CN103426904B - 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 - Google Patents
一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103426904B CN103426904B CN201310334937.8A CN201310334937A CN103426904B CN 103426904 B CN103426904 B CN 103426904B CN 201310334937 A CN201310334937 A CN 201310334937A CN 103426904 B CN103426904 B CN 103426904B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- board
- absorbing layer
- stress absorbing
- flexible base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 23
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- -1 grid Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法,用以实现对柔性有机发光二极管显示器在弯曲过程中产生的应力的吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,影响显示质量。本发明提供的一种柔性有机发光二极管显示器包括第一柔性基板和与其相对的第二柔性基板,其中,第一柔性基板之上依次制备有薄膜晶体管、第一钝化层、第一电极、有机发光层、第二电极,以及分别位于第一柔性基板之下的阴极、阳极、薄膜晶体管TFT和第二柔性基板,其特征在于,在第二电极和第二柔性基板之间还包括应力吸收层,所述应力吸收层的材料为树脂材料。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法。
背景技术
柔性显示器具有诸多优点,例如耐冲击,抗震能力强,重量轻、体积小,携带更加方便等特点。
目前主要的柔性显示器大致可分为三种:电子纸(或柔性电泳显示)、柔性有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)和柔性液晶等。
参见图1,可以看出现有技术中柔性有机发光二极管显示器从下至上依次包括:第一柔性基板001,薄膜晶体管TFT003,第一钝化层005,阳极006,像素界定层007,有机发光层(EL)008,阴极009,第二钝化层012,粘结胶010和第二柔性基板011。其中,薄膜晶体管TFT003从下至上依次包括:有源层014,栅极绝缘层002,栅极016,层间绝缘层004,漏极015和源极017。
现有技术中的柔性有机发光二极管显示器的电极为金属材料,在弯曲过程中受到应力作用会导致电极断裂,进而对显示质量造成影响。
发明内容
本发明实施例提供了一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法,用以防止柔性显示器中电极因受到应力作用而断裂,提高显示质量。
本发明实施例提供了一种柔性有机发光二极管显示器,包括第一柔性基板和与其相对的第二柔性基板,其中,第一柔性基板之上依次制备有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)、第一钝化层、第一电极、有机发光层、第二电极,在第二电极和第二柔性基板之间还包括应力吸收层,所述应力吸收层的材料为树脂材料。
本发明通过在第二电极和第二柔性基板之间制备应力吸收层,使柔性有机发光二极管显示器在弯曲过程中产生的来自第二柔性基板的应力通过应力吸收层吸收并释放掉,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,提高了柔性有机发光二极管显示器的显示质量。
较佳地,所述应力吸收层的厚度为1微米至5微米,这样,所述应力吸收层的厚度适中,柔性有机发光二极管显示器的柔性和显示效果较好。
较佳地,所述应力吸收层具有朝向所述第二柔性基板的突起结构,这样,来自于第二柔性基板在弯曲过程中产生的应力通过突起结构可以更好地传递给应力吸收层,应力吸收层将所述应力吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,影响显示质量。
较佳地,所述突起结构的截面为梯形或矩形,这样,来自于第二柔性基板在弯曲过程中产生的应力通过突起结构传递给应力吸收层,应力吸收层将所述应力吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,影响显示质量。
较佳地,所述的突起结构直接接触第二柔性基板,或者所述突起结构置于用于将第二柔性基板固定在应力吸收层之上的粘结胶中,这样,来自于第二柔性基板在弯曲过程中产生的应力通过突起结构传递给应力吸收层,应力吸收层将所述应力吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,影响显示质量。
较佳地,所述树脂材料为丙烯酸树脂,该材料本身有一定的柔韧性,应力吸收层材料采用丙烯酸树脂,使柔性有机发光二极管显示器在弯曲过程中产生的应力通过树脂材料释放掉。
较佳地,所述树脂材料为感光树脂材料,这样就可以通过曝光、显影在应力吸收层设置突起结构,使得来自于第二柔性基板在弯曲过程中产生的应力通过突起结构可以更好地传递给应力吸收层,应力吸收层将所述应力吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极极因受到应力作用而断裂,影响显示质量。
较佳地,所述树脂材料为透明树脂材料,使得制得的柔性有机发光二极管显示器可以为顶发射结构显示器。
较佳地,所述第一电极为反射阳极,所述第二电极为透明阴极;或所述第一电极为透明阳极,所述第二电极为反射阴极;或所述第一电极为反射阴极,所述第二电极位透明阳极。柔性有机发光二极管显示器可以为顶发射结构有机发光二极管显示器、底发射结构有机发光二极管显示器或倒置型有机发光二极管显示器。
较佳地,所述第二电极和应力吸收层之间还包括第二钝化层,所述的第二钝化层可以起到平坦、绝缘和保护的作用。
本发明实施例还提供了一种柔性有机发光二极管显示器制备方法,该方法包括:
在第一柔性基板上分别制备薄膜晶体管TFT和第一钝化层;
在第一钝化层对应TFT漏极的位置开设过孔;
在第一钝化层之上分别制备第一电极、有机发光层和第二电极;
在第二电极之上制作应力吸收层,所述应力吸收层的材料为树脂材料;
在应力吸收层之上制作第二柔性基板;
上述方法中,在第二电极之上制作应力吸收层,包括:
在第二电极之上涂覆感光树脂材料,通过曝光、显影形成具有突起结构的应力吸收层。
上述方法中,在第二电极之上制作应力吸收层,还包括:
在制作应力吸收层之前,在第二电极之上制作第二钝化层。
从上述制备方法可以看出,通过在第二电极和第二柔性基板之间制备应力吸收层,使柔性有机发光二极管显示器在弯曲过程中产生的来自第二柔性基板的应力通过应力吸收层释放掉,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,提高了柔性显示器的显示质量。
较佳地,在阴极之上制作应力吸收层,包括:在第二电极之上涂覆感光树脂材料,通过曝光、显影形成具有突起结构的应力吸收层,这样,来自于第二柔性基板在弯曲过程中产生的应力通过突起结构可以更好地传递给应力吸收层,应力吸收层将所述应力吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,影响显示质量。
较佳地,在阴极之上制作应力吸收层,还包括:在制作应力吸收层之前,在第二电极之上制作第二钝化层,所述的第二钝化层可以起到平坦和绝缘的作用。
附图说明
图1为现有技术柔性有机发光二极管显示器结构示意图;
图2为本发明实施例提供的柔性有机发光二极管显示器结构示意图;
图3为本发明实施例提供的柔性有机发光二极管显示器结构示意图;
图4为本发明实施例提供的柔性有机发光二极管显示器制备方法流程示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法,用以实现对柔性有机发光二极管显示器在弯曲过程中产生的应力的吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,影响显示质量。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种柔性有机发光二极管显示器,包括第一柔性基板和与其相对的第二柔性基板,其中,第一柔性基板之上依次制备有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)、第一钝化层、第一电极、有机发光层、第二电极,在第二电极和第二柔性基板之间还包括应力吸收层,所述应力吸收层的材料为树脂材料。
参见图2和图3,图2和图3为本发明实施例提供的柔性显示器结构示意图,结合图2可以看出所述柔性显示器从下至上依次包括:第一柔性基板101,薄膜晶体管TFT103,第一钝化层105,第一电极106,像素界定层107,有机发光层(EL)108,第二电极109,应力吸收层110,粘结胶112和第二柔性基板113。其中,薄膜晶体管TFT103从下至上依次包括:有源层114,栅极绝缘层102,栅极116,层间绝缘层104,漏极115,和源极117;应力吸收层110具有突起结构111。由像素界定层107所界定的区域为一个发光单元。
本发明的柔性基板可以是塑料基板、玻璃基板、金属基板或者复合基板,本发明对基板的材料没有特别的限定。
具体的,第一电极106通过第一钝化层105的过孔与漏极115连接,RGB有机发光层(EL)108位于第一电极106与第二电极109之间;应力吸收层110位于第二电极109与第二柔性基板113之间,所述应力吸收层110的材料为树脂材料,特别地,所述树脂材料为丙烯酸树脂,所述树脂材料也可以为透明树脂材料,所述树脂材料还可以为感光树脂材料。应力吸收层110之上设置突起结构111,可在各突起结构111之间涂覆粘结胶112,粘结第二柔性基板113,特别地,所述的突起结构111可以直接接触第二柔性基板113,参见图2;或者,所述突起结构111置于用于将第二柔性基板固定在应力吸收层之上的粘结胶中,参见图3。在柔性显示器制备完第二电极之后在第二电极之上涂覆感光树脂材料,经过曝光、显影在应力吸收层之上制备突起结构。在各突起结构之间涂覆粘结胶,用于粘结第二柔性基板113。
其中,所述应力吸收层110的厚度为1微米至5微米,若应力吸收层110小于1微米,应力吸收效果不好;若应力吸收层110的厚度大于5微米,则会影响柔性显示器的柔性和显示效果。
所述突起结构111的形状没有特别的限定,其截面可以为梯形,矩形等;所述突起结构111间距可以根据需要设定,可以每个发光单元设置对应设置一个所述突起结构111,也可以多个发光单元对应设置一个所述突起结构111;优选地,3到5个发光单元对应设置一个所述突起结构111。
所述柔性有机发光二极管显示器还包括顶发射结构柔性有机发光二极管显示器、底发射结构柔性有机发光二极管显示器或倒置型有机发光二极管柔性显示器。对于顶发射结构柔性有机发光二极管显示器,第一电极为反射阳极,第二电极为透明阴极;对于底发射结构柔性有机发光二极管显示器,第一电极为透明阳极,第二电极为反射阴极;对于倒置型柔性有机发光二极管显示器,第一电极为反射阴极,第二电极为透明阳极。在所述第二电极阴极和应力吸收层之间还包括第二钝化层。第二钝化层可以起到平坦、绝缘和保护的作用。
本实施例通过在阴极和第二柔性基板之间制备应力吸收层,使柔性显示器在弯曲过程中产生的来自第二柔性基板的应力通过应力吸收层吸收并释放掉,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,提高了柔性显示器的显示质量。
本发明实施例还提供了一种柔性有机发光二极管显示器制备方法,参见图4,图4为本发明实施例提供的柔性显示器制备方法流程示意图,所述柔性显示器的制备方法包括:
S1、在第一柔性基板上从下至上分别制备薄膜晶体管TFT和第一钝化层;其中,所述薄膜晶体管TFT可以是顶栅结构也可以是底栅结构;对于顶栅结构TFT,薄膜晶体管TFT从下至上依次制备:有源层,栅极绝缘层,栅极,层间绝缘层,漏极,源极;对于底栅结构TFT,薄膜晶体管TFT从下至上依次制备:栅极,栅极绝缘层,有源层,漏极,源极;
S2、在第一钝化层对应TFT漏极的位置开设过孔;
S3、在第一钝化层之上分别制备第一电极、有机发光层(EL)和第二电极;其中,有机发光层(EL)位于第一电极与第二电极之间;
S4、在第二电极之上制作应力吸收层,所述应力吸收层的材料为树脂材料;
具体的,在第二电极之上涂覆感光树脂材料,通过曝光、显影形成具有突起结构的应力吸收层,所述突起结构和应力吸收层一体成型;
较佳地,在制作应力吸收层之前,在第二电极之上制作第二钝化层;
S5、在应力吸收层之上制作第二柔性基板;该方法包括:在各突起结构之间涂覆粘结胶,粘结第二柔性基板;特别的,所述的突起结构可以直接接触第二柔性基板,参见图2;或者,所述突起结构置于用于将第二柔性基板固定在应力吸收层之上的粘结胶中,参见图3;
其中,所述应力吸收层用于吸收来自于第二柔性基板的应力,其材料为树脂材料,树脂材料本身具有一定的柔韧性,使柔性有机发光二极管显示器在弯曲过程中产生的应力通过树脂材料释放掉,特别的,所述树脂材料为丙烯酸树脂,所述树脂材料还包括透明树脂材料,使制得的柔性有机发光二极管显示器可以为顶发射结构显示器,所述树脂材料还包括感光树脂材料,这样,在柔性显示器制备完第二电极之后在第二电极之上涂覆透明感光树脂材料,经过曝光、显影在应力吸收层之上制备突起结构;所述突起结构用于更好地将来自于第二柔性基板在弯曲过程中产生的应力传递给应力吸收层,应力吸收层将所述应力吸收,防止柔性显示器第二电极因受到应力作用而断裂,影响显示质量,所述应力吸收层的厚度为1微米至5微米,若应力吸收层小于1微米,应力吸收效果不好;若应力吸收层的厚度大于5微米,则会影响柔性显示器的柔性和显示效果。
所述突起结构的形状没有特别的限定,其截面可以为梯形,矩形等;所述突起结构间距可以根据需要设定,可以每个发光单元设置对应设置一个所述突起结构,也可以多个发光单元对应设置一个所述突起结构;优选地,3到5个发光单元对应设置一个所述突起结构,其中,由像素界定层所界定的区域为一个发光单元。
在应力吸收层和第二电极之间还可以设置其它层,例如第二钝化层。
本发明实施例中所述的钝化层可以起到平坦、绝缘和保护的作用,特别的,钝化层可以为氮化硅。
所述柔性有机发光二极管显示器还包括顶发射结构柔性有机发光二极管显示器、底发射结构柔性有机发光二极管显示器或倒置型有机发光二极管柔性显示器。对于顶发射结构柔性有机发光二极管显示器,第一电极为反射阳极,第二电极为透明阴极;对于底发射结构柔性有机发光二极管显示器,第一电极为透明阳极,第二电极为反射阴极;对于倒置型柔性有机发光二极管显示器,第一电极为反射阴极,第二电极为透明阳极。
综上所述,本发明提供了一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法,通过在第二电极和第二柔性基板之间制备用于吸收来自于第二柔性基板的应力的应力吸收层,用以实现对柔性有机发光二极管显示器在弯曲过程中产生的应力的吸收,防止柔性有机发光二极管显示器电极因受到应力作用而断裂,提高显示质量。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种柔性有机发光二极管显示器,包括第一柔性基板和与其相对的第二柔性基板,其中,第一柔性基板之上依次制备有薄膜晶体管、第一钝化层、第一电极、有机发光层、第二电极,其特征在于,在第二电极和第二柔性基板之间还包括应力吸收层,所述应力吸收层的材料为树脂材料且具有朝向所述第二柔性基板的突起结构,在所述第二电极和应力吸收层之间还包括第二钝化层。
2.如权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述应力吸收层的厚度为1微米至5微米。
3.如权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述突起结构的截面为梯形或矩形。
4.如权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述的突起结构直接接触第二柔性基板;
或者,所述突起结构置于用于将第二柔性基板固定在应力吸收层之上的粘结胶中。
5.如权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述树脂材料为丙烯酸树脂。
6.如权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述树脂材料为感光树脂材料。
7.如权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述树脂材料为透明树脂材料。
8.如权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述第一电极为反射阳极,所述第二电极为透明阴极;或所述第一电极为透明阳极,所述第二电极为反射阴极;或所述第一电极为反射阴极,所述第二电极位透明阳极。
9.一种柔性有机发光二极管显示器制备方法,其特征在于,该方法包括:
在第一柔性基板上分别制备薄膜晶体管TFT和第一钝化层;
在第一钝化层对应TFT漏极的位置开设过孔;
在第一钝化层之上分别制备第一电极、有机发光层和第二电极;
在第二电极之上制作应力吸收层;
在应力吸收层之上制作第二柔性基板;
其中,所述应力吸收层的材料为树脂材料且具有朝向所述第二柔性基板的突起结构。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,在第二电极之上制作应力吸收层,包括:
在第二电极之上涂覆感光树脂材料,通过曝光、显影形成具有突起结构的应力吸收层。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,在第二电极之上制作应力吸收层,还包括:
在制作应力吸收层之前,在第二电极之上制作第二钝化层。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310334937.8A CN103426904B (zh) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 |
PCT/CN2013/086466 WO2015014036A1 (zh) | 2013-08-02 | 2013-11-01 | 柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 |
US14/353,200 US9312504B2 (en) | 2013-08-02 | 2013-11-01 | Flexible organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310334937.8A CN103426904B (zh) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103426904A CN103426904A (zh) | 2013-12-04 |
CN103426904B true CN103426904B (zh) | 2015-11-11 |
Family
ID=49651410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310334937.8A Active CN103426904B (zh) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9312504B2 (zh) |
CN (1) | CN103426904B (zh) |
WO (1) | WO2015014036A1 (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102168681B1 (ko) * | 2013-11-11 | 2020-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN103681694A (zh) | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及柔性显示器 |
CN103700320A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器及其制造方法 |
CN103700676B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性阵列基板以及具有该柔性阵列基板的柔性显示装置 |
CN103887261B (zh) | 2014-03-03 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器及其制备方法 |
CN103972266B (zh) * | 2014-04-16 | 2017-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN104319240B (zh) | 2014-10-27 | 2017-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板贴附方法 |
CN104485351A (zh) | 2014-12-31 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性有机发光显示器及其制作方法 |
KR102423893B1 (ko) | 2015-03-31 | 2022-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
CN105097876B (zh) * | 2015-06-11 | 2018-07-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管oled显示器件和装置 |
KR102489592B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
CN105609533B (zh) * | 2016-01-05 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法和应力变色聚合物的制作方法 |
CN106981498A (zh) * | 2016-01-19 | 2017-07-25 | 上海和辉光电有限公司 | 显示器件结构、显示器件制备方法 |
US10147772B2 (en) | 2016-08-23 | 2018-12-04 | 3M Innovative Properties Company | Foldable OLED device with compatible flexural stiffness of layers |
CN106158918B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-06-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示器及其制备方法 |
TWI626738B (zh) | 2017-04-06 | 2018-06-11 | 宏碁股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
CN108735771B (zh) * | 2017-04-17 | 2021-06-04 | 宏碁股份有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
EP3631859A4 (en) * | 2017-06-01 | 2021-01-06 | BOE Technology Group Co., Ltd. | MATRIX SUBSTRATE, DISPLAY BOARD HAVING THIS LATEST AND METHOD OF MANUFACTURING A MATRIX SUBSTRATE |
CN108198952A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示屏及其制备方法 |
WO2019215832A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
CN109065599B (zh) * | 2018-08-20 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、以及显示装置 |
CN109256413B (zh) * | 2018-10-12 | 2020-09-11 | 云谷(固安)科技有限公司 | 柔性显示面板及装置 |
CN113036048A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-25 | 海信视像科技股份有限公司 | 一种显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1685769A (zh) * | 2003-06-13 | 2005-10-19 | 富士电机控股株式会社 | 有机el显示器 |
CN102290422A (zh) * | 2003-01-15 | 2011-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法、剥离方法及发光装置的制造方法 |
CN203367284U (zh) * | 2013-08-02 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4479381B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
KR20140019699A (ko) * | 2012-08-07 | 2014-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-08-02 CN CN201310334937.8A patent/CN103426904B/zh active Active
- 2013-11-01 US US14/353,200 patent/US9312504B2/en active Active
- 2013-11-01 WO PCT/CN2013/086466 patent/WO2015014036A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102290422A (zh) * | 2003-01-15 | 2011-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法、剥离方法及发光装置的制造方法 |
CN1685769A (zh) * | 2003-06-13 | 2005-10-19 | 富士电机控股株式会社 | 有机el显示器 |
CN203367284U (zh) * | 2013-08-02 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9312504B2 (en) | 2016-04-12 |
CN103426904A (zh) | 2013-12-04 |
US20150194618A1 (en) | 2015-07-09 |
WO2015014036A1 (zh) | 2015-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103426904B (zh) | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 | |
CN103545320B (zh) | 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 | |
US11061438B2 (en) | Flexible display panel, manufacturing method thereof and display device | |
CN103545321A (zh) | 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 | |
CN103794628B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN103811501B (zh) | 柔性显示装置 | |
CN111370446B (zh) | Oled显示面板及oled显示装置 | |
US8405309B2 (en) | Flat panel display panel having dam shaped structures and method of manufacturing the same | |
CN104362169B (zh) | 一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
KR101276750B1 (ko) | 플렉시블 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
EA033953B1 (ru) | Гибкий дисплей на органических светодиодах и способ его изготовления | |
US10971438B2 (en) | Chip-on film and display device including the same | |
CN102903735B (zh) | 有机电致光二极管显示器及其偏光片贴覆方法 | |
CN103681694A (zh) | 一种柔性显示基板及柔性显示器 | |
KR20140061897A (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
KR20150006706A (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
WO2019127203A1 (zh) | 显示屏及其制作方法,以及显示设备 | |
CN203367284U (zh) | 一种柔性有机发光二极管显示器 | |
KR102094143B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 | |
CN108767127A (zh) | 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 | |
KR102127975B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 의 제조방법 | |
US10606131B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20150188096A1 (en) | Method for manufacturing flexible oled (organic light emitting display) panel | |
KR101908503B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 | |
CN107591422A (zh) | 一种amoled显示面板结构及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |