CN103311410A - 一种高导热高击穿电压集成式led - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于：还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶。本发明提供了一种导热系数较好，耐击穿系数较高，取光效果较好，利于反光和打线的高导热高击穿电压集成式LED。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED基板，特别是涉及一种高导热高击穿电压集成式LED。
背景技术
目前LED采用集成式多芯片为一个国内发展的趋势, 但其耐压不足,需另外安装驱动电路以符合安规，这样对使用的人并不方便, 目前LED芯片直接贴于电路板或铝基板上,打线后连成回路,在于边缘以划胶或黏合框架将芯片周围成为一较低的凹槽,再将与萤光粉混合的胶材倒入凹槽内做成集成式LED。现今的集成式LED如上图所示有几个问题：
1、采用的硅胶胶亮极大如采用软的硅胶吸湿率很高,于高湿环境下硅胶吸湿后会膨胀造成质量问题 。2、因于芯片上方灌注硅胶形成一平面,因平面即产生一内反射,平面对比于好的曲面光取出可差异5-10%的亮度。3、由于散热考虑许多集成式LED均采用金属基板又因为要容置LED故于绝缘层上挖出灯杯开恐故对高压耐受能力均不足。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种导热系数较好，耐击穿系数较高，取光效果较好，利于反光和打线的高导热高击穿电压集成式LED。
为了解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：
一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于：还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶。
前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在凹杯内设置有一层铜材，LED芯片放置于铜材上。
前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在基板的底部设置有一层铜箔。
前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：所述基板采用玻璃纤维板制成。
前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在线路层上电镀有银面
前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在凹杯铜材表面电镀有一层银面。
前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：所述基板导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV。
本发明的有益效果是：本发明高导热高击穿电压集成式LED的基板导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV，大幅度提高了LED的使用寿命。同时本发明在凹杯开口位置有一层弧形硅胶，硅胶采用曲光面而不在是一层平面设计，取光使用效果较好，在线路层和凹杯铜材上设置有银面，有利于反光和打线。
附图说明
图1是本发明高导热高击穿电压集成式LED结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的描述。
如图1所示，一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板1、LED芯片2、金线3、线路层4和荧光胶7，所述基板1采用玻璃纤维板制成， 导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV。在基板1的顶部设置有若干凹杯，在基板1的顶部设置有线路层4，在基板1的底部设置有一层铜箔6。在凹杯内设置有一层铜材5，所述LED芯片2固晶与凹杯中，并通过金线3与线路层4对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶7，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶8。在线路层4上电镀有银面，在凹杯铜材5表面电镀有一层银面。
本发明高导热高击穿电压集成式LED的基板1导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV，大幅度提高了LED的使用寿命。同时本发明在凹杯开口位置有一层弧形硅胶7，硅胶采用曲光面而不在是一层平面设计，取光使用效果较好，在线路层4和凹杯铜材上设置有银面，有利于反光和打线。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于：还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶。
2.根据权利要求1所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在凹杯内设置有一层铜材，LED芯片放置于铜材上。
3.根据权利要求2所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在基板的底部设置有一层铜箔。
4.根据权利要求3所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：所述基板采用玻璃纤维板制成。
5.根据权利要求4所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在线路层上电镀有银面。
6.根据权利要求5所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：在凹杯铜材表面电镀有一层银面。
7.根据权利要求6所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于：所述基板导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV。
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| CN2013102333758A CN103311410A (zh) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 一种高导热高击穿电压集成式led |
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2013
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