CN103270816B - 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 - Google Patents
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- CN103270816B CN103270816B CN201180062848.1A CN201180062848A CN103270816B CN 103270816 B CN103270816 B CN 103270816B CN 201180062848 A CN201180062848 A CN 201180062848A CN 103270816 B CN103270816 B CN 103270816B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 145
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 90
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 78
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 247
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 238
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 106
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 106
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 86
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 83
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 39
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 348
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 31
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 31
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 5
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- -1 poly-aralkyl hydrocarbon Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- KLYCPFXDDDMZNQ-UHFFFAOYSA-N Benzyne Chemical compound C1=CC#CC=C1 KLYCPFXDDDMZNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000007578 phototoxic dermatitis Diseases 0.000 description 2
- GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N picene Chemical compound C1=CC2=C3C=CC=CC3=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N triphenylene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCUXGCMUASJQQ-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-chlorophenyl)methylsulfanyl]-5-propyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound O1C(CCC)=NN=C1SCC1=CC=CC=C1Cl FHCUXGCMUASJQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWIAYUZWWLSLBI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxyquinoline Chemical compound C=1C=C2C=CC=CC2=NC=1OCC1=CC=CC=C1 NWIAYUZWWLSLBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDDAVZWCRBHDLQ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinazoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=C(C=CC=C2)C2=N1 VDDAVZWCRBHDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OCFMSZDCRQQDHU-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.[N] Chemical compound C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.[N] OCFMSZDCRQQDHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010018265 Gigantism Diseases 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000005204 hydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical class C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010052322 limitin Proteins 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 210000004877 mucosa Anatomy 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=CC3=CC2=C1 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000033764 rhythmic process Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- H01L21/02104—Forming layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
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- H—ELECTRICITY
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
屏蔽膜(13)以在显示区域(R1)(发光区域)和密封区域内具有开口部的方式形成,接着形成具有条状的图案的发光层(8R、8G、8B),接着剥离屏蔽膜(13),从而形成被高精细地图案形成的发光层(8R、8G、8B)。
Description
技术领域
本发明涉及被图案形成为规定形状的蒸镀膜的形成方法和具备上述被图案形成为规定形状的蒸镀膜的显示装置的制造方法。
背景技术
近年来,平板面板显示器被应用于在各种商品和领域,并要求平板面板显示器的更加的大型化、高画质化、低消耗电力化。
在这样的状况下,具备利用有机材料的电致发光(Electroluminescence:以下记作“EL”)的有机EL元件的有机EL显示装置作为全固体型且在低电压驱动、高速响应性、自发光性、广视野角特性等方面优异的平板面板显示器受到高度关注。
有机EL显示装置例如具有如下结构:在由设置有TFT(薄膜晶体管)的玻璃基板等构成的基板上,设置有与TFT电连接的有机EL元件。
例如,在全彩色的有机EL显示装置,一般而言,在基板上作为子像素排列形成有具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种颜色的发光层的有机EL元件,通过使用TFT使这些有机EL元件有选择地按所期望的亮度发光来进行彩色图像显示。
因此,为了制造有机EL显示装置,需要按每个有机EL元件、按规定图案形成包括发出各种颜色的光的有机发光材料的发光层。
作为按规定图案形成这样的发光层的方法,例如已知有真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法等。而且,例如在低分子型有机EL显示装置(OLED),多使用真空蒸镀法。
在真空蒸镀法中,使用形成有规定图案的开口的掩模(也称为荫罩),使被紧密地固定有掩模的基板的被蒸镀面与蒸镀源相对。
然后,通过使来自蒸镀源的蒸镀颗粒(成膜材料)通过掩模的开口蒸镀在被蒸镀面,形成规定图案的薄膜。蒸镀按发光层的每种颜色进行,将这称为“分涂蒸镀”。
在专利文献1和专利文献2中记载有使掩模相对于基板一点点地移动,进行各种颜色的发光层的分涂蒸镀的方法。
在这样的现有的分涂蒸镀法中,使用与基板相同大小的掩模,在蒸镀时,掩模以覆盖基板的被蒸镀面的方式被固定。
因此,在现有的分涂蒸镀法中,基板越大掩模也就随之需要大型化。
但是,如果将掩模加大,则由于掩模的自重弯曲或伸长而容易在基板与掩模之间产生间隙,并且该间隙的大小根据基板的被蒸镀面的位置的不同而不同。
因此,使用现有的分涂蒸镀法,存在难以进行高精度的图案形成、产生蒸镀位置的偏差和混色的问题。
此外,在现有的分涂蒸镀法中,如果将掩模加大,则保持掩模等的框架等也变得巨大,其重量也增加,因此有可能导致难以进行处理、在生产性和安全性方面产生不便的问题。
而且,在现有的分涂蒸镀法中,蒸镀装置和/或附带的装置也同样巨大化、复杂化,因此,装置设计变得困难,设置成本也变高价。
如上所述,在现有的分涂蒸镀法中,现状是:难以向大型基板形成高精细地图案形成的蒸镀膜,例如不能以量产的水平对使用超过60英寸的掩模的大型基板实现分涂蒸镀。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开平8-227276号公报(1996年9月3日公开)”
专利文献2:日本公开专利公报“特开2000-188179号公报(2000年7月4日公开)”
发明内容
发明所要解决的问题
因此,提案有如图14和图15所示那样使用比基板101小的荫罩102的分涂蒸镀法。
在该分涂蒸镀法中,使用具有开口部102a的荫罩102、具有喷嘴开口部103a的喷嘴103和与喷嘴103连接的蒸镀材料供给源形成为一个整体的掩模单元105。
而且,如图14所示,使基板101的被蒸镀面101a与荫罩102相对配置,并且在将被蒸镀面101a与荫罩102的间隙G保持为一定的同时,在图中的左右方向上对基板101进行扫描并且对被固定的掩模单元105进行蒸镀,由此,能够在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的蒸镀膜。
另一方面,在上述分涂蒸镀法中,如图15所示,使基板101固定,在图中的左右方向上对掩模单元105进行扫描并且对被固定的基板101进行蒸镀,由此,能够在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的蒸镀膜。
在这样的扫描方式的分涂蒸镀法中,不需要如现有的分涂蒸镀法那样使用与基板相同大小的掩模,因此能够改善由于掩模尺寸变大而可能产生的上述那样的问题。
但是,在这样的使用比基板101小的荫罩102的扫描方式的分涂蒸镀法中,产生以下那样的新问题。
图16是表示基板101的被蒸镀面101a的图,在大型的基板101,在各有机EL显示装置分别存在:需要形成蒸镀膜(例如,发光层等)的蒸镀区域R1;和成为不需要形成蒸镀膜(例如,发光层等)的端子部等的不需蒸镀区域R2。
本来,在不需蒸镀区域R2,不需要形成蒸镀膜(例如,发光层等),但是在图14和图15所示的扫描方式的分涂蒸镀法,如图16所示,不仅在蒸镀区域R1、而且在不需蒸镀区域R2也形成具有条状的图案的蒸镀膜106。
以下,根据图17,对在不需蒸镀区域R2也形成具有条状的图案的蒸镀膜106的理由进行说明。
如图17所示,在扫描方式的分涂蒸镀法中,为了不在不需蒸镀区域R2形成蒸镀膜106,考虑在荫罩102到达蒸镀停止(OFF)线、即荫罩102的右前端到达不需蒸镀区域R2的左前端时,使得从掩模单元所具备的喷嘴的喷嘴开口部射出的蒸镀颗粒不射出。
但是,如果这样,则虽然能够在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜106,但是,在蒸镀区域R1,尚留有荫罩102的区域成为实质上蒸镀时间变短、蒸镀膜的膜厚下降的蒸镀量减少区域。
因此,在这样的扫描方式的分涂蒸镀法中,为了在蒸镀区域R1形成具有均匀的膜厚的蒸镀膜106,如图16所示,只能不仅在蒸镀区域R1而且在不需蒸镀区域R2也形成具有条状的图案的蒸镀膜106。
图18是用于说明由于在不需蒸镀区域R2形成的蒸镀膜106而可能产生的问题的图。
图18的(a)是表示作为发光层具备利用扫描方式的分涂蒸镀法形成的蒸镀膜106的有机EL显示装置113的概略结构的图。
图18的(b)是表示有机EL显示装置113的端子部的平面图。
在图18(a)所示的有机EL显示装置113所具备的基板101,不仅在蒸镀区域R1而且在不需蒸镀区域R2也形成有具有条状的图案的蒸镀膜106。
即,如图18(b)所示,在作为不需蒸镀区域R2的配线107的端子部107a也形成有蒸镀膜106。
而且,外部电路和在不需蒸镀区域R2形成的配线107的端子部107a经各向异性导电膜(ACF:AnisotropicConductiveFilm)111与挠性导线112等电连接,但是如图18(a)所示,当在端子部107a上形成蒸镀膜106时,成为引起电导通不良或电流泄漏的原因。
即,在蒸镀膜106如发光层等有机蒸镀膜那样为高电阻的膜的情况下,电导通不良,另一方面,在蒸镀膜106如金属膜那样为低电阻的膜的情况下,产生电流泄漏。
此外,在蒸镀区域R1的4边端部的不需蒸镀区域R2,呈框状形成有密封树脂109,通过密封树脂109,基板101与密封基板110被贴合。
因此,能够使得依次叠层阳极(未图示)、空穴注入层兼空穴输送层(未图示)、作为发光层的蒸镀膜106、电子输送层(未图示)、电子注入层(未图示)和阴极108而得到的有机EL元件不由于大气中的水分和氧而劣化。
但是,当在密封树脂109与基板101之间存在蒸镀膜106时,密封树脂109与基板101的紧贴性下降,形成空孔等。
因此,存在水分和/或氧在紧贴性低的位置和/或产生空孔的位置、或者通过蒸镀膜106的膜中从外部进入呈框状形成的密封树脂内部,有机EL元件由于水分和/或氧而劣化的问题。
为了解决这样的问题,考虑在贴合基板101与密封基板110之前,使用有机溶剂擦拭(擦取)在不需蒸镀区域R2形成的蒸镀膜106,但是由于有机EL元件因有机溶剂或大气中的水分和/或氧而劣化,所以,一般在将基板101与密封基板110贴合之后,且在基板101以成为各有机EL显示装置113的方式被分割之后,使用有机溶剂擦拭在不需蒸镀区域R2形成的蒸镀膜106。
但是,即使在贴合基板101与密封基板110贴合之后,使用有机溶剂擦拭在不需蒸镀区域R2形成的蒸镀膜106的情况下,也产生以下那样的问题。
在上述擦拭工序中,存在容易擦拭不充分而残留残渣并且容易在擦拭时在其上产生新的异物,因此容易产生与外部电路的连接不良的问题。
此外,在通过密封树脂109进行基板101与密封基板110的贴合的情况下,还存在有机溶剂对密封树脂109产生损害,在密封树脂109,大气中的水分和/或氧从由于上述有机溶剂而受到损伤的位置浸透的问题。
因此,例如利用包括这样的擦拭工序的制造方法制造的有机EL显示装置的成品率低,难以确保可靠性。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供能够进行高精细的图案形成的蒸镀膜的形成方法、和成品率及可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
用于解决问题的方式
为了解决上述技术问题,本发明的蒸镀膜的形成方法的特征在于:是在基板上形成蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其具有:在上述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜的工序;在上述基板隔着上述遮蔽膜形成蒸镀膜的工序;和通过剥离上述遮蔽膜将上述蒸镀膜形成为规定形状的工序。
根据上述方法,在上述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜之后,在上述基板上,隔着上述遮蔽膜,比较容易地形成高精细的蒸镀膜,通过剥离上述遮蔽膜,能够将上述蒸镀膜形成规定形状的高精细的图案。
因此,根据上述方法,能够进行高精细的图案形成。
此外,因为在隔着遮蔽膜在基板形成蒸镀膜之后剥离遮蔽膜,所以能够防止在形成有遮蔽膜的区域形成蒸镀膜。
为了解决上述问题,本发明的显示装置的制造方法具有:在基板上形成多个有源元件的工序;形成第一电极的工序,上述第一电极与上述各个有源元件电连接且在上述基板上的显示区域呈矩阵状形成;在上述第一电极上形成至少包含发光层的有机层的工序;和至少在上述有机层上形成具有与上述第一电极相反的极性的第二电极的工序,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序中,以不覆盖上述显示区域且覆盖作为上述显示区域的周边区域的非显示区域的至少一部分的方式形成能够剥离的遮蔽膜,在上述基板上,隔着上述遮蔽膜,沿上述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少上述发光层,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序之后或形成上述第二电极的工序之后,剥离上述遮蔽膜,由此将至少上述发光层形成为规定形状。
根据上述方法,能够实现成品率和可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
发明的效果
如上所述,本发明的蒸镀膜的形成方法具有:在上述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜的工序;在上述基板,隔着上述遮蔽膜,沿规定方向形成相互具有规定间隔的直线状的蒸镀膜的工序;和通过剥离上述遮蔽膜,将上述蒸镀膜形成为规定形状的工序。
此外,如上所述,本发明的显示装置的制造方法是如下的制造方法:在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序,以不覆盖上述显示区域且覆盖作为上述显示区域的周边区域的非显示区域的至少一部分的方式形成能够剥离的遮蔽膜,在上述基板上,隔着上述遮蔽膜,沿上述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少上述发光层,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序之后或形成上述第二电极的工序之后,剥离上述遮蔽膜,由此将至少上述发光层形成为规定形状。
因此,可实现能够进行高精细的图案形成的蒸镀膜的形成方法和成品率及可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的制造方法中、将屏蔽膜图案形成在基板上的样子的图。
图2是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的制造方法中、剥离屏蔽膜后的基板的图。
图3是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的制造方法的各工序的图。
图4是表示现有的使用扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的概略的制造工序的图。
图5是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的制造方法中、能够使用的屏蔽膜的图案形状的一个例子的图。
图6是说明本发明的实施方式1的有机EL显示装置的制造方法中、不使用开放式掩模(openmask)地形成空穴注入层和空穴输送层、电子输送层、电子注入层的方法的一个例子的图。
图7是表示本发明的实施方式2的有机EL显示装置的制造方法中、在基板形成的屏蔽膜的图案形状和发光层的图。
图8是表示本发明的实施方式2的有机EL显示装置的制造方法中、进行至剥离屏蔽膜的工序和密封区域的密封工序之后的基板的图。
图9是表示本发明的实施方式2的有机EL显示装置的制造方法的各工序的图。
图10是表示本发明的实施方式3的有机EL显示装置的制造方法中、在基板形成的屏蔽膜的图案形状和发光层的图。
图11是表示本发明的实施方式3的有机EL显示装置的制造方法中、进行至剥离屏蔽膜的工序和第二电极的蒸镀与密封区域的密封工序之后的基板的图。
图12是表示本发明的实施方式3的有机EL显示装置的制造方法的各工序的图。
图13是表示利用本发明的实施方式3的有机EL显示装置的制造方法制造的有机EL显示装置的概略结构的图。
图14是表示能够在本发明的实施方式3的有机EL显示装置的制造方法中使用的蒸镀装置的一个例子的图。
图15是表示能够在本发明的实施方式3的有机EL显示装置的制造方法中使用的蒸镀装置的一个例子的图。
图16是表示利用图14或图15所示的蒸镀装置在基板形成的蒸镀膜的样子的图。
图17是对在不需蒸镀区域也形成具有条状的图案的蒸镀膜的理由进行说明的图。
图18是用于说明由于在不需蒸镀区域形成的蒸镀膜而可能产生的问题的图。
图19是表示本发明的实施方式4的有机EL显示装置的制造方法中、将屏蔽膜图案形成在基板上的样子的图。
图20是表示本发明的实施方式4和5的有机EL显示装置的制造方法的各工序的图。
图21是表示本发明的实施方式4的有机EL显示装置的制造方法中、能够使用的屏蔽膜的图案形状的一个例子的图。
图22是表示本发明的实施方式4的有机EL显示装置的制造方法中、能够使用的屏蔽膜的图案形状的另一个例子的图。
图23是表示本发明的实施方式5的有机EL显示装置的制造方法中、将屏蔽膜图案形成在基板上的样子的图。
具体实施方式
以下,根据附图对本发明的实施方式进行详细说明。不过,该实施方式中记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只不过是一个实施方式,不应该解释为本发明的范围被它们限定。
另外,在以下的实施方式中,作为使用能够进行高精细的图案形成的蒸镀膜的形成方法的一个例子,列举有机EL显示装置的制造方法进行说明,但是并不限定于此,本发明的蒸镀膜的形成方法能够应用于要求高精细地图案形成的蒸镀膜的所有领域。
此外,在以下的实施方式中,作为一个例子列举有机EL显示装置的制造方法进行说明,因此,使用本发明的蒸镀膜的形成方法形成的蒸镀膜为有机膜,但是并不限定于此,本发明的蒸镀膜的形成方法当然也能够应用于无机膜的形成。
[实施方式1]
图13是表示有机EL显示装置1的概略结构的图,图13(a)是表示构成有机EL显示装置1的显示区域的有机EL元件10的截面的图。
在形成有薄膜晶体管2(以下,记作“TFT”)的基板3上,形成有层间绝缘膜4、第一电极5和边缘覆盖物6。
作为基板3,例如能够使用无碱玻璃和塑料等,但是在本实施方式中,使用板厚0.7mm的无碱玻璃。
而且,作为层间绝缘膜4和边缘覆盖物6,能够使用已知的感光性树脂,作为上述感光性树脂,例如能够列举丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等。
另外,在本实施方式中,作为层间绝缘膜4和边缘覆盖物6,使用感光性丙烯酸树脂。
此外,第一电极5在利用溅射法等形成电极材料之后,利用光刻技术和蚀刻与各个像素对应地图案形成。
作为第一电极5,能够使用各种各样的导电性材料,但是在向基板一侧发射光的底部发光型有机EL元件的情况下,需要为透明或半透明。另一方面,在从与基板相反一侧发射光的顶部发光型有机EL元件的情况下,需要第二电极9为透明或半透明。
此外,TFT2通过已知的方法制作,在本实施方式中,对在各像素形成有TFT2的有源矩阵型的有机EL显示装置的制造进行说明,但是并不限定于此,本发明也能够应用于没有TFT2的无源矩阵型的有机EL显示装置。
为了防止有机EL层在第一电极5的端部变薄而在与第二电极9之间短路,以覆盖第一电极5的端部的方式形成有边缘覆盖物6,并且在没有边缘覆盖物6的部分使得第一电极5露出。该露出部分成为各像素的发光部。
如图所示,在第一电极5上形成各有机EL层。作为有机EL层,例如能够列举空穴注入层和空穴输送层7、发光层8R、8G、8B,虽然未图示,但是还可以列举电子输送层和电子注入层等。
而且,虽然未图示,但是根据需要也可以插入阻挡电子等载流子的流动的载流子阻挡层。
此外,既可以一个层具有多个功能,例如也可以形成如空穴注入层和空穴输送层7那样兼有空穴注入层和空穴输送层的一个层。
在本实施方式中,令第一电极5为阳极,从第一电极5一侧依次叠层空穴注入层和空穴输送层7、发光层8R、8G、8B、电子输送层(未图示)、电子注入层(未图示),然后令第二电极9为阴极。
另外,在令第一电极5为阴极的情况下,上述叠层顺序颠倒。
此外,在本实施方式中,为底部发光型有机EL元件,因此,作为第一电极5,使用ITO(铟锡氧化物)。
而且,作为有机EL层的各材料,能够使用已知的材料,作为发光层8R、8G、8B,可以使用单一材料,或使用以某材料为主体材料将其它材料作为客体材料或掺杂混入的混合型。
以下,表示能够作为各有机EL层的材料使用的具体例。
作为空穴注入层和空穴输送层7的材料,例如能够使用蒽、氮苯并菲、芴酮、腙、芪、苯并菲、苯炔(benzyne)、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、噁唑、聚芳烷烃、苯二胺、芳基胺及它们的衍生物、噻吩类化合物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、苯胺类化合物等的杂环式或链状式共轭类的单体、低聚体或聚合体等。
而且,作为发光层8R、8G、8B的材料,使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。例如能够列举蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、二萘嵌苯、二萘品苯、荧蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪及它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝络合物、双(苯并羟基喹啉)铍络合物、三(二苯甲酰基甲基)菲罗啉铕络合物、二甲苯基乙烯苯、羟基苯噁唑、羟基苯噻唑等。
作为电子输送层和电子注入层的材料,例如能够使用三(8-羟基喹啉)铝络合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹恶啉衍生物、噻咯衍生物等。
而且,图13(b)是表示具备第一电极5、空穴注入层和空穴输送层7、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极9的有机EL元件10被密封的样子的图。
如图所示,以使得有机EL元件10不由于大气中的水分和/或氧而劣化的方式,在设置有多个有机EL元件10的有机EL显示装置1的显示区域的4边端部,呈框状形成密封树脂11,通过密封树脂11贴合基板3与密封基板12。
另外,在本实施方式中,作为密封基板12,使用玻璃基板,通过具有粘接性的框状的密封树脂11,贴合基板3与密封基板12,由此进行有机EL元件10的密封,但是有机EL元件10的密封方法并不限定于此,例如也可以在有机EL元件10的上表面,利用CVD法形成水分和氧不易透过的致密的密封膜,在有机EL元件10的侧面,在整个面涂敷粘接剂而与密封基板贴合,或呈框状形成多孔玻璃(粉末玻璃)等,进行有机EL元件10的密封。
进一步,也可以根据需要同时使用上述密封方法。
图3是表示有机EL显示装置1的概略的制造工序的图。
首先,利用已知的方法,制作具备TFT和与上述TFT电连接的第一电极的基板3(S1)。
然后,以覆盖在基板3上形成有端子部等的不需蒸镀区域R2的方式,形成(即粘接)屏蔽膜13(能够剥离的遮蔽膜)(S2)。
图1是表示在基板3上图案形成有屏蔽膜13的样子的图。
如图所示,屏蔽膜13不在呈框状形成的密封树脂11的内侧形成,而仅在呈框状形成的密封树脂11的外侧形成。
即,仅在基板3上的各有机EL面板的密封区域外形成屏蔽膜13,在显示区域R1(发光区域)和密封区域内,不形成屏蔽膜13。
在本实施方式中,使用能够在之后的工序中剥离的屏蔽膜13。例如,使用具有粘接性或粘着性的一般的屏蔽膜13。在本实施方式中,该屏蔽膜13通过多个矩形状膜(膜部件)以允许重叠的方式排列,形成图1所示那样的图案。具体而言,例如,屏蔽膜13例如为在与基板扫描方向正交的方向(以后,称为扫描正交方向)上延伸的多个(例如三个)较长的矩形薄膜13a和例如在基板扫描方向上延伸的多个(例如六个)较短的矩形薄膜13b排列而构成。
各较长的矩形薄膜13a,分别在基板3的基板扫描方向的上游端和下游端以及在基板扫描方向上相邻的各显示区域R1间的区域,以沿扫描正交方向从基板3的端部至端部延伸的方式形成。各较短的矩形薄膜13b,分别在与各显示区域R1的扫描正交方向的两侧相邻的各区域,以沿基板扫描方向延伸的方式形成。另外,也可以将在基板扫描方向上相邻的六个较短的矩形薄膜替换为沿基板扫描方向从基板3的端部至端部延伸的一个较长的矩形薄膜。在这种情况下,该一个较长的矩形薄膜与在扫描正交方向上延伸的各较长的矩形薄膜13a交叉。另外,也可以代替这样使用多个矩形薄膜形成屏蔽膜13,而由一个薄膜形成。
屏蔽膜13能够使用通用的屏蔽膜,但是优选使用吸水量少,在真空中的脱气少的屏蔽膜。
如果吸水量多,则存在在有机EL元件的制作工序中,从屏蔽膜13脱离的水分对构成有机EL元件的膜造成损伤的问题。
此外,在有机EL元件的制作工序中,为了清洗第一电极的表面,一般至少在形成包含发光层的有机层之前对第一电极表面进行等离子体处理或UV处理。
因此,在这些处理中,屏蔽膜13劣化,优选使用对这些处理具有高耐性的屏蔽膜13,以使得所产生的分解物不对有机EL元件产生影响。此外,优选在这些处理后粘接屏蔽膜13。此外,由于如果粘接力强则在剥离时存在使TFT基板损伤的可能,所以优选为了剥离而适当地调整粘接力。进一步,优选使用残胶少的屏蔽膜13,以使得粘接剂不作为残渣残留。例如,作为与它们一致的屏蔽膜13,能够使用一般的微粘接再剥离薄膜。另外,在本实施方式中,作为能够在之后的工序中剥离的图案膜,使用能够粘接和再剥离的屏蔽膜13,但是并不限定于此,例如也可以使用丝网印刷法等形成能够在之后的工序中剥离的图案膜。
另外,能够在屏蔽膜13的粘接中使用一般的叠片装置。在TFT制作工序中使用的那样的半导体处理装置需要高度的机构控制、材料管理和温度管理等,设备成本非常高。与此相对,只要是叠片装置,就不需要这样高度的控制,与半导体处理装置相比设备价格低廉。同样,与有机EL显示装置的制造装置相比也廉价。
然后,将具有规定形状的开口部的荫罩紧密固定在基板3上的屏蔽膜13上,利用现有的真空蒸镀法在整个面形成空穴注入层和空穴输送层(S3)。
在本实施方式中,使用荫罩形成空穴注入层和空穴输送层,但是也能够同时使用屏蔽膜13形成空穴注入层和空穴输送层。即,在图1,第二电极连接部R3包含在屏蔽膜13的开口部,因此,如果仅以屏蔽膜13作为掩模形成空穴注入层和空穴输送层,则这些层中的各个层在第二电极连接部R3上也形成。在这种情况下,由于在第二电极连接部R3与第二电极之间存在有机膜,存在发生接触不良的问题。因此,通过使用遮蔽第二电极连接部R3的部分的荫罩,其它部分以屏蔽膜13为掩模,从而能够形成规定形状的空穴注入层和空穴输送层。另外,由于空穴注入层和空穴输送层在多个有机EL元件的整个面一并蒸镀即可,所以不需要进行高精度的图案形成,使用显示区域R1在整个面开口的开放式掩模(openmask)即可。只要是开放式掩模,就不需要使保持掩模的框架太大,从而重量不大,因此在大型基板的蒸镀中也能够应用。进一步,通过同时使用屏蔽膜13,由开放式掩模遮蔽的最低限度的区域仅成为第二电极连接部R3,而不需要考虑其它部分的遮蔽。因此,高度的开口的加工精度和对位精度的必要性变低,因此,能够实现开放式掩模的制作费用和掩模的对位机构等设备成本的降低。
接着,使用与图14所示那样的基板101相比在扫描方向上宽度窄的荫罩102,并且在图中的左右方向上扫描基板101的同时对掩模单元105进行蒸镀,如图1所示那样形成具有在图中的左右方向上延伸的条状的图案的发光层8R、8G、8B(S4),其中,该掩模单元105是具有开口部102a的荫罩102、具有喷嘴开口部103a的喷嘴103、与喷嘴103连接的蒸镀材料供给源104被形成为一体而得到的。
在本实施方式中,仅与各色R、G、B的子像素对应的部分开口的各色用荫罩102的较长方向(长度方向)上的长度被设定为图1所示的显示区域R1的上下方向上的长度,当在图1的上端的显示区域R1形成发光层8R、8G、8B时,基板3相对于掩模单元105向图中右方向被扫描,而且,当在图1的下端的显示区域R1形成发光层8R、8G、8B时,基板3相对于掩模单元105向图中上方向移动,在进行对准调整后,成为向图中左方向扫描。
另外,荫罩102的形状并不限定于此,只要是不产生荫罩102的自重弯曲和伸长的程度,就能够适当地设定。此外,也能够对图1的上端和下端的显示区域R1一并进行蒸镀。
然后,在进行发光层8R的蒸镀时,从蒸镀材料供给源104射出R(红色)的蒸镀颗粒,利用仅与R子像素对应的部分开口的荫罩102通过上述的扫描进行蒸镀,由此在各个R子像素形成发光层8R。
对发光层8G和发光层8B也使用同样的方法,在与各个子像素对应的部分发光层。
即,在本实施方式中,利用扫描方式的分涂蒸镀法形成发光层8R、8G、8B。
因此,如图1所示,在未形成屏蔽膜13的显示区域R1(发光区域)和密封区域内,在空穴注入层和空穴输送层上形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,另一方面,在形成有屏蔽膜13的不需蒸镀区域R2,在形成于屏蔽膜13上的空穴注入层和空穴输送层上形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B。
在本实施方式中,如图14所示那样相对于掩模单元105对基板101进行扫描而进行蒸镀,但是也可以如图15所示那样相对于基板101对掩模单元105进行扫描而进行蒸镀。
此外,在本实施方式中,如图14所示那样,令基板101的被蒸镀面101a与荫罩102的间隙G为规定间隔地在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,但是也能够以使得基板101的被蒸镀面101a与荫罩102紧贴的状态进行扫描,形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B。
而且,在本实施方式中,为了形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,使用图14所示那样的蒸镀装置,但是只要能够形成膜厚均匀且精细的条状的图案,对所使用的蒸镀装置的种类就没有特别限定。
之后,使具有规定形状的开口部的荫罩紧密固定在基板3上的屏蔽膜13上,利用现有的真空蒸镀法在整个面依次形成电子输送层、电子注入层(S5、S6)。
之后,以基板3上的屏蔽膜13为掩模,利用现有的真空蒸镀法在整个面依次形成第二电极(S7)。
然后,如图1所示那样,在包括显示区域R1的密封区域内和在形成有屏蔽膜13的区域的整个面形成的上述第二电极中的、在显示区域R1的上下端部分形成的部分,通过在基板3上形成的第二电极的连接部R3与基板3上的配线电连接。
在本实施方式中,使用荫罩形成电子输送层、电子注入层,但是,如在空穴注入层和空穴输送层的形成时所述的那样,还能够同时使用屏蔽膜13。另外,只要对第二电极的连接部R3与第二电极的电连接没有影响,电子注入层就能够利用与第二电极同样的方法形成。即,电子注入层也能够仅以屏蔽膜13为掩模形成。
如上所述,对完成蒸镀的基板3,进行包括显示区域R1的密封区域的密封,以使得具备第一电极、空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极的有机EL元件不由于大气中的水分和氧而劣化(S8)。
如图1所示,在包括显示区域R1的密封区域的4边端部,呈框状形成有密封树脂11,通过密封树脂11,基板3与密封基板(未图示)被贴合。
然后,进行屏蔽膜13的剥离(S9)。通过剥离屏蔽膜13,叠层在屏蔽膜13的表面的叠层膜(空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极)也能够同时剥离。另外,屏蔽膜13能够以薄膜的状态机械地剥离。另外,在剥离屏蔽膜13的剥离装置中,只要是单纯机械地剥离薄膜的装置即可,因此,与上述屏蔽膜13的粘接用的叠片装置同样为廉价的设备。
图2是表示剥离屏蔽膜13后的基板3的图。
如图所示,在不需蒸镀区域R2,未叠层空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极,仅在包括形成有第一电极的显示区域R1的密封区域叠层有空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极。
之后,将基板3按各个有机EL面板分割(S10),使用在不需蒸镀区域R2形成的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S11),完成有机EL显示装置1。
通过以上那样的工序,制作有机EL显示装置1,从在外部形成的驱动电路向按各个子像素具备的有机EL元件流动电流使其发光,由此,能够进行所期望的显示。
以下,在对不具备能够在之后的工序中剥离的屏蔽膜13而使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序进行比较的同时,对由于具备能够在之后的工序中剥离的屏蔽膜13而能够存在的好处进行详细说明。
图4是表示不具备能够在之后的工序中剥离的图案膜而使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的概略的制造工序的图。
如图所示,首先,利用已知的方法,制作TFT和与上述TFT电连接的第一电极的基板(S101)。
然后,由于不具备屏蔽膜13,使用通常的开放式掩模,在基板上,利用真空蒸镀法在整个面形成空穴注入层和空穴输送层(S102)。
在图4所示的使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序中,由于不具备屏蔽膜13,不能将屏蔽膜13作为掩模同时使用,需要仅利用通常的开放式掩模进行蒸镀。
因此,在本发明的有机EL显示装置1的制造工序中,能够实现蒸镀掩模(开放式掩模)的简化和与此相伴的安装时间的削减而产生的装置生产节拍(tact,节奏)时间的提高(生产性的提高)和设备成本的降低,能够实现有机EL显示装置的制造成本的削减。
进一步,在图3所示的本发明的有机EL显示装置1的制造工序中,因为能够将屏蔽膜13作为掩模同时使用,所以能够通过开放式掩模的紧贴面积的降低,实现由于开放式掩模的接触而产生的基板上的图案的损伤的降低,并且,由于屏蔽膜13覆盖形成有端子部的不需蒸镀区域R2,还发挥作为端子部的保护膜的作用,能够避免开放式掩模与端子部的直接的接触,因此,能够防止由于上述开放式掩模而对端子部造成的损伤,能够实现有机EL显示装置的成品率的提高。
进一步,因为屏蔽膜13覆盖形成有端子部的不需蒸镀区域R2,所以能够防止在端子部上粘上异物等,能够提高有机EL显示装置的可靠性。此外,通过屏蔽膜13的粘着性,能够除去从粘接屏蔽膜13前就附着的异物,能够提高有机EL显示装置的成品率。
然后,使用图14所示那样的蒸镀装置,与本发明的有机EL显示装置1的制造工序同样地形成具有条状的图案的发光层(S103)。
但是,在图4所示的使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序中,由于设置有覆盖不需蒸镀区域R2的屏蔽膜13,具有条状的图案的发光层还被蒸镀在不需蒸镀区域R2,结果成为在端子部上粘接蒸镀发光层。
因此,另外需要利用有机溶剂进行的在不需蒸镀区域R2形成的发光层的擦拭工序(S109),因此导致有机EL显示装置的生产线和成品率的下降,详细情况后述。
然后,由于不具备屏蔽膜13,仅使用通常的开放式掩模,在基板上利用现有的真空蒸镀法在整个面依次形成电子输送层、电子注入层和第二电极(S104、S105、S106)。
在上述电子输送层和电子注入层的形成工序中,由于不具备屏蔽膜13,不能将屏蔽膜13作为掩模同时使用,同样产生在基板上利用真空蒸镀法在整个面形成空穴注入层和空穴输送层的工序(S102)时已说明的问题。进一步,在第二电极的形成工序中,不能将屏蔽膜13作为掩模使用,需要使用通常的开放式掩模。因此,不仅产生与上述电子输送层和电子注入层的形成相同的问题,而需要开放式掩模的使用所需的设备。
然后,与图3所示的本发明的有机EL显示装置1的制造工序同样,进行有机EL元件的密封工序(S107)和按各个有机EL面板将基板分割的工序(S108)。
然后,进行利用有机溶剂进行的在不需蒸镀区域R2形成的发光层的擦拭的工序(S109)。
在图3所示的本发明的有机EL显示装置1的制造工序中,因为能够仅通过机械地剥离屏蔽膜13而容易地将其除去,所以不需要这样的擦拭工序,但是在图4所示的使用现有的扫描方式的分涂蒸镀法的有机EL显示装置的制造工序中,该擦拭工序是必须的工序,在该工序中存在引起以下那样的问题的可能。
首先,在上述擦拭工序中,必须使用有机溶剂直接从不需蒸镀区域R2擦去被蒸镀的发光层,但是并不容易将被蒸镀的发光层完全地除去,而存在容易残留残渣的问题。
此外,在上述擦拭工序中,容易在其上产生新的异物,如果在形成有端子部等的不需蒸镀区域R2存在这些异物,则会在将端子部与外部电路连接时引起电不良,导致有机EL显示装置的成品率的下降。
并且,在使用密封树脂将密封基板与基板贴合那样的情况下,也存在上述有机溶剂使密封树脂产生损伤、使有机EL显示装置的可靠性下降的问题。
然后,使用进行擦拭后的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S110),完成有机EL显示装置。
以下,根据图5,对在本发明的有机EL显示装置1的制造工序中能够使用的屏蔽膜13的其它的图案的一个例子进行说明。
图5是具有具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种颜色的发光层的有机EL元件的3种类子像素以在图中的上下方向相邻的方式配置而形成有机EL显示装置的1像素的情况,是表示至少在形成有不需蒸镀区域R2的发光层8R、8G、8B的区域形成屏蔽膜13的一个例子的图。
如图所示,关于未形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B的不需蒸镀区域R2,并没有以屏蔽膜13覆盖的必要性,因此也可以将屏蔽膜13如图5(a)那样形成为在图中上下方向上延伸的条状或如图5(b)那样形成为岛状。
在如图5所示那样存在未被屏蔽膜13覆盖的不需蒸镀区域R2的情况下,例如,与存在不能在发光层8R、8G、8B以外的有机膜的蒸镀时将屏蔽膜13作为掩模使用的区域等、将屏蔽膜13设置为图1所示那样的图案的情况相比时,所得到的效果较少,但是对于具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,能够进行高精细的图案形成。
而且,因为能够通过将屏蔽膜13的图案如图5所示那样形成来减少屏蔽膜13的使用量,所以能够实现材料费的削减,并且能够减少屏蔽膜13的脱气体的量,对有机EL元件的不良影响也能够更加减少。
另外,图5所示的屏蔽膜13的图案形状是一个例子,考虑基板面内的有机EL面板的个数、其配置、式样和其大小等,适当地决定屏蔽膜13的图案形状即可。
此外,在本实施方式中,如图14所示,通过将基板101的被蒸镀面101a与荫罩102的间隙G保持为一定,并且在将基板101在图中的左右方向上扫描的同时对被固定的掩模单元105进行蒸镀,从而在基板101的被蒸镀面101a形成具有条状的图案的发光层8R、8G、8B,但是并不限定于此,也可以在将基板101的被蒸镀面101a与荫罩102紧贴的同时使基板101滑动地进行蒸镀。
而且,在这样的情况下,能够利用屏蔽膜13防止由于基板101的被蒸镀面101a与荫罩102的紧贴而可能产生的基板101的被蒸镀面101a的损伤。
此外,在本实施方式中,使用开放式掩模蒸镀空穴注入层和空穴输送层、电子输送层、电子注入层,但是也能够如上述的发光层那样使用图14那样的蒸镀方法形成。在这种情况下,代替呈条状图案形成的掩模,使用显示区域R1的整个面开口的掩模即可。
此外,在本实施方式中,使用开放式掩模蒸镀空穴注入层和空穴输送层、电子输送层、电子注入层,但只要是将第二电极连接在基板3的配线的其它机构,就能够不使用开放式掩模而与第二电极同样地形成这些层的各个层。例如如图6所示,在基板3上使用边缘覆盖物6等形成凸部251,在其上形成空穴注入层和空穴输送层7、电子输送层(未图示)、电子注入层(未图示)和第二电极9。在密封基板12形成有第二电极连接部R3,第二电极连接部R3与第二电极9接触。第二电极连接部R3由密封基板12上的配线254引出密封区域,通过导电性膏状物252与基板3的配线253连接。通过以上那样的结构,能够将第二电极9连接至外部电路。在采用这样的结构的情况下,在发光层以外的有机层和第二电极9的形成中,能够无掩模地形成为规定形状。由此,不仅能够防止由于蒸镀掩模的接触而导致的基板3上的图案的损伤,而且能够将屏蔽膜13用作蒸镀掩模,因此能够实现蒸镀掩模的安装时间的削减而实现装置生产节拍的提高、设备成本的降低,结果能够实现有机EL显示装置1的成本削减。而且,如果如图14所示那样在基板101与蒸镀掩模102之间保持间隙G的同时形成发光层,则在有机EL元件的制造工序中,蒸镀掩模一次也不会接触。因此,完全不存在由于蒸镀掩模的接触而导致的基板上的图案的损伤的问题,能够更加提高有机EL显示装置1的成品率。
[实施方式2]
接着,基于图7至图9对本发明的第二实施方式进行说明。在本实施方式中,在包含发光层8R、8G、8B的有机层的形成工序之后,以屏蔽膜13为掩模,形成密封膜,之后,在进行屏蔽膜13的剥离之后,使用密封基板,进行有机EL元件的密封,在这方面与实施方式1不同,关于其它的结构,与在实施方式1中说明的相同。为了便于说明,对具有与在实施方式1的附图所示的部件相同功能的部件,标注相同的附图标记,省略其说明。
图9是表示有机EL显示装置1a的概略的制造工序的图。
图9的从S1至S7的工序与在实施方式1的图3中已经说明的从S1至S7的工序相同,因此省略其说明。
图7是表示在具备有机EL显示装置1a的基板3a形成的屏蔽膜13的图案形状和发光层8R、8G、8B的图。
然后,以图7所示那样的屏蔽膜13为掩模,在作为有机EL元件的上表面的第二电极上,利用CVD法等形成水分和氧不容易透过的致密的密封膜(未图示),在有机EL元件的侧面,呈框状形成密封树脂或多孔玻璃(粉末玻璃),进行有机EL元件的密封(S8)。
另外,在本实施方式中,将屏蔽膜13用作掩模进行发光层8R、8G、8B、第二电极的形成和密封膜的形成,但是并不限定于此,还能够如在实施方式1中说明的那样,对于发光层以外的有机层,也仅使用屏蔽膜13或同时使用屏蔽膜13和开放式掩模形成。
然后,剥离屏蔽膜13(S9)。另外,此时,如上述那样有机EL元件被密封膜等保护,因此有机EL元件不会在剥离工序中被损伤。
之后,对完成蒸镀的基板3a,进行包括显示区域R1的密封区域的密封,以使得具备第一电极、空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极的有机EL元件不由于大气中的水分和氧而劣化(S10)。
如图8所示,在包含显示区域R1的密封区域的4边端部,呈框状形成有密封树脂11,通过密封树脂11,基板3a与密封基板(未图示)被贴合。
然后,将基板3a按各个有机EL面板分割(S11),使用在不需蒸镀区域R2形成的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S12),完成有机EL显示装置1a。
在如上述那样制作的有机EL显示装置1a,在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜。因此,与实施方式1一样简便地解决向不需蒸镀区域R2形成蒸镀膜的问题。
]进一步,因为能够将屏蔽膜13用作蒸镀掩模,所以能够实现蒸镀掩模的安装时间的削减而产生的装置生产节拍的提高、设备成本的降低,结果能够实现有机EL显示装置1a的制造成本的削减。
同时,通过贴向基板3a的紧贴次数的降低,能够减少对有机EL面板的表面的损伤,由此能够实现有机EL显示装置1a的成品率的提高。
另外,在本实施方式中,第二电极和密封膜的形成利用蒸镀法形成,但是并不限定于此,还能够利用溅射法等其它的成膜法。
此外,如果能够仅通过第二电极的形成就在屏蔽膜13的剥离工序中保护有机EL元件不被劣化,也可以省略密封膜的形成工序。
此外,在图8,作为被密封树脂11包围的区域的密封区域的外缘也包含在不需蒸镀区域R2,被屏蔽膜13保护(参照图7)。
因此,在利用密封树脂11或多孔玻璃(粉末玻璃)呈框状密封有机EL元件的情况下和利用密封树脂11将密封基板与TFT基板贴合而密封的情况下,在密封区域的外缘蒸镀膜不存在于(被夹在)基板间。
由此,能够防止密封树脂11或多孔玻璃的紧贴性下降和空孔,能够充分地发挥密封性能,因此能够提高有机EL显示装置1a的可靠性。
[实施方式3]
接着,基于图10至图12对本发明的第三实施方式进行说明。在本实施方式中,在屏蔽膜13的剥离工序后形成第二电极,在这方面与实施方式1不同。此外,关于发光层以外的有机层也在不使用蒸镀掩模而以屏蔽膜13为掩模形成的方面与实施方式1不同。此外,在屏蔽膜13覆盖至涂敷密封树脂的框状区域、仅显示区域R1开口的方面与实施方式1不同。关于其它的结构,与在实施方式1中说明的相同。为了便于说明,对具有与在实施方式1的附图所示的部件相同功能的部件,标注相同的附图标记,省略其说明。
图12是表示有机EL显示装置1b的概略的制造工序的图。
在图12的至S1、S2和S4为止的工序,与在实施方式1的图3中已经说明的S1、S2和S4为止的工序相同,因此省略其说明。在S3、S5和S6的工序中,类似于实施方式1的图3的S7的工序。即,以仅显示区域R1开口的屏蔽膜13为掩模形成空穴注入层和空穴输送层、电子输送层及电子注入层。由于该屏蔽膜13覆盖第二电极连接部R3,在其上不形成上述有机层。
图10是表示在基板3b形成的屏蔽膜13的图案形状和发光层8R、8G、8B的图。
如图所示,屏蔽膜13以在显示区域R1具有开口部的方式形成。
因此,通过该处理,对构成有机EL元件的蒸镀膜没有损伤。
然后,在本实施方式的有机EL显示装置1b的制造工序中,如图12所示那样,在形成第二电极之前剥离屏蔽膜13(S7)。
然后,为了剥离屏蔽膜13,使用通常的开放式掩模,蒸镀第二电极(S8)。
如上述那样,对完成蒸镀的基板3b,进行包括显示区域R1的密封区域的密封,以使得具备第一电极、空穴注入层和空穴输送层、发光层8R、8G、8B、电子输送层、电子注入层、第二电极的有机EL元件不由于大气中的水分和氧而劣化(S9)。
图11是表示进行至屏蔽膜13的剥离、第二电极的蒸镀和包括显示区域R1的密封区域的密封为止之后的基板3b的图。
如图所示,在包括显示区域R1的密封区域的4边端部,呈框状形成有密封树脂11,通过密封树脂11,基板3b与密封基板(未图示)被贴合。
然后,将基板3b按各个有机EL面板分割(S10),使用在不需蒸镀区域R2形成的端子部进行与外部电路(驱动电路)的连接(S11),完成有机EL显示装置1b。
在如上述那样制作的有机EL显示装置1b,在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜。因此,与实施方式1和2同样简便地解决向不需蒸镀区域R2形成蒸镀膜的问题。
]此外,因为能够将屏蔽膜13用作包含发光层8R、8G、8B的有机膜的蒸镀掩模,所以能够实现蒸镀掩模的安装时间的削减而产生的装置生产节拍的提高、通过掩模个数削减实现的设备成本的降低,结果能够实现有机EL显示装置1b的成本削减。
同时,通过紧贴次数的降低,能够减少对有机EL面板的表面的损伤,能够实现有机EL显示装置1b的成品率的提高。
进一步,作为被密封树脂11包围的区域的密封区域的外缘(形成密封树脂的框状区域)也包含在不需蒸镀区域R2,被屏蔽膜13保护(参照图10和图11)。
因此,在利用密封树脂11或多孔玻璃(粉末玻璃)呈框状密封有机EL元件的情况下和利用密封树脂11将密封基板与TFT基板贴合而密封的情况下,在密封区域的外缘蒸镀膜不存在于(被夹在)基板间。
由此,能够防止密封树脂11或多孔玻璃的紧贴性下降和空孔,能够充分地发挥密封性能,因此能够提高有机EL显示装置1b的可靠性。
[实施方式4]
本实施方式是在实施方式1中改变屏蔽膜13的形成图案后的实施方式。在本实施方式中,如图19所示,以覆盖存在于基板3c上的形成有条状的发光层8R、8G、8B的区域的不需蒸镀区域(即存在于显示区域R1的基板扫描方向的两侧的端子部区域R2和密封区域(附图标记11的内侧的区域,以后,为了便于说明而称为密封区域11)的基板扫描方向的两侧的外缘)的方式,在基板3c形成带状的屏蔽膜13。
更详细而言,本实施方式的屏蔽膜13,以使各显示区域R1露出且覆盖存在于各显示区域R1的基板扫描方向的两侧的上述不需蒸镀区域的方式,在基板3c的基板扫描方向的上游端和下游端、以及在基板扫描方向上相邻的各显示区域R1间的区域,以沿与基板扫描方向正交的方向(以后称为扫描正交方向)从基板3c的端部至端部延伸的方式形成。
另外,在图19,仅对图中左上的显示区域R1图示端子部区域R2、第二端子连接部R3和密封区域11,但是对其它显示区域R1也同样设定端子部区域R2、第二端子连接部R3和密封区域11。
在本实施方式中,如图20所示那样制造有机EL显示装置。
首先,与实施方式1同样制作具备TFT和第一电极的基板3c,在该基板3c,如图19所示(即如上述那样)以覆盖存在于基板3c上的形成有条状的发光层8R、8G、8B的不需蒸镀区域(即存在于显示区域R1的基板扫描方向的两侧的端子部区域R2、密封区域11的基板扫描方向的两侧的外缘)的方式,形成带状的屏蔽膜13(T1)。
在该状态,在基板3c制作有机EL元件(T2)。即与实施方式1同样使用掩模和屏蔽膜13例如通过基板扫描进行蒸镀,形成各有机层(空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层)。
由此,如图19所示,在基板3c的显示区域R1和屏蔽膜13上,形成在基板扫描方向上延伸的条状的发光层8R、8G、8B。另外,在图19,仅记载从上段的两个显示区域R1上通过的发光层8R、8G、8B,但是同样还形成有从下段的两个显示区域R1上通过的发光层8R、8G、8B。另外,在没必要形成发光层8R、8G、8B的区域R10(即,在各显示区域R1的扫描正交方向的两侧,沿基板扫描方向从基板3c的端部至端部延伸的区域),不形成发光层8R、8G、8B。而且在第二电极的形成中也使用开放式掩模和屏蔽膜13进行蒸镀,通过第二电极连接部R3进行第二电极与基板3c的信号配线的连接。
然后,在第二电极形成后,剥离屏蔽膜13(T3)。由此,各显示区域R1以外的有机EL元件与屏蔽膜13一起被剥离。另外,不会由于该剥离而使形成于显示区域R1上的有机EL元件损伤。然后,与实施方式1同样,利用密封基板密封有机EL元件(T4),然后按每个有机EL元件分割基板3c,之后进行端子部区域R2与外部电路的电连接(T5),完成有机EL显示装置。
另外,作为能够在本实施方式中使用的屏蔽膜13的图案,在图19所示的图案以外,能够列举图21和图22所示的图案。
在图21,关于未形成条状的发光层(蒸镀膜)8R、8G、8B的不需蒸镀区域R10,不存在形成屏蔽膜13的必要性,因此,不在不需蒸镀区域R10形成屏蔽膜13,而将屏蔽膜13限定于各显示区域R1的基板扫描方向的两侧、且呈覆盖存在于各显示区域R1的基板扫描方向的两侧的端子部区域R2和密封区域11的基板扫描方向的两侧的外缘的岛状形成。
此外,在图22,即使在图19中各显示区域R1的扫描正交方向的两侧的不需蒸镀区域R10,也以基板3c的表面的保护及附着异物的除去为目的,进一步形成屏蔽膜13u。
另外,根据在基板3c形成的有机EL面板的个数、配置、式样和大小,屏蔽膜13的图案成为各种各样的图案,因此,适当地与其一致地改变屏蔽膜13的图案即可。
如上所述,根据本实施方式,在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜(发光层8R、8G、8B等有机层)。因此,与实施方式1同样简便地解决向不需蒸镀区域R2形成蒸镀膜的问题。
[实施方式5]
本实施方式是在实施方式1中以具有与第二电极用的蒸镀掩模相同的开口部的方式形成屏蔽膜13的实施方式。由此,屏蔽膜13成为第二电极用的蒸镀掩模的替代品。
更详细而言,如图23所示,屏蔽膜13具有分别与各显示区域R1对应的多个开口部13s,以仅在各开口部13s使与开口部13s对应的显示区域R1和存在于与该显示区域R1的基板扫描方向正交的方向(以后,扫描正交方向)的两侧的第二电极连接部R3露出、而覆盖这以外的区域(端子部区域R2和密封区域11的周边边缘等)的方式,在基板3d形成。
另外,屏蔽膜13与实施方式1同样为在扫描正交方向上延伸的多个较长的矩形薄膜13a和在基板扫描方向上延伸的多个较短的矩形薄膜13b排列而构成。
在本实施方式中,如图20所示那样制造有机EL显示装置。
首先,与实施方式1同样制作具备TFT和第一电极的基板3d,在该基板3d,如图23所示(即如上述那样)形成具有与第二电极用的蒸镀掩模相同的开口部13s的屏蔽膜13(T1)。
在该状态,在基板3d制作有机EL元件(T2)。即与实施方式1一样,例如通过基板扫描进行蒸镀,如图23所示,在基板3d的显示区域R1和屏蔽膜13上,形成在基板扫描方向上延伸的条状的发光层8R、8G、8B。另外,在图22,为了制图的方便仅图示从上段的两个显示区域R1通过的发光层8R、8G、8B,但是同样还形成有从下段的两个显示区域R1通过的发光层8R、8G、8B。另外,在该发光层8R、8G、8B的形成的前后,同时使用开放式掩模和屏蔽膜在基板3d的整个面通过蒸镀形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层。在本实施方式中,因为屏蔽膜13作为第二电极用的掩模发挥作用,所以第二电极的形成通过无掩模的蒸镀形成。通过该第二电极的形成,利用第二电极连接部R3连接第二电极与基板3d的信号配线。
然后,在第二电极形成后,剥离屏蔽膜13(T3)。由此,各显示区域R1以外的有机EL元件被剥离,且在不需要的区域(即第二电极连接部R3和显示区域R1以外的区域)形成的第二电极与屏蔽膜13一起被剥离。另外,不会由于该剥离而使形成于显示区域R1上的有机EL元件损伤。然后,与实施方式1同样,利用密封基板密封有机EL元件(T4),然后按每个有机EL元件分割基板3d,之后进行端子部区域R2与外部电路的电连接(T5),完成有机EL显示装置。
如上所述,根据本实施方式,在不需蒸镀区域R2不形成蒸镀膜。因此,能够简便地解决不需蒸镀区域R2的蒸镀膜的形成问题。
此外,由于屏蔽膜13兼作第二电极用的蒸镀掩模,所以能够通过蒸镀掩模的安装时间的削减实现装置生产节拍的提高、通过掩模个数的降低实现设备成本的降低,结果能够实现有机EL显示装置的成本削减。同时,通过掩模紧贴次数的减少,能够减少对有机EL面板的表面的损伤,能够提高有机EL显示装置的成品率。另外,第二电极的形成不仅能够使用蒸镀而且能够使用溅射法等其它成膜法。
此外,在本实施方式中,屏蔽膜13不仅作为第二电极用的掩模而且能够兼用作密封膜用的掩模。在这种情况下,密封膜与第二电极形成为相同形状。
此外,密封区域11的外缘也包含在不需蒸镀区域,由屏蔽膜13保护。因此,在利用密封树脂或多孔玻璃呈框状密封有机EL元件的情况下和利用树脂将密封基板与TFT基板贴合而密封的情况下,在密封区域R4的外缘蒸镀膜不存在于(被夹在)基板3d间。因此,能够防止密封树脂或多孔玻璃的紧贴性下降和空孔,能够充分地发挥密封性能,因此能够提高有机EL显示装置的可靠性。
[变形例]
在实施方式1~5,以屏蔽膜13具有粘接性或粘着性、通过该粘接性或粘着性被粘接在基板3、3a、3b、3c、3d的情况为例进行了说明,但是并不限定于此。例如,作为屏蔽膜13,也可以使用不包括具有粘接性的面的树脂薄膜,使用利用激光等使树脂薄膜熔接在基板、之后机械地或通过激光照射等(热处理)剥下的方法。在这种情况下,只要在基板上的非图案区域在几处熔接,就不会对基板上的图案造成损伤。此外,也可以由热粘接薄膜等构成屏蔽膜13。
另外,本发明不仅能够应用于有机EL显示装置的制造,只要是通过扫描进行蒸镀,在这之外的制造中也能够应用。
另外,在上述实施方式1~5中,对以屏蔽膜13为掩模形成有机层(特别是发光层)的情况进行了说明,也可以以屏蔽膜13为掩模形成配线等金属层。此外,也可以使用无机层代替有机层,在这种情况下,也可以以屏蔽膜13为掩模形成无机层。
[要点概要]
如上所述,为了解决上述问题,本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法是在基板形成蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其具有:在上述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜的工序;在上述基板隔着上述遮蔽膜形成蒸镀膜的工序;和通过剥离上述遮蔽膜将上述蒸镀膜形成为规定形状的工序。
根据上述方法,在上述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜之后,在上述基板上,隔着上述遮蔽膜,比较容易地形成高精细的蒸镀膜,通过剥离上述遮蔽膜能够将上述蒸镀膜形成为规定形状的高精细的图案。
因此,根据上述方法,能够进行高精细的图案形成。
此外,因为在隔着遮蔽膜在基板形成蒸镀膜之后剥离遮蔽膜,所以能够防止在形成有遮蔽膜的区域形成蒸镀膜的情况。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:上述遮蔽膜通过多个膜部件以允许重叠的方式排列而构成。
根据上述方法,上述遮蔽膜通过多个膜部件以允许重叠的方式排列而构成,因此,容易对基板形成遮蔽膜,且容易使遮蔽膜的图案与各种图案对应。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:上述遮蔽膜包括具有粘接性或粘着性的面。
根据上述方法,上述遮蔽膜包括具有粘接性或粘着性的面,因此,仅通过将该面粘贴在基板就能够在基板形成遮蔽膜。此外,遮蔽膜的剥离也能够容易地进行。然后,在进行该剥离时,能够随遮蔽膜的剥离将在遮蔽膜形成前附着在基板的灰尘一起除去。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:上述遮蔽膜由不包括具有粘接性的面的树脂薄膜形成,通过热熔接粘接于上述基板。
根据上述方法,通过热熔接而在基板形成遮蔽膜,因此能够将不包括具有粘接性的面的树脂薄膜用作遮蔽膜。此外,因为不具备粘接性,所以在剥离遮蔽膜时,能够防止粘接剂作为残渣残留在基板。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:上述遮蔽膜通过热处理从上述基板剥离。
根据上述方法,通过热处理剥离遮蔽膜,因此能够简单地剥离遮蔽膜。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:上述遮蔽膜在上述基板以覆盖与外部电路连接的端子部区域的方式形成。
根据上述方法,上述遮蔽膜在上述基板以覆盖与外部电路连接的端子部区域的方式形成,因此,能够防止在端子部区域形成蒸镀膜。由此能够良好地电连接端子部与外部电路。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:上述蒸镀膜为相互具有规定间隔的多个直线状,沿规定方向形成。
根据上述方法,上述蒸镀膜为相互具有规定间隔的多个直线状并沿规定方向形成,因此能够将上述蒸镀膜形成为规定形状的高精细的图案。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:在将上述蒸镀膜形成于上述基板上的工序之前、该工序之后或该工序的前后,包括以上述遮蔽膜为掩模形成与上述蒸镀膜不同的第一膜的工序,上述遮蔽膜的剥离在形成上述第一膜的工序之后进行。
根据上述方法,能够在上述遮蔽膜的形成后的工序中将上述遮蔽膜用作蒸镀掩模,因此能够无掩模地进行蒸镀,能够通过蒸镀掩模的安装时间的削减实现装置生产节拍的提高、设备成本的降低。
同时,通过蒸镀掩模的紧贴次数的降低,能够减少对上述基板的表面的损伤。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:在将上述蒸镀膜形成于上述基板的工序之前、该工序之后或该工序的前后,包括使用具有贯通孔的掩模形成与上述蒸镀膜不同的第二膜的工序,上述遮蔽膜的剥离在形成上述第二膜的工序之后进行。
根据上述方法,具有贯通孔的掩模与基板隔着上述遮蔽膜紧贴,因此能够使得上述遮蔽膜发挥基板的保护膜的作用,能够减少对上述基板的表面的损伤。
本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法优选如下方式:在将上述蒸镀膜形成于上述基板的工序中,掩模单元中的蒸镀掩模与上述基板被维持为固定距离,上述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比上述基板小的上述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着上述蒸镀掩模向上述基板的形成有上述遮蔽膜的面射出的射出口,并且上述蒸镀掩模与上述射出口的相对位置被固定,上述掩模单元和上述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成上述蒸镀膜。
根据上述方法,能够高效率、高精细地形成相互具有规定间隔的多个直线状的上述蒸镀膜。
在本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法中,上述掩模单元中的上述蒸镀掩模与上述基板也可以紧贴。
根据上述方法,上述基板与上述蒸镀掩模隔着上述遮蔽膜紧贴,因此能够通过上述遮蔽膜防止上述蒸镀掩模对上述基板的损伤。
为了解决上述问题,本发明的实施方式的显示装置的制造方法具有:在基板上形成多个有源元件的工序;形成第一电极的工序,上述第一电极与上述各个有源元件电连接且在上述基板上的显示区域呈矩阵状形成;在上述第一电极上形成至少包含发光层的有机层的工序;和至少在上述有机层上形成具有与上述第一电极相反的极性的第二电极的工序,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序中,以不覆盖上述显示区域且覆盖作为上述显示区域的周边区域的非显示区域的至少一部分的方式形成能够剥离的遮蔽膜,在上述基板上,隔着上述遮蔽膜,沿上述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少上述发光层,在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序之后或形成上述第二电极的工序之后,剥离上述遮蔽膜,由此将至少上述发光层形成为规定形状。
根据上述方法,能够实现成品率和可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
本发明的实施方式的显示装置的制造方法优选如下方式:在形成上述至少包含发光层的有机层的工序中,包含以上述遮蔽膜为掩模,形成上述有机层中的上述发光层以外的层或金属层或无机层的工序。
根据上述方法,能够在上述遮蔽膜的形成后的工序将上述遮蔽膜用作蒸镀掩模,因此能够无掩模地进行蒸镀,能够通过蒸镀掩模的安装时间的削减实现装置生产节拍的提高、设备成本的降低。
同时,通过蒸镀掩模的紧贴次数的降低,能够减少对上述基板的表面的损伤。
因此,根据上述方法,能够实现成品率和可靠性的提高,并且能够抑制制造成本。
本发明的实施方式的显示装置的制造方法优选如下方式:在形成上述至少包含发光层的有机层的工序中,包含使用具有贯通孔的掩模,形成上述有机层中的上述发光层以外的层或金属层或无机层的工序。
根据上述方法,具有贯通孔的掩模与基板隔着上述遮蔽膜紧贴,因此上述遮蔽膜发挥基板的保护膜的作用,能够减少对上述基板的表面的损伤,因此能够实现成品率和可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
在本发明的实施方式的显示装置的制造方法中,优选如下方式:上述遮蔽膜的剥离在形成上述第二电极的工序之后进行,在形成上述第二电极的工序中,以上述遮蔽膜为掩模形成上述第二电极。
根据上述方法,能够将上述遮蔽膜在形成上述第二电极的工序中用作掩模,因此能够无掩模地进行形成上述第二电极的工序,能够通过掩模的安装时间的削减实现装置生产节拍的提高设备成本的降低。
同时,能够通过蒸镀掩模的紧贴次数的降低,减少对上述基板的表面的损伤。
本发明的实施方式的显示装置的制造方法优选如下方式:在形成上述第二电极的工序中,使用具有贯通孔的掩模形成上述第二电极。
在本发明的实施方式的显示装置的制造方法中,优选如下方式:上述遮蔽膜在形成上述有机层中的至少上述发光层的工序之后且在形成上述第二电极的工序之前被剥离。
根据上述方法,能够在形成至少上述发光层的工序之后剥离上述遮蔽膜。
本发明的实施方式的显示装置的制造方法优选如下方式:具有在上述显示区域利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的工序,上述利用密封部件进行密封的工序在通过剥离上述遮蔽膜将至少上述发光层形成为规定形状之前进行。
根据上述方法,以利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的状态剥离上述遮蔽膜,因此能够抑制由于上述遮蔽膜的剥离而产生的影响。
本发明的实施方式的显示装置的制造方法优选如下方式:上述显示装置的制造方法具有以上述遮蔽膜为掩模、在上述显示区域形成密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的密封膜的工序,上述形成密封膜的工序在通过剥离上述遮蔽膜将至少上述发光层形成为规定形状之前进行,在通过剥离上述遮蔽膜将至少上述发光层形成为规定形状之后,进行在上述显示区域利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层、上述第二电极和上述密封膜的工序。
根据上述方法,以利用密封膜密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的状态剥离上述遮蔽膜,因此能够抑制由于上述遮蔽膜的剥离而产生的影响。
此外,由于还利用密封部件与上述密封膜分别地进行密封,能够提高可靠性。
本发明的实施方式的显示装置的制造方法优选如下方式:具有在上述显示区域利用密封部件密封上述第一电极、上述有机层和上述第二电极的工序,上述利用密封部件进行密封的工序在形成上述第二电极的工序之后进行。
在本发明的实施方式的显示装置的制造方法中,当在上述基板上,沿上述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少上述发光层时,掩模单元中的蒸镀掩模与上述基板被维持为固定距离,上述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比上述基板小的上述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着上述蒸镀掩模向上述基板的形成有上述遮蔽膜的面射出的射出口,并且上述蒸镀掩模与上述射出口的相对位置被固定,上述掩模单元和上述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成至少上述发光层。
根据上述方法,能够高效率地实现成品率和可靠性得到提高的显示装置的制造方法。
在本发明的实施方式的蒸镀膜的形成方法中,上述掩模单元的上述蒸镀掩模与上述基板也可以紧贴。
根据上述方法,上述基板与上述蒸镀掩模隔着上述遮蔽膜紧贴,因此能够通过上述遮蔽膜来防止上述蒸镀掩模对上述基板的损伤。
本发明并不限定于上述各实施方式,能够在技术方案所示的范围内进行各种变更,将在不同的实施方式中分别公开的技术方法适当地进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
产业上的可利用性
本发明例如能够优选应用于有机EL显示装置的制造工序等。
附图标记的说明
1、1a、1b有机EL显示装置(显示装置)
2TFT(有源元件)
3、3a、3b、3c、3d基板
5第一电极
7空穴注入层和空穴输送层(有机层)
8R、8G、8B发光层
9第二电极
10有机EL元件
11密封树脂(密封部件)
12密封基板(密封部件)
13屏蔽膜(遮蔽膜)
R1显示区域
R2不需蒸镀区域(端子部区域)(非显示区域)
R3第二电极连接部
Claims (23)
1.一种蒸镀膜的形成方法,其是在基板上形成蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其特征在于,具有:
在所述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜的工序;
在所述基板隔着所述遮蔽膜形成蒸镀膜的工序;和
通过剥离所述遮蔽膜将所述蒸镀膜形成为规定形状的工序,
所述遮蔽膜通过多个膜部件以允许重叠的方式排列而构成,
所述遮蔽膜在所述基板以覆盖与外部电路连接的端子部区域的方式形成,
所述遮蔽膜仅形成在有机EL面板的密封区域外,不形成在显示区域和密封区域内。
2.一种蒸镀膜的形成方法,其是在基板上形成蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其特征在于,具有:
在所述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜的工序;
在所述基板隔着所述遮蔽膜形成蒸镀膜的工序;和
通过剥离所述遮蔽膜将所述蒸镀膜形成为规定形状的工序,
所述遮蔽膜包括具有粘接性或粘着性的面,
所述遮蔽膜在所述基板以覆盖与外部电路连接的端子部区域的方式形成,
所述遮蔽膜仅形成在有机EL面板的密封区域外,不形成在显示区域和密封区域内。
3.一种蒸镀膜的形成方法,其是在基板上形成蒸镀膜的蒸镀膜的形成方法,其特征在于,具有:
在所述基板的规定区域形成能够剥离的遮蔽膜的工序;
在所述基板隔着所述遮蔽膜形成蒸镀膜的工序;和
通过剥离所述遮蔽膜将所述蒸镀膜形成为规定形状的工序,
所述遮蔽膜由不包括具有粘接性的面的树脂薄膜形成,通过热熔接粘接于所述基板,
所述遮蔽膜在所述基板以覆盖与外部电路连接的端子部区域的方式形成,
所述遮蔽膜仅形成在有机EL面板的密封区域外,不形成在显示区域和密封区域内。
4.如权利要求1所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述遮蔽膜包括具有粘接性或粘着性的面。
5.如权利要求1所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述遮蔽膜由不包括具有粘接性的面的树脂薄膜形成,通过热熔接粘接于所述基板。
6.如权利要求3或5所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述遮蔽膜通过热处理从所述基板剥离。
7.如权利要求1至5中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述遮蔽膜仅形成在呈框状形成的密封树脂的外侧。
8.如权利要求1至5中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
所述蒸镀膜为相互具有规定间隔的多个直线状,沿规定方向形成。
9.如权利要求1至5中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
在将所述蒸镀膜形成于所述基板上的工序之前、该工序之后或该工序的前后,包括以所述遮蔽膜为掩模形成与所述蒸镀膜不同的第一膜的工序,
所述遮蔽膜的剥离在形成所述第一膜的工序之后进行。
10.如权利要求1至5中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
在将所述蒸镀膜形成于所述基板的工序之前、该工序之后或该工序的前后,包括使用具有贯通孔的掩模形成与所述蒸镀膜不同的第二膜的工序,
所述遮蔽膜的剥离在形成所述第二膜的工序之后进行,与所述遮蔽膜的剥离同时,在所述遮蔽膜的表面形成的所述第二膜也被剥离。
11.如权利要求1至5中任一项所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
在将所述蒸镀膜形成于所述基板的工序中,
掩模单元中的蒸镀掩模与所述基板被维持为固定距离,所述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比所述基板小的所述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着所述蒸镀掩模向所述基板的形成有所述遮蔽膜的面射出的射出口,并且所述蒸镀掩模与所述射出口的相对位置被固定,
所述掩模单元和所述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成所述蒸镀膜,
所述掩模单元中的所述蒸镀掩模与所述基板紧贴。
12.如权利要求11所述的蒸镀膜的形成方法,其特征在于:
包括电极连接部,所述电极连接部形成在所述遮蔽膜的开口部,所述电极连接部与第二电极在所述遮蔽膜的开口部内连接。
13.一种显示装置的制造方法,其具有:在基板上形成多个有源元件的工序;形成第一电极的工序,所述第一电极与各个所述有源元件电连接且在所述基板上的显示区域呈矩阵状形成;在所述第一电极上形成至少包含发光层的有机层的工序;和至少在所述有机层上形成具有与所述第一电极相反的极性的第二电极的工序,该显示装置的制造方法的特征在于:
在形成所述有机层中的至少所述发光层的工序中,
以不覆盖所述显示区域且覆盖作为所述显示区域的周边区域的非显示区域的至少一部分的方式形成能够剥离的遮蔽膜,
在所述基板上,隔着所述遮蔽膜,沿所述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少所述发光层,
在形成所述有机层中的至少所述发光层的工序之后或形成所述第二电极的工序之后,剥离所述遮蔽膜,由此将至少所述发光层形成为规定形状,
所述遮蔽膜在所述基板以覆盖与外部电路连接的端子部区域的方式形成,
所述遮蔽膜仅形成在有机EL面板的密封区域外,不形成在显示区域和密封区域内。
14.如权利要求13的显示装置的制造方法,其特征在于:
在形成所述至少包含发光层的有机层的工序中,包含以所述遮蔽膜为掩模,形成所述有机层中的所述发光层以外的层或金属层或无机层的工序。
15.如权利要求13或14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在形成所述至少包含发光层的有机层的工序中,包含使用具有贯通孔的掩模,形成所述有机层中的所述发光层以外的层或金属层或无机层的工序。
16.如权利要求13或14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述遮蔽膜的剥离在形成所述第二电极的工序之后进行,
在形成所述第二电极的工序中,以所述遮蔽膜为掩模形成所述第二电极。
17.如权利要求13或14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在形成所述第二电极的工序中,使用具有贯通孔的掩模形成所述第二电极。
18.如权利要求17所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述遮蔽膜在形成所述有机层中的至少所述发光层的工序之后且在形成所述第二电极的工序之前被剥离。
19.如权利要求13或14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
具有在所述显示区域利用密封部件密封所述第一电极、所述有机层和所述第二电极的工序,
利用所述密封部件进行密封的工序在通过剥离所述遮蔽膜将至少所述发光层形成为规定形状之前进行。
20.如权利要求13或14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
具有以所述遮蔽膜为掩模,在所述显示区域形成密封所述第一电极、所述有机层和所述第二电极的密封膜的工序,
形成所述密封膜的工序在通过剥离所述遮蔽膜将至少所述发光层形成为规定形状之前进行,
在通过剥离所述遮蔽膜将至少所述发光层形成为规定形状之后,进行在所述显示区域利用密封部件密封所述第一电极、所述有机层、所述第二电极和所述密封膜的工序。
21.如权利要求18所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
具有在所述显示区域利用密封部件密封所述第一电极、所述有机层和所述第二电极的工序,
利用所述密封部件进行密封的工序在形成所述第二电极的工序之后进行。
22.如权利要求13或14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
当在所述基板上,沿所述呈矩阵状形成的第一电极的行方向或列方向形成相互具有规定间隔的多个直线状的至少所述发光层时,
掩模单元中的蒸镀掩模与所述基板被维持为固定距离,所述掩模单元包括:具有贯通孔且面积比所述基板小的所述蒸镀掩模;和将从蒸镀材料供给源供给的蒸镀颗粒隔着所述蒸镀掩模向所述基板的形成有所述遮蔽膜的面射出的射出口,并且所述蒸镀掩模与所述射出口的相对位置被固定,
所述掩模单元和所述基板中的至少任意一个相对于另一个进行扫描,从而形成至少所述发光层。
23.如权利要求22所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述掩模单元的所述蒸镀掩模与所述基板紧贴。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010291202 | 2010-12-27 | ||
JP2010-291202 | 2010-12-27 | ||
PCT/JP2011/079439 WO2012090770A1 (ja) | 2010-12-27 | 2011-12-20 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103270816A CN103270816A (zh) | 2013-08-28 |
CN103270816B true CN103270816B (zh) | 2016-05-18 |
Family
ID=46382881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180062848.1A Expired - Fee Related CN103270816B (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-20 | 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9076989B2 (zh) |
JP (1) | JP5384751B2 (zh) |
CN (1) | CN103270816B (zh) |
WO (1) | WO2012090770A1 (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014088594A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | V Technology Co Ltd | 蒸着マスク |
KR102073765B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 제조방법 및 이에 사용될 수 있는 증착장치 |
US9887384B2 (en) * | 2013-07-16 | 2018-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing flexible display device, and flexible display device |
JP2015216096A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-12-03 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置 |
US10326076B2 (en) * | 2015-04-13 | 2019-06-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method of manufacturing display substrate, display substrate and display device |
CN104779200B (zh) * | 2015-04-13 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置 |
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-
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- 2011-12-20 WO PCT/JP2011/079439 patent/WO2012090770A1/ja active Application Filing
- 2011-12-20 CN CN201180062848.1A patent/CN103270816B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-20 US US13/976,422 patent/US9076989B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-20 JP JP2012550850A patent/JP5384751B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
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WO2012090770A1 (ja) | 2012-07-05 |
US20130295705A1 (en) | 2013-11-07 |
CN103270816A (zh) | 2013-08-28 |
US9076989B2 (en) | 2015-07-07 |
JPWO2012090770A1 (ja) | 2014-06-05 |
JP5384751B2 (ja) | 2014-01-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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