，可提高工艺室蚀刻速率，提高产能，降低气体成本。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明公开了一种高温CVD工艺的压差改良方法，具体包括以下实施步骤：
首先，提供一工艺室(Process chamber，简称PC)与一连通该工艺室的传递室(Transfer chamber，简称TC)。
然后，提供至少一待加工的基片，并将基片通过传递室(TC)传递至工艺室(PC)。
在工艺室内对基片实施沉积工艺，向工艺室中通入He/Ar等惰性非含氧气体，使得工艺室内的压力大于传递室内的压力，形成较大的压差，促使气流从压力大的一边向压力小的一边流动，即自工艺室向传递室内流动，从而使制程过程中的异物随气流往传递室流动，避免异物在沉积工艺中落在基片上，影响基片的成膜质量，改善了产品的制成良率。并且通过在工艺室通入HE/AR等惰性非含氧气体还可以有效冷却工艺室内的ROBORT/SLIT-VALVE/GATE-VALVE/SEAL，防止H/W变型。
在工艺室内采用蚀刻气体对基片实施蚀刻工艺，向传递室中通入He/Ar等惰性非含氧气体，使得传递室内的压力大于工艺室内的压力，形成较大的压差，促使气流从压力大的一边向压力小的一边流动，即自传递室向工艺室内流动，防止蚀刻工艺中的蚀刻气体从工艺室内泄漏到传递室，而损坏和腐蚀传递室内部机构，同时还能将蚀刻气体牢牢控制在工艺室内，提高蚀刻气体的利用率，提高蚀刻工艺的蚀刻速率，提升产品性能，降低工艺成本。
进一步的，如果工艺室与传递室之间的压差过大，会造成工艺室与传递室之间的气流流通量过大，产生扬尘，影响产品制成良率，因此，控制工艺室与传递室之间的压差在50mtorr以内，以避免工艺室与传递室之间的气流流通量过大。
本发明的高温CVD工艺的压差改良方法通过合理通入He/Ar等惰性非含氧气体有效控制传递室与工艺室之间的压力差范围在50mtorr以内，解决了生产过程中的气体流动不受控制的问题，提高了生产效率。
以上结合实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种高温CVD工艺的压差改良方法，其特征在于包括以下步骤：
提供一工艺室与一连通所述工艺室的传递室；
提供至少一待加工的基片，并将所述基片通过所述传递室传递至所述工艺室；
在工艺室内对所述基片实施沉积工艺，向所述工艺室中通入惰性气体，使得工艺室内的压力大于传递室内的压力；控制所述工艺室与传递室之间的压差在50mtorr以内；
在所述工艺室内对所述基片实施蚀刻工艺，向传递室中通入惰性气体，使得传递室内的压力大于工艺室内的压力；控制所述传递室与所述工艺室之间的压差在50mtorr以内。
2.如权利要求1所述的一种高温CVD工艺的压差改良方法，其特征在于：所述惰性气体包括He和/或Ar。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410155323.8A CN103993294B (zh) | 2014-04-17 | 2014-04-17 | 一种高温cvd工艺的压差改良方法 |
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|---|---|---|---|
| CN201410155323.8A CN103993294B (zh) | 2014-04-17 | 2014-04-17 | 一种高温cvd工艺的压差改良方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103993294A CN103993294A (zh) | 2014-08-20 |
| CN103993294B true CN103993294B (zh) | 2016-08-24 |
Family
ID=51307616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410155323.8A Active CN103993294B (zh) | 2014-04-17 | 2014-04-17 | 一种高温cvd工艺的压差改良方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103993294B (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186363A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2000232071A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| TW552624B (en) * | 2001-05-04 | 2003-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Ionized PVD with sequential deposition and etching |
| JP2005150124A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2005217013A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| US7841582B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Variable seal pressure slit valve doors for semiconductor manufacturing equipment |
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2014
- 2014-04-17 CN CN201410155323.8A patent/CN103993294B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103993294A (zh) | 2014-08-20 |
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