[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN103258720A - 光刻胶图案修整方法 - Google Patents

光刻胶图案修整方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103258720A
CN103258720A CN201210599256XA CN201210599256A CN103258720A CN 103258720 A CN103258720 A CN 103258720A CN 201210599256X A CN201210599256X A CN 201210599256XA CN 201210599256 A CN201210599256 A CN 201210599256A CN 103258720 A CN103258720 A CN 103258720A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composition
photoresist pattern
photoresist
acid
finishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210599256XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103258720B (zh
Inventor
C-B·徐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN103258720A publication Critical patent/CN103258720A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103258720B publication Critical patent/CN103258720B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

修整光刻胶图案的方法。方法包括：在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中修整组合物包括基质聚合物、热酸产生剂和溶剂，修整组合物没有交联剂。加热被涂覆的半导体衬底以由热酸产生剂在修整组合物中产生酸，因此导致在光刻胶图案的表面区中的基质聚合物的极性的改变。光刻胶图案和显影液接触以去除光刻胶图案的表面区。该方法在半导体器件的制造中的非常好的光刻特征的形成中有特别的应用。

Description

光刻胶图案修整方法
技术领域
本发明主要涉及一种电子器件的制造方法。更具体地，本发明涉及一种修整(trim)光刻胶图案的方法，其在形成精细的平版印刷图案的收缩工艺中有用处。
背景技术
在半导体制造产业中，光刻胶材料用于将图像转移到一个或多个沉积在半导体衬底上的下层，例如金属、半导体和电介质层以及半导体材料本身。为了增加半导体器件的集成度以及考虑到形成具有在纳米范围内的尺寸的结构，已经并且继续开发具有高分辨能力的光刻胶和光刻处理工具。
正型化学增强型光刻胶通常用于高分辨率工艺。这种光刻胶典型地使用具有酸不稳定离去基团的树脂和光致产酸剂。暴露于光化辐射导致产酸剂形成酸，该酸在后曝光烘焙期间引起树脂中的酸不稳定基团的分裂。这使光刻胶的曝光的和未曝光的区域在碱性显影剂溶液中溶解特性产生差异。光刻胶的曝光区域可溶解于碱性显影溶液中并且从衬底表面去除，反之不能溶于显影液中的未曝光的区域在显影后保留以形成正像。
在半导体器件中获得nm级特征尺寸的一种方法为在化学增强型光刻胶的曝光期间使用短波长光，例如193nm或更短。为了进一步改善光刻性能，已经开发出浸没式光刻工具以有效地增加成像装置的透镜的数值孔径(NA)，该成像装置例如具有KrF或者ArF光源的扫描仪。这通过在成像装置的最后表面和半导体晶片的上部表面之间使用相对高折射率的流体(即浸没流体)实现。与使用空气或者惰性气体媒介相比，该浸没流体允许更大量的光聚焦到光刻胶层。当使用水作为浸没流体的时候，可以增加最大数值孔径，例如从1.2至1.35。在这种数值孔径增加的情况下，能够在单一光刻工艺中获得40nm的半节距分辨率，因此容许改善设计收缩。然而该标准浸没光刻工艺，通常不适于需要较大分辨率的器件制造，例如，对于32nm和22nm半节距节点。
为了使实际分辨率扩大超出标准光刻工艺获得的分辨率，已经从材料和工艺方面做出相当多的努力。例如，已经提出多图案化工艺以印刷超过传统光刻工具的较低分辨率限制的CD和节距。一种这样的多图案化工艺为自对准二次图案化(SADP)，例如在美国专利申请公开号2009/0146322A1中描述的。在该工艺中，在预图案化线之上形成间隔物层。接着通过刻蚀去除在线的水平表面和间隔上的所有的间隔物层材料，仅仅保留线的侧壁上的间隔物。然后刻蚀掉原始的图案线，留下用作刻蚀一个或多个下部层的侧壁间隔物。由于每个线有两个间隔物，实际上加倍了线的密度。
对于多图案化和其他光刻工艺，在良好的工艺窗口条件下印刷具有大于2的负荷比(duty ratio)的隔离线和柱在在光刻阶段是必需的。然而，由于与密集线相比在散焦(defocus)时差的空气成像对比(aerial image contrast)，对于隔离线和柱通过直接光刻成像获得好的工艺窗口是极其困难的。
为了在电子装置制造中形成好的图案，在技术方面存在改善光刻方法的持续需求，并且其可以避免或者显著改善现有技术中的一个或多个前述问题。
发明内容
根据本发明的一方面，提供修整光刻胶图案的方法。该方法包括顺序次序的下述步骤：(a)提供包括在其上表面上的要图案化的一个或多个层的半导体衬底；(b)在要图案化的一个或多个层之上形成光刻胶图案，其中该光刻胶图案包括多个特征并且由化学增强型光刻胶组合物形成，该光刻胶图案包括具有酸不稳定基团的基质聚合物；(c)在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中该修整组合物包括基质聚合物、热酸产生剂和溶剂，并且其中该修整组合物没有交联剂；(d)加热涂覆的半导体衬底以由热酸产生剂在修整组合物中产生酸，从而导致光刻胶图案的表面区域中的光刻胶基质聚合物的极性的改变；以及(e)使光刻胶图案与显影液接触以去除光刻胶图案的表面区域。作为根据本发明的方法的结果，可以显著改善形成例如隔离线和柱的图案的工艺窗口。
根据本发明的另一方面，还提供一种由此处描述的方法形成的电子器件。
如本文中：“g”代表克；wt％代表重量百分比；“nm”代表纳米；“s”代表秒；“min”代表分钟；
Figure BSA00000861820900021
代表埃；“mol％”代表摩尔百分比；“Mw”代表重均分子量；“共聚物”包括含有两个或多个不同类型聚合单元的聚合物；“烷基”包括线性的、分支的和环状的烷基结构；“脂肪族”包括线性的、分支的和环状的脂肪族结构；以及术语“一”和“一个”包括一个或多个。
附图说明
将参考以下附图描述本发明，其中相同的附图标记表示相同的特征，并且其中：
图1A-I示出根据本发明的光刻图案形成方法的工艺流程。
具体实施方式
光刻胶修整组合物
该光刻胶修整组合物包括基质聚合物、热酸产生剂和溶剂并且可以包括可选的附加组分。当涂覆在由化学增强型光刻胶组合物形成的光刻胶图案之上时，该光刻胶修整组合物可以提供各种优势例如可控地减小刻蚀图案尺寸并且改善用于形成隔离图案例如隔离线和柱的工艺窗口。
基质聚合物允许组合物以具有期望厚度的层的形式涂覆在光刻胶图案之上。这有助于确保存在足够含量的热酸产生剂用于与光刻胶图案表面反应。
基质聚合物应该在用于修整工艺的显影液中具有好的溶解性。例如，基质聚合物可溶于碱性显影剂水溶液中，优选氢氧化季铵水溶液，例如四甲基氢氧化铵水溶液，或在水中。为了最小化源于涂层材料的残留缺陷，修整组合物的干层的溶解速率应该大于要被显影剂除去的光致抗蚀剂图案表面区的溶解速率。基质聚合物典型地表现出
Figure BSA00000861820900031
的显影剂溶解速率或更高，优选
Figure BSA00000861820900032
或更高。基质聚合物可溶于此处描述的修整组合物的溶剂中。基质聚合物可从，例如聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯胺、聚乙烯醇缩醛(polyvinyl acetal)、聚(甲基)丙烯酸酯和其组合中选择。优选地，聚合物包括从-OH、-COOH、-SO3H、SiOH、羟基苯乙烯、羟基萘、磺酰胺、六氟异丙醇、酸酐、内酯、酯、醚、烯丙基胺、吡咯烷酮和其组合中选择的一个或多个功能基。
在组合物中，基质聚合物的含量取决于例如层的目标厚度，更高的聚合物含量用于更厚的层。基于修整组合物的总固体物计，基质聚合物的含量典型地为所述组合物的80到99wt％，更典型地为90到98wt％。聚合物的平均摩尔重量典型地小于400,000，优选从3000到50,000，更优选从3000到25,000。
用于外涂组合物的聚合物可以是均聚物或可以是有多个不同的重复单元的共聚物，例如两个、三个或四个不同的重复单元。修整组合物典型地包括单聚合物，但可选包括一个或多个附加的聚合物。用在外涂组合物中的合适聚合物和单体是可以商业获得的和/或易于为本领域普通技术人员制造。
修整组合物进一步包括一个或多个热酸产生剂(TAG)。在基于脱保护反应的光刻胶的情况下，热的TAG产生能分解光刻胶图案中酸性不稳定基团的键的酸。优选地，产生的酸是强酸，例如磺酸，且可以是芳香族的酸或非芳香族的酸。优选地，产生的非芳香族酸在酸基的α位置至少有一个氟取代基。合适的TAG可在大于50℃的温度活化，例如大于70℃，大于90℃，大于120℃，或大于150℃。合适的TAG从那些产生具有或不具有氟取代基的芳香族的或非芳香族酸中选择。合适的热酸产生剂的例子包括硝基苄基磺酸酯，例如2-硝基苄基磺酸酯、2，4-二硝基苄基磺酸酯、2，6-二硝基苄基磺酸酯、4-硝基苄基磺酸酯；苯磺酸酯例如2-三氟甲基-6-硝基苄基-4-氯苯磺酸酯、2-三氟甲基-6-硝基苄基-4-硝基苯磺酸酯；酚磺酸酯例如苯基，4-甲氧基苯磺酸酯；有机酸的烷基铵盐例如10-樟脑磺酸、三氟甲基苯磺酸、全氟丁烷磺酸的三乙基铵盐；以及特别的鎓盐(onium salts)。多种芳香族(蒽、萘或苯衍生物)磺酸胺盐可作为TAG，包括在美国专利3,474,054、4,200,729、4,251,665和5,187,019中公开的那些。典型地，在170℃到220℃之间，TAG有非常低的挥发性。TAGs的例子包括那些由King Industries、Norwalk、Conn.USA以NACURETM，CDXTM和K-PURETM名字销售的，例如NATURE5225、CDX-2168、K-PURETM2678和K-PURETM2700。基于修整组合物的总固体计，热敏性组分的含量典型地为组合物的大约0.1至20wt％。
用于修整组合物中的热酸产生剂优选包括以下：
Figure BSA00000861820900041
Figure BSA00000861820900051
Figure BSA00000861820900061
Figure BSA00000861820900071
其中M+为有机阳离子，优选从如下通式I-IV中选择阳离子：
Figure BSA00000861820900072
其中R1、R2和R3各自独立地从氢和有机基团中选择，例如烷基和苯基，优选任选具有氟取代基的C1至C5烷基，优选包括例如NH4+、CF3CH2NH3+、(CH3)3NH+、(C2H5)3NH+和(CH3)2(C2H5)NH+的阳离子；
Figure BSA00000861820900073
其中：R4从氢和有机基团中选择，例如烷基和芳基，优选任选具有氟取代基的C1至C5烷基或苯基；并且n为从3到12的整数，优选5或6；
Figure BSA00000861820900074
其中：R5、R6和R7独立地从氢和有机基团中选择，例如烷基和芳基，优选任选具有氟取代基的C1到C5烷基或苯基，优选R5，R6和R7中的至少之一为非芳族基；并且
其中：R8和R9独立地从氢和有机基团中选择，例如烷基和芳基，优选优选具有氟取代基的C1至C5烷基或苯基，优选R8和R9中的至少之一为非芳族基。
修整组合物进一步包括溶剂或溶剂混合物。用于配制和流延(cast)修整组合物的合适的溶剂材料相对于修整组合物的非溶剂组分表现出极好的溶解特性，但并不会可观地溶解下面的光刻胶图案以致最小化交叉混合(intermixing)。溶剂典型地从水、有机溶剂和其混合物中选择。用于外涂组合物的合适的有机溶剂包括例如：烷基酯，如烷基丙酸酯(例如丙酸正丁酯、丙酸正戊酯、丙酸正己酯和丙酸正庚酯)和烷基丁酸酯(例如丁酸正丁酯、丁酸异丁酯和异丁酸异丁酯)；酮例如2，5-二甲基-4-己酮和2，6-二甲基-4-庚酮；脂族烃例如正庚烷、正壬烷、正辛烷、正癸烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、3，3-二甲基己烷和2，3，4-三甲基戊烷，和氟化脂族烃诸如全氟庚烷；和醇例如直链、支链或环状的C4-C9的一元醇例如1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、异丁醇、叔丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇；2，2，3，3，4，4-六氟-1-丁醇、2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇和2，2，3，3，4，4，5，5，6，6-十氟-1-己醇，和C5-C9含氟二醇诸如2，2，3，3，4，4-六氟-1，5-戊二醇、2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1，6-乙二醇和2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7-十二氟-1，8-辛二醇；以及包括这些溶剂的一个或多个混合物。这些有机溶剂中，优选醇、脂族烃和醚。修整组合物的溶剂组分基于修整组合物典型地表现为从90到99wt％。
修整组合物可以包括可选的添加剂。例如，考虑到有机溶剂显影剂的显影，修整组合物可包括和抗蚀图案的表面区域反应的额外组分，使其可溶于有机溶剂显影剂中。此组分优选从包括-OH、-NH、-SH、酮、醛、-SiX、乙烯基醚及其组合中选择的功能基团，其中X为卤素。该组分对于负性显影(NTD)工艺尤为有用。该组分扩散进入NTD光刻胶的表面区域中去并且与抗蚀剂表面的羧酸基反应。该反应导致表面的极性改变，使表面在有机显影液中可溶，例如2-庚酮或乙酸正丁酯。如果使用这种组分，典型地以基于修整组合物的总的固体物的0.1至10wt％的含量存在。
修整组合物可进一步包括表面活性剂。典型的表面活性剂包括那些表现为两亲特性的，意味着在同一时间他们既是亲水的又是疏水的。两亲性表面活性剂拥有对水有强的亲合力的亲水头基或基团和亲有机物质的和排斥水的长的疏水尾。合适的表面活性剂是离子的(例如阴离子的、阳离子的)或非离子的。此外，表面活性剂的例子包括硅树脂表面活性剂、聚(氧化烯(alkylene oxide))表面活性剂和含氟化合物表面活性剂。合适的非-离子型表面活性剂包括但不限于辛基和壬基酚乙氧基化物诸如
Figure BSA00000861820900091
X-100、X-45、X-15以及支链的仲醇乙氧基化物诸如TERGITOLTM TMN-6(The Dow Chemical Company，Midland，Michigan USA)。再进一步示例性的表面活性剂包括醇(伯和仲)乙氧基化物、胺乙氧基化物、葡萄糖苷、葡糖胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)或其他发表在《McCutcheon’s Emulsifiersand Detergents》上的表面活性剂，在2000年由Glen Rock，N.J的ManufacturersConfectioners Publishing Co.出版的北美版本。为炔二醇衍生物的非-离子型表面活性剂也是合适的。这样的表面活性剂是可以从PA，Allentown的Air Products andChemicals，Inc且以
Figure BSA00000861820900092
和
Figure BSA00000861820900093
的商标销售而商业获得的。其他合适的表面活性剂包括其他聚合物合成物，例如
Figure BSA00000861820900094
25R2、L121、L123、L31、L81、L101和P123(BASF公司)的三嵌段EO-PO-EO共聚物。如果使用的话，这些表面活性剂和其他可选添加剂典型地基于修整组合物的总固体的从0.01到10wt％的摩尔量存在于组合物中。
修整组合物不含交联剂，因为这些材料可导致抗蚀图案的尺寸增加。典型地，修整组合物不含碱性猝灭剂和碱产生剂，例如热碱产生剂化合物，因为这些化合物可能中和修整组合物中的热酸产生剂组分的作用。然而，其包括诸如胺或酰胺(amide)化合物的碱性材料在某些情况下可能有用，例如，当使用鎓盐TAG时。在这种情况下，碱性材料可以用于调节热酸产生剂的温度。
可以使用公知的程序准备光刻胶修整组合物。例如，可以通过将组合物的固体成分在溶剂成分中溶解制备该组合物。组合物的所需的总固体物含量取决于例如所需的最终的层厚这样的因素。优选地，修整组合物的固体物的含量基于组合物的总重量的1至10wt％，更优选的1至5wt％。
光刻胶图案修整方法
现在将参考图1A-I描述根据本发明的工艺，图1A-I示出使用光刻胶图案修整技术形成光刻图案的示例性工艺流程。尽管示出的工艺流程为用于形成抗蚀剂图案的正型显影工艺，本发明同样适用于由负型显影(NTD)形成的图案。
图1A示出衬底100的横截面图，其可包括各种层和部件(feature)。该衬底可以是例如半导体、玻璃、石英、陶瓷、铜等，半导体材料例如硅或化合物半导体(例如，III-V或II-VI)。典型地，该衬底为半导体晶片，例如单晶硅或化合物半导体晶片并且可以具有形成在其表面上的一个或多个层和图案特征。可在衬底100之上提供一个或多个要被图案化的层102。可选地，可以图案化下层基体衬底材料本身，例如当期望在衬底材料中形成沟槽时。在图案化基体衬底材料本身时，认为该图案形成在衬底的层中。
该层可以包括例如一个或多个导电层(例如铝、铜、钼、钽、钛、钨、合金或这些金属的氮化物或硅化物，掺杂无定形硅或掺杂多晶硅的层)，一个或多个电介质层例如氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或金属氧化物，半导体层例如单晶硅，及其组合。可通过各种技术形成要刻蚀的层，例如，化学气相沉积(CVD)例如等离子增强型CVD、低压CVD或外延生长，物理气相沉积(PVD)例如溅射或蒸发或电镀。该要刻蚀的一个或多个层102的具体的厚度将根据材料和要形成的具体器件而不同。
根据要刻蚀的具体层，层厚和光刻材料和将要使用的工艺，期望在层102之上设置硬掩膜层103和/或其上要涂覆有光刻胶层106的底部抗反射图层(BARC)104。当要刻蚀的层需要显著的刻蚀深度和/或具体的刻蚀剂具有差的刻蚀选择性时，例如对于非常薄的抗蚀剂层需要使用硬掩膜层。当使用硬掩膜时，要形成的刻蚀剂图案可以转移到硬掩膜103，其依次可用作刻蚀下层102的掩膜。合适的硬掩膜材料和形成方法是公知的现有技术。典型的材料包括例如钨、钛、氮化钛、氧化钛、氧化锆、氧化铝、氮氧化铝、氧化铪、无定形碳、氮氧化硅和氮化硅。该硬掩膜层可以包括单个层或不同材料的多个层。该硬掩膜层例如可以通过化学或物理气相沉积技术形成。
当衬底和/或下层在光刻曝光期间以不同方式反射显著量的入射线从而不利地影响所形成的图案的质量时，可需要底部抗反射涂层。这种涂层可以改善聚焦深度、曝光容度、线宽均匀性和CD控制。在抗蚀剂曝光于深紫外线(300nm或更短)时，例如KrF受激准分子激光器光线(248nm)或ArF受激准分子激光器光线(193nm)，典型地使用抗反射涂层。该抗反射涂层可包括单个层或多个不同的层。合适的抗反射材料和形成方法是公知的现有技术。抗反射层是商业可获得的，例如，那些由罗门哈斯电子材料LLC(Marlborough，MAUSA)的ARTM商标旗下出售的，例如ARTM40A和ARTM124抗反射材料。
在衬底上的抗反射涂层(如果存在的话)之上设置由化学增强光敏组合物形成的光刻胶材料106，所述化学增强光敏组合物包括具有酸不稳定基团的基质聚合物。光刻胶组合物可以通过旋涂、蘸取、辊涂或其它传统涂覆技术施加到衬底上。其中，典型地为旋涂。对于旋涂，可以调整涂覆溶液的固体含量以基于具体使用的涂覆设备、溶液的流速、涂覆工具的速度和允许的旋转时间量来提供期望的膜厚。对于光刻胶层106的典型膜厚度为大约500至
Figure BSA00000861820900111
接着，可以软烘光刻胶层106以最小化该层中的溶剂含量，从而形成不发粘的涂层并且改善该层与衬底之间的附着力。软烘可以在加热板上或在烤箱中实施，典型的为加热板。软烘温度和时间取决于例如光刻胶的具体材料和厚度。典型的在大约90到150℃左右的温度并且大约30至90秒的时间实施软烘。
接着，光刻胶层106通过第一掩膜110暴露于活化辐射108以在曝光的和未曝光的区域之间产生不同的溶解性。此处提及将光刻胶组合物暴露于激活组合物的辐射，是指辐射能够在光刻胶组合物中形成潜像。光掩膜具有分别对应于将要通过活化辐射曝光和不曝光的抗蚀剂层区域的透光和不透光区域112、114。曝光波长典型地为亚400nm、亚300nm或例如193nm或EUV波长的亚200nm，典型的为248nm和193nm。曝光能量典型地为大约从10到80mJ/cm2，取决于曝光工具和光敏组合物的组分。
光刻胶层106的曝光之后，进行后曝光烘焙(PEB)。PEB可在例如加热板上或在烤箱中进行。PEB的条件取决于例如具体的光刻胶组合物和层厚度。典型地在从大约80到150℃的温度且时间大约为30到90秒进行PEB。从而形成由极性转换和未转换区域(分别对应于曝光和未曝光区域)之间的边界界定的潜像。
接着，显影光刻胶层以去除光刻胶层106的曝光区域，留下未曝光的区域，形成具有如图1B所示的多个特征的抗蚀剂图案106’。该特征不限于此，且可包括例如多个线和/或圆柱，其能够在将要图案化的下部层中形成线和/或接触孔图案。该显影剂典型地为水性碱性显影液，例如氢氧化季铵溶液，例如四烷基氢氧化铵溶液，如0.26规定浓度(Normality)(N)(2.38wt％)四甲基氢氧化铵。在负型显影工艺的情况下，当去除光刻胶层的未曝光的区域并且保留曝光的区域以形成图案时，使用有机溶剂显影液。该有机显影液例如可以是选自酮类、酯类、醚类、烃类和它们的混合物的溶剂。其中典型的为2-庚酮和乙酸正丁酯。
典型地，抗蚀剂图案例如多个线和/或柱，在修整前具有1∶2或更大、1∶1.5或更大或1∶1或更大的负荷比。在线和柱的情况下，负荷比分别定义为线宽或柱直径(L)与相邻线或柱之间的空间长度(S)的比率(即L∶S)。更大的负荷比指的是更大的线或柱的密度，而更小的负荷比指的是更小的线或柱的密度(例如更大的隔离)。参考图1B，修整前的负荷比为L1∶S1。
如图1C所示，此处描述的光刻胶修整组合物的层116形成在光刻胶图案106’上。修整组合物典型地通过旋涂施加到衬底。基于使用的具体的涂覆设备、溶液的粘度、涂覆工具的速度和允许涂覆的时间，调整涂覆溶液的固体含量以提供希望的膜厚度。图案修整层116典型的厚度为从200到
Figure BSA00000861820900121
如图1D所示，接着烘焙衬底以去除修整层中的溶剂，通过TAG引起酸产生，将产生的酸扩散到下部抗蚀剂图案106’的表面中去并且允许抗蚀剂图案表面区域118中的极性变化反应。烘焙可以在加热板上或者烤箱120中实施，典型地使用加热板。合适的烘焙温度大于50℃，例如大于70℃、大于90℃、大于120℃或大于150℃，温度从70至160℃并且时间从大约30至90秒为典型的。尽管单一烘焙步骤是典型的，但也可使用多步骤烘焙并且对于抗蚀剂侧面调整是有用的。
接着抗蚀剂图案与显影液接触以去除修整组合物层116和光刻胶图案118的表面区域，得到的图1E所示的修整图案。显影液典型的为碱性显影剂水溶液如氢氧化季铵溶液，例如，四烷基氢氧化铵溶液，如0.26标准浓度(N)(2.38wt％)四甲基氢氧化铵(TMAH)。可替代地，可使用有机溶剂显影液，例如，可以选自酮类、酯类、醚类、烃类和它们的混合物的溶剂。有机溶液显影液中，典型的为2-庚酮和乙酸正丁酯。
修整后的抗蚀剂图案的负荷比(L2∶S2)典型的为1∶2或更小，1∶3或更小或1∶4或更小。在双图案化工艺的情况下，修整前的典型的负荷比大约为1∶1且修整后大约为1∶3。
接着，使用众所周知的技术，在修整的光刻胶图案和衬底的上表面上形成隔离层。隔离层典型地由从硅氮化物、硅氧化物和硅氧氮化物中选择的材料形成。这种材料可通过不同的技术沉积，化学气相淀积(CVD)例如等离子增强CVD是典型的。如图lF所示，接着通过刻蚀去除在线和空间的水平表面上的所有隔离层，在光刻胶图案的侧壁上留下间隔物120。
接着如图1G所示，去除第一光刻胶图案106”，留下间隔物120。因为通常间隔物形成在第一抗蚀剂图案的所有侧面上且抗蚀剂图案在中间，，它们通常形成封闭环结构。因此，在使用间隔物形成线图案的情况下，可以执行修整工艺以去除图案的末端以将间隔物分离成离散的线图案。该修整工艺例如可以使用公知的刻蚀技术实施。
如果存在BARC层104，使用间隔物120作为刻蚀掩膜选择性地刻蚀，露出下部硬掩膜层103。接着，再次使用间隔物120作为刻蚀掩膜，选择性地刻蚀硬掩膜层，得到如图1H所示的图案化的BARC和硬掩膜层104’、103’。在现有技术中合适的刻蚀技术和用于刻蚀BARC层和硬掩膜的化学品是公知的，并且将取决于例如这些层的具体材料。干法刻蚀工艺例如反应离子刻蚀是典型的。接着，使用公知的技术从衬底除去间隔物120和图案化的BARC层104’。
使用硬掩膜图案103’作为刻蚀掩膜，选择性的刻蚀一个或多个层102。在现有技术中已知用于刻蚀下部层102和硬掩膜的合适刻蚀技术和化学品，干法刻蚀工艺例如反应离子蚀刻是典型的。接着可使用公知技术如干法-刻蚀工艺例如反应离子刻蚀工艺从衬底的表面移除该图案化硬掩膜层。得到的结构为刻蚀的特征图案，例如，线和/或接触孔图案。在可替代的实施方法中，期望不使用硬掩膜层直接图案化该层102。是否使用直接图案化将取决于以下因素例如涉及的材料、抗蚀剂的选择、抗蚀剂图案厚度和图案尺寸。
如下非限定示例阐述本发明。
实施例
光刻胶组合物
光刻胶A：正性化学增强型光刻胶组合物通过混合以下组分制备：1.35g的聚合物A(M1/M2/M3＝4/4/2摩尔比，Mw＝10K)和1.35g的聚合物B
(M1/M2/M3/M4＝30/35/15/20，Mw＝6K)，其中单体单元M1-M4如下：
0.51g的三苯基锍4-(3-羟基-金刚烷-1-羰氧基)-1，1，2，2-四氟丁烷磺酸盐(TPS-ADOH-TFBS)光产酸剂，0.07g的三羟甲基-氨基甲酸叔丁基酯碱性猝灭剂，0.001g的POLYFOXTM656表面活性剂，19.34g的丙二醇甲基醚乙酸酯和77.36g的甲基-2-烃基-异丁酸酯。
光刻胶修整组合物
实施例1：PTC1
混合2.813g的丙烯酸叔丁酯/甲基丙烯酸(7/3的摩尔比)的共聚物，0.087g的TAG1，19.420g的癸烷和77.680g的2-甲基1-丁炔醇(butynol)，直到所有的组分都溶解。产生的混合物用0.2微米的尼龙过滤器过滤。
Figure BSA00000861820900141
实施例2：PTC2
混合2.610g的丙烯酸叔丁酯/甲基丙烯酸（7/3的摩尔比)的共聚物，0.290g的TAG2，24.275g的癸烷和72.825g的2-甲基-1-丁炔醇，直到所有的组分都溶解。产生的混合物用0.2微米的尼龙过滤器过滤。
光刻工艺
实施例3
光刻胶A旋转涂覆在12英寸硅片的有机底部抗反射涂层(BARC ARTM12423nm/ARTM26N77nm(罗门哈斯电子材料有限公司))上，在95℃软烘焙60秒，达到厚度为700埃。OpticoatTM OC2000顶涂层材料(罗门哈斯电子材料有限公司)涂覆在抗蚀剂上以组成浸没外涂层。涂覆的晶片用ASMLArF1900i浸入式扫描仪以NA＝1.35，偶极子35Y照度(0.9/0.635sigma)，加上X偏振曝光，并且在90℃下后曝光烘焙60秒。涂覆的晶片用0.26N(标准)四甲基氢氧化铵水溶液处理以显影成像的抗蚀剂层，形成45nm1∶1线和空间的抗蚀剂图案。测量一片图案化的晶片的线宽。在另一图案化晶片上旋转涂覆70nm厚的实施例1(PTC1)或实施例2(PTC2)的修整组合物的层，在表1表示的条件下烘焙，并且用TEL Lithus GP喷嘴在2.38％TMAH显影剂中显影。用表1中显示的结果测量线宽。也用表2中显示的结果测量PCT2样片有效灵敏度(ES)、临界尺寸(CD)和聚焦深度(DOF)。ES表示曝光和显影后，线和空间图案达到目标CD时，曝光的量，
实施例4(对比)
重复实施例3的工序，除了没有修整组合物涂覆在晶片上，并且在修整-烘焙后，抗蚀剂图案的晶片用2.38％的TMAH显影60秒。在修整-烘焙前和修整-烘焙/显影步骤后，用表1中显示的结果测量抗蚀剂图案的线宽。
表1
Figure BSA00000861820900151
表2
Figure BSA00000861820900152
结果显示本发明的抗蚀剂修整组合物有效地收缩光刻胶图案的CD并且提高聚焦深度。

Claims (10)

1.一种修整光刻胶图案的方法，所述方法包括顺序次序的下述步骤：
(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其上表面上具有一层或更多层要被图案化的层；
(b)在该一层或多层要被图案化的层上形成光刻胶图案，其中该光刻胶图案包括多个特征且由化学增强型光刻胶组合物形成，该光刻胶图案包含具有酸不稳定基团的基质聚合物；
(c)在该光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中该修整组合物含基质聚合物、热酸产生剂和溶剂，并且其中该修整组合物没有交联剂；
(d)加热涂覆的半导体衬底以由热酸产生剂在修整组合物中产生酸，从而导致在光刻胶图案的表面区域的光刻胶基质聚合物的极性的改变；以及
(e)使光刻胶图案与显影液接触以去除光刻胶图案的表面区域。
2.根据权利要求1的方法，其中由热酸产生剂产生的酸是氟取代的。
3.根据权利要求1或2的方法，其中光刻胶修整组合物的溶剂选自水、有机溶剂以及其混合物。
4.根据权利要求2的方法，其中光刻胶修整组合物的溶剂选自烷烃、醇、醚、酯、酮及其混合物。
5.根据权利要求1-4的任意一项的方法，其中光刻胶修整组合物的基质聚合物可溶于碱性显影剂水溶液。
6.根据权利要求1-5的任意一项的方法，其中显影液是四甲基氢氧化铵水溶液。
7.根据权利要求1-6的任意一项的方法，其中光刻胶修整组合物的基质聚合物包括选自-OH、-COOH、-SO3H、-SiOH、羟基苯乙烯、羟基萘、磺酰胺、六氟异丙基醇、酸酐、内酯、酯、醚、烯丙胺、吡咯烷酮的官能团。
8.根据权利要求1-7的任意一项的方法，其中修整组合物进一步包括选自-OH、-NH、-SH、酮、醛、-SiX、乙烯醚以及其混合物的官能团，其中X选自卤素。
9.根据权利要求1-8的任意一项的方法，其中光刻胶图案的多个特征包括具有在修整之前1∶1或更高的负荷比且在修整后1∶3或更低的负荷比的多个线或柱。
10.根据权利要求1-9的任意一项的方法，进一步包括：
(f)在光刻胶图案和显影液接触后在被修整的光刻胶图案上形成侧壁间隔物；以及
(g)去除修整的光刻胶图案，在要被图案化的一层或多层上留下侧壁间隔物。
CN201210599256.XA 2011-12-31 2012-12-31 光刻胶图案修整方法 Active CN103258720B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161582289P 2011-12-31 2011-12-31
US61/582,289 2011-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103258720A true CN103258720A (zh) 2013-08-21
CN103258720B CN103258720B (zh) 2016-05-18

Family

ID=48695142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210599256.XA Active CN103258720B (zh) 2011-12-31 2012-12-31 光刻胶图案修整方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9209035B2 (zh)
JP (1) JP6108832B2 (zh)
KR (1) KR102129860B1 (zh)
CN (1) CN103258720B (zh)
TW (1) TWI481969B (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104749888A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 罗门哈斯电子材料有限公司 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN106129042A (zh) * 2016-06-30 2016-11-16 上海华力微电子有限公司 调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法
CN106631923A (zh) * 2015-10-31 2017-05-10 罗门哈斯电子材料有限责任公司 热酸产生剂以及光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN106631922A (zh) * 2015-10-31 2017-05-10 罗门哈斯电子材料有限责任公司 热酸产生剂以及光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN107146796A (zh) * 2017-04-13 2017-09-08 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种提高背面金属栅格分辨率的方法和半导体结构
CN107168014A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案修整组合物和方法
CN107168013A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案修整方法
CN107665814A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案处理方法
TWI617611B (zh) * 2014-12-31 2018-03-11 羅門哈斯電子材料有限公司 光致抗蝕劑圖案修整組合物及方法
CN108017970A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 罗门哈斯电子材料有限责任公司 含有氟化热酸产生剂的面漆组合物
CN108885977A (zh) * 2016-03-04 2018-11-23 东京毅力科创株式会社 在集成方案的各个阶段期间进行图案化的修整方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130015145A (ko) * 2011-08-02 2013-02-13 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
TWI510854B (zh) * 2011-12-31 2015-12-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光阻劑圖案修整方法
TWI481969B (zh) * 2011-12-31 2015-04-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光阻劑圖案修整方法
JP5818710B2 (ja) 2012-02-10 2015-11-18 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
JP6315748B2 (ja) * 2012-04-27 2018-04-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6328931B2 (ja) * 2012-12-31 2018-05-23 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジストパターントリミング方法
US9129814B2 (en) * 2013-11-25 2015-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit patterning
KR102245135B1 (ko) 2014-05-20 2021-04-28 삼성전자 주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법
KR101554103B1 (ko) * 2014-06-10 2015-09-17 동우 화인켐 주식회사 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물
JP6540293B2 (ja) * 2014-07-10 2019-07-10 Jsr株式会社 レジストパターン微細化組成物及び微細パターン形成方法
TWI584061B (zh) 2014-08-27 2017-05-21 羅門哈斯電子材料有限公司 多重圖案的形成方法
JP6539499B2 (ja) * 2015-05-27 2019-07-03 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
TWI675258B (zh) * 2014-09-26 2019-10-21 日商東京應化工業股份有限公司 光阻圖型形成方法、光阻圖型分離劑、分離圖型改善化劑、光阻圖型分離材料及分離圖型形成用之正型光阻劑組成物
TWI676863B (zh) 2014-10-06 2019-11-11 日商東京應化工業股份有限公司 光阻圖型之修整方法
TWI682250B (zh) * 2014-10-17 2020-01-11 日商東京應化工業股份有限公司 光阻圖型形成方法
JP6455370B2 (ja) * 2014-10-30 2019-01-23 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
JP6455369B2 (ja) * 2014-10-30 2019-01-23 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
JP6503206B2 (ja) 2015-03-19 2019-04-17 東京応化工業株式会社 レジストパターン修復方法
KR102374049B1 (ko) 2015-06-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 방법
JP6477270B2 (ja) * 2015-06-09 2019-03-06 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US9455177B1 (en) * 2015-08-31 2016-09-27 Dow Global Technologies Llc Contact hole formation methods
US10036957B2 (en) 2016-01-29 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Post development treatment method and material for shrinking critical dimension of photoresist layer
US11003074B2 (en) 2017-05-01 2021-05-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions
US11506981B2 (en) 2019-05-31 2022-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist pattern trimming compositions and pattern formation methods
US11754927B2 (en) * 2019-05-31 2023-09-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist pattern trimming compositions and pattern formation methods

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030017711A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 International Business Machines Corporation Lateral-only photoresist trimming for sub-80 nm gate stack
CN1531018A (zh) * 2003-03-10 2004-09-22 联华电子股份有限公司 图案光阻的微缩制程
CN1764675A (zh) * 2003-03-28 2006-04-26 Az电子材料（日本）株式会社 用于形成精细图形的助剂及其制备方法
CN1866130A (zh) * 2005-05-16 2006-11-22 联华电子股份有限公司 缩小关键尺寸的方法
US20080122125A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Micron Technology, Inc. Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions
US20090311490A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 International Business Machines Corporation Chemical trim of photoresist lines by means of a tuned overcoat material

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04329216A (ja) 1991-05-02 1992-11-18 Hitachi Cable Ltd 絶縁電線
FR2742168B1 (fr) 1995-12-08 1998-01-16 Novalis Fibres Fibres a frisure permanente et procede de fabrication de ces fibres
US6180320B1 (en) 1998-03-09 2001-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device having a fine pattern, and semiconductor device manufactured thereby
JP4329216B2 (ja) * 2000-03-31 2009-09-09 Ｊｓｒ株式会社 レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
JP2002006512A (ja) 2000-06-20 2002-01-09 Mitsubishi Electric Corp 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
JP2002299202A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP3476080B2 (ja) 2001-11-05 2003-12-10 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
JP3953822B2 (ja) 2002-01-25 2007-08-08 富士通株式会社 レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
US8440569B2 (en) 2007-12-07 2013-05-14 Cadence Design Systems, Inc. Method of eliminating a lithography operation
JP4779028B2 (ja) 2009-02-27 2011-09-21 パナソニック株式会社 パターン形成方法
KR20110060724A (ko) * 2009-11-30 2011-06-08 주식회사 하이닉스반도체 콘택홀 패턴 형성방법
US8828493B2 (en) * 2009-12-18 2014-09-09 International Business Machines Corporation Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom
US20110174774A1 (en) 2010-01-21 2011-07-21 Ying-Chih Lin Method of descumming patterned photoresist
JP2011257499A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法及びパターン微細化処理剤
JP2013117701A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細パターン形成方法、及びパターン微細化用被覆形成剤
TWI481969B (zh) * 2011-12-31 2015-04-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光阻劑圖案修整方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030017711A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 International Business Machines Corporation Lateral-only photoresist trimming for sub-80 nm gate stack
CN1531018A (zh) * 2003-03-10 2004-09-22 联华电子股份有限公司 图案光阻的微缩制程
CN1764675A (zh) * 2003-03-28 2006-04-26 Az电子材料（日本）株式会社 用于形成精细图形的助剂及其制备方法
CN1866130A (zh) * 2005-05-16 2006-11-22 联华电子股份有限公司 缩小关键尺寸的方法
US20080122125A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Micron Technology, Inc. Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions
US20090311490A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 International Business Machines Corporation Chemical trim of photoresist lines by means of a tuned overcoat material

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104749888A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 罗门哈斯电子材料有限公司 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN104749888B (zh) * 2013-12-30 2019-12-10 罗门哈斯电子材料有限公司 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
TWI617611B (zh) * 2014-12-31 2018-03-11 羅門哈斯電子材料有限公司 光致抗蝕劑圖案修整組合物及方法
CN106631923A (zh) * 2015-10-31 2017-05-10 罗门哈斯电子材料有限责任公司 热酸产生剂以及光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN106631922A (zh) * 2015-10-31 2017-05-10 罗门哈斯电子材料有限责任公司 热酸产生剂以及光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN106631923B (zh) * 2015-10-31 2020-05-19 罗门哈斯电子材料有限责任公司 热酸产生剂以及光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
TWI615383B (zh) * 2015-10-31 2018-02-21 羅門哈斯電子材料有限公司 熱酸產生劑以及光阻劑圖案修整組合物及方法
CN108885977B (zh) * 2016-03-04 2023-08-08 东京毅力科创株式会社 在集成方案的各个阶段期间进行图案化的修整方法
CN108885977A (zh) * 2016-03-04 2018-11-23 东京毅力科创株式会社 在集成方案的各个阶段期间进行图案化的修整方法
CN107168014B (zh) * 2016-03-07 2021-06-25 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案修整组合物和方法
CN107168014A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案修整组合物和方法
CN107168013A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案修整方法
CN106129042B (zh) * 2016-06-30 2019-02-19 上海华力微电子有限公司 调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法
CN106129042A (zh) * 2016-06-30 2016-11-16 上海华力微电子有限公司 调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法
CN107665814A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案处理方法
CN108017970A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 罗门哈斯电子材料有限责任公司 含有氟化热酸产生剂的面漆组合物
CN107146796A (zh) * 2017-04-13 2017-09-08 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种提高背面金属栅格分辨率的方法和半导体结构

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013156628A (ja) 2013-08-15
KR102129860B1 (ko) 2020-07-03
US20130171825A1 (en) 2013-07-04
US9209035B2 (en) 2015-12-08
KR20130079295A (ko) 2013-07-10
CN103258720B (zh) 2016-05-18
JP6108832B2 (ja) 2017-04-05
US20160141171A1 (en) 2016-05-19
TW201341981A (zh) 2013-10-16
US9583344B2 (en) 2017-02-28
TWI481969B (zh) 2015-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103258720B (zh) 光刻胶图案修整方法
CN103186038B (zh) 光刻胶图案的修整方法
KR102195470B1 (ko) 포토레지스트 패턴 트리밍 방법
CN105388709B (zh) 多图案形成方法
TWI617611B (zh) 光致抗蝕劑圖案修整組合物及方法
KR102346806B1 (ko) 포토레지스트 패턴 트리밍 조성물 및 방법
JP5851085B2 (ja) 多重露光フォトリソグラフィーのための組成物および方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant