CN103843074A - 透明导电性涂布膜、透明导电性墨水、及使用其的触控式面板 - Google Patents

Abstract

一种至少含有金属纳米线的透明导电性涂布膜、透明导电性墨水中，使所述金属纳米线之中，弯折的线的比例为10％以下。而且，在透明导电性涂布膜中，使表面电阻为150Q／□以下，雾度值为1.0％以下。在透明导电性墨水中，使透明导电性墨水中的传导率为1mS／cm以下。

Description

透明导电性涂布膜、透明导电性墨水、及使用其的触控式面板

技术领域

本发明涉及一种透明导电性涂布膜、透明导电性墨水、及使用其的触控式面板，尤其涉及一种至少含有金属纳米线的透明导电性涂布膜、透明导电性墨水。 

背景技术

从前，对使用金属纳米线的透明导电性涂布膜尝试了各种研究。 

已知金属纳米线因其材质为容易弯曲的金属，进而在其形状方面粗细度为几nm～几百nm而细，纵横比(纤维的长度／粗细度)高且应力容易集中，故整体上具有香蕉状的缓和的曲率，进而具有局部的弯折。 

例如，在专利文献1的[0014]中，揭示有除存在分支的纳米线以外，亦存在刚性低、且弯曲或弯折的线。 

另外，金属纳米线因其比表面积高，故容易产生聚集，难以不产生聚集而使其分散。对于球状的纳米粒子，可于分散剂的存在下利用磨机或超音波等进行强力的分散，但对于金属纳米线，若进行施加有强能量的分散，则存在线受到强应力，而导致线弯折的问题。 

因此，在专利文献2中，虽然是针对碳纳米纤维，但揭示有为了防止碳纳米纤维的弯折，而进行加压处理，并于弹性体中进行混炼，藉此可获得分支或弯折少的碳纳米纤维。 

[现有技术文献] 

[专利文献] 

[专利文献1]日本专利特开2009-70660号公报 

[专利文献2]日本专利特开2011-84844号公报 

发明内容

但是，在专利文献2中，虽然针对碳纳米纤维可获得分支或弯折少的碳纳米纤维，但金属纳米线因强度低，故藉由制备金属纳米线分散液时的脱盐、分散处理步骤时的剪切或涂布膜形成后的加压处理而导致线受到应力，藉此会产生许多弯折。如此，刚性低的金属纳米线因其材质与形状的特征而产生弯折或弯曲。可知该弯折的线越多，越难以获得使表面电阻与雾度值并存的透明导电膜。进而，线径越细，该倾向越显著。 

使用金属纳米线的透明导电性涂布膜存在如下的问题：因存在作为不透明的微粒子的金属纳米线，故难以一面维持高导电性，一面提高透过率或降低雾度值。虽然藉由使线径变细而可期待降低雾度值，但伴随线径减小，弯折的线率增加，因此高导电率与低雾度难以并存。 

本发明是针对此种新发现的课题而完成的发明，其目的在于提供一种可维持高导电性，且与从前相比可维持高导电性并提高透过率、降低雾度值的透明导电性涂布膜与透明导电性墨水、及使用这些的触控式面板。 

为了达成上述目的，本发明是一种透明导电性涂布膜，其至少含有金属纳米线：金属纳米线之中，弯折的线的比例为10％以下，表面电阻为150Q／□以下，雾度值为1.0％以下。 

另外，为了达成上述目的，本发明是一种透明导电性墨水，其至少含有金属纳米线，其特徵为金属纳米线中弯折的线的比例为10％以下，且传导率为1mS／cm以下。 

如此，藉由将金属纳米线之中，弯折的线的比例设为10％以下，可维持高导电性，并提高透过率、降低雾度值。 

再者，本发明中所述的“弯折的线”不是指自然弯曲的线，而是指一条线的1个部位或多个部位具有与该线的其他部分不同的曲率而变形的粒子。具体而言，针对上述具有与其他部分不同的曲率而变形的部分假定为外接圆，将该外接圆的半径(曲率半径)小于150nm且弯曲的线定义为弯折的线。在曲率连续地变化且弯折的情况下，将其曲率半径的最小的部分设为曲率半径。 

再者，藉由弯折少的金属纳米线，可获得低电阻且雾度低的透明导电膜的明确的理由并不清楚，但一般认为其原因在于：因金属原子的排 列在弯折部急遽地变化，故声子(phonon)或电子的散射行为大幅变化。在金属纳米线的成长的机制方面，难以认为线成长过程中的线弯折而成长，一般认为弯折的线是藉由在成长的中途、或自形成线后在制作透明导电膜的过程中线受到局部的应力而产生。线的弯折可在线的成长步骤以后的步骤中在任何阶段产生，尤其在线的脱盐、分散步骤中产生的情况多。一般认为其原因在于：在各步骤，特别是脱盐与分散的步骤中，线受到应力。 

在本发明的透明导电性涂布膜中，较佳为弯折的线的比例为2.5％以下。 

在本发明的透明导电性涂布膜中，可提供透过率为92％以上的透明导电性涂布膜。另外，在本发明的透明导电性涂布膜中，可提供雾度值为0.6％以下的透明导电性涂布膜。 

在本发明的透明导电性涂布膜中，较佳为金属纳米线的纵横比以数量平均计为20以上。而且，在本发明的透明导电性涂布膜中，较佳为金属纳米线的长轴径以数量平均计为1μm以上。另外，在本发明的透明导电性涂布膜中，较佳为金属纳米线的短轴径以数量平均计为50nm以下，更佳为30nm以下，进而更佳为20nm以下。 

作为使用细线的目的，可列举实现高透过率与低雾度，但若与通常的粗线同样地处理，则会产生弯折，透过率或雾度会恶化，使用细线的优点丧失。因此，当金属纳米线如上述般为细的金属纳米线时，本发明特别有效。 

当弯折的线的比率为2.5％以下时，可实现利用粗线无法实现的水平的高导电性、高透过率、低雾度，若弯折的线的比率大于2.5％且为10％以下，则与粗线相比，在透过率、雾度方面保持优势，若含有多于10％的弯折线，则变成与无弯折的粗线同等或其以下的特性，因此必须为10％以下的弯折线比率，较佳为2.5％以下。 

在本发明的透明导电性墨水中，较佳为透明导电性墨水中的Br含量相对于墨水中的金属纳米线固体成分含量为5000ppm以下。 

而且，在本发明中，较佳为制备金属纳米线分散液时的精制步骤为超过滤方式，且超过滤中所使用的送液泵为管式泵(tube pump)、莫诺 泵(moyno pump)、隔膜泵(diaphragm pump)、旋转泵(rotary pump)的任一种。 

另外，根据本发明的透明导电性涂布膜、透明导电性墨水，可维持高导电性，并提高透过率、降低雾度值，因此可较佳地用于触控式面板。 

[发明的效果] 

根据本发明的透明导电性涂布膜、透明导电性墨水，可提供一种可维持高导电性，且与从前相比可提高透过率、或降低雾度值的透明导电性涂布膜、透明导电性墨水。 

附图说明

图1是表示“弯折的线”的说明图。 

图2是表示实施例的表图。 

具体实施方式

(导电性墨水、导电膜、及该些的制造方法) 

本发明的透明导电性墨水及透明导电性涂布膜是至少含有金属纳米线的透明导电性墨水及透明导电性涂布膜，且金属纳米线中弯折的线的比例为10％以下。弯折的线的比例较佳为2.5％以下。 

再者，如图1所示，所谓“弯折的线10”，是指线的外接(circumscription)12的曲率半径小的粒子。具体而言，外接的曲率半径R小于150nm的弯曲的线为10％以下般地少。在曲率连续地变化且弯折的情况下，将其曲率半径的最小的部分设为曲率半径。 

弯折的线可藉由在墨水中的穿透式电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)观察、在涂布膜中的扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)观察等通常的方法来测定，但弯折的线在涂布之前的过程中缠绕而容易聚集，且成块而存在的情况多，因此在仅为已分散的区域的TEM照片、及SEM照片中，仅对粒子进行观察无法求出准确的比例。对几张TEM照片、及SEM照片进行观察，即便几乎不存在弯折的粒子，在略微存在的粒子的聚集体中，弯折粒子亦以高比例存在。因此，针对包含已聚集的区域的所有粒子，必须对许 多粒子进行观察。因此，对10000个以上的粒子观察弯折的有无，并计算弯折的粒子／所有粒子的比例，藉此可求出准确的弯折粒子的比例。 

本发明的透明导电性墨水及透明导电性涂布膜是藉由以下所记载的制造方法来制造。 

<<金属纳米线分散液>> 

所述金属纳米线分散液是含有金属纳米线，且含有溶剂、分散剂、进而视需要含有其他成分而成者，亦称为导电性墨水。 

-金属纳米线- 

在本发明中，所谓金属纳米线，是指短轴径(直径)为50nm以下、且平均长轴径(major axis diameter)(长度)为1μm以上的粒子。 

当金属纳米线为细的金属纳米线时，容易产生弯折，本发明特别有效。 

所述金属纳米线的平均短轴径(minor axis diameter)较佳为50nm以下，更佳为30nm以下，进而更佳为20nm以下。再者，藉由将所述短轴径设为5nm以上，可具有对氧化性，故较佳。另外，藉由将所述平均短轴径设为50nm以下，可抑制由金属纳米线所引起的散射，并提高透明性，故较佳。 

所述金属纳米线的平均长轴径较佳为1μm以上，更佳为5μm以上。再者，藉由将金属纳米线的长轴径设为1mm以下，在制造过程中可不易产生聚集物(aggregate)，故较佳。另外，藉由将所述平均长轴径设为1μm以上，线彼此容易形成网络且容易提高导电性，故较佳。 

此处，所述金属纳米线的平均短轴径及平均长轴径例如可藉由使用穿透式电子显微镜(TEM)与光学显微镜，对TEM像或光学显微镜像进行观察而求出，在本发明中，金属纳米线的短轴径及长轴径是利用穿透式电子显微镜(TEM)对300个金属纳米线进行观察，并根据其平均值而求出者。 

在本发明中，短轴径为50nm以下且长轴径为1μm以上的金属纳米线在所有金属粒子中，以金属量计含有50质量％以上，较佳为60质量％以上，更佳为75质量％以上。 

藉由将所述短轴径为50nm以下且长轴径为1μm以上的金属纳米 线的比例(以下，有时亦称为“适当线化率(appropriate wire ratio)”)设为50质量％以上，而提高有助于导电的金属的比例，并可抑制电压集中于特定的金属粒子上，因此容易改善耐久性而较佳。另外，与球形等的电浆子吸收强的金属粒子相比，金属纳米线可较容易提高透明度而较佳。 

此处，关于上述适当线化率，例如在金属纳米线为银纳米线的情况下，对银纳米线水分散液(silver nanowire aqueous dispersion liquid)进行过滤而使银纳米线与其以外的粒子分离，然后使用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)发光分析装置，分别测定残留在滤纸上的银(Ag)量、及透过了滤纸的Ag量，藉此可求出适当线化率。利用透射电子显微镜(TEM)观察残留在滤纸上的金属纳米线，并观察300个金属纳米线的短轴径，且对其分布进行调查，藉此确认其是短轴径为50nm以下且长轴径为1μm以上的金属纳米线。再者，关于滤纸，较佳为对TEM像中短轴径为50nm以下、且长轴径为1μm以上的金属纳米线以外的粒子的最长轴(the longest axis)进行测量，并使用直径为该最长轴的5倍以上且为线长轴的最短长度的1／2以下的滤纸。 

本发明的金属纳米线的短轴径(直径)的变动系数(coefficient of variation)较佳为40％以下，更佳为35％以下，进而更佳为30％以下。 

若上述变动系数超过40％，则电压集中于短轴径短的在线，因此有时耐久性会恶化。 

所述金属纳米线的短轴径的变动系数可藉由如下方式而求出：根据例如透射电子显微镜(TEM)像来测量300个纳米线的短轴径，并对其标准偏差与平均值进行计算(短轴径的变动系数=短轴径的标准偏差／短轴径的平均值)。 

作为本发明的金属纳米线的形状，例如可采用圆柱状、长方体状、剖面变成多边形的柱状等任意的形状，但于需要高透明性的用途中，较佳为圆柱状或剖面的多边形的角变圆的剖面形状。 

所述金属纳米线的剖面形状可藉由如下方式来调查：将金属纳米线水分散液涂布于基材上，并使其干燥，然后利用穿透式电子显微镜(TEM)观察膜的剖面。 

作为所述金属纳米线中的金属，并无特别限制，可为任何金属，除1种金属以外，亦可将2种以上的金属组合使用，亦可用作合金。该些之中，较佳为由金属或金属化合物所形成者，更佳为由金属所形成者。 

作为上述金属，可列举：铜、银、金、铂、钯、镍、锡、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽(tantalum)、钛、铋、锑、铅、或该些的合金等。该些之中，较佳为铜、银、金、铂、钯、镍、锡、钴、铑、铱或该些的合金，更佳为钯、铜、银、金、铂、锡及该些的合金，特佳为银或含有银的合金。 

所述金属纳米线在所述金属纳米线分散液中的含量较佳为0.1质量％～99质量％，更佳为0.3质量％～95质量％。 

<<金属纳米线的制造方法>> 

作为所述金属纳米线的制造方法，并无特别限制，可根据目的而适宜选择，例如可列举：(1)多元醇法(参照美国专利申请公开第2005／0056118号说明书、美国专利申请公开第2007／0074316号说明书)；(2)包括向至少含有卤素化合物、及还原剂的水溶剂中添加金属错合物溶液并进行加热的步骤，且较佳为包括脱盐处理步骤的金属纳米线的制造方法等。该些之中，特佳为所述(2)的金属纳米线的制造方法。 

<<所述(2)的金属纳米线的制造方法>> 

所述(2)的金属纳米线的制造方法包括向至少含有卤素化合物、及还原剂的水溶剂中添加金属错合物溶液并进行加热的步骤，且较佳为包括脱盐处理步骤，进而视需要包括其他步骤。 

-金属错合物- 

作为所述金属错合物，并无特别限制，可根据目的而适宜选择，但特佳为银错合物。作为所述银错合物的配位子，例如可列举：NO^3-、CN^-、SCN^-、SO₃ ^2-、硫脲(thiourea)、氨等。该些可参照“照相过程理论第四版(The Theory of the Photographic Process4th Edition)”麦克米兰出版(Macmillan Publishing)，T.H.James着的记载。该些中，特佳为硝酸银、银氨错合物。 

所述金属错合物的添加较佳为在分散剂与卤素化合物之后添加。因能够以高概率形成线核，故具有提高本发明中的适当的短轴径或长轴径 的金属纳米线的比例的效果。 

作为上述溶剂，较佳为亲水性溶剂，作为该亲水性溶剂，例如可列举：水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等醇类；二恶烷、四氢呋喃等醚类；丙酮等酮类；四氢呋喃、二恶烷等环状醚类等。 

加热温度较佳为150℃以下，更佳为20℃以上、130℃以下，进而更佳为30℃以上、100℃以下，特佳为40℃以上、90℃以下。若有必要，则亦可在粒子形成过程中变更温度，中途的温度变更有时具有如下的效果：核形成的控制效果或核再次生成的抑制效果、藉由选择成长的促进而提升单分散性。 

藉由将上述加热温度设为150℃以下，可使纳米线的剖面的角变圆，容易提高涂布膜评价中的透过率，故较佳。另外，藉由将上述加热温度设为20℃以上，可将线的长度调节成适当的范围且可使分散稳定性变佳，故较佳。 

-还原剂- 

在上述加热时，较佳为添加还原剂来进行。作为该还原剂，并无特别限制，可自通常所使用的还原剂中适宜选择，例如可列举：硼氢化钠、硼氢化钾等硼氢化金属盐；氢化铝锂、氢化铝钾、氢化铝铯、氢化铝铍、氢化铝镁、氢化铝钙等氢化铝盐；亚硫酸钠、肼(hydrazine)化合物、糊精(dextrin)、对苯二酚(hydroquinone)、羟基胺、柠檬酸或其盐、丁二酸(succinic acid)或其盐、抗坏血酸(ascorbic acid)或其盐等；二乙胺基乙醇、乙醇胺、丙醇胺、三乙醇胺、二甲胺基丙醇等烷醇胺；丙胺、丁胺、二丙烯胺、乙二胺、三乙五胺等脂肪族胺；哌啶、吡咯啶、N-甲基吡咯啶、吗啉等杂环式胺；苯胺、N甲基苯胺、甲苯胺、甲氧苯胺、乙氧苯胺等芳香族胺；苄基胺、二甲苯二胺、N-甲基苄基胺等芳烷基胺；甲醇、乙醇、2-丙醇等醇；乙二醇、麸胱甘肽(glutathione)、有机酸类(柠檬酸、苹果酸、酒石酸等)、还原糖类(葡萄糖、半乳糖、甘露糖、果糖、蔗糖、麦芽糖、棉子糖、水苏糖(stachyose)等)、糖醇类(山梨醇(sorbitol)等)等。该些之中，特佳为还原糖类、作为还原糖类的衍生物的糖醇类。再者，根据还原剂种，存在亦作为分散剂发挥功能的情况，可同样较佳地使用。 

上述还原剂的添加时间点可为添加分散剂之前，亦可为添加分散剂之后，可为添加卤素化合物之前，亦可为添加卤素化合物之后。 

-卤素化合物- 

在制造本发明的金属纳米线时，较佳为添加卤素化合物来进行。 

作为所述卤素化合物，只要是含有溴、氯、碘的化合物，则并无特别限制，可根据目的而适宜选择，例如较佳为溴化钠、氯化钠、碘化钠、溴化钾、氯化钾、碘化钾等卤化碱，或可与下述的分散剂并用的物质。卤素化合物的添加时间点可为添加分散剂之前，亦可为添加分散剂之后，可为添加还原剂之前，亦可为添加还原剂之后。 

再者，根据卤素化合物种，可能存在作为分散剂发挥功能者，可同样较佳地使用。 

可使用卤化金属微粒子来代替所述卤素化合物，亦可将卤素化合物与卤化金属微粒子一同使用。 

卤素化合物、或卤化金属微粒子亦存在作为分散剂发挥功能者，可较佳地使用。作为具有分散剂的功能的卤素化合物，例如可列举含有胺基与溴化物离子的溴化十六烷基三甲基铵(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide，HTAB)含有胺基与氯化物离子的氯化十六烷基三甲基铵(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Chloride，HTAC)等。 

-分散剂- 

在制造所述金属纳米线时，较佳为添加分散剂来进行。再者，根据所使用的分散剂的种类，可使所获得的金属纳米线的形状变化。添加所述分散剂的阶段可在制备粒子之前添加，且在分散聚合物的存在下添加，亦可在调整粒子后为了控制分散状态而添加。当将分散剂的添加分成2个阶段以上时，其量必须根据所需的线的长度而变更。可认为其原因在于：线的长度取决于成为核的金属粒子量的控制。 

作为所述分散剂，并无特别限制，可根据目的而适宜选择，例如可列举：四级烷基铵盐(quaternary alkylammonium salts)等离子性界面活性剂；含有胺基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有硫基的化合物、胺基酸或其衍生物、肽(peptide)化合物、多糖类、源自多糖类的天然高分子、合成高分子、或源自该些的凝胶等高分子类等。该些之中，特 佳为四级烷基铵盐，其原因在于：在浸渍时容易清洗。 

作为所述四级烷基铵盐，例如可列举：溴化十六烷基三甲基铵(HTAB)、氯化十六烷基三甲基铵、溴化硬脂基三甲基铵(Stearyl Trimethyl Ammonium Bromide，STAB)、氯化硬脂基三甲基铵、溴化十四烷基三甲基铵、氯化十四烷基三甲基铵、溴化二月桂基二甲基铵、氯化二月桂基二甲基铵等。该些可单独使用1种，亦可并用2种以上。该些的中，特佳为溴化十六烷基三甲基铵(HTAB)。 

作为所述高分子类，例如可列举：作为具有保护胶体性的聚合物的明胶、聚乙烯醇、甲基纤维素、羟基丙基纤维素、聚伸烷基胺、聚丙烯酸的部分烷基酯、聚乙烯吡咯啶酮(Polyvinyl Pyrrolidone，PVP)、聚乙烯吡咯啶酮共聚物等。 

关于可用作所述分散剂的结构，例如可参照“颜料的百科词典”(伊藤征司郎编，朝书院股份有限公司发行，2000年)的记载。 

-分散溶剂- 

作为所述金属纳米线分散液中的分散溶剂，主要使用水，且能够以80体积％以下的比例并用与水混和的有机溶剂。 

作为所述有机溶剂，例如可较佳地使用沸点为50℃～250℃，更佳为55℃～200℃的醇系化合物。藉由并用此种醇系化合物，可使涂布步骤中的涂抹变佳，并减少干燥负荷。 

作为所述醇系化合物，并无特别限制，可根据目的而适宜选择，例如可列举：甲醇、乙醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇200、聚乙二醇300、甘油、丙二醇、二丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，4-丁二醇、1，5-戊二醇、1-乙氧基-2-丙醇、乙醇胺、二乙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、2-二甲胺基异丙醇等。该些可单独使用1种，亦可并用2种以上。 

-脱盐处理- 

所述脱盐处理可在形成金属纳米线后，藉由超过滤、透析(dialysis)、凝胶过滤(gel filtration)、倾析(decantation)、离心分离(centrifugal separation)等方法来进行。 

在该脱盐处理或以下所述的利用分散溶剂的分散处理时，金属线容 易受到应力而容易弯折。 

在金属纳米线的成长的机制方面，难以认为线成长过程中的线弯折而成长，一般认为弯折的线是藉由在成长的中途、或自形成线后在制作透明导电膜的过程中线受到局部的应力而产生。 

线的弯折可在线的成长步骤以后的步骤中在任何阶段产生，尤其在线的脱盐、分散步骤中产生的情况多。一般认为其原因在于：于各步骤，特别是脱盐与分散的步骤中，线受到应力。 

因此，本发明的至少含有金属纳米线的透明导电性墨水、及透明导电性涂布膜的金属纳米线之中，弯折的线的比例为10％以下，较佳为弯折的线的比例为2.5％以下，在要减少弯折的线时，必须在脱盐处理与分散处理中，不使线受到应力。 

所述金属纳米线分散液中的碱金属离子、碱土金属离子、卤化物离子等无机离子是藉由所述脱盐处理、及分散处理来决定，若脱盐不充分，则残存于分散液中的无机离子有时会成为制作导电性构件时的耐久性恶化的主要原因，因此较佳为尽可能不含无机离子。 

所述金属纳米线分散液的导电率是藉由所述脱盐处理、及分散处理来决定，若脱盐不充分，则残存于分散液中的盐有时会成为制作导电性构件时的耐久性恶化的主要原因，因此金属纳米线分散液的导电率较佳为1mS／cm以下，更佳为0.3mS／cm以下。 

所述金属纳米线分散液在20℃下的黏度较佳为0.5mPa·s～100mPa·s，更佳为1mPa·s～50mPa·s。 

-添加剂- 

在所述金属纳米线分散液中，视需要可含有黏合剂，各种添加剂，例如界面活性剂、聚合性化合物、抗氧化剂、抗硫化剂、防腐蚀剂、黏度调整剂、防腐剂等。 

作为所述黏合剂，并无特别限制，可根据目的而适宜选择，例如可列举：溶胶凝胶硬化物、明胶、明胶衍生物、酪蛋白(casein)、寒天、淀粉、聚乙烯醇、聚丙烯酸共聚物、羧甲基纤维素、羟乙基纤维素、聚乙烯吡咯啶酮、葡聚糖等。该些可单独使用1种，亦可并用2种以上。 

所述黏合剂在所述金属纳米线分散液中的含量并无特别限制，可根 据目的而适宜选择，但相对于银1质量份，较佳为0.01质量份～10质量份，更佳为0.1质量份～5质量份。 

作为所述防腐蚀剂，并无特别限制，可根据目的而适宜选择，合适的是唑类。作为所述唑类，例如可列举选自苯并三唑(benzotriazole)、甲苯基三唑、巯基苯并噻唑(mercaptobenzothiazole)、巯基苯并三唑、巯基苯并四唑、(2-苯并噻唑硫基)乙酸、3-(2-苯并噻唑硫基)丙酸、及该些的碱金属盐、铵盐、以及胺盐中的至少1种。藉由含有所述防腐蚀剂，可发挥优异的防锈效果。 

-基材- 

作为涂布所述金属纳米线分散液的基材，并无特别限制，可根据目的而适宜选择，例如可列举白板玻璃、青板玻璃、涂布有二氧化硅的青板玻璃等透明玻璃基板；聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂等合成树脂制片材、膜或基板；铝板、铜板、镍板、不锈钢板等金属基板；此外，可列举陶瓷板、具有光电转换组件的半导体基板等。视需要，可对该些基板进行硅烷偶合剂等的化学品处理、等离子体处理、离子镀、溅镀、气相反应法、真空蒸镀等前处理。 

<<含金属纳米线的膜的制作步骤>> 

含金属纳米线的膜的制作步骤是制作含有金属纳米线及分散剂的含金属纳米线的膜的步骤。 

在此情况下，所述含金属纳米线的膜的制作较佳为将含有金属纳米线及分散剂的金属纳米线分散液涂布于基材上，并使其干燥来进行。 

涂布金属纳米线分散液的方法例如可列举：旋涂法、浇铸法、辊涂法、流涂法、印刷法、浸涂法、流延制膜法、棒涂法、凹版印刷法、模涂法等。 

再者，较佳为制备金属纳米线分散液时的精制步骤为超过滤方式，且超过滤中所使用的送液泵为管式泵、莫诺泵、隔膜泵、旋转泵的任一种。 

超过滤装置至少包括：槽，其储存成为精制的对象的金属纳米线粗分散液；过滤器，其将槽内的金属纳米线粗分散液分离成滤液与浓缩液； 以及泵，其用于输送槽内的金属纳米线粗分散液。另外，为了控制于装置内循环的液体的温度，亦可具备热交换器。进而，为了更准确地掌握过滤条件，亦可在过滤器的上游侧、及过滤器与热交换器之间分别具备压力计。 

作为所述过滤器的材质，对于所使用者并无特别限制，可使用选自纤维素系、聚醚磺酸系、及聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)等中的高分子构件的中空纤维膜，亦可使用多孔质的陶瓷膜。 

所述过滤器的孔径只要可清洗盐，则并无特别限制而可自由地选择，若为亦可去除合成金属纳米线时的低分子分散剂的尺寸，则更佳；若为可去除在混合步骤中添加的高分子分散剂的剩余部分的尺寸，则更佳；若为可去除在金属纳米线合成步骤中产生的线形状以外的副生成粒子(以下表述为干扰粒子)的尺寸，则进而更佳。具体而言，孔径较佳为40埃以上，更佳为100埃以上，进而更佳为500埃以上。另外，若孔径过大，则有时金属纳米线堵塞于孔中而聚集，因此孔径较佳为5μm以下，更佳为1μm以下，进而更佳为0.25μm以下。 

对利用超过滤的精制步骤进行说明。将成为精制对象的金属纳米线粗分散液投入至槽中，然后使送液泵运作而使金属纳米线粗分散液于装置内循环。当金属纳米线粗分散液通过过滤器时，溶剂的一部分作为滤液被排出至过滤器外，因此与通过过滤器前相比，金属纳米线粗分散液得到浓缩并返回至槽中。一面向槽内适宜追加供给未精制的金属纳米线粗分散液，一面重复上述步骤，藉此进行金属纳米线粗分散液的浓缩。 

金属纳米线粗分散液的浓缩结束后，将清洗溶剂投入至槽中，进行经浓缩的金属纳米线粗分散液的清洗。一面适宜供给清洗溶剂，一面反复自过滤器中排出滤液，藉此可于抑制了金属纳米线的浓度的变动的状态下，进行金属纳米线粗分散液的清洗与溶剂的置换。 

在本形态中的精制步骤中，视需要可对过滤器部施加压力来调整过滤速度。将该过滤器的上下的压力的平均定义为过滤压。若过滤压过高，则有时堆积于过滤器中的固体成分受到压缩，即便在后述的逆洗中自过滤器面去除固体成分，亦不会进行再分散，因此过滤压较佳为0.5MPa以下，更佳为0.4MPa以下，进而更佳为0.2MPa以下。另外，若过滤 压过低，则过滤流量变低，步骤时间变长，因此较佳为0.01MPa以上，较佳为0.02MPa以上，进而更佳为0.03MPa以上。 

在本形态中的精制步骤中，为了抑制由固体成分朝过滤器中的堆积所引起的过滤效率的下降，理想的是在实施浓缩及清洗的过程中定期地进行逆洗。所谓逆洗，是指自与滤液接触的过滤器面朝分散液所接触的面推回滤液的操作。为了推回滤液，例如亦可使用空气等气体，在滤液流路上朝与滤液排出方向相反的方向对滤液进行加压。当为了推回滤液而使用气体时，推回滤液的压力的大小是以上述过滤压与用以推回滤液的气体压力的差来定义，将其作为逆洗压。只要可将堆积于过滤器中的固体成分自过滤器面去除，则逆洗压并无特别限制，但若压力过低，则无法去除堆积于过滤器中的固体成分，因此逆洗压较佳为0.1MPa以上，更佳为0.2MPa以上，进而更佳为0.3MPa以上。另外，若压力过高，则有时用于推回滤液的气体混入至分散液内，而扰乱循环流路内的流动，因此逆洗压较佳为10MPa以下，更佳为5MPa以下，进而更佳为3MPa以下。另外，作为实施逆洗的间隔，只要可去除堆积于过滤器面上的固体成分，则并无特别限制，但若间隔过大，则无法自过滤器面去除固体成分，因此较佳为间隔30分钟以下，更佳为间隔15分钟以下，进而更佳为10分钟以下。另外，由于实施逆洗的期间内不实施过滤，因此若逆洗间隔过短，则步骤时间变长，因此较佳为15秒以上，更佳为1分钟以上，进而更佳为3分钟以上。 

在上述精制步骤中，在将金属纳米线粗分散液浓缩后，添加清洗液，藉此可不使金属浓度过度地上升而实施分散液的精制。作为清洗液，只要金属纳米线不聚集，则可无特别限制地使用。尤其，较佳为欲去除的盐、合成金属纳米线时的低分子分散剂、在混合步骤中添加的剩余的高分子分散剂溶解的清洗液。 

以上述方式制作的透明导电性涂布膜的厚度较佳为0.02μm～1μm，更佳为0.03μm～0.3μm。 

本发明的导电膜的表面电阻较佳为150Q／□以下。 

此处，所述表面电阻例如可藉由四端子法来测定。 

本发明的透明导电性涂布膜的透光率较佳为92％以上。本发明的透 明导电性涂布膜的雾度值较佳为1.0％以下，更佳为0.6％以下。 

此处，所述透过率例如可藉由紫外可见分光亮度计(UV2400-PC，岛津制作所制造)来测定，所述雾度值例如可藉由Haze-gard Plus(加特纳(Gardner)公司制造)来测定。 

本发明的透明导电性涂布膜因可大幅度地提升透明性与导电性，故广泛应用于例如触控式面板、显示器用电极、电磁波屏蔽、有机或无机电致发光(Electroluminescence，EL)显示器用电极、电子纸、挠性显示器用电极、积体型太阳电池、显示组件、其他各种装置等。该些之中，较佳为触控式面板、显示组件、积体型太阳电池，特佳为触控式面板。 

(触控式面板) 

当将本发明的透明导电性涂布膜用作触控式面板的透明导电体时，可制作如下的触控式面板：因透过率的提升而使得视认性优异，且因导电性的提升，对于由空手、戴上手套的手、指示器具中的至少一者所进行的文字等的输入或画面操作的应答性优异。 

作为所述触控式面板，可列举广为人知的触控式面板，且针对作为所谓的触控传感器(touch sensor)及触摸板(touch pad)而为人所知者，可应用本发明的透明导电性涂布膜。 

作为所述触控式面板，只要具有所述透明导电性涂布膜，则并无特别限制，可根据目的而适宜选择，例如可列举：表面型电容式触控式面板、投射型电容式触控式面板、电阻膜式触控式面板等。 

[实例] 

((实例1)) 

<<银纳米线分散液1>> 

[添加液B] 

使硝酸银2.6mg溶解于乙二醇100ml中。 

[添加液C] 

使硝酸银17g溶解于乙二醇1000ml中。 

[添加液D] 

使PVP56g溶解于乙二醇1000ml中。 

参考Adv.Mater(先进材料).200214833-837中所描写的方法，并 藉由以下的方法来合成银纳米线分散液1。 

一面对在170℃下进行了加热的乙二醇溶液1000ml进行搅拌，一面以7秒添加全部添加液B。2小时后将搅拌设为100rpm，并历时100分钟同时添加全部添加液C与全部添加液D，从而获得银纳米线分散液1。 

<<银纳米线分散液2>> 

事先制备下述的添加液A、添加液G、及添加液H。 

[添加液A] 

使硝酸银粉末0.90g溶解于纯水150mL中。其后，添加1N的氨水直至变成透明为止。然后，以使总量成为300mL的方式添加纯水。 

[添加液G] 

利用280mL的纯水溶解葡萄糖粉末1.0g来制备添加液G。 

[添加液H] 

利用27.5mL的纯水溶解HTAB(溴化十六烷基三甲基铵)粉末0.5g来制备添加液H。 

继而，以如下方式制备银纳米线水分散液2。 

将纯水410mL加入至三口烧瓶内，在20℃下一面进行搅拌，一面利用漏斗加入添加液H82.5mL、及添加液G206mL(第一阶段)。以流量2.0mL／min、搅拌转速800rpm将添加液A206mL添加至该溶液中(第二阶段)。10分钟后，加入添加液H82.5mL(第三阶段)。其后，以3℃／min将内温升温至85℃为止。其后，使搅拌转速变成1000rpm，并加热5小时。 

<<银纳米线分散液3>> 

使添加的添加液A的硝酸银浓度变成2倍来添加，除此以外，以与银纳米线分散液2相同的方式获得银纳米线分散液3。 

<<银纳米线分散液4>> 

在银纳米线分散液3中，使升温至85℃后的搅拌转速下降至100rpm而非1000rpm，除此以外，以与银纳米线分散液2相同的方式获得银纳米线分散液4。 

<<银纳米线分散液5>> 

在银纳米线分散液2中，将内温85℃、搅拌转速1000rpm下的加热时间自5小时变更为2小时，除此以外，以与银纳米线分散液2相同的方式获得银纳米线分散液5。 

[银纳米线的平均短轴径(平均直径)及平均长轴径] 

使用穿透式电子显微镜(TEM；日本电子股份有限公司制造，JEM-2000FX)，对300个银纳米线进行观察，并求出银纳米线的平均短轴径及平均长轴径。 

<<样品液1的制作>> 

取100ml的银纳米线分散液1，利用日立制造的CR21G离心分离以60000rpm进行30分钟的离心分离，去掉80ml的上清液后，利用STM公司的超音波分散机UH-300进行5分钟超音波分散来进行分散。向其中添加乙醇80ml，将上述离心分离-上清液去除-溶剂添加的操作重复5次后，进行离心分离，并尽可能去除上清液，然后进行超音波分散。向其中添加丙二醇单甲醚100ml而非乙醇，然后进行10分钟超音波分散，从而获得样品液1。 

<<样品液2的制作>> 

将银纳米线分散液1变更为银纳米线分散液2，除此以外，以与样品液1相同的方式制作样品液2。 

<<样品液3的制作>> 

将银纳米线分散液1变更为银纳米线分散液3，除此以外，以与样品液1相同的方式制作样品液3。 

<<样品液4的制作>> 

向100ml的银纳米线分散液3中添加Solsperse2400SC(捷利康(Zeneca)(股份)制造)的1％甲苯液40ml并进行搅拌。进而添加乙醇200ml并继续搅拌10分钟。搅拌后静置16小时，然后仅回收银纳米线已被抽出的甲苯层。进而向该甲苯溶液中添加乙醇100ml，然后以6000rpm进行30分钟的离心分离。尽可能去掉上清液后，添加丙二醇单甲醚乙酸酯100ml并进行10分钟超音波分散，从而获得样品液4。 

<<样品液5的制作>> 

取1000ml的银纳米线分散液2，并添加0.02mol／l的聚乙烯吡咯啶 酮(K-30，和光纯药工业股份有限公司制造)的水溶液500ml，然后一面充分地搅拌一面添加等体积的乙醇。使用过滤孔径为0.2μm的精密过滤膜UNA620(旭化成股份有限公司制造)、作为送液泵的亿威奇(Iwaki)制造的MDGR15型齿轮泵进行超过滤。在来自模块的滤液变成800ml的时间点，连续进行2次向浓缩液中添加乙醇溶液800mL的清洗后，一旦浓缩液变成200ml，便进行4次添加丙二醇单甲醚800mL的清洗。其后，浓缩至100ml为止而获得样品液5。 

<<样品液6的制作>> 

进行2次添加乙醇溶液800ml的清洗后，不进行利用丙二醇单甲醚的清洗，而浓缩至100ml为止，除此以外，以与样品液5相同的方式获得样品液6。 

<<样品液7的制作>> 

将不进行利用乙醇的清洗、利用丙二醇单甲醚的清洗、及浓缩的银纳米线分散液2本身作为样品液7。 

<<样品液8的制作>> 

将超过滤时的送液泵变更为帝国电气制造的加套泵(F60-3211N2BL)，除此以外，以与样品液5相同的方式获得样品液8。 

<<样品液9的制作>> 

将超过滤时的送液泵变更为日机装制造的三连式柱塞泵，除此以外，以与样品液5相同的方式获得样品液9。 

<<样品液10的制作>> 

将超过滤时的送液泵变更为亿威奇制造的WM720型管式泵，除此以外，以与样品液5相同的方式获得样品液10。 

<<样品液11的制作>> 

将添加丙二醇单甲醚800mL的清洗变更为2次而非4次，除此以外，以与样品液10相同的方式获得样品液11。 

<<样品液12的制作>> 

将银纳米线分散液2变更为银纳米线分散液5，除此以外，以与样品液10相同的方式制作样品液12。 

<<样品液13的制作>> 

将银纳米线分散液2变更为银纳米线分散液3，除此以外，以与样品液10相同的方式制作样品液13。 

<<样品液14的制作>> 

将银纳米线分散液2变更为银纳米线分散液4，除此以外，以与样品液10相同的方式制作样品液14。 

<<样品液15的制作>> 

将超过滤时的送液泵变更为兵神装备制造的莫诺泵(NL20)，除此以外，以与样品液13相同的方式获得样品液15。 

<<样品液16的制作>> 

将超过滤时的送液泵变更为拓科明(Tacmina)制造的隔膜泵(TPL1MC-014-6T6-CW-4-S)，除此以外，以与样品液13相同的方式获得样品液16。 

<<样品液17的制作>> 

将超过滤时的送液泵变更为大同金属制造的旋转泵(RPDTR210COMT212243)，除此以外，以与样品液13相同的方式获得样品液17。 

<<样品液18的制作>> 

取1000ml的银纳米线分散液3，并添加0.02mol／l的聚乙烯吡咯啶酮(K-30，和光纯药工业股份有限公司制造)的水溶液500ml，然后一面充分地搅拌一面添加等体积的乙醇。使用过滤孔径为0.2μm的精密过滤膜UNA620(旭化成股份有限公司制造)、作为送液泵的亿威奇制造的WM720型管式泵进行超过滤。在来自模块的滤液变成800ml的时间点，连续进行2次向浓缩液中添加乙醇溶液800mL的清洗后，一旦浓缩液变成200ml，便进行4次添加水／1-丙醇=1／1(质量)溶液800mL的清洗，然后直接浓缩至100ml为止，从而获得样品液18。 

<<透明导电性涂布膜的制作>> 

以表面电阻变成大致相同的方式，调整棒的次序来将上述样品液1～样品液5、样品液8～样品液18棒涂于PET基材上。针对样品液6、样品液7，增加涂布量直至雾度值超过3.0％为止，但无法将表面电阻调整成150Ω／□以下。 

在透明导电性墨水、及涂布膜中，测定弯折的线的比例、导电率、透过率、雾度值。测定方法如下所述。 

<弯折的线的比例> 

关于墨水，利用TEM(日本电子股份有限公司制造，JEM-2000FX)观察滴加至网眼上的墨水，并针对10000条线计算弯折的线的比例。 

关于涂布膜，利用SEM(日立制作所制造，S-5200)观察涂布膜，并针对10000条线计算弯折的线的比例。 

在墨水与涂布膜中，弯折的线的比例大致相同。 

<雾度·透光率的测定> 

使用加特纳公司制造的Haze-gard Plus，针对C光源下的国际照明委员会(Commission Internationale de l′Eclairage，CIE)能见度函数y，以测定角0°对形成后的导电层(或转印至被转印体上的导电层)进行测定。 

<表面电阻的测定> 

使用表面电阻计(三菱化学股份有限公司制造，Loresta-GP MCP-T600)，对形成后的导电层(或转印至被转印体上的导电层)测定表面电阻。 

图案化样品的电阻值因难以对实际的微细图案的导电部进行测定，故先将评价用图案(100mm□)加入至与实际图案相同的样品中，然后测定导电部的电阻。在5个部位实施该测定，并求出平均值。 

<湿热耐久性> 

使图案化导电性构件在85℃／85％RH(相对湿度)的环境下暴露120小时，将暴露前的电阻值设为R0，将暴露后的电阻值设为R，并进行下述的分级。再者，等级的数字越大，表示性能越佳，等级3以上为实用上无问题的水平。 

[评价基准] 

5：R／R0为1.1以下、0.9以上 

4：R／R0为1.2以下、0.8以上 

3：R／R0为1.3以下、0.7以上 

2：R／R0为1.5以下、0.7以上 

1：R／R0为1.5以上、或0.7以下 

将所获得的结果示于图2的表。 

如根据图2的表的结果而可知般，可知在至少含有金属纳米线的透明导电性涂布膜中，藉由所述金属纳米线之中弯折的线的比例为10％以下，可维持高导电性，并提高透过率、降低雾度值。而且，可知藉由金属纳米线之中弯折的线的比例为10％以下、且导电性墨水中的传道度为1mS／cm以下，可获得表面电阻为150Q／□以下，雾度为1.0％以下，透过率为92％以上的透明导电性涂布膜。 

((实例2)) 

<<导电层转印材料>> 

<<缓冲层的制作>> 

将下述组成的缓冲层用涂布液涂布于作为基材的平均厚度为30μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上，并使其干燥，而形成平均厚度为10μm的缓冲层。 

-缓冲层用涂布液的组成- 

·甲基丙烯酸甲酯／丙烯酸2-乙基己酯／甲基丙烯酸苄酯／甲基丙烯酸共聚物(共聚组成比(摩尔比)=55／30／10／5，重量平均分子量=10万，玻璃转移温度(Tg)=70℃)…6.0质量份 

·苯乙烯／丙烯酸共聚物(共聚组成比(摩尔比)=65／35，重量平均分子量=1万，玻璃转移温度(Tg)=100℃)…14.0质量份 

·BPE-500(新中村化学股份有限公司制造)…9.0质量份 

·Megafac F-780-F(大日本油墨化学工业股份有限公司制造)··0.5质量份 

·甲醇…10.0质量份 

·丙二醇单甲醚乙酸酯…5.0质量份 

·甲基乙基酮…55.5质量份 

<<导电层的制作>> 

-黏合剂(A-1)的合成- 

作为构成共聚物的单体成分，使用7.79g的甲基丙烯酸及37.21g的甲基丙烯酸苄酯，作为自由基聚合起始剂，使用0.5g的偶氮双异丁 腈，使该些于55.00g的丙二醇单甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate，PGMEA)中进行聚合反应，藉此获得具有下述结构的黏合剂(A-1)的PGMEA溶液(固体成分浓度：40质量％)。再者，将聚合温度调整成温度为60℃至100℃。 

分子量是使用凝胶渗透层析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)来测定，结果藉由聚苯乙烯换算所得的重量平均分子量(Mw)为30,000，分子量分布(Mw／Mn)为2.21。 

[化1] 

-负型导电层用组成物的制备- 

添加所述黏合剂(A-1)0.241质量份、KAYARAD DPHA(日本化药股份有限公司制造)0.252质量份、IRGACURE379(汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)股份有限公司制造)0.0252质量份、作为交联剂的EHPE-3150(大赛璐(Daicel)化学股份有限公司制造)0.0237质量份、Megafac F781F(DIC股份有限公司制造)0.0003质量份、丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)0.9611质量份、及1-甲氧基-2-丙醇(MFG)44.3质量份、所述银纳米线的丙二醇单甲醚乙酸酯分散液(样品液1～样品液17)，并进行搅拌，从而制成负型导电层用组成物。 

-导电层的形成- 

以表面电阻变成大致相同的方式，将所获得的负型导电层用组成物涂布于形成有所述缓冲层的膜上，并使其干燥，而形成平均厚度为0.1μm的导电层。藉由以上方式，制成导电层转印材料。 

此处，导电层中的金属纳米线以外的成分的含量A与金属纳米线的含量B的质量比(A／B)为0.6。 

<图案化处理> 

将各导电层转印材料的导电层及缓冲层转印至被转印体(厚度为0.7mm的玻璃基板)上后，藉由以下的方法，制成线与空间(以下，称为L／S)=100μm／100μm的条纹状图案。再者，缓冲层藉由喷淋显影来去除。 

[图案化条件] 

自屏蔽上，利用高压水银灯i射线(365nm)以100mJ／cm²(照度为20mW／cm2)进行曝光。利用使碳酸氢钠5g与碳酸钠2.5g溶解于纯水5,000g中而成的显影液，对曝光后的基板进行30秒喷淋显影。喷淋压力为0.04MPa，条纹图案出现之前的时间为15秒。继而，藉由纯水的喷淋来进行淋洗。 

即便于将实例1的样品液加入至所述导电层中的情况下，本发明的弯折少的纳米线亦同样地获得透过率高且雾度低的效果。 

((实例3)) 

<溶胶凝胶基质(sol-gel matrix)导电层材料> 

<<PET基板的制作>> 

对作为基材的平均厚度为125m的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜表面实施1J／m²的电晕(corona)放电处理后，涂布下述组成的黏着用溶液1并使其在120℃下干燥2分钟，而形成厚度为0.11μm的黏着层1。继而，对赋予有所述第一黏着层的PET基板实施1J／m²的电晕放电处理。其后，在该PET基板上涂布下述组成的黏着用溶液2并使其在170℃下干燥1分钟，而形成厚度为0.5μm的黏着层2。继而，在赋予有所述第一黏着层及第二黏着层的PET基板上，涂布下述组成的黏着用溶液3，并使其在120℃下干燥1分钟，而形成平均厚度为1nm的黏着层3。 

以下述的调配来制备黏着用溶液1、黏着用溶液2及黏着用溶液3。 

-黏着用溶液1- 

·Takelac WS-4000                   5.0份 

(涂布用聚胺基甲酸酯，固体成分浓度为30％，三井化学(股份) 制造) 

·界面活性剂            0.3份 

(Naroacty HN-100，三洋化成工业(股份)制造) 

·界面活性剂         0.3份 

(Sundet BL，固体成分浓度为43％，三洋化成工业(股份)制造) 

·水                  94.4份 

-黏着用溶液2- 

·四乙氧基硅烷          5.0份 

(KBE-04，信越化学工业(股份)制造) 

·3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrimethoxy silane)    3.2份 

(KBM-403，信越化学工业(股份)制造) 

·2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷   1.8份 

(KBM-303，信越化学工业(股份)制造) 

·乙酸水溶液(乙酸浓度=0.05％，pH=5.2)  10.0份 

·硬化剂    0.8份 

(硼酸，和光纯药工业(股份)制造) 

·胶体二氧化硅   60.0份 

(Snowtex O，平均粒径为10nm～20nm，固体成分浓度为20％，pH=2.6，日产化学工业(股份)制造) 

·界面活性剂    0.2份 

(Naroacty HN-100，三洋化成工业(股份)制造) 

·界面活性剂    0.2份 

(Sundet BL，固体成分浓度为43％，三洋化成工业(股份)制造) 

所述黏着用溶液2是以如下方式制备。 

一面激烈地搅拌乙酸水溶液，一面历时3分钟将3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷滴加至该乙酸水溶液中。继而，一面激烈地搅拌，一面历时3分钟将2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷滴加至乙酸水溶液中。继而，一面激烈地搅拌，一面历时5分钟将四甲氧基硅烷添加至乙酸水溶液中，其后继续搅拌2小时。继而，依次添加胶体二氧化硅、硬 化剂、及界面活性剂，从而制成黏着用涂布液2。 

-黏着用溶液3- 

·N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷  0.02份 

·蒸馏水  99.8份 

黏着用溶液3是以如下方法制备。向N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷中添加水，并搅拌1小时，从而制成黏着用溶液3。 

<<导电性层的制作>> 

对形成至所述黏着层3为止的基材表面实施1J／m2的电晕放电处理后，将下述组成的导电性层涂布液涂布于上述基板上，并在120℃下使其干燥1分钟，而形成厚度为0.04μm的导电性层，从而获得实例3的导电性构件。 

-导电性层涂布液的制备- 

在60℃下将下述组成的烷氧化物的溶液搅拌1小时并确认其变得均匀。将所获得的溶胶凝胶溶液3.44份与上述实例1中所获得的“样品液18”16.56份混合，进而利用蒸馏水进行稀释而获得导电性层形成用涂布液。 

-烷氧化物的溶液- 

·四乙氧基硅烷(化合物(II))  5.0份 

(KBE-04，信越化学工业(股份)制造) 

·1％乙酸水溶液  10.0份 

·蒸馏水  4.0份 

<图案化> 

针对上述所获得的导电性构件，藉由以下的方法来进行图案化处理。网版印刷使用美浓集团(Mino Group)公司制造的WHT-3型与刮板No.4(黄色)。用以形成图案化的银纳米线的溶解液是将CP-48S-A液、CP-48S-B液(均为富士胶片公司制造)与纯水以变成1∶1∶1的方式混合，并利用羟甲基纤维素来增黏而形成，将该溶解液作为网版印刷用的墨水。所使用的图案网眼使用条纹图案(线／空间=50μm／50μm)。进行上述图案化处理，形成包含导电性区域与非导电性区域的导电性层。 

即便在实例3的导电层中，本发明的弯折少的纳米线亦同样地获得透过率高、雾度低的效果。 

符号的说明： 

10：线 

12：外接 

14：长轴径 

16：短轴径 

R：外接的曲率半径 。

Claims (15)

1.一种透明导电性涂布膜，其至少含有金属纳米线，所述金属纳米线中弯折的线的比例为10％以下，表面电阻为150Q／□以下，雾度值为1.0％以下。

2.根据权利要求1所述的透明导电性涂布膜，其中所述弯折的线的比例为2.5％以下。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性涂布膜，其透过率为92％以上。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的透明导电性涂布膜，其雾度值为0.6％以下。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的透明导电性涂布膜，其中所述金属纳米线的纵横比以数量平均计为20以上。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的透明导电性涂布膜，其中所述金属纳米线的长轴径以数量平均计为1μm以上。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的透明导电性涂布膜，其中所述金属纳米线的短轴径以数量平均计为50nm以下。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的透明导电性涂布膜，其中所述金属纳米线的短轴径以数量平均计为30nm以下。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的透明导电性涂布膜，其中所述金属纳米线的短轴径以数量平均计为20nm以下。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的透明导电性涂布膜，其是涂布金属纳米线分散液而形成涂膜来制作，且制备金属纳米线分散液时的精制步骤为超过滤方式，超过滤中所使用的送液泵为管式泵、莫诺泵、隔膜泵、旋转泵的任一种。

11.一种透明导电性墨水，其至少含有金属纳米线，其中所述金属纳米线中弯折的线的比例为10％以下，且传导率为1mS／cm以下。

12.根据权利要求11所述的透明导电性墨水，其中所述透明导电性墨水中的Br含量相对于墨水中的金属纳米线固体成分含量为5000ppm以下。

13.根据权利要求11或12所述的透明导电性墨水，其藉由金属纳米线分散液来制作，且制备金属纳米线分散液时的精制步骤为超过滤方式，超过滤中所使用的送液泵为管式泵、莫诺泵、隔膜泵、旋转泵的任一种。

14.一种触控式面板，其使用如权利要求1-10中任一项所述的透明导电性涂布膜。

15.一种触控式面板，其使用如权利要求11-13中任一项所述的透明导电性墨水来制作。

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