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CN103998984A - 相移掩模、非对称图案的形成方法、衍射光栅的制造方法及半导体装置的制造方法 - Google Patents

相移掩模、非对称图案的形成方法、衍射光栅的制造方法及半导体装置的制造方法 Download PDF

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CN103998984A
CN103998984A CN201280048495.4A CN201280048495A CN103998984A CN 103998984 A CN103998984 A CN 103998984A CN 201280048495 A CN201280048495 A CN 201280048495A CN 103998984 A CN103998984 A CN 103998984A
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light
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shifting mask
see
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松井繁
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Abstract

提供一种可提高产品的精度以及缩短制作时间的、利用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。在利用了相移掩模(30)(周期性地配置遮光部和透过部(没有相移的第1透过部、有相移的第2透过部))的衍射光栅的制造方法中，使从照明光源(10)射出的光透过相移掩模(30)，使透过该相移掩模(30)而产生的0次光和+1次光在Si晶片(50)的表面产生干涉，使该Si晶片(50)的表面的光致抗蚀剂(60)曝光，在Si晶片(50)上形成具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。

Description

相移掩模、非对称图案的形成方法、衍射光栅的制造方法及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及使用了相移掩模的非对称图案的形成技术，特别是涉及应用于具有闪耀状(锯齿波状)的截面形状的闪耀衍射光栅的制造方法的有效的技术。此外，涉及应用于包括非对称形状的半导体装置的制造方法的有效的技术。
背景技术
作为利用了相移掩模的非对称图案的形成技术，例如可列举专利文献1或非专利文献1记载的技术等。该专利文献1或非专利文献1作为曝光装置的光学补偿技术，记载了如下技术，即，检查图案的非对称衍射光栅具备配置在掩模基板的表面的遮光带、和与该遮光带的一侧相邻地配置的非对称衍射部，并在掩模基板上设置该遮光带和非对称衍射部的重复图案的技术。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2005-37598号公报
非专利文献
非专利文献1：Hiroshi Nomura，“New phase shift gratings for measuringaberrations”，Optical Microlithography XIV， Christopher J.Progler，Editor，Proceedings of SPIE Vol.4346(2001)，pp25-35
发明内容
发明要解决的问题
考虑将使用了如前所述的相移掩模的非对称图案的形成技术例如应用于具有闪耀状(锯齿波状)的截面形状的闪耀衍射光栅的制造方法中的情况。
作为衍射光栅的制造技术，例如可列举(1)基于刻线机的衍射光栅的形成技术、(2)基于全息照相术曝光的衍射光栅的形成技术。
(1)基于刻线机的衍射光栅的形成技术是通过使用了钻石刀具的刻线机所进行的机械式加工来形成闪耀衍射光栅的技术。
(2)基于全息照相术曝光的衍射光栅的形成技术是对全息照相术曝光后的抗蚀剂图案进行斜方蚀刻来形成闪耀衍射光栅的技术。
但是，本申请的发明人研究如前所述的衍射光栅的制造技术之后明白了以下几点。
(1)基于刻线机的衍射光栅的形成技术是机械式加工，因此精度提高有界限。此外，是衍射光栅专用技术，缺乏发展性。此外，制作需花费时间。
(2)基于全息照相术曝光的衍射光栅的形成技术需要进行追加加工，因此制造偏差要因会增加。即，衍射光栅只具有正弦曲线，为了获得良好的衍射光栅，需要进一步进行曝光、加工。此外，需要用于追加加工的制造装置。
此外，前述的专利文献1或非专利文献1的技术作为曝光装置的光学补偿技术而与具有检查图案的非对称衍射光栅的检查用标线(掩模)相关，不同于本发明应用的用于制造衍射光栅等的掩模。另外，专利文献1或非专利文献1的技术中，遮光带(遮光部)较宽，所形成的图案的顶部平坦，无法形成如本发明这样的顶部较尖的图案的衍射光栅。此外，专利文献1或非专利文献1的技术中，非对称衍射部(透过部)的相移量是90°，不同于本发明。
因此，本发明鉴于前述的(1)基于刻线机的衍射光栅的形成技术、(2)基于全息照相术曝光的衍射光栅的形成技术的问题而完成，其代表性的目的是能够提高产品的精度且能够缩短制作时间，能够提供一种利用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。
通过本说明书的记载以及附图，可明白本发明的上述内容及其他目的和新的特征。
用于解决问题的手段
本申请公开的发明中，简单说明代表性的特征概要，如下。
即，代表性的特征概要适用于相移掩模、以及利用了相移掩模的非对称图案的形成方法、利用了相移掩模的衍射光栅的制造方法、半导体装置的制造方法，具有如下的特征。
(1)所述相移掩模的特征在于，具有遮住光的遮光部、和使光透过的透过部，所述透过部由没有相移的第1透过部、和有相移的第2透过部构成，周期性地配置所述遮光部、所述第1透过部、和所述第2透过部的组，在将所述组的周期性的配置的间距设为P，将所述第1透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第2透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第1透过部与所述第2透过部的相位差设为θ的情况下，x／P×360°+θ=180°的关系式成立。
(2)使用了所述相移掩模的非对称图案的形成方法的特征在于，使从光源射出的光透过所述相移掩模，使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在基板的表面产生干涉，使所述基板的表面的感光材料曝光，在所述基板上形成所述非对称图案。
(3)使用了所述相移掩模的衍射光栅的制造方法的特征在于，使从光源射出的光透过所述相移掩模，使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在基板的表面产生干涉，使所述基板的表面的感光材料曝光，在所述基板上形成具有所述闪耀状的截面形状的衍射光栅。
(4)使用了所述相移掩模的半导体装置的制造方法的特征在于，使从光源射出的光透过所述相移掩模，使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在半导体基板的表面产生干涉，使所述半导体基板的表面的感光材料曝光，在所述半导体基板上形成所述非对称的截面形状。
发明效果
在本申请公开的发明中，简单说明通过代表性的特征得到的效果，如下。
即，代表性的效果是，能够提供一种可提高产品的精度且可缩短制作时间的、使用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。
附图说明
图1(a)～(d)是表示实现本发明的一实施方式的衍射光栅的制造方法的曝光装置的一例的示意图。
图2是表示用于图1所示的曝光装置中的相移掩模的相位差与尺寸之间的关系的一例的示意图。
图3(a)～(d)是表示用于图1所示的曝光装置中的相移掩模的一例的示意图。
图4是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的仿真评价中，表示仿真的仿真条件的一例的图。
图5是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的仿真评价中，表示仿真的相移与图案比率之间的关系的一例的图。
图6是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的仿真评价中，表示衍射光栅的深度的曝光量依赖性的一例的图。
图7是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的仿真评价中，表示光强度分布的一例的图。
图8是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的仿真评价中，表示对比度的一例的图。
图9是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的、对衍射光栅的请求规格(spec)的应用评价中，表示衍射光栅的请求规格的一例的图。
图10是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的、对衍射光栅的请求规格的应用评价中，表示间距依赖性的一例的图。
图11是在使用图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的、对衍射光栅的请求规格的应用评价中，表示针对图9所示的衍射光栅的请求规格所需的相移的一例的图。
图12(a)、(b)是表示用于图1所示的曝光装置中的相移掩模的变形例的示意图。
具体实施方式
在以下的实施方式中，为了便于说明，有需要时，分割为多个实施方式或部分来进行说明，除了特别明示的情况外，互相之间并不是没有关系，具有一方是另一方的一部分或全部的变形例、详细说明、补充说明等的关系。此外，在以下的实施方式中，涉及要素的数量等(包括个数、数值、量、范围等)的情况下，没有特别明示的情况、以及除了原理上明确限定特定的数目的情况等外，并不限定其特定的数目，可以是特定的数目以上或以下。
另外，在以下的实施方式中，除了特别明示的情况以及原理上明确了认为是必须的情况等以外，该结构要素(还包括要素步骤等)当然不一定是必须的。同样地，在以下的实施方式中，涉及结构要素等的形状、位置关系等时，除了特别明示的情况以及原理上明确了认为不是那样的情况等以外，包括实质上与其形状等接近或类似的形状等。这对上述数值以及范围也是一样的。
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，在用于说明实施方式的所有图中，对同一部件原则上附加同一符号，省略其反复的说明。
<本发明的实施方式的概要>
本发明的实施方式应用于相移掩模、利用了相移掩模的非对称图案的形成方法、以及利用了相移掩模的衍射光栅的制造方法、半导体装置的制造方法，具有以下的特征(作为一例，附加与()内对应的结构要素、符号等)。
(1)所述相移掩模(30)具有遮住光的遮光部(31)、和使光透过的透过部(32)，所述透过部由没有相移的第1透过部(32a)、和有相移的第2透过部(32b)构成，周期性地配置所述遮光部、所述第1透过部、和所述第2透过部的组，在将所述组的周期性的配置的间距设为P，将所述第1透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第2透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第1透过部与所述第2透过部的相位差设为θ的情况下，x／P×360°+θ=180°的关系式成立。
(2)使用了所述相移掩模(30)的非对称图案的形成方法的特征在于，使从光源射出的光透过所述相移掩模，使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在基板的表面产生干涉，使所述基板的表面的感光材料曝光，在所述基板上形成所述非对称图案。
(3)使用了所述相移掩模(30)的衍射光栅的制造方法的特征在于，使从光源(照明光源10)射出的光透过所述相移掩模，使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在基板(Si晶片50)的表面产生干涉，使所述基板的表面的感光材料(光致抗蚀剂60)曝光，在所述基板上形成具有所述闪耀状的截面形状的衍射光栅。
(4)使用了所述相移掩模(30)的半导体装置的制造方法的特征在于，使从光源射出的光透过所述相移掩模，使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在半导体基板的表面产生干涉，使所述半导体基板的表面的感光材料曝光，在所述半导体基板上形成所述非对称的截面形状。
以下具体说明基于以上说明的本发明的实施方式的概要的各实施方式。以下说明的实施方式是使用了本发明的一例，并不是要通过以下的实施方式限定本发明。以下的实施方式中，主要说明前述的(1)所述相移掩模(30)、(3)使用了所述相移掩模(30)的衍射光栅的制造方法。
[本发明的一实施方式]
利用图1～图12来说明本发明的一实施方式。
<曝光装置>
利用图1，说明实现本实施方式的衍射光栅的制造方法的曝光装置。图1是表示该曝光装置的一例的示意图。在图1中，(a)表示曝光装置的示意图，(b)表示掩模的形状，(c)表示投影透镜的瞳面上的光强度分布，(d)表示Si晶片上的光致抗蚀剂的形状。
如图1(a)所示，本实施方式中的曝光装置由照明光源10、聚光透镜20、相移掩模30、投影透镜40等构成。该曝光装置是应用利用了相移掩模30的三维抗蚀剂图案形成技术来使涂敷到Si晶片50的表面的光致抗蚀剂60曝光的装置。
照明光源10是用于进行曝光的光源。该照明光源10例如利用g线或i线、KrF、ArF等受激准分子激光器等。
聚光透镜20是用于在相移掩模30上聚集从照明光源10照射的光的透镜。
如图1(b)(详细如图2以及图3所图示)所示，相移掩模30具备规定的周期性图案，与衍射光栅的闪耀状的间距对应地配置了图案。该相移掩模30的周期性图案具有遮住光的遮光部31、和使光透过的透过部32。透过部32由没有相移的(0°)第1透过部32a、和有相移的(θ)第2透过部32b构成。该相移掩模30周期性地配置有遮光部31、第1透过部32a、和第2透过部32b的组。
投影透镜40是用于向Si晶片50的光致抗蚀剂60上投影相移掩模30的遮光部31和透过部32的周期性图案的透镜。在该投影透镜40的瞳面41上，成为图1(c)(详细如图3所图示)所示的光强度分布。即，可知通过透过相移掩模30，从而使-1次光消失，产生0次光和+1次光。另外，在后述的衍射光栅的制造方法中，以缩小相移掩模30的图案来投影的缩小投影型的曝光装置为例进行说明。
在如以上那样构成的曝光装置中，通过使用周期性地配置了遮光部31和透过部32(没有相移的第1透过部32a、有相移的第2透过部32b)的相移掩模30，从而使-1次光消失，如图1(d)(详细如图3所图示)所示，能够使光致抗蚀剂60的抗蚀剂图案形成不会超过Si晶片50的闪耀状的截面形状。此外，通过变更透过部32的相位差、和遮光部31、第1透过部32a、第2透过部32b之间的宽度的比率，还能够调整闪耀状的截面形状的深度(角度)。
在本实施方式中，通过以上所述的曝光装置，在使Si晶片50的表面的光致抗蚀剂60曝光时，使从照明光源10射出的光透过相移掩模30，使透过该相移掩模30而产生的0次光和+1次光在Si晶片50的表面产生干涉，使该Si晶片50上的光致抗蚀剂60曝光，在Si晶片50上形成衍射光栅，该衍射光栅形成了具有闪耀状的截面形状的光致抗蚀剂60。
<相移掩模>
利用图2以及图3来说明用于前述的图1所示的曝光装置中的相移掩模。图2是表示该相移掩模的相位差与尺寸之间的关系的一例的示意图。图3是表示该相移掩模的一例(后述的图5的方式4的例)的示意图，(a)表示相移掩模的俯视形状，(b)表示相移掩模的截面形状，(c)表示使用了该相移掩模的投影透镜的瞳面上的光强度分布，(d)表示使用了该相移掩模的Si晶片上的光致抗蚀剂的形状。
如图2所示，将遮光部31、第1透过部32a、和第2透过部32b的组的周期性配置的间距设为P，将第1透过部32a在间距方向上的宽度设为x，将第2透过部32b在间距方向上的宽度设为x，将第1透过部32a与第2透过部32b之间的相位差设为θ时，相移掩模30的相位差与尺寸之间的关系满足x／P×360°+θ=180°的关系式。
例如，若考虑后述的图5的方式4的例，则由于P=600nm、x=250nm、θ=30°，因此250／600×360+30=180，上述的关系式成立。同样，在方式1的例(P=600nm、x=150nm、θ=90°)、方式2的例(P=600nm、x=200nm、θ=60°)、方式3的例(P=600nm、x=225nm、θ=30°)、方式5的例(P=600nm、x=275nm、θ=15°)中，上述的关系式也成立。
如图3(a)所示，相移掩模30的周期性图案在俯视形状下，周期性地配置了遮光部31、与该遮光部31相邻且没有相移的(0°)第1透过部32a、以及与第1透过部32a相邻且有相移的(θ)第2透过部32b的组。在该图3(a)所示的相移掩模30的例中，图示了5组部分，设有5根遮光部31(黑色显示)、5根第1透过部32a(白色显示)、5根第2透过部32b(点显示)。
此外，如图3(b)所示，该相移掩模30的周期性图案在截面形状下形成为第1透过部32a和第2透过部32b一体地具有凹部，相当于该凹部的第2透过部32b的厚度比第1透过部32a的厚度薄。另外，在第1透过部32a的表面作为遮光部31而使金属膜成膜。例如，由第1透过部32a和第2透过部32b构成的透过部32的部分由石英玻璃等构成，遮光部31由Cr等金属膜构成。
利用这种形状的相移掩模30，使从照明光源10射出的光透过该相移掩模30，从而能够使Si晶片50的表面的光致抗蚀剂60曝光。此时，利用了该相移掩模30的投影透镜40的瞳面41上的光强度分布如图3(c)所示那样，能够使-1次光消失，且产生0次光和+1次光。并且，能够使该0次光和+1次光在Si晶片50的表面产生干涉，以使Si晶片50的表面的光致抗蚀剂60曝光，Si晶片50上的光致抗蚀剂60的形状如图3(d)所示那样能够成为不会超过Si晶片50的闪耀状(角度、深度)的截面形状。
<衍射光栅的制造方法>
参照前述的图2以及图3来说明使用前述的图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法。
(1)准备周期性地配置了遮光部31和透过部32(没有相移的第1透过部32a、有相移的第2透过部32b)的相移掩模30。该相移掩模30例如如前述的图2以及图3(a)、(b)所示那样。
(2)由旋涂机向试验曝光用的Si晶片涂敷光致抗蚀剂之后，实施预烤(prebake)。
(3)利用相移掩模30由缩小投影型的曝光装置对上述(2)的Si晶片转印图案。此时，在Si晶片上改变区域的同时将曝光装置的焦距值、曝光量、曝光透镜的数值孔径(numerical aperture)分别改变为多个阶段，从而反复多次拍摄(shot)的转印。
(4)使上述(3)的Si晶片显影之后，若有需要，则实施后烤(postbake)。
(5)测量在上述(4)的Si晶片上形成的三维光致抗蚀剂图案的截面形状，选择该截面形状与想要制作的衍射光栅的截面形状(在本实施方式中例如如图3(d)所示)最符合的拍摄，作为最佳曝光条件，记录该焦距值和曝光量。
(6)若在所有拍摄中都没有找到与想到制作的衍射光栅的截面形状很好地符合的，则变更上述(1)的相移掩模30的遮光部31、第1透过部32a、第2透过部32b之间的宽度的比率、以及第2透过部32b的相位，使用新的相移掩模30，再次重复上述(2)～(5)的顺序。在存在与想要制作的衍射光栅的截面形状很好地符合的拍摄时，为了制作成为产品的衍射光栅，进入下述(7)的顺序。
(7)由旋涂机对衍射光栅制作用的Si晶片50涂敷光致抗蚀剂60之后，实施预烤。
(8)利用相移掩模30，由缩小投影型的曝光装置对上述(7)的Si晶片50进行转印。此时，在该曝光装置中设定由上述(6)记录的最佳曝光条件的焦距值和曝光量。
(9)使上述(8)的Si晶片50显影之后，若有需要，则实施后烤。在该时刻，例如成为如图3(d)所示的在Si晶片50上形成了具有闪耀状的截面形状的光致抗蚀剂60的构造。
(10)在上述(9)的Si晶片50的光致抗蚀剂60上使Al膜成膜或者实施Si蚀刻。
(11)将在上述(10)中形成的衍射光栅切成适当的尺寸。由此，在Si晶片50上形成闪耀状的光致抗蚀剂60，从而完成在光致抗蚀剂60上使Al膜成膜的衍射光栅的产品。
<仿真评价>
利用图4～图8，说明使用前述的图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法的仿真评价。
图4是表示仿真中的仿真条件的一例的图。如图4所示，作为仿真条件参数，具有：
(1)照明条件…波长=365nm、光源=圆形、σ=0.3、NA=0.63；
(2)掩模条件…掩模图案=0.6μm间距、掩模尺寸=第1透过部(0°)：第2透过部(θ(相位))：遮光部(Cr)=方式1=150nm：150nm(90°)：300nm、方式2＝200nm：200nm(60°)：200nm、方式3=225nm：225nm(45°)：150nm、方式4=250nm：250nm(30°)：100nm、方式5=275nm：275nm(15°)：50nm
(3)曝光条件…曝光量=100mJ／cm2～300mJ／cm2、焦距值=0.0μm；
(4)抗蚀剂条件…抗蚀剂厚度=2000nm。
图5是表示基于仿真的相移与图案比率之间的关系的一例的图。图5对应于前述的图4所示的掩模条件的掩模尺寸，设为方式1(θ=90°、比=0.5：0.5：1)、方式2(θ=60°、比=1：1：1)、方式3(θ=45°、比=1.5：1.5：1)、方式4(θ=30°、比=2.5：2.5：1)、方式5(θ=15°、比=5.5：5.5：1)。此外，将曝光条件的曝光量设为50mJ／cm2、100mJ／cm2、200mJ／cm2、300mJ／cm2。
其结果，如图5所示，可知在瞳面41上的光强度分布(图5上利用点密度来区分，越密则光强度越强)中，越接近方式1则1次光越强，越接近方式5则1次光越弱。对应于该瞳面41上的光强度分布，可知在光致抗蚀剂60的抗蚀剂形状中，通过改变相移和图案比率，能够调整深度(闪耀角)。具体而言，可知若将相移改变为90°→60°→45°→30°→15°，则会成为深度较浅的衍射光栅。
其中，可将方式1中300mJ／cm2、方式2中200mJ／cm2和300mJ／cm2、方式3中100mJ／cm2和200mJ／cm2、方式4中100mJ／cm2和200mJ／cm2、方式5中100mJ／cm2和200mJ／cm2利用为具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。从图5也可以知道，方式1的300mJ／cm2下可使深度较深，方式5的100mJ／cm2下可使深度较浅，根据衍射光栅的请求规格，能够改变相移和图案比率来调整深度。
图6是表示衍射光栅的深度的曝光量依赖性的一例的图。在图6中，横轴是曝光量[mJ／cm2]，纵轴是深度[μm]，表示了方式1(90°)、方式2(60°)、方式3(45°)、方式4(30°)、方式5(15°)。根据图6可知，通过改变相移和图案比率，能够调整深度。若将相移从90°改变为15°，则可完成深度较浅的衍射光栅。
图7是表示光强度分布的一例的图。在图7中，横轴表示x位置[μm]，纵轴表示光强度，表示了方式1(90°)、方式2(60°)、方式3(45°)、方式4(30°)、方式5(15°)。根据图7可知，通过改变相移和图案比率，能够调整光强度。
图8是表示对比度的一例的图。在图8中，横轴表示相位，纵轴表示对比度。根据图8可知，通过改变相移和图案比率，能够改变对比度。
根据以上的图5～图8可知，通过改变相移和图案比率能够改变对比度，作为结果，能够得到深度(闪耀角)不同的衍射光栅。
<对衍射光栅的请求规格的应用评价>
利用图9～图11，说明使用前述的图1所示的曝光装置的衍射光栅的制造方法中的、对衍射光栅的请求规格的应用评价。在此所示的衍射光栅的请求规格是一例，本发明并不限于此。
图9是表示衍射光栅的请求规格的一例的图。如图9所示，作为衍射光栅的请求规格，研究槽个数[个／mm]、间距[μm]、角度[度]、深度[μm]。
(1)对于槽个数=33个／mm、间距=30.3μm、角度=26.8度、深度=12.20μm的规格，最大深度需要12μm。
(2)对于槽个数=66.6个／mm、间距=15.02μm、角度=5.7度、深度=1.48μm的规格，最大深度需要1.5μm。
(3)对于槽个数=120个／mm、间距=8.333μm、角度=10.4度、深度=1.48μm的规格，最大深度需要1.5μm。
(4)对于槽个数=300个／mm、间距=3.333μm、角度=4.3、6.5、8.6、26.8度、深度=0.25、0.37、0.49、1.34μm的规格，最大深度需要1.5μm。
(5)对于槽个数=360个／mm、间距=2.778μm、角度=10.4度、深度=0.49μm的规格，最大深度需要0.8μm。
(6)对于槽个数=600个／mm、间距=1.666μm、角度=34.8、3.4、4.3、5.2、8.6、13.0、16.6、17.5度、深度=0.78、0.10、0.12、0.15、0.25、0.37、0.46、0.48μm的规格，最大深度需要0.8μm。
(7)对于槽个数=1200个／mm、间距=0.833μm、角度=6.9、8.6、8.6、10.4、17.5度、深度=0.10、0.12、0.12、0.15、0.24μm的规格，最大深度需要0.24μm。
(8)对于槽个数=1440个／mm、间距=0.694μm、角度=9.5度、深度=0.11μm的规格，最大深度需要0.24μm。
(9)对于槽个数=1800个／mm、间距=0.556μm、角度=10.4度、深度=0.10μm的规格，最大深度需要0.24μm。
(10)对于槽个数=2400个／mm、间距=0.417μm、角度=13.9度、深度=0.10μm的规格，最大深度需要0.24μm。
图10是表示间距依赖性的一例的图。
(1)间距=0.600μm、相位=15度时，在曝光量=100mJ／cm2、焦距值=0.0μm的条件下，深度为0.47μm。
(2)间距=0.900μm、相位=15度时，在曝光量=100mJ／cm2、焦距值=0.0μm的条件下，深度为0.58μm。
(3)间距=1.600μm、相位=15度时，在曝光量=150mJ／cm2、焦距值=0.0μm的条件下，深度为0.8μm。
(4)间距=3.600μm、相位=60度时，在曝光量=200mJ／cm2、焦距值=3.2μm的条件下，深度为1.9μm。
(5)间距=15μm、相位=60度时，在曝光量=500mJ／cm2、焦距值=20μm的条件下，深度为1.9μm。
(6)间距=30μm、相位=60度时，是不能制作的。
如以上所述，在间距依赖性中相位必须要在60度以下。此外，30μm间距是不能制作的。
图11是表示对于图9所示的衍射光栅的请求规格所需的相移的一例的图。
(1)对于槽个数=33个／mm、间距=30.3μm、角度=26.8度、深度=12.20μm的规格，最大深度需要12μm，但是判定出无论哪个方式都不能制作。
(2)对于槽个数=66.6个／mm、间距=15.02μm、角度=5.7度、深度=1.48μm的规格，最大深度需要1.5μm，但是判定出在θ≤60度下析像，深度直到1.5μm是可行的。
(3)对于槽个数=120个／mm、间距=8.333μm、角度=10.4度、深度=1.48μm的规格，最大深度需要1.5μm，但是判定出在θ≤60度下析像，深度直到1.5μm是可行的。
(4)对于槽个数=300个／mm、间距=3.333μm、角度=4.3、6.5、8.6、26.8度、深度=0.25、0.37、0.49、1.34μm的规格，最大深度需要1.5μm，但是判定出在θ≤60度下析像，深度直到1.5μm是可行的。
(5)对于槽个数=360个／mm、间距=2.778μm、角度=10.4度、深度=0.49μm的规格，最大深度需要0.8μm，但是判定出在θ≤15度下析像，深度直到0.8μm是可行的。
(6)对于槽个数=600个／mm、间距=1.666μm、角度=34.8、3.4、4.3、5.2、8.6、13.0、16.6、17.5度、深度=0.78、0.10、0.12、0.15、0.25、0.37、0.46、0.48μm的规格，最大深度需要0.8μm，但是判定出θ≤15度下析像，深度直到0.8μm是可行的。
(7)对于槽个数=1200个／mm、间距=0.833μm、角度=6.9、8.6、8.6、10.4、17.5度、深度=0.10、0.12、0.12、0.15、0.24μm的规格，最大深度需要0.24μm，但是判定出在θ≤15度下析像，深度直到0.8μm是可行的。
(8)对于槽个数=1440个／mm、间距=0.694μm、角度=9.5度、深度=0.11μm的规格，最大深度需要0.24μm，但是判定出在θ≤15度下析像，深度直到0.8μm是可行的。
(9)对于槽个数=1800个／mm、间距=0.556μm、角度=10.4度、深度=0.10μm的规格，最大深度需要0.24μm，但是判定出在θ≤15度下析像，深度直到0.8μm是可行的。
(10)对于槽个数=2400个／mm、间距=0.417μm、角度=13.9度、深度=0.10μm的规格，最大深度需要0.24μm，但是判定出在θ≤15度下析像，深度直到0.8μm是可行的。
如以上所述，在所需的相移中，相位必须要在60度以下。此外，30μm间距是不能制作的。
<相移掩模的变形例>
利用图12，说明图3所示的相移掩模的变形例。图12是表示该相移掩模的变形例的示意图，(a)表示相移掩模的俯视形状，(b)表示相移掩模的截面形状。
图12(a)所示的相移掩模30的周期性图案在俯视形状下，在图3(a)中相反地配置了没有相移的(0°)第1透过部32a、和有相移的(θ)第2透过部32b。即，周期性地配置了遮光部31、与该遮光部31相邻且有相移的(θ)第2透过部32b、和与该第2透过部32b相邻且没有相移的(0°)第1透过部32a的组。
此外，在图12(b)所示的截面形状中，也周期性地配置了遮光部31、第2透过部32b、和第1透过部32a的组，相当于该凹部的第2透过部32b的厚度形成得比第1透过部32a的厚度薄。
在使用这种形状的相移掩模30的情况下，使从照明光源10射出的光透过该相移掩模30，使+1次光消失，并产生0次光和-1次光，使该0次光和-1次光在Si晶片50的表面产生干涉，使Si晶片50的表面的光致抗蚀剂60曝光，从而Si晶片50上的光致抗蚀剂60的形状能够成为不会超过Si晶片50的闪耀状的截面形状。
<实施方式的效果>
根据以上说明的本实施方式，在使用周期性地配置了遮光部31和透过部32(没有相移的第1透过部32a、有相移的第2透过部32b)的相移掩模30的衍射光栅的制造方法中，使从照明光源10射出的光透过相移掩模30，使透过该相移掩模30而产生的0次光和+1次光在Si晶片50的表面产生干涉，使该Si晶片50的表面的光致抗蚀剂60曝光，在Si晶片50上形成具有闪耀状的截面形状的衍射光栅，从而能够获得以下效果。
(1)与刻线机相比，能够缩短制作时间(例如掩模生成：1个月／枚→1日／枚)且能够提高精度。
(2)与全息照相术曝光相比，不需要进行斜方蚀刻等追加加工，因此能够缩短制作时间且能够提高产品的精度。
(3)作为从衍射光栅的产品整体看的效果，通过降低制造偏差，能够提高衍射效率、减少杂散光这样对衍射光栅的性能的提高作贡献。
(4)作为从衍射光栅的产品整体看的效果，能够提供一种可提高产品的精度以及可缩短制作时间的衍射光栅的制造技术。
可获得以上(1)～(4)的效果的理由如下。
(11)光刻技术是为了应对半导体产品的大量生产而高产出的制造方法，因此能够缩短制作时间。
(12)为了应对半导体产品的微细化、高精度化，是利用短波长光源形成图案的技术，相对于利用与要制造的衍射光栅同尺寸的钻石刀具进行机械刻线的刻线机而言，能够提高精度。
(13)本实施方式可通过1次曝光使光学像具有倾斜，因此不需要进行追加加工。因此，相对于需要追加加工的全息照相术曝光而言，能够降低制造偏差且能够提高加工精度。
(14)平版印刷技术是将任意的掩模布局图案转印到涂敷到Si晶片50上的光致抗蚀剂60的技术，能够形成改变了深度(闪耀角)的衍射光栅。
此外，与前述的专利文献1或非专利文献1的技术相比，能够获得如下的效果。
(21)与前述的专利文献1或非专利文献1的技术相比，使x／P×360°+θ=180°的关系式成立，将相移的相位设在60度以下，从而能够形成具有顶部较尖的图案的闪耀状的截面形状的衍射光栅。
(22)变更x／P×360°+θ=180°的关系式的P、x、θ来进行调整，从而能够将衍射光栅的闪耀状的截面形状的深度设为不会超过Si晶片50的表面的深度。其结果，能够防止衍射光栅的图案间的Si晶片50的露出。
以上，基于实施方式具体说明了本申请的发明人完成的发明，但是本发明并不限于所述实施方式，在不超出其宗旨的范围内当然可进行各种变更。
例如，在所述实施方式中，说明了本发明的衍射光栅的制造方法，但是本发明并不限于衍射光栅的制造方法，也能适用于前述的本发明的实施方式的概要所示的(4)使用了所述相移掩模(30)的半导体装置的制造方法中。例如，在MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)的一部分中，作为截面而要求了非对称形状的情况下，应用前述的实施方式，可在半导体基板上形成非对称的截面形状。此外，该非对称的截面形状并不限于感光材料，通过应用公知的半导体的蚀刻方法，能够将感光材料的截面形状转印到半导体基板，在半导体基板中形成非对称的截面形状。
另外，本发明可应用于前述的本发明的实施方式的概要所示的(2)使用了所述相移掩模(30)的非对称图案的形成方法中，作为在基板上形成非对称图案的技术，能够被广泛应用。
工业上的可利用性
利用了本发明的相移掩模的非对称图案的形成技术特别是可利用于具有闪耀状的截面形状的闪耀衍射光栅的制造方法中。此外，还可以利用于包括非对称形状的半导体装置的制造方法中。
符号说明：
10  照明光源
20  聚光透镜
30  相移掩模
31  遮光部
32  透过部
32a  第1透过部
32b  第2透过部
40  投影透镜
41  瞳面
50  Si晶片
60  光致抗蚀剂

Claims (8)

1.一种相移掩模，其特征在于，
具有遮住光的遮光部、和使光透过的透过部，
所述透过部由没有相移的第1透过部、和有相移的第2透过部构成，
周期性地配置所述遮光部、所述第1透过部、和所述第2透过部的组，
在将所述组的周期性的配置的间距设为P，将所述第1透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第2透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第1透过部与所述第2透过部的相位差设为θ的情况下，x／P×360°+θ=180°的关系式成立。
2.根据权利要求1所述的相移掩模，其特征在于，
所述相位差在60°以下。
3.一种使用权利要求1所述的相移掩模的非对称图案的形成方法，该非对称图案的形成方法的特征在于，
使从光源射出的光透过所述相移掩模，
使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在基板的表面产生干涉，使所述基板的表面的感光材料曝光，
在所述基板上形成所述非对称图案。
4.一种衍射光栅的制造方法，使用权利要求1所述的相移掩模来制造具有闪耀状的截面形状的衍射光栅，该衍射光栅的制造方法的特征在于，
使从光源射出的光透过所述相移掩模，
使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在基板的表面产生干涉，使所述基板表面的感光材料曝光，
在所述基板上形成具有所述闪耀状的截面形状的衍射光栅。
5.根据权利要求4所述的衍射光栅的制造方法，其特征在于，
变更所述相移掩模的所述关系式的P、x和θ来调整所述衍射光栅的闪耀状的截面形状的深度。
6.根据权利要求5所述的衍射光栅的制造方法，其特征在于，
将所述衍射光栅的闪耀状的截面形状的深度设为不超过所述基板的表面的深度。
7.一种半导体装置的制造方法，使用权利要求1所述的相移掩模来制造具有非对称的截面形状的半导体装置，该半导体装置的制造方法的特征在于，
使从光源射出的光透过所述相移掩模，
使透过所述相移掩模而生成的0次光和+1次光在半导体基板的表面产生干涉，使所述半导体基板的表面的感光材料曝光，
在所述半导体基板上形成所述非对称的截面形状。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
将所述感光材料的截面形状转印到所述半导体基板，在所述半导体基板上形成非对称的截面形状。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI673563B (zh) * 2015-03-24 2019-10-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、相移光罩、相移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
CN115712164A (zh) * 2023-01-06 2023-02-24 山东省科学院激光研究所 一种波长可调的相移光栅制作系统及制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6370755B2 (ja) 2015-09-11 2018-08-08 東芝メモリ株式会社 マスク及びパターン形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020021434A1 (en) * 2000-08-09 2002-02-21 Kabushiki Kasiha Evaluation mask, focus measuring method and aberration measuring method
US20030020901A1 (en) * 2001-07-27 2003-01-30 Gerhard Kunkel Grating patterns and method for determination of azimuthal and radial aberration
US20050112475A1 (en) * 2003-08-27 2005-05-26 Takashi Sato Photomask, method of lithography, and method for manufacturing the photomask
EP1621932A1 (en) * 2004-07-26 2006-02-01 Kabushi Kaisha Toshiba Photo mask and focus measuring method using the mask

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07104590B2 (ja) * 1986-12-06 1995-11-13 株式会社クラレ 透過率変調型フォトマスク、その製法及びそれを用いる回折格子の製法
US4842969A (en) 1986-12-06 1989-06-27 Kuraray Company, Ltd. Transmittance modulation photomask, process for producing the same, and process for producing diffraction gratings using the same
JPS63187202A (ja) * 1987-01-30 1988-08-02 Hitachi Ltd ブレ−ズドホログラフイツク回折格子
JPS6473378A (en) * 1987-09-14 1989-03-17 Fujitsu Ltd Formation of surface relief type hologram
JPH04186829A (ja) * 1990-11-21 1992-07-03 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH05224398A (ja) * 1992-02-12 1993-09-03 Kuraray Co Ltd 透過率変調型フォトマスク、およびそれを用いる光学部品の製造方法
JPH0812287B2 (ja) * 1992-06-29 1996-02-07 株式会社島津製作所 グレーティング作製方法
JP3643486B2 (ja) * 1998-08-04 2005-04-27 株式会社東芝 光機能素子及び光通信システム
JP4015079B2 (ja) 2003-07-18 2007-11-28 株式会社東芝 レチクル、露光装置検査システム、露光装置検査方法及びレチクルの製造方法
JP4349104B2 (ja) 2003-11-27 2009-10-21 株式会社島津製作所 ブレーズド・ホログラフィック・グレーティング、その製造方法、及びレプリカグレーティング
JP2009175587A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Toshiba Corp 露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020021434A1 (en) * 2000-08-09 2002-02-21 Kabushiki Kasiha Evaluation mask, focus measuring method and aberration measuring method
US20030020901A1 (en) * 2001-07-27 2003-01-30 Gerhard Kunkel Grating patterns and method for determination of azimuthal and radial aberration
US20050112475A1 (en) * 2003-08-27 2005-05-26 Takashi Sato Photomask, method of lithography, and method for manufacturing the photomask
EP1621932A1 (en) * 2004-07-26 2006-02-01 Kabushi Kaisha Toshiba Photo mask and focus measuring method using the mask

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI673563B (zh) * 2015-03-24 2019-10-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、相移光罩、相移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
CN115712164A (zh) * 2023-01-06 2023-02-24 山东省科学院激光研究所 一种波长可调的相移光栅制作系统及制作方法

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Publication number Publication date
WO2013051384A1 (ja) 2013-04-11
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EP2765455A1 (en) 2014-08-13
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