CN103537961B - 用于结晶器的辊面处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于结晶器的辊面处理装置，包括：导轨平台；滑板，沿导轨平台往复运动；固定架，包括固定架本体、支撑臂和主轴；支撑臂的前端与主轴的两端轴承连接，支撑臂的末端与固定架本体相连接；固定架本体与滑板导轨连接，用以固定架沿滑板在垂直结晶器方向往复运动；修磨轮，主轴穿过修磨轮的轴心，使修磨轮在主轴的带动下绕轴心旋转，并随滑板的移动沿结晶器表面往复运动，通过摩擦去除结晶器表面的疲劳层。本发明用于结晶器的辊面处理装置，其修磨轮在结晶器表面水平移动的同时调整旋转速度，修磨轮和结晶器旋转的合成速度方向不断变化，从而在结晶器辊面上形成多角度的修磨痕迹，能够提高辊面修磨的均匀性，进而提高结晶器的制带质量。

Description

用于结晶器的辊面处理装置

技术领域

本发明涉及材料生产设备技术领域，尤其涉及一种用于结晶器的辊面处理装置。

背景技术

在非晶带材的生产过程中，因为需要长时间、连续、高速的将钢液由喷嘴喷射到高速旋转的结晶辊上来产出非晶带材，导致结晶器辊面快速磨损，我们将磨损部分称为疲劳层。结晶器辊表面的磨损会直接影响带材的质量。因此需要在带材生产的过程中对高速旋转的结晶器辊面进行即时处理，保证表面质量。

通常的处理方法是：使用与结晶器辊平行且同向高速旋转的千叶轮进行修磨以提高结晶器表面质量。这种方法虽然能去除结晶器辊表面的疲劳层，提高光洁度，但是修磨轮在结晶器辊表面产生的修痕都是同一方向，修痕会不断叠加形成较深的机械纹。因为带材厚度很小，所以机械纹对带材质量造成的影响是不可忽略的。

发明内容

本发明提供了一种用于结晶器的辊面处理装置。通过修磨在结晶器辊面上产生多角度的修磨痕迹，能够去除结晶器的辊面的疲劳层，提高辊面修磨的均匀性，进而提高结晶器的制带质量。

在第一方面，本发明提供了一种用于结晶器的辊面处理装置，所述装置包括：

导轨平台；

滑板，沿所述导轨平台往复运动；

固定架，包括固定架本体、支撑臂和主轴；所述支撑臂的前端与所述主轴的两端轴承连接，所述支撑臂的末端与所述固定架本体相连接；所述固定架本体与所述滑板导轨连接，用以所述固定架沿滑板在垂直结晶器方向往复运动；

修磨轮，所述主轴穿过所述修磨轮的轴心，使所述修磨轮在所述主轴的带动下绕轴心旋转，并随所述滑板的移动沿结晶器表面往复运动，通过摩擦去除结晶器表面的疲劳层。

优选的，当所述辊表面处理装置对结晶器进行修磨时，所述固定架带动匀速旋转的所述修磨轮沿垂直结晶器方向移动至所述修磨轮与所述结晶器相接触，同时所述滑板沿所述导轨平台在平行结晶器轴向方向上水平往复运动；所述修磨轮轴线垂直于结晶器轴线，通过改变修磨轮转速和正反转，使得与结晶器旋转速度的合成速度矢量方向不断变化，从而在结晶器表面形成多角度的修磨痕迹。

优选的，所述装置还包括第一限位，用于限定所述滑板沿所述导轨平台移动的距离。

优选的，所述装置还包括第二限位，用于限定所述固定架在所述滑板上的移动距离。

优选的，所述导轨平台上具有第一滑轨，所述滑板装设在所述第一滑轨之上，并在所述第一滑轨上沿所述导轨平台往复运动。

优选的，所述滑板上具有第二滑轨，所述固定架装设在所述第二滑轨之上，并在所述第二滑轨上沿所示滑板做进给和后退运动，以调节所述修磨轮对所述结晶器的修磨力度。

本发明用于结晶器的辊面处理装置，通过采用固定架带动旋转的修磨轮沿垂直结晶器方向移动至修磨轮与结晶器相接触，同时固定块沿导轨平台在平行结晶器轴向方向上水平往复运动，修磨轮轴线垂直于结晶器轴线，通过改变修磨轮转速和正反转，使之与结晶器旋转速度的合成速度矢量方向不断变化，从而在结晶器辊面上形成多角度的修磨痕迹，能够去除结晶器的辊面的疲劳层，提高辊面修磨的均匀性，进而提高结晶器的制带质量。

附图说明

图1为本发明实施例提供的用于结晶器的辊面处理装置的示意图。

图2为形成多角度修磨痕迹的速度合成示意图。

具体实施方式

下面以图1为例对本发明实施例的用于结晶器的辊面处理装置进行详细说明。

图1为本发明实施例提供的用于结晶器的辊面处理装置的示意图，其中左图为主视图，右图为从导轨平台方向的侧视图，下图为俯视图。如图1所示，所述装置包括：修磨轮1、固定架2、滑板3和导轨平台4。该用于结晶器的辊表面处理装置对图中所示的结晶器5的表面进行处理。

具体的，

滑板3，沿导轨平台4往复运动；

固定架2，与滑板3导轨连接，沿导轨做进给和后退运动；

固定架2，包括固定架本体21、支撑臂22和主轴23；固定架本体21与滑板3导轨连接，用以固定架2沿滑板3垂直结晶器5方向往复运动，支撑臂22的前端与主轴23的两端轴承连接，支撑臂22的末端与固定架本体21相连接；

修磨轮1，主轴23穿过修磨轮1的轴心，使修磨轮1在主轴23的带动下绕轴心旋转，并随滑板2的移动沿结晶器5表面往复运动，通过摩擦去除结晶器表面的疲劳层。

在一个优选的例子中，该装置还包括第一限位（图中未示出），用于限定滑板3沿导轨平台4移动的距离。

在一个优选的例子中，该装置还包括第二限位（图中未示出），用于限定固定架2在沿滑板3移动的距离。

在一个优选的例子中，导轨平台4上具有第一滑轨41，滑板3装设在第一滑轨41之上，并在第一滑轨41上沿导轨平台4往复运动。

在一个优选的例子中，滑板3上具有第二滑轨31，固定架2装设在第二滑轨31之上，并在第二滑轨31上沿滑板3进给和退回运动。

在带材生产过程中，结晶器5以某一转速按照图中箭头所示方向高速的匀速转动，当辊表面处理装置对结晶器5进行修磨时，固定架2在电机的驱动下，固定架本体21在滑板3上沿着滑轨31产生相对位移，支撑臂22带动由旋转的主轴23驱动的修磨轮1沿滑板3、即垂直结晶器5的轴心方向，靠近结晶器5。当修磨轮1与结晶器5相接触后，对二者的相切量进行调整，使修磨力度达到合适的预设数值。其中，修磨力度的控制可以具体通过调整修磨轮1与结晶器6的接触程度，以及二者之间的速度差来实现。

此时，滑板3在导轨平台4上沿着滑轨41在导轨平台4上平行结晶器5的轴线方向往复运动，以确保结晶器5表面结晶区域宽度方向上的修磨覆盖度和一致性。同时，修磨轮1在电机的驱动下，不断的连续调整旋转速度和旋转方向，例如由正向最大速度持续减速至0，然后由0持续加速至反向最大速度，如此往复。随着修磨轮1旋转速度的变化，修磨轮1和结晶器5的旋转速度的合成速度矢量方向夹角α也呈周期性变化，从而在结晶器5的表面产生倾斜交叉的修痕，从而提高修磨的均匀度。合成速度矢量的变化可以如图2中给出的示意图所示，其中横轴方向表示修磨轮1的瞬时旋转速度，纵轴方向表示结晶器5的瞬时旋转速度。

本发明提供的用于结晶器的辊面处理装置，通过控制修磨轮的速度变化量，使修磨轮与结晶器的旋转速度的合成速度矢量不断发生变化，从而在结晶器辊面上产生多角度的修磨痕迹，能够去除结晶器的辊面的疲劳层，提高辊面修磨的均匀性，进而提高结晶器的制带质量。以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种用于结晶器的辊表面处理装置，其特征在于，所述装置包括：

导轨平台；

滑板，沿所述导轨平台往复运动；

固定架，包括固定架本体、支撑臂和主轴；所述支撑臂的前端与所述主轴的两端轴承连接，所述支撑臂的末端与所述固定架本体相连接；所述固定架本体与所述滑板导轨连接，用以所述固定架沿滑板在垂直结晶器方向往复运动；

修磨轮，所述主轴穿过所述修磨轮的轴心，使所述修磨轮在所述主轴的带动下绕轴心旋转，并随所述滑板的移动沿结晶器表面往复运动，通过摩擦去除结晶器表面的疲劳层；

当所述辊表面处理装置对结晶器进行修磨时，所述固定架带动匀速旋转的所述修磨轮在所述滑板上沿垂直结晶器方向移动至所述修磨轮与所述结晶器相接触，同时所述滑板沿所述导轨平台在平行结晶器轴向方向上水平往复运动；所述修磨轮轴线垂直于结晶器轴线，通过连续调整修磨轮转速和旋转方向，使得与结晶器旋转速度的合成速度矢量方向夹角不断变化，从而在结晶器表面形成多角度的修磨痕迹。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第一限位，用于限定所述滑板沿所述导轨平台移动的距离。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二限位，用于限定所述固定架沿所述滑板移动的距离。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述导轨平台上具有第一滑轨，所述滑板装设在所述第一滑轨之上，并在所述第一滑轨上沿所述导轨平台往复运动。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述滑板上具有第二滑轨，所述固定架装设在所述第二滑轨之上，并在所述第二滑轨上沿所示滑板做进给和后退运动，以调节所述修磨轮对所述结晶器的修磨力度。