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CN103569960B - 嵌段金属线阵列的制备方法 - Google Patents

嵌段金属线阵列的制备方法 Download PDF

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CN103569960B CN201310563144.3A CN201310563144A CN103569960B CN 103569960 B CN103569960 B CN 103569960B CN 201310563144 A CN201310563144 A CN 201310563144A CN 103569960 B CN103569960 B CN 103569960B
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卢明辉
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Wuxi Imprint Nano Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种嵌段金属线阵列的制备方法,该方法包括以下步骤:根据专利ZL200710134575.2的方法获得松香填充石英纤维空隙的复合结构;将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微管结构阵列的松香微结构;在中空微管结构阵列中通过化学镀、电镀或其组合交替沉积金、银、铜、镍等金属;去除松香,获得嵌段金属线阵列。本发明方法新颖,获得的微结构可在电学等领域获得应用。

Description

嵌段金属线阵列的制备方法
技术领域
本发明涉及一种亚微米和微米微结构材料的制备方法,特别是一种嵌段金属线阵列结构的制备技术。
背景技术
嵌段金属线阵列是指金属线分段构成,每相邻分段材料由不同的金属组成。嵌段金属线阵列结构具有重要的应用背景。例如,不同金属间的接触构成了金属的结,从而产生结的效应,这可调控金属的电学行为。嵌段金属线阵列的制备目前采用模板法或交替生长法。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备成本低的嵌段金属线阵列的制备方法。
为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
嵌段金属线阵列的制备方法,包括以下步骤:
(1)通过自组装技术组装微米、亚微米石英纤维,获得排列规整的石英纤维束,将所述石英纤维束通过物理或者化学方法填充松香,获得松香填充石英纤维空隙的复合结构,其中所述石英纤维束与复合结构的体积比为0.1-0.6;
(2)将上述复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微管结构阵列的松香微结构;
(3)在上述中空微管结构阵列中通过化学镀、电镀或其组合交替沉积金、银、铜、镍等金属;
(4)去除松香,获得嵌段金属线阵列。
本发明与现有技术相比,其显著优点是成本低廉,无需大型仪器,工艺简单可靠。本发明方法新颖,获得的微结构可在电学等领域获得应用。
附图说明
图1是嵌段金属线阵列的制备方法的示意图。步骤A为将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维;步骤B为在中空微管结构阵列中交替沉积金属;步骤C为去除松香,获得嵌段金属线阵列。
具体实施方式
下面对本发明作进一步详细的描述。
实施例中松香填充石英纤维空隙的复合结构根据专利ZL200710134575.2的方法获得:通过自组装技术组装微米、亚微米石英纤维,获得排列规整的石英纤维束,将上述石英纤维束通过物理或者化学方法填充松香,获得松香填充石英纤维空隙的复合结构,其中所述石英纤维束与复合结构的体积比为0.1-0.6。
实施例1:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微管结构阵列的松香微结构;在上述中空微管结构阵列中通过化学镀交替沉积金、银;去除松香,获得金银嵌段金属线阵列。
实施例2:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微管结构阵列的松香微结构;在上述中空微管结构阵列中通过电镀交替沉积铜、镍;去除松香,获得铜镍嵌段金属线阵列。
实施例3:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微管结构阵列的松香微结构;在上述中空微管结构阵列中通过化学镀和电镀交替沉积银、铜;去除松香,获得银铜嵌段金属线阵列。
实施例4:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微管结构阵列的松香微结构;在上述中空微管结构阵列中通过化学镀和电镀交替沉积金、银、铜、镍;去除松香,获得金银铜镍嵌段金属线阵列。

Claims (3)

1.嵌段金属线阵列的制备方法,其特征是,所述方法包括以下步骤:
(1)通过自组装技术组装微米、亚微米石英纤维,获得排列规整的石英纤维束,将所述石英纤维束通过物理或者化学方法填充松香,获得松香填充石英纤维空隙的复合结构,其中所述石英纤维束与复合结构的体积比为0.1-0.6;
(2)将上述复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微管结构阵列的松香微结构;
(3)在上述中空微管结构阵列中交替沉积金属;
(4)去除松香,获得嵌段金属线阵列。
2.根据权利要求1所述的嵌段金属线阵列的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述沉积金属的方法为化学镀、电镀或两者组合。
3.根据权利要求1或2所述的嵌段金属线阵列的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述金属为金、银、铜或镍。
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